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用于硅片堿腐蝕加工的新型夾具的制作方法

文檔序號:8048636閱讀:278來源:國知局
專利名稱:用于硅片堿腐蝕加工的新型夾具的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種用于硅片堿腐蝕加工的新型夾具。
背景技術(shù)
硅片在研磨后的腐蝕工藝主要有酸腐蝕和堿腐蝕兩種。較酸腐蝕而言,堿腐蝕主要優(yōu)點(diǎn)為加工成本低,環(huán)境污染小特點(diǎn)。對于小尺寸產(chǎn)品(3 5寸),多半采用堿腐蝕工藝。堿腐蝕工藝中比較難控制的是硅片在腐蝕過程中的漂浮狀態(tài)以及腐蝕后硅片表面堿液沖洗。為了控制硅片在堿腐蝕過程的漂浮高度和便于清洗,需要把硅片放在合適的夾具中。堿腐蝕中常用的一種夾具是片架和花籃的組合。如圖1所示為花籃結(jié)構(gòu)示意圖。 其結(jié)構(gòu)包括支撐框1和提架2。支撐框1設(shè)置有第一通孔11、第二通孔12、第三通孔13和第四通孔14。提架2包括第一連桿21和第二連桿22。第一連桿21和第二連桿22均為一端與支撐框1連接,另一端通過橫桿23連接。橫桿23兩端分別設(shè)置有第一螺母M和第二螺母25。如圖2所示為一種片架3結(jié)構(gòu)示意圖。使用時(shí),硅片放置于片架3內(nèi)。四個(gè)片架 3分別放置于第一通孔11、第二通孔12、第三通孔13和第四通孔14。再將夾具放入堿液內(nèi)對硅片進(jìn)行堿腐蝕處理。這種夾具存在的最大問題是不能控制硅片的漂浮狀態(tài),導(dǎo)致硅片表面部分過度腐蝕或腐蝕不足,這個(gè)問題嚴(yán)重影響了堿腐蝕成品率。使用這種提籃進(jìn)行堿腐蝕時(shí),良率約為99. 2%。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是為了克服現(xiàn)有技術(shù)中的不足,提供一種用于硅片堿腐蝕加工,可控制硅片在堿腐蝕過程的漂浮高度的用于硅片堿腐蝕加工的新型夾具。為實(shí)現(xiàn)以上目的,本發(fā)明通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)用于硅片堿腐蝕加工的新型夾具,包括支撐框,支撐框設(shè)置有放置片架的通孔;支撐框上安裝有提架,其特征在于,所述提架包括至少兩根與支撐框垂直的連桿,兩根連桿端部通過橫桿連接;還包括壓條,所述壓條可靠近支撐框或遠(yuǎn)離支撐框運(yùn)動(dòng)地安裝在提架上。優(yōu)選地是,所述壓條橫跨通孔。優(yōu)選地是,還包括壓框,所述壓條安裝于壓框上;所述壓框可靠近支撐框或遠(yuǎn)離支撐框運(yùn)動(dòng)地安裝在提架上。優(yōu)選地是,所述壓框形狀與支撐框形狀相適應(yīng);所述壓框與連桿可拆卸連接。優(yōu)選地是,所述提架包括兩根連桿和一根橫桿;兩根連桿分別有一端與支撐框連接,另一端通過橫桿連接;所述壓框可沿連桿移動(dòng)卡設(shè)于兩根連桿上。優(yōu)選地是,所述支撐框設(shè)置有與連桿相配合的兩個(gè)開口 ;兩根連桿分別與兩個(gè)開口相配合。優(yōu)選地是,所述壓框上設(shè)置有限位塊,限位塊位于壓框與支撐框之間。優(yōu)選地是,所述限位塊可拆卸地安裝在壓框上。
優(yōu)選地是,還包括用于放置硅片的片架,所述片架設(shè)置在通孔內(nèi)。本發(fā)明中的用于硅片堿腐蝕加工的新型夾具,可方便地調(diào)整壓框的位置,既方便限制硅片的漂浮高度,又方便將片架裝配在支撐框上。調(diào)整壓框的位置時(shí),只需沿著連桿推動(dòng)壓框即可,調(diào)整方便。壓框上安裝有限位塊,限制壓框的移動(dòng)距離,可防止用力過大時(shí)壓壞硅片。限位塊可拆卸安裝在壓框上,方便更換。利用壓條限制硅片的漂浮,壓條采用圓柱形時(shí)可避免阻擋沖洗液,不會(huì)妨礙沖洗硅片。本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡單,使用方便,制造成本低。使用本發(fā)明中的夾具,硅片堿腐蝕良率可達(dá)到99. 8%以上。


圖1為一種提籃結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為一種片架結(jié)構(gòu)示意圖。圖3為本發(fā)明中的用于硅片堿腐蝕加工的新型夾具結(jié)構(gòu)示意圖。圖4為本發(fā)明中的壓框結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)的描述如圖3、圖4所示,用于硅片堿腐蝕加工的新型夾具,其結(jié)構(gòu)包括支撐框1和提架 2。支撐框1為長方形形狀。支撐框1設(shè)置有第一通孔11、第二通孔12、第三通孔13和第四通孔14。提架2包括第一連桿21和第二連桿22。第一連桿21和第二連桿22均為一端與支撐框1連接,另一端通過橫桿23連接。橫桿23兩端分別設(shè)置有第一螺母M和第二螺母25。還包括壓框4。壓框4為長方形形狀,與支撐框1的形狀相適應(yīng)。壓框4上安裝有第一壓條41和第二壓條42。第一壓條41橫跨在第一通孔11和第二通孔12上方。第二壓條42橫跨在第三通孔13和第四通孔14上方。第一壓條41和第二壓條42均用于阻擋放置于第一通孔11、第二通孔12、第三通孔13或第四通孔14內(nèi)的片架3內(nèi)的硅片,防止其漂浮過大。壓框4設(shè)置有第一開口 43和第二開口 44。第一開口 43與第一連桿21相配合;第二開口 44與第二連桿22相配合,將壓框4卡設(shè)于第一連桿21和第二連桿22上,并且壓框4可沿第一連桿21和第二連桿22上下移動(dòng)。壓框4向上移動(dòng)時(shí),遠(yuǎn)離支撐框1 ;壓框4向下移動(dòng)時(shí),靠近支撐框1。壓框4上通過四個(gè)螺釘49可拆卸地安裝第一限位塊45、第二限位塊46、第三限位塊47和第四限位塊48。第一限位塊45、第二限位塊46、第三限位塊47和第四限位塊48位于壓框4與支撐框1之間。在壓框4向下移動(dòng)時(shí),第一限位塊45、第二限位塊46、第三限位塊47和第四限位塊48可限制壓框4與支撐框1之間的距離,防止其距離過近壓壞硅片。第一限位塊45、第二限位塊46、第三限位塊47和第四限位塊48可拆卸地安裝在壓框4上,方便更換。使用本發(fā)明中的夾具,硅片堿腐蝕良率可達(dá)到99. 8%以上。本發(fā)明中的實(shí)施例僅用于對本發(fā)明進(jìn)行說明,并不構(gòu)成對權(quán)利要求范圍的限制, 本領(lǐng)域內(nèi)技術(shù)人員可以想到的其他實(shí)質(zhì)上等同的替代,均在本發(fā)明保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.用于硅片堿腐蝕加工的新型夾具,包括支撐框,支撐框設(shè)置有放置片架的通孔 ’支撐框上安裝有提架,其特征在于,所述提架包括至少兩根與支撐框垂直的連桿,兩根連桿端部通過橫桿連接;還包括壓條,所述壓條可靠近支撐框或遠(yuǎn)離支撐框運(yùn)動(dòng)地安裝在提架上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于硅片堿腐蝕加工的新型夾具,其特征在于,所述壓條橫跨通孔。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于硅片堿腐蝕加工的新型夾具,其特征在于,還包括壓框, 所述壓條安裝于壓框上;所述壓框可靠近支撐框或遠(yuǎn)離支撐框運(yùn)動(dòng)地安裝在提架上。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于硅片堿腐蝕加工的新型夾具,其特征在于,所述壓框形狀與支撐框形狀相適應(yīng);所述壓框與連桿可拆卸連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于硅片堿腐蝕加工的新型夾具,其特征在于,所述提架包括兩根連桿和一根橫桿;兩根連桿分別有一端與支撐框連接,另一端通過橫桿連接;所述壓框可沿連桿移動(dòng)卡設(shè)于兩根連桿上。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于硅片堿腐蝕加工的新型夾具,其特征在于,所述支撐框設(shè)置有與連桿相配合的兩個(gè)開口 ;兩根連桿分別與兩個(gè)開口相配合。
7.根據(jù)權(quán)利要求3或5所述的用于硅片堿腐蝕加工的新型夾具,其特征在于,所述壓框上設(shè)置有限位塊,限位塊位于壓框與支撐框之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的用于硅片堿腐蝕加工的新型夾具,其特征在于,所述限位塊可拆卸地安裝在壓框上。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于硅片堿腐蝕加工的新型夾具,其特征在于,還包括用于放置硅片的片架,所述片架設(shè)置在通孔內(nèi)。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種用于硅片堿腐蝕加工的新型夾具,包括支撐框,支撐框設(shè)置有放置片架的通孔;支撐框上安裝有提架,其特征在于,所述提架包括至少兩根與支撐框垂直的連桿,兩根連桿端部通過橫桿連接;還包括壓條,所述壓條可靠近支撐框或遠(yuǎn)離支撐框運(yùn)動(dòng)地安裝在提架上。本發(fā)明中的用于硅片堿腐蝕加工的新型夾具,可方便地調(diào)整壓框的位置,既方便限制硅片的漂浮高度,又方便將片架裝配在支撐框上。調(diào)整壓框的位置時(shí),只需沿著連桿推動(dòng)壓框即可,調(diào)整方便。壓框上安裝有限位塊,限制壓框的移動(dòng)距離,可防止用力過大時(shí)壓壞硅片。使用本發(fā)明中的夾具,硅片堿腐蝕良率可達(dá)到99.8%以上。
文檔編號C30B33/10GK102345171SQ201110231799
公開日2012年2月8日 申請日期2011年8月14日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月14日
發(fā)明者李強(qiáng), 黃春峰 申請人:上海合晶硅材料有限公司
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