專利名稱：逆變器功率模塊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種逆變器，尤其是指一種逆變器功率模塊。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的逆變器功率模塊，例如用于電力機(jī)車牽引系統(tǒng)中的輔助逆變器功率模塊， 其主要器件包括有IGBT模塊、吸收電容、濾波電容和控制板塊模組等，上述主要器件安裝于一殼體之內(nèi)而構(gòu)成一逆變器功率模塊。由于逆變器功率模塊的外形尺寸具有一定的限制，且主要器件的外形也具有特定的尺寸和形狀，故而，各主要器件于殼體中的布局尤為重要，其布局合理與否，直接影響著功率模塊的性能和使用壽命。習(xí)見的逆變器功率模塊，一般均將IGBT模塊設(shè)置于殼體的中間處，而吸收電容、 濾波電容、控制板塊模組、輸入端子組、輸出端子組和進(jìn)風(fēng)口的位置布局則各有不同。一種常見的布局方式為將吸收電容設(shè)置于殼體的側(cè)端面處，這樣，造成吸收電容距離設(shè)于殼體中間處的IGBT模塊較遠(yuǎn)，降低了吸收效果。在另一種常見的布局方式中，進(jìn)風(fēng)口形成于殼體的前端面上，而控制板塊模組則設(shè)置于殼體的側(cè)端面處，這樣，控制板塊模組遠(yuǎn)離了進(jìn)風(fēng)口，環(huán)境溫度偏高，影響其使用壽命。
發(fā)明內(nèi)容本實用新型在于解決現(xiàn)有逆變器功率模塊所存在的主要器件布局不合理而影響功率模塊性能和使用壽命的技術(shù)問題，提供一種保證功率模塊性能和使用壽命的逆變器功率模塊。為解決上述技術(shù)問題，本實用新型采用如下所述的技術(shù)方案一種逆變器功率模塊，其包括有一殼體，所述殼體形成有一容置空間，其中設(shè)置有IGBT模塊、吸收電容、濾波電容、輸入端子組、輸出端子組和控制板塊模組，所述IGBT模塊設(shè)置于所述容置空間的中央處，所述吸收電容設(shè)置于所述IGBT模塊的上方處。上述逆變器功率模塊中，所述濾波電容設(shè)置于所述吸收電容的上方處。上述逆變器功率模塊中，所述輸入端子組設(shè)于所述容置空間的前部處。上述逆變器功率模塊中，所述輸出端子組設(shè)于所述容置空間的右部處。上述逆變器功率模塊中，所述濾波電容為薄膜電容。上述逆變器功率模塊中，所述濾波電容的兩側(cè)處各設(shè)有一其上形成有至少一第一穿孔的安裝板，所述容置空間中位于所述濾波電容的兩側(cè)處各設(shè)有一其上形成有至少一第二穿孔的支撐架，兩安裝板分別置放于相應(yīng)的支撐架，使用螺絲穿過第一穿孔和相應(yīng)的第二穿孔并于其上螺合螺母。 上述逆變器功率模塊中，對應(yīng)于所述殼體的進(jìn)風(fēng)口處形成有一控制板塊模組置放位，所述控制板塊模組插設(shè)于所述控制板塊模組置放位中。上述逆變器功率模塊中，所述殼體的進(jìn)風(fēng)口形成于所述殼體的左側(cè)處。上述逆變器功率模塊中，所述殼體的下方處設(shè)置有一采用鋁合金材料制備的散熱器。上述逆變器功率模塊中，所述IGBT模塊通過導(dǎo)熱膠而設(shè)置于所述散熱器之上。本實用新型的有益技術(shù)效果在于該逆變器功率模塊將吸收電容設(shè)于IGBT模塊的上方處，使得吸收電容距離IGBT模塊最近，提高了吸收電容的吸收效果，保證了功率模塊的性能；更進(jìn)一步地，將控制板塊模組設(shè)置于殼體的進(jìn)風(fēng)口處，由于進(jìn)風(fēng)口處為整個功率模塊中的環(huán)境溫度最低處，如此，可避免過高的環(huán)境溫度對于控制板塊模組的影響，延長功率模塊的使用壽命。

圖1是本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是本實用新型的另一角度的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
為使本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員更加清楚地理解本實用新型的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點，
以下結(jié)合附圖和實施例對本實用新型做進(jìn)一步的闡述。如圖1和圖2所示，本實用新型所公開的逆變器功率模塊包括有一殼體10，該殼體 10形成有一容置空間100，以用于收納布置IGBTansulated Gate Bipolar Transistor) 模塊20、吸收電容30、濾波電容40、輸入端子組50、輸出端子組60和控制板塊模組70。IGBT模塊20設(shè)置于該殼體10的容置空間100的中央處，而將吸收電容30設(shè)于該 IGBT模塊20的上方處，兩個一組的吸收電容30對應(yīng)兩個一組的IGBT模塊20，如此布置方式，使得吸收電容30距離IGBT模塊20最近，提高了吸收電容30的吸收效果，保證了功率模塊的性能。濾波電容40可采用薄膜電容，其設(shè)置于吸收電容30的上方處，將輸入端子組50 設(shè)于容置空間100的前部處，而輸出端子組60則設(shè)于容置空間100的右部處，這樣，輸入端子組50更為接近濾波電容40，使得濾波電容40的濾波效果更為顯著。參閱附圖，于濾波電容(薄膜電容)40的兩側(cè)處各設(shè)置有一安裝板400，該安裝板 400上形成有至少一第一穿孔401，而于該容置空間100中位于濾波電容40的兩側(cè)處各設(shè)有一支撐架101，該支撐架101上形成有至少一第二穿孔102，該濾波電容40的兩安裝板 400分別置放于相應(yīng)的支撐架101，使用螺絲穿過第一穿孔401和相應(yīng)的第二穿孔102并于其上螺合螺母，從而實現(xiàn)濾波電容40的固定安裝。殼體10的進(jìn)風(fēng)口 103形成于殼體10的左側(cè)處，對應(yīng)于該進(jìn)風(fēng)口 103處形成有一控制板塊模組置放位104，將該控制板塊模組70插設(shè)于該控制板塊模組置放位104中。由于進(jìn)風(fēng)口 103處為整個功率模塊中的環(huán)境溫度最低處，如此布局，可避免過高的環(huán)境溫度對于控制板塊模組70的影響，延長控制板塊模組70的使用壽命。見附圖所示，該殼體10的下方處設(shè)置有一散熱器80，以用于將逆變器功率模塊工作時所產(chǎn)生的熱量散發(fā)出去，起到降溫之作用。優(yōu)選地，該散熱器80選用由鋁合金材料制備的金屬散熱器。一般地，設(shè)置于殼體10的容置空間100中的IGBT模塊20通過導(dǎo)熱膠而設(shè)置于該散熱器80之上，以利于將IGBT模塊20工作所產(chǎn)生的熱量及時傳導(dǎo)出去，避免熱量于該殼體10內(nèi)積累而形成過高溫度的環(huán)境。綜上所述，本實用新型所公開的逆變器功率模塊的主要器件的布局較為合理，例如將吸收電容30設(shè)于該IGBT模塊20的上方處，使得吸收電容30距離IGBT模塊20最近， 以提高吸收電容30的吸收效果，而將控制板塊模組70設(shè)置于殼體10的進(jìn)風(fēng)口 103處，使得控制板塊模組70處于殼體10內(nèi)的最低環(huán)境溫度處，以延長控制板塊模組70的使用壽命， 通過主要器件的合理布局，而保證逆變器功率模塊的工作性能，并延長其使用壽命。以上所述僅為本實用新型的優(yōu)選實施例，而非對本實用新型做任何形式上的限制。本領(lǐng)域的技術(shù)人員可在上述實施例的基礎(chǔ)上施以各種等同的更改和改進(jìn)，凡在權(quán)利要求范圍內(nèi)所做的等同變化或修飾，均應(yīng)落入本實用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種逆變器功率模塊，包括有一殼體(10)，所述殼體(10)形成有一容置空間(100)， 其中設(shè)置有IGBT模塊(20)、吸收電容(30)、濾波電容(40)、輸入端子組(50)、輸出端子組 (60)和控制板塊模組(70)，其特征在于所述IGBT模塊00)設(shè)置于所述容置空間(100) 的中央處，所述吸收電容(30)設(shè)置于所述IGBT模塊00)的上方處。
2.如權(quán)利要求1所述的逆變器功率模塊，其特征在于所述濾波電容GO)設(shè)置于所述吸收電容(30)的上方處。
3.如權(quán)利要求1所述的逆變器功率模塊，其特征在于所述輸入端子組(50)設(shè)于所述容置空間(100)的前部處。
4.如權(quán)利要求3所述的逆變器功率模塊，其特征在于所述輸出端子組(60)設(shè)于所述容置空間(100)的右部處。
5.如權(quán)利要求2所述的逆變器功率模塊，其特征在于所述濾波電容00)為薄膜電容。
6.如權(quán)利要求5所述的逆變器功率模塊，其特征在于所述濾波電容00)的兩側(cè)處各設(shè)有一其上形成有至少一第一穿孔(401)的安裝板G00)，所述容置空間(100)中位于所述濾波電容GO)的兩側(cè)處各設(shè)有一其上形成有至少一第二穿孔(102)的支撐架(101)，兩安裝板(400)分別置放于相應(yīng)的支撐架(101)，使用螺絲穿過第一穿孔(401)和相應(yīng)的第二穿孔(102)并于其上螺合螺母。
7.如權(quán)利要求1所述的逆變器功率模塊，其特征在于對應(yīng)于所述殼體(10)的進(jìn)風(fēng)口 (103)處形成有一控制板塊模組置放位(104)，所述控制板塊模組(70)插設(shè)于所述控制板塊模組置放位(104)中。
8.如權(quán)利要求7所述的逆變器功率模塊，其特征在于所述殼體(10)的進(jìn)風(fēng)口(103) 形成于所述殼體(10)的左側(cè)處。
9.如權(quán)利要求1所述的逆變器功率模塊，其特征在于所述殼體(10)的下方處設(shè)置有一采用鋁合金材料制備的散熱器(80)。
10.如權(quán)利要求9所述的逆變器功率模塊，其特征在于所述IGBT模塊00)通過導(dǎo)熱膠而設(shè)置于所述散熱器(80)之上。
專利摘要本實用新型公開一種逆變器功率模塊，其包括有一殼體，所述殼體形成有一容置空間，其中設(shè)置有IGBT模塊、吸收電容、濾波電容、輸入端子組、輸出端子組和控制板塊模組，所述IGBT模塊設(shè)置于所述容置空間的中央處，所述吸收電容設(shè)置于所述IGBT模塊的上方處。該逆變器功率模塊將吸收電容設(shè)于IGBT模塊的上方處，使得吸收電容距離IGBT模塊最近，提高了吸收電容的吸收效果，保證了功率模塊的性能。
文檔編號H05K7/20GK202168003SQ20112025271
公開日2012年3月14日 申請日期2011年7月18日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月18日
發(fā)明者唐傳明, 尹雄桂, 沈建華 申請人:深圳市英威騰交通技術(shù)有限公司