專利名稱：多晶硅制造方法及制造裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及多晶硅的制造方法及制造裝置，尤其涉及使用于太陽(yáng)能電池等 的多晶硅的制造方法及其制造裝置。
背景技術(shù)：
最近，隨著對(duì)太陽(yáng)能電池的需求以每年百分之幾十左右的速度增加，太陽(yáng) 能電池用多晶硅錠的需求也是年年大幅增加。 一般而言，太陽(yáng)能電池用多晶硅 錠是在石英或石墨坩堝中填充硅原料之后通過(guò)烙融及定向凝固過(guò)程進(jìn)行制造 的。
如圖1所示，由美國(guó)專利第6， 136， 091號(hào)所公知的現(xiàn)有硅錠制造裝置包 含由在其內(nèi)部形成熱區(qū)(Hot zone)的工藝室構(gòu)成的主體140、盛放硅原料的 石英或石墨坩堝170、用于支撐石英或石墨坩堝170的支撐單元(未圖示)、為 了提供使硅原料熔融的輻射熱能而布置在坩堝170周圍的組裝型四角加熱器 110、為了隔斷釋放到坩堝170周圍的熱量而布置在坩堝170及組裝型四角加 熱器110周圍的隔熱部件190以及具有冷卻水流入管路150及冷卻水流出管路 180的用于控制裝置溫度的冷卻罩160等。由此，在石英或石墨坩堝內(nèi)部涂敷 坩堝保護(hù)層并填充硅原料之后，將坩堝和已完成的組裝型四角加熱器組裝到鑄 造裝置上。
如此將坩堝和組裝型四角加熱器設(shè)置于鑄造裝置內(nèi)部之后，清除裝置內(nèi)的 空氣而制造真空環(huán)境，接著再向真空狀態(tài)的裝置內(nèi)供應(yīng)氮?dú)馐箖?nèi)部壓力恢復(fù)常 壓。將這一過(guò)程反復(fù)進(jìn)行三次以上。為了冷卻裝置壁面而供應(yīng)冷卻水，接著向 組裝型四角加熱器供應(yīng)電源將坩堝內(nèi)部溫度加熱到145(TC以上，然后將這種狀 態(tài)維持2小對(duì)以上。當(dāng)填充到坩堝內(nèi)部的硅完全熔融時(shí)，對(duì)供應(yīng)到組裝型四角 加熱器的電源進(jìn)行控制，使坩堝從下部開(kāi)始向上部發(fā)生冷卻。
但是，只是通過(guò)控制供應(yīng)到加熱器的電源來(lái)進(jìn)行冷卻時(shí)，從坩堝K部開(kāi)始 的冷卻情況并不均衡，因此難以使晶體均勻地成長(zhǎng)，并導(dǎo)致硅錠物理性質(zhì)的不 均勻性。中國(guó)專利申請(qǐng)?zhí)枮?00710109123.9公開(kāi)的一種利用冷卻板使坩堝中的熔 融硅凝固，從而制造形成均勻晶粒的太陽(yáng)能電池用多晶硅錠的制造裝置。參見(jiàn) 圖2，在0環(huán)(0-ring )型工藝室210內(nèi)設(shè)有用于熔解硅的坩堝230。工藝室 210壁面內(nèi)部設(shè)有管，由冷卻水管路(未圖示)供應(yīng)的冷卻水在其中流動(dòng)。
坩堝230下部設(shè)有碳材料支撐臺(tái)240，為了加熱坩堝230在坩堝230周圍 設(shè)有第一及第二加熱器221、 222。加熱器與從工藝室外部連接過(guò)來(lái)的電源供應(yīng) 裝置(未圖示)相連，由此根據(jù)所供應(yīng)的電源產(chǎn)生熱量。該熱量通過(guò)設(shè)在加熱 器附近的多.個(gè)溫度傳感器表示在控制部。支撐臺(tái)240下部設(shè)有用于上下移動(dòng)坩 堝230的第一移送軸251。第一移送軸251設(shè)在支撐臺(tái)240的四個(gè)角落。設(shè)在 柑堝230下部的第二加熱器222由可以進(jìn)行開(kāi)閉的兩個(gè)加熱器構(gòu)成，該兩個(gè)加
熱器在加熱坩堝230時(shí)被關(guān)閉，但是加熱結(jié)束之后在為r冷卻而根據(jù)第 -移送
軸251的動(dòng)作將坩堝230向下移動(dòng)之前通過(guò)水平運(yùn)動(dòng)的移送夾具280向相鄰的 工藝室壁面移動(dòng)而被打開(kāi)。
第二加熱器222下部設(shè)有由兩個(gè)隔熱板構(gòu)成的第二隔熱板212，該第二隔 熱板212與第二加熱器222 —樣可以通過(guò)水平運(yùn)動(dòng)的移送夾具280進(jìn)行開(kāi)閉。 在坩堝230通過(guò)第一移送軸251向下移動(dòng)之前，第二隔熱板212與第二加熱器 222 —樣水平移動(dòng)而被打開(kāi)。
第二隔'熱板212下部設(shè)有冷卻板260，用來(lái)對(duì)被加熱的坩堝230進(jìn)行冷卻。 使用冷卻板260可以加快冷卻速度而將冷卻效率最大化。最終可以通過(guò)適卞:i 地調(diào)節(jié)冷卻速度來(lái)使熔融硅凝固工藝最優(yōu)化。
中國(guó)專利申請(qǐng)?zhí)枮?00710070539.4公開(kāi)的多晶硅鑄錠爐的熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)，參 見(jiàn)圖3和圖4，將多晶硅原料311裝滿坩堝313，擱放至熱交換臺(tái)303上，操 作控制器合緊爐體301，放下保溫隔熱籠體302 ，使保溫隔熱頂板306 、保溫 隔熱底板305分別與保溫隔熱籠體302的上、下兩端合攏，形成一個(gè)封閉的熱 場(chǎng)腔室308;將爐體301內(nèi)部包括熱場(chǎng)腔室308抽真空，當(dāng)達(dá)到工藝設(shè)定的真 空度時(shí)，通電啟動(dòng)加熱器307，將多晶硅原料加熱至一千四百多攝氏度，使之 完全熔化。此時(shí)，由于構(gòu)成熱場(chǎng)的保溫隔熱籠體302 、底部的保溫隔熱襯板 305 、頂部的保溫隔熱襯板306 、中部的保溫隔熱環(huán)條309等均由特殊材料 做成，具有良好的保溫隔熱效能，約十多小時(shí)即可將數(shù)百公斤多晶硅原料311 完全熔化；按工藝?yán)^續(xù)保溫一段時(shí)間，讓多晶硅原料311中的^質(zhì)充分烙化、
5揮發(fā)或氣化；然后改變控制模式，逐步、緩慢提起保溫隔熱籠體302 ，由于保 溫材料的作用，在加熱器307啟動(dòng)后熱場(chǎng)腔室308與爐體301的腔室之間會(huì)形 成一個(gè)溫差，保溫隔熱籠體302通過(guò)吊桿312提起后，保溫隔熱籠體302的底 部與保溫隔熱底板305脫離，大量的熱輻射會(huì)經(jīng)由熱交換臺(tái)303按附圖4所示 箭頭方向從保溫隔熱籠體302的底部往爐體301腔室散發(fā)，此時(shí)，坩堝313與 熱交換臺(tái)303必然也發(fā)生熱交換，從而使坩堝313底部的硅液發(fā)生結(jié)晶現(xiàn)象。 同時(shí)，在保溫隔熱籠體302提起后，熱場(chǎng)腔室308中的保溫隔熱環(huán)條309將熱 場(chǎng)腔室308分為上下兩部分，上部依然圍成一個(gè)高溫區(qū)，在加熱器307的作用 下，可維持工藝需要的溫度，下部由于散熱作用，形成一個(gè)低溫區(qū)，這樣，在 整個(gè)熱場(chǎng)腔室308中，在硅的結(jié)晶面形成一個(gè)垂直的溫度梯場(chǎng)。通過(guò)控制散熱 與加熱，使得硅的結(jié)晶凝固得到有效控制，從而生產(chǎn)出高品質(zhì)的多晶硅鑄錠。 中國(guó)專利申請(qǐng)?zhí)枮?00620031881.4公開(kāi)的制備多晶硅用鑄錠爐，其在坩 堝外扣設(shè)加熱罩，加熱罩外扣設(shè)與其聯(lián)接的保溫罩，坩堝底部設(shè)有水冷卻循環(huán) 系統(tǒng)，加熱罩中自下而上設(shè)有分層加熱元件。同時(shí)在坩堝底部或/和保溫罩頂 部設(shè)有升降機(jī)構(gòu)。
在該裝置中為了使熔化的硅單向凝固，必須使坩堝升降，具有不便用于大 規(guī)模生產(chǎn)的缺點(diǎn)。
在日本專利特開(kāi)2002 — 293526號(hào)公報(bào)上記載了利用隔熱材料做成的隔板 將具有加熱'功能的上部腔室和具有冷卻功能的下部腔室隔開(kāi)，同時(shí)將該隔板的 一部分開(kāi)口設(shè)置的上部腔室與下部腔室的連通口內(nèi)可升降地配置柑堝放置臺(tái)， 在包圍下部腔室中的該放置臺(tái)的升降路徑的位置上設(shè)置冷卻板，'進(jìn)行單向凝固 的裝置(附圖省略)。
在該裝置中為了使熔化的硅單向凝固，必須使坩堝升降，而且由于是從側(cè) 面進(jìn)行冷卻的方式，具有不便用于大規(guī)模生產(chǎn)的缺點(diǎn)。
又，日本專利特開(kāi)平11 — 310496號(hào)公報(bào)上記載有在下部加熱器上設(shè)置墊 板，在該墊板上設(shè)置坩堝，在該坩堝上方設(shè)置上部加熱器，而且用隔熱材料包 圍該坩堝周圍，在這樣形成的熔化裝置的柑堝內(nèi)裝入硅原料，用下部加熱器和 上部加熱器對(duì)硅原料進(jìn)行加熱使其熔化，在硅原料完全熔化后，停止卜—部加熱 器的輸出，同時(shí)將不活潑氣體通向該墊板，對(duì)坩堝底部進(jìn)行冷卻，控制上部加 熱器的輸出，使其單向凝固的方法和裝置(附圖省略)。 .在該方法和裝置中，由于下部加熱器和墊板直接支持坩堝，，因此在結(jié)構(gòu)上 不利于使用在大規(guī)模生產(chǎn)上。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的第一目的在于旨在解決上述存在問(wèn)題，而提^^沒(méi)有必要使坩堝升 降或用下部加熱器和墊板支持坩堝的能夠大規(guī)模生產(chǎn)太陽(yáng)能電池用多晶硅錠 的多晶硅制造方法。
本發(fā)明的第二目的在于提供上述制造方法所使用的能夠大規(guī)模生產(chǎn)太陽(yáng) 能電池用多晶硅錠，并能有效實(shí)施單向凝固的多晶硅制造裝置。
作為本發(fā)明第一方面的多晶硅制造方法，具備如下工序
(1) 用設(shè)置在一腔體內(nèi)，且位于該腔體內(nèi)的一具備放入^的坩堝的上面 和側(cè)面的加熱器，對(duì)所述的坩堝進(jìn)行加熱的工序；以及
(2) —邊調(diào)整所述的加熱器的輸出； 一邊利用位于所述的腔體內(nèi)并設(shè)置 于所述的加熱器外側(cè)的隔熱材料中的處于所述的坩堝下部的一部分隔熱材料 上的窺視所述坩堝的間隙進(jìn)行放熱，使所述坩堝內(nèi)的熔融硅由下而上單向凝固 的工序。
在上述制造方法中，所述的加熱器的輸出通過(guò)一個(gè)電路來(lái)控制。 在上述制造方法中，所述的間隙為多個(gè)。
所述的間隙調(diào)整是通過(guò)使位于所述的坩堝下部的一部分隔熱材料向垂直
方向移動(dòng)來(lái)進(jìn)行的。
在上述制造方法中，還可以增加一利用設(shè)置在所述的坩堝下部的一冷卻裝
置進(jìn)行單向凝固的工序。
作為本發(fā)明第二方面的多晶硅制造裝置，包括
一腔體；
位于所述的腔體內(nèi)的坩堝，所述的坩堝用于裝入硅；
位于所述腔體內(nèi)且設(shè)置在所述坩堝四周的隔熱材料；所述的隔熱材料包含 一位于所述的坩堝下部的隔熱材料；
設(shè)置在所述隔熱材料內(nèi)并位于所述的塒堝上面和側(cè)面的加熱器；所述加熱 器對(duì)裝入所述的坩堝內(nèi)的硅進(jìn)行加熱；以及
設(shè)置在位于所述的坩堝下部的隔熱材料上的，能夠窺視所述坩堝內(nèi)部的間隙。 .
所述的加熱器與一控制電路連接，所述的控制電路控制所述的加熱器的輸出。
所述的間隙為多個(gè)。
所述的位于所述的坩堝下部的隔熱材料上設(shè)置有一驅(qū)動(dòng)位于所述的坩堝 下部的隔熱材料進(jìn)行垂直方向運(yùn)動(dòng)的第一移動(dòng)裝置。
設(shè)置在所述的坩堝下部并位于所述的隔熱材料內(nèi)的冷卻裝置。所述的冷卻 裝置上設(shè)置有一驅(qū)動(dòng)所述的冷卻裝置運(yùn)動(dòng)的第二移動(dòng)裝置。所述的第二移動(dòng)裝 置貫穿所述的位于所述的坩堝下部的隔熱材料并驅(qū)動(dòng)所述的冷卻裝置垂直方 向運(yùn)動(dòng)。
由于采用了如上的技術(shù)方案，本發(fā)明在使用坩堝制造具有單向凝固組織的 硅錠時(shí)以低成本提供適合大規(guī)模生產(chǎn)的制造裝置，同時(shí)提供能夠安全制造的方 法，其工業(yè)價(jià)值顯然是很大的。


圖1為現(xiàn)有的一種硅錠制造裝置的剖面圖。
圖2為現(xiàn)有的另一種多晶硅制造裝置的剖視圖。
圖3為現(xiàn)有的又一種多晶硅鑄錠爐的整體結(jié)構(gòu)剖視圖。
圖4為圖3所示的多晶硅鑄錠爐使用狀態(tài)時(shí)的結(jié)構(gòu)剖視圖。
圖5是表示本發(fā)明的一實(shí)施形態(tài)的剖面概略示意圖。
圖6是表示本發(fā)明的另一實(shí)施形態(tài)的剖面概略示意圖。
圖7是表示本發(fā)明的又一實(shí)施形態(tài)的剖面概略示意圖。.
圖面標(biāo)記說(shuō)明1-腔體，2-硅，3-坩堝，4-上部加熱器，5-側(cè)面加熱器，
6a-上部隔熱材料，6b-下部隔熱材料，7-間隙，8坩堝支持臺(tái)，9-坩堝托板，
10-第一移動(dòng)裝置，11-冷卻裝置，12-第二移動(dòng)裝置。
具體實(shí)施例方式
以下，參照附圖詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。在此之前需要說(shuō)明的是， 本說(shuō)明書&權(quán)利要求書中所使用的術(shù)語(yǔ)或詞語(yǔ)不能限定解釋為通常的含義或 辭典中的含義，而應(yīng)當(dāng)立足于為了以最佳方式說(shuō)明其發(fā)明發(fā)明人可以對(duì)術(shù)語(yǔ)的概念進(jìn)行適當(dāng)定義的原則解釋為符合本發(fā)明技術(shù)思想的含義和概念。隨之，本 說(shuō)明書所記載的實(shí)施例和附圖中表示的結(jié)構(gòu)只是本發(fā)明最佳實(shí)施例之一，并不 能完全代表本發(fā)明的技術(shù)思想，因此應(yīng)該理解到對(duì)于本發(fā)明而言可能會(huì)存在能 夠進(jìn)行替換的各種等同物和變形例。 .
圖5是本發(fā)明的一實(shí)施形態(tài)的剖面概略示意圖。也就是說(shuō)，在腔體1的上
部對(duì)放入硅2的坩堝3進(jìn)行加熱的加熱器由位于坩堝3的上部的上部加熱器4 和位于側(cè)面的側(cè)面加熱器5構(gòu)成。而且在腔體l內(nèi)，坩堝3的四周和加熱器的 外側(cè)具備隔熱材料，該隔熱材料由一直覆蓋到支持柑堝3的柑堝支持臺(tái)8附近 的上部隔熱材料6a和覆蓋坩堝支持臺(tái)8底部的下部隔熱材料6b構(gòu)成，下部隔 熱材料6b上設(shè)置窺視坩堝3內(nèi)部的間隙7。
支持坩竭支持臺(tái)8的坩堝托板9貫通下部隔熱材料6b，支撐在腔體1的底 部上。
硅2借助于上部加熱器4和側(cè)面加熱器5進(jìn)行加熱使其熔化。其后，使上 部加熱器4和側(cè)面加熱器5的輸出減小，以此使硅2內(nèi)的溫度下降，通過(guò)從設(shè) 置于下部隔熱材料6b上的間隙7放熱，硅2從底部開(kāi)始凝固，可以由下而上 '向上方實(shí)現(xiàn)單向凝固。上部加熱器4和側(cè)面加熱器5借助于其設(shè)置位置，特別 是將側(cè)面加熱器設(shè)置于比硅2的底部高的位置上，可以用一與上部加熱器4和 側(cè)面加熱器5連接的控制電路(圖中未示出)進(jìn)行控制?？刂齐娐返木哂薪Y(jié)構(gòu) 對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)是熟知的，在此不做詳細(xì)敘述。間隙7也可以在下部 隔熱材料6b的周圍設(shè)置多個(gè)。
圖6是本發(fā)明的另一實(shí)施形態(tài)的剖面概略示意圖。在下部隔熱材料6b上 具有能夠使下部隔熱材料6b上下移動(dòng)的第一移動(dòng)裝置10。
第一移動(dòng)裝置10驅(qū)動(dòng)下部隔熱材料6b在硅2的加熱工序中上升，將間隙 7關(guān)閉，在單向凝固工序中下降，形成間隙7。
圖7是本發(fā)明的另一實(shí)施形態(tài)的剖面概略示意圖。在坩堝支持臺(tái)8的底部 設(shè)置冷卻裝置ll，又設(shè)置使冷卻裝置11上下移動(dòng)的第二移動(dòng)裝置12，第二移 動(dòng)裝置12貫穿下部隔熱材料6b。
在硅2的加熱工序中，冷卻裝置ll利用第二移動(dòng)裝置12下降，在單向凝 固工序中上升，以坩堝支持臺(tái)8的底部接觸可以促進(jìn)凝固。借助于該動(dòng)作，可 以降低加熱肘的加熱器輸出。冷卻裝置11也可以利用氬氣或氦氣之類的氣體冷卻或利用水冷卻。
本發(fā)明的第一移動(dòng)裝置10和第二移動(dòng)裝置12相對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái) 說(shuō)，是熟知的，可以采用氣動(dòng)方式或機(jī)械方式，在此不在詳細(xì)描述。
本發(fā)明在使用坩堝制造具有單向凝固組織的硅錠時(shí)以低成本提供適合大 規(guī)模生產(chǎn)的制造裝置，同時(shí)提供能夠安全制造的方法，其工業(yè)價(jià)值顯然是很大 的。
權(quán)利要求
1. 多晶硅制造方法，其特征在于，具備如下工序(1) 用設(shè)置在一腔體內(nèi)，且位于該腔體內(nèi)的一具備放入硅的坩堝的上面 和側(cè)面的加熱器，對(duì)所述的坩堝進(jìn)行加熱的工序；以及(2) —邊調(diào)整所述的加熱器的輸出； 一邊利用位于所述的腔體內(nèi)并設(shè)置 于所述的加熱器外側(cè)的隔熱材料中的處于所述的坩堝下部的一部分隔熱材料 上的窺視所述坩堝的間隙進(jìn)行放熱，使所述坩堝內(nèi)的熔融硅由下而上單向凝固 的工序。
2. 如權(quán)利要求1所述的多晶硅制造方法，其特征在于，所述的加熱器的 輸出通過(guò)一個(gè)電路來(lái)控制。
3. 如權(quán)利要求1所述的多晶硅制造方法，其特征在于，所述的間隙為多個(gè)。
4. 如權(quán)利要求1或3所述的多晶硅制造方法，其特征在于，所述的間隙 調(diào)整是通過(guò)使位于所述的坩堝下部的一部分隔熱材料向垂直方向移動(dòng)來(lái)進(jìn)行 的。 .
5. 如權(quán)利要求1或2或3所述的多晶硅制造方法，其特征在于，增加--利用設(shè)置在所述的坩堝下部的一冷卻裝置進(jìn)行單向凝固的工序。
6. 如權(quán)利要求4所述的多晶硅制造方法，其特征在于，增加一利用設(shè)置在所述的坩堝下部的一冷卻裝置進(jìn)行單向凝固的工序。
7. —種如權(quán)利要求l-6所述的多晶硅制造方法所使用的多晶硅制造裝置，包括一腔體；位于所述的腔體內(nèi)的坩堝，所述的坩堝用于裝入硅； 其特征在于，還包括位于所述腔體內(nèi)且設(shè)置在所述坩堝四周的隔熱材料；所述的隔熱材料包含 一位于所述的坩堝下部的隔熱材料；' 設(shè)置在所述隔熱材料內(nèi)并位于所述的坩堝上面和側(cè)面的加熱器；所述加熱 器對(duì)裝入所述的坩堝內(nèi)的硅進(jìn)行加熱；以及設(shè)置在位于所述的坩堝下部的隔熱材料上的，能夠窺視所述坩堝內(nèi)部的間
8. 如權(quán)利要求7所述的多晶硅制造裝置，其特征在于，所述的加熱器與一 控制電路連接，所述的控制電路控制所述的加熱器的輸出。
9. 如權(quán)利要求7所述的多晶硅制造裝置，其特征在于，所述的間隙為多個(gè)。
10. 如權(quán)利要求7所述的多晶硅制造裝置，其特征在于，所述的側(cè)面的加熱器設(shè)置于比所述的硅的底部高的位置上。
11. 如權(quán)利要求7至10任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的多晶硅制造裝置，其特征在 于，所述的位于所述的坩堝下部的隔熱材料上設(shè)置有一驅(qū)動(dòng)位于所述的坩堝下 部的隔熱材料進(jìn)行垂直方向運(yùn)動(dòng)的第一移動(dòng)裝置。
12.如權(quán)利要求7至10任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的多晶硅制造裝置，其特征 在于，還包括設(shè)置在所述的坩堝下部并位于所述的隔熱材料內(nèi)的冷卻裝置。
13. 如權(quán)利要求11所述的多晶硅制造裝置，其特征在于，還包括設(shè)置在 所述的坩堝下部并位于所述的隔熱材料內(nèi)的冷卻裝置。
14. 如權(quán)利要求12所述的多晶硅制造裝置，其特征在于，所述的冷卻裝 置上設(shè)置有'一驅(qū)動(dòng)所述的冷卻裝置運(yùn)動(dòng)的第二移動(dòng)裝置。
15. 如權(quán)利要求13所述的多晶硅制造裝置，其特征在于，所述的冷卻裝 置上設(shè)置有一驅(qū)動(dòng)所述的冷卻裝置運(yùn)動(dòng)的第二移動(dòng)裝置。
16. 如權(quán)利要求14任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的多晶硅制造裝置，其特征在于，所述的第二移動(dòng)裝置貫穿所述的位于所述的坩堝下部的隔熱材料并驅(qū)動(dòng)所述 的冷卻裝置垂直方向運(yùn)動(dòng)。
17. 如權(quán)利要求15任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的多晶硅制造裝置，其特征在于， 所述的第二移動(dòng)裝置貫穿所述的位于所述的坩堝下部的隔熱材料并驅(qū)動(dòng)所述 的冷卻裝置垂直方向運(yùn)動(dòng)。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)的多晶硅制造方法是(1)用設(shè)置在一腔體內(nèi)，且位于該腔體內(nèi)的一具備放入硅的坩堝的上面和側(cè)面的加熱器，對(duì)所述的坩堝進(jìn)行加熱的工序；(2)一邊調(diào)整所述的加熱器的輸出；一邊利用位于所述的腔體內(nèi)并設(shè)置于所述的加熱器外側(cè)的隔熱材料中的處于所述的坩堝下部的一部分隔熱材料上的窺視所述坩堝的間隙進(jìn)行放熱，使所述坩堝內(nèi)的熔融硅由下而上單向凝固的工序。該方法還可以增加一利用設(shè)置在所述的坩堝下部的一冷卻裝置進(jìn)行單向凝固的工序。本發(fā)明還公開(kāi)了一種多晶硅的制造裝置。本發(fā)明在使用坩堝制造具有單向凝固組織的硅錠時(shí)以低成本提供適合大規(guī)模生產(chǎn)的制造裝置，同時(shí)提供能夠安全制造的方法，其工業(yè)價(jià)值顯然是很大的。
文檔編號(hào)C30B28/06GK101311345SQ20081003445
公開(kāi)日2008年11月26日 申請(qǐng)日期2008年3月11日 優(yōu)先權(quán)日2008年3月11日
發(fā)明者河野貴之, 賀賢漢 申請(qǐng)人:上海漢虹精密機(jī)械有限公司