專利名稱：一種屏蔽帽的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種屏蔽帽。
背景技術(shù)：
目前，電子元器件會(huì)產(chǎn)生電磁信號(hào)，該等電磁信號(hào)會(huì)干擾其他電子元器件。因此，迫切需要一種能夠?qū)﹄娮釉骷碾姶判盘?hào)進(jìn)行屏蔽，進(jìn)而能夠?qū)崿F(xiàn)使待保護(hù)電子元器件既不對(duì)其它元器件產(chǎn)生電磁干擾，也保護(hù)待保護(hù)器件不受其它元器件的電磁干擾的屏蔽帽。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于提供一種能夠屏蔽電磁信號(hào)的屏蔽帽。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型所提供屏蔽帽包括帽體，帽體具有一收容腔，帽體于收容腔形成有帽體壁，帽體壁包括外層的絕緣層和內(nèi)層的金屬粉熱熔膠層。優(yōu)選地，所述金屬粉熱熔膠層為銀粉熱熔膠層、鎳粉熱熔膠層、錫粉熱熔膠層、鈦粉熱熔膠層、鋁粉熱熔膠層、銅粉熱熔膠層、炭黑熱熔膠層或石墨粉熱熔膠層或銀粉、鎳粉、錫粉、鈦粉、鋁粉、銅粉、炭黑或石墨粉其中的任兩種或兩種以上的復(fù)合熱熔膠層。優(yōu)選地，所述絕緣層為聚乙烯、氟塑料、聚氯乙烯、聚氨酯、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚己內(nèi)酯、反式聚異戊二烯、乙烯-醋酸乙烯共聚物、乙烯-辛烯共聚物、聚丙烯或苯乙烯-丁二烯其中的任一種絕緣層或任兩種以上混合絕緣層。優(yōu)選地，所述絕緣層為無(wú)鹵阻燃絕緣層。優(yōu)選地，所述屏蔽帽進(jìn)一步包括導(dǎo)磁層。優(yōu)選地，所述導(dǎo)磁層設(shè)置于所述金屬粉熱熔膠層與絕緣層之間，或者鄰近所述絕緣層的外壁面設(shè)置。 優(yōu)選地，所述導(dǎo)磁層由高磁性高分子材料制成。如上所述，本實(shí)用新型屏蔽帽包括帽體，帽體具有一收容腔，帽體于收容腔形成有帽體壁，帽體壁包括外層的絕緣層和內(nèi)層的金屬粉熱熔膠層，金屬粉熱熔膠層能夠屏蔽電磁信號(hào)，尤其對(duì)高頻電磁信號(hào)的屏蔽效果更佳。

圖I為本實(shí)用新型屏蔽帽第一實(shí)施例的示意圖；圖2、圖3為本實(shí)用新型屏蔽帽第二實(shí)施例不同結(jié)構(gòu)形式的示意圖。圖中各附圖標(biāo)記說(shuō)明如下帽體10 收容腔11帽體壁12 絕緣層121金屬粉熱熔膠層 122導(dǎo)磁層12具體實(shí)施方式
為詳細(xì)說(shuō)明本實(shí)用新型的技術(shù)內(nèi)容、構(gòu)造特征、所實(shí)現(xiàn)目的及效果，以下結(jié)合實(shí)施方式并配合附圖詳予說(shuō)明。請(qǐng)參閱圖1，其揭示了本實(shí)用新型屏蔽帽的第一實(shí)施例，包括帽體10，帽體10具有一收容腔11，帽體10于收容腔11形成有帽體壁12。帽體壁12包括外層的絕緣層121和內(nèi)層的金屬粉熱熔膠層122。絕緣層121可為絕緣層為聚乙烯、氟塑料、聚氯乙烯、聚氨酯、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚己內(nèi)酯、反式聚異戊二烯、乙烯-醋酸乙烯共聚物、乙烯-辛烯共聚物、聚丙烯或苯乙烯-丁二烯其中的任一種絕緣層或任兩種以上混合絕緣層，主要起絕緣密封作用。金屬粉熱熔膠層122可為銀粉熱熔膠層、鎳粉熱熔膠層、錫粉熱熔膠層、鈦粉熱熔膠層、鋁粉熱熔膠層、銅粉熱熔膠層、炭黑熱熔膠層或石墨粉熱熔膠層或銀粉、鎳粉、錫粉、鈦粉、鋁粉、銅粉、炭黑或石墨粉其中的任兩種或兩種以上的復(fù)合熱熔膠層。金屬粉熱熔膠層122能夠?qū)Ω哳l信號(hào)進(jìn)行有效的屏蔽請(qǐng)參閱圖2，其揭示了本實(shí)用新型屏蔽帽的第二實(shí)施例，本實(shí)施例與第一實(shí)施例類似，其區(qū)別在于屏蔽帽的帽體壁12進(jìn)一步包括導(dǎo)磁層123。導(dǎo)磁層123可由高導(dǎo)磁率高分子材料制成，高導(dǎo)磁率高分子材料可以以高分子材料為基材，加入一定數(shù)量的高導(dǎo)磁率材料共混而成。高導(dǎo)磁率材料包括錳鋅鐵氧體材料、鎳鋅鐵氧體材料、銅鋅鐵氧體材料、鐵娃招材料、擬基鐵等。導(dǎo)磁層123采用高導(dǎo)磁率的材料，形成低磁阻的通路，通過(guò)屏蔽體的吸收衰減以達(dá)到屏蔽的效果，能夠?qū)﹄姶判盘?hào)尤其是低頻信號(hào)進(jìn)行有效的屏蔽，從而能夠使本實(shí)用新型屏蔽帽不僅能夠?qū)Ω哳l信號(hào)進(jìn)行有效屏蔽，對(duì)低頻信號(hào)也能夠進(jìn)行有效的屏蔽。帽體壁的絕緣層121、金屬粉熱熔膠層122以及導(dǎo)磁層123的結(jié)構(gòu)方式有以下兩種第一種，導(dǎo)磁層123設(shè)置于金屬粉熱熔膠層122與絕緣層121之間(如圖2所示)。第二種，導(dǎo)磁層123鄰近絕緣層121的外壁面設(shè)置(如圖3所示)。本實(shí)用新型屏蔽帽具有金屬粉熱熔膠層122能夠?qū)Ω哳l信號(hào)進(jìn)行有效的屏蔽，同時(shí)進(jìn)一步包括能夠?qū)Φ皖l信號(hào)進(jìn)行有效屏蔽的導(dǎo)磁層123，能夠?qū)Ω哳l信號(hào)、低頻信號(hào)進(jìn)行全方位的屏蔽。本實(shí)用新型并不局限于上述具體實(shí)施方式
，熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的人員還可據(jù)此做出多種變化，但任何與本實(shí)用新型等同或相類似的變化都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型權(quán)利要求的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種屏蔽帽，包括帽體，帽體具有一收容腔，帽體于收容腔形成有帽體壁，其特征在于帽體壁包括外層的絕緣層和內(nèi)層的金屬粉熱熔膠層。
2.如權(quán)利要求I所述的屏蔽帽，其特征在于所述金屬粉熱熔膠層為銀粉熱熔膠層、鎳粉熱熔膠層、錫粉熱熔膠層、鈦粉熱熔膠層、鋁粉熱熔膠層、銅粉熱熔膠層、炭黑熱熔膠層或石墨粉熱熔膠層。
3.如權(quán)利要求I或2所述的屏蔽帽，其特征在于所述絕緣層為聚乙烯、氟塑料、聚氯乙烯、聚氨酯、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚己內(nèi)酯、反式聚異戊二烯、乙烯-醋酸乙烯共聚物、乙烯-辛烯共聚物、聚丙烯或苯乙烯-丁二烯其中的任一種絕緣層。
4.如權(quán)利要求I或2所述的屏蔽帽，其特征在于所述絕緣層為無(wú)鹵阻燃絕緣層。
5.如權(quán)利要求I或2所述的屏蔽帽，其特征在于所述屏蔽帽進(jìn)一步包括導(dǎo)磁層。
6.如權(quán)利要求5所述的屏蔽帽，其特征在于所述導(dǎo)磁層設(shè)置于所述金屬粉熱熔膠層與絕緣層之間。
7.如權(quán)利要求5所述的導(dǎo)電熱熔膠多壁熱縮管，其特征在于所述導(dǎo)磁層鄰近所述絕緣層的外壁面設(shè)置。
8.如權(quán)利要求5所述的導(dǎo)電熱熔膠多壁熱縮管，其特征在于所述導(dǎo)磁層由高磁性高分子材料制成。
專利摘要本實(shí)用新型公開一種屏蔽帽，包括帽體，帽體具有一收容腔，帽體于收容腔形成有帽體壁，帽體壁包括外層的絕緣層和內(nèi)層的金屬粉熱熔膠層。金屬粉熱熔膠層為銀粉熱熔膠層、鎳粉熱熔膠層、錫粉熱熔膠層、鈦粉熱熔膠層、鋁粉熱熔膠層、銅粉熱熔膠層、炭黑熱熔膠層或石墨粉熱熔膠層或銀粉、鎳粉、錫粉、鈦粉、鋁粉、銅粉、炭黑或石墨粉其中的任兩種或兩種以上的復(fù)合熱熔膠層。本實(shí)用新型屏蔽帽的金屬粉熱熔膠層能夠屏蔽電磁信號(hào)，尤其對(duì)高頻電磁信號(hào)的屏蔽效果更佳。
文檔編號(hào)H05K9/00GK202503866SQ20112050815
公開日2012年10月24日 申請(qǐng)日期2011年11月24日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月24日
發(fā)明者周和平, 康樹峰, 張?jiān)龉? 張定雄, 張明明 申請(qǐng)人:深圳市沃爾核材股份有限公司