專利名稱：：等離子體處理裝置的元件的制作方法等離子體處理裝置的元件相關(guān)申請本申請根據(jù)35U.S.C.119主張申請?zhí)枮?0/851,746，名稱為"COMPONENTSFORAPLASMAPROCESSINGAPPARATUS",申請日為2006年10月16日的美國臨時申請的優(yōu)先權(quán)，其內(nèi)容皆由引用納入ot匕處。
背景技術(shù)：
：等離子體處理裝置在用包括刻蝕、物理氣相沉積(PVD)、化學(xué)氣相沉積(CVD)、離子注入和光阻去除等纟支術(shù)處理基板時得到使用。用于等離子體處理的一種類型的等離子體處理裝置包括包含上下電極的反應(yīng)室。在電極之間建立電場以將工藝氣體激勵到等離子態(tài)乂人而在反應(yīng)室中處理基才反。
發(fā)明內(nèi)容才是供一種等離子體處理裝置的元件。該元件包括第一構(gòu)件，其具有第一熱膨脹系凄t并包括多個具有第一部分和比該第一部分寬的第二部分的通孔。該第二部分由至少一個^K載面部分限定。該元件包括多個第一加固構(gòu)件，其具有第二膨脹系數(shù)并設(shè)置于該第一構(gòu)件的該孔內(nèi)。該第一加固構(gòu)件包括7義載面。至少一個可偏名+墊片，i殳置于限定該孔的該第二部分的該7R載面和該第一力口固構(gòu)件的該承載面之間。第二加固構(gòu)件，嚙合于各第一加固構(gòu)件以將該第一構(gòu)件以預(yù)先確定的夾持力固定于該第二構(gòu)件。該至少一個可偏斜墊片適于調(diào)節(jié)在室溫和升高的處理溫度之間的熱循環(huán)過程中產(chǎn)生的力。在另一個實施方式中，提供一種等離子體處理裝置的元件，包括第一構(gòu)件，其具有第一熱膨脹系數(shù)。第二構(gòu)件，包括多個具有第一部分和比該第一部分寬的第二部分的通孔。該第二部分由至少一個承載面部分限定。多個第一加固構(gòu)件，具有第二熱膨脹系數(shù)并設(shè)置于該第二構(gòu)件的該孔內(nèi)。各該第一加固構(gòu)件包括承載面。至少一個可偏斜墊片，沒置于限定該孔的該第二部分的該^f義載面和該第一加固構(gòu)件的該承載面之間。第二加固構(gòu)件，嚙合于各第一加固構(gòu)件以將該第一構(gòu)件以預(yù)先確定的夾持力固定于該第二構(gòu)件，該至少一個可偏斜墊片適于調(diào)節(jié)在室溫和升高的處理溫度之間的熱循環(huán)過程中產(chǎn)生的力。在一個優(yōu)選實施方式中，提供一種等離子體處理裝置的噴淋頭電極組件。該噴淋頭電極組件包括鋁制熱控制板，其包括多個具有第一部分和比該第一部分寬的第二部分的通孔。該第二部分由至少一個承載面部分限定。多個不銹鋼加固構(gòu)件，設(shè)置于該熱控制板的該孔內(nèi)，該第一加固構(gòu)件包括承載面。多個可偏斜墊片，設(shè)置于該孔的該第二部分的該7義載面和該第一加固構(gòu)件的該屏義載面之間。第二加固構(gòu)件，嚙合于各第一加固構(gòu)件以將該熱控制板以預(yù)先確定的夾持力固定于支撐構(gòu)件。該可偏斜墊片適于調(diào)節(jié)在室溫和升高的處理溫度之間的熱循環(huán)過程中該熱控制^反和該第一加固構(gòu)件之間的熱膨脹的差異產(chǎn)生的力。硅電極，可被固定于該支撐板。提供一種在等離子體處理裝置中處理半導(dǎo)體基板的方法。將基板置于等離子體處理裝置的反應(yīng)室內(nèi)的基板支架上。使用該噴淋頭電極組件將工藝氣體引入該反應(yīng)室。在該噴淋頭電極組件之間從該工藝氣體產(chǎn)生等離子體d使用該等離子體處理該基板。圖1描繪了等離子體處理裝置的噴淋頭電極組件和基板支架的一個實施方式的一部分。圖2描繪了用于將熱控制板固定于支撐構(gòu)件的第一加固構(gòu)件和第二加固構(gòu)件。圖3描繪了在環(huán)境溫度下在預(yù)先確定的夾持力下將熱控制板固定到支撐構(gòu)件的第一加固構(gòu)件和第二加固構(gòu)件。圖4描繪了在升高的處理溫度下圖3中的結(jié)構(gòu)。圖5描繪了用于將熱控制板固定到具有可偏斜墊片構(gòu)件的支撐構(gòu)件的第一加固構(gòu)件和第二加固構(gòu)件。圖6描繪了一種替代的加固結(jié)構(gòu)，其中翻轉(zhuǎn)該第一加固構(gòu)件。圖7描繪了在環(huán)境溫度下在預(yù)先確定的夾持力下將熱控制板固定到具有可偏斜墊片構(gòu)件的支撐構(gòu)件的第一加固構(gòu)件和第二加固構(gòu)件。圖8描繪了在升高的處理溫度下的圖7中的結(jié)構(gòu)。具體實施方式為了實現(xiàn)可靠的器件并獲得較高的產(chǎn)量，在集成電路制造過程中對晶片等半導(dǎo)體基板表面上的微粒污染進(jìn)行控制是必要的。工藝設(shè)備，比如等離子體處理裝置，可能是微粒污染的來源。例如，在光刻和刻蝕步驟中，晶片表面上微粒的存在可能在該處破壞圖形轉(zhuǎn)移。結(jié)果是，這些微?？赡軒黻P(guān)鍵特征的缺陷，從而導(dǎo)致該集成電路元件的故障或失效，該關(guān)鍵特征包括柵極結(jié)構(gòu)、金屬間電介質(zhì)層或金屬互連線^各。提供可以減少并優(yōu)先最小化微粒污染的等離子體處理裝置的元件。該元件包括可以調(diào)節(jié)該等離子體處理元件在熱循環(huán)過程中由于該元件的構(gòu)件的熱膨/I長系^t的差異而產(chǎn)生的應(yīng)力。該加固構(gòu)件可用于扣緊各種元件的任何構(gòu)件，這些元件中的兩個構(gòu)件在等離子體處理過程中都被加熱并經(jīng)歷熱膨月長。還才是供了在包含一個或多個這樣的元件的等離子體處理室中處理半導(dǎo)體基々反的方法。圖1描繪了等離子體處理裝置的噴淋頭電極組件10的一種示例性實施方式，在該等離子體處理裝置中對例如硅晶片等半導(dǎo)體其板進(jìn)行處理。例如，該噴淋頭電極組件是在共同持有的申請?zhí)枮?005/0133160的美國專利申請中描述過的，其內(nèi)容皆由引用納入此處。該噴'淋頭電纟及組件10包含噴'淋頭電才及，該噴'淋頭電一及包括上電才及12、固定到該上電才及12的支撐構(gòu)件14和熱控制才反16?；?反支架18(圖l中^f又僅顯示了該支架的一部分)包括下電才及和位于該等離子體處理裝置的真空處理室中的上電才及12下方的可選的^爭電夾持電極。待處理的基板20被機(jī)械地或靜電地固定在基板支架18的上支架表面22上。在圖示實施方式中，該噴'淋頭電才及的上電才及12包4舌內(nèi)部電極構(gòu)件24和可選的外部電極構(gòu)件26。優(yōu)選地，該內(nèi)部電極構(gòu)件24是圓柱板(例如由硅構(gòu)成的板)。如果該板是由硅制成的，該內(nèi)部電極構(gòu)件24可具有小于、等于或大于待處理晶片的直徑，例如達(dá)12英寸(300mm)。在一個^f尤選實施方式中，該噴淋頭電4及組件足夠大到可以處理大基才反，例如具有300mm或者更大直徑的半導(dǎo)體晶片。對于300mm晶片，該頂部電極12的直徑至少是300mm。然而，該噴'淋頭電才及組件也可以調(diào)整尺寸以處理其4也尺寸的晶片或者具有非圓形結(jié)構(gòu)的基板。在圖示實施方式中，該內(nèi)部電極構(gòu)件24比該基板20更寬。對于處理300mm晶片，該外部電極構(gòu)件26將該上電極12的直徑從大約15英寸延長到大約17英寸。該外部電極構(gòu)件26可以是連續(xù)構(gòu)件(例如連續(xù)的多晶硅環(huán))或者分段構(gòu)件(例如包括2-6個排列成圓環(huán)結(jié)構(gòu)的獨立的段，比如由硅組成的段)。在包括多個段的外部電極構(gòu)件26的上電極12的實施方式中，優(yōu)選地，這些段都有邊沿，這些邊沿互相重疊以保護(hù)下面的粘合材料免于暴露到等離子體中。優(yōu)選地，該內(nèi)部電極構(gòu)件24包括多個氣體通道28,該些氣體通道延伸穿過該支撐構(gòu)件，以將工藝氣體注射入位于該上電極12和該下電極18之間的等離子體反應(yīng)室中的空間。石圭是該內(nèi)部電一及構(gòu)4牛24和該外部電才及構(gòu)4牛26的等離子體暴露表面的優(yōu)選材料。在等離子體處理過程中，高純度的單晶硅可以最小化基板的污染，而且在等離子體處理中會均勻地磨損，從而使微粒最小化。例如，可用作該上電極12的等離子體暴露表面的替代材料包括SiC或AlN。在圖示實施方式中，該支撐構(gòu)件14包括支撐々反30和圍繞支撐板30的外周延伸的支撐環(huán)32。在該實施方式中，該內(nèi)部電極構(gòu)件24是與該支撐板30共同延伸的，且該外部電極構(gòu)件26是與該外圍支撐環(huán)32共同延伸的。然而，該支撐才反30可以延伸到超過該內(nèi)部電才及構(gòu)件24，這樣就可以用單個支撐一反來支撐該內(nèi)部電才及構(gòu)件24和該分l殳的外部電4及構(gòu)件26。優(yōu)選地，該內(nèi)部電才及構(gòu)件24和該外部電才及構(gòu)件26通過粘合材料固定于該支撐構(gòu)件14。優(yōu)選地，該支撐板30和支撐環(huán)32是由與用作在等離子體處理室中處理半導(dǎo)體基4反的工藝氣體化學(xué)兼容的、而且導(dǎo)電并導(dǎo)熱的材料制成的。括鋁、鋁合金、石墨和SiC,固定于該支撐才反30和支撐環(huán)32，該彈性粘合材一+可以調(diào)節(jié)熱應(yīng)力，并在該上電4及12和該支撐一反30和支撐環(huán)32之間傳遞熱能和電能。例如，在共同持有的專利號為6,073,577的美國專利中描述了使用高彈體來粘合電極組件表面，其內(nèi)容皆由引用而納入此處。該支撐一反30和支撐環(huán)32使用合適的加固構(gòu)件固定于該熱控制板16。圖2是將該支撐構(gòu)件14(或者支撐板30)固定于圖l所示的該熱控制板16的該加固構(gòu)件34/36的方欠大的一見圖。在此實施方式中，該加固構(gòu)件34/36包含第一加固構(gòu)件34和第二加固構(gòu)件36。優(yōu)選;也，^亥第一力口固才勾<牛34包4舌頭38、才丙40、夕卜蟲累纟丈41,口7"R載面42。侈'J如，該第一加固構(gòu)件34可以是螺紋螺絲或螺栓等等。在此實施方式中，各第二加固構(gòu)件36與相應(yīng)的第一加固構(gòu)件34的外螺紋嚙合。第二加固構(gòu)件36可以是螺紋護(hù)套、任何內(nèi)螺紋結(jié)構(gòu)等。該加固構(gòu)件34/36的一種優(yōu)選材料是Nitronic-60，一種在真空環(huán)境中耐磨損的不銹鋼。此實施方式中的該加固構(gòu)件34/36還可以用于將圖1所示的該支撐環(huán)32固定到該熱控制4反16上。如圖2所示，將該第一加固構(gòu)件34插入該熱控制板16的通孔44/46。熱控制板16中的孔44/46具有階梯結(jié)構(gòu)并包括比第二部分46更寬的第一部分44(例如反向鉆孔洞)和承載面42。該第二加固構(gòu)件36固定于或者嵌入該支撐構(gòu)件14的凹槽內(nèi)。當(dāng)該第一加固構(gòu)件34的螺紋噴合該第二加固構(gòu)件36的螺紋時，該熱控制板16被固定到該支撐構(gòu)件14。這種嚙合提供了預(yù)先確定的夾持力，該夾持力分布于該第一加固構(gòu)件34的承載面42和該熱控制板16的通孔44A46的承載面間。已經(jīng)確定，如果該第一加固構(gòu)件34的材料具有比該熱控制板16的材料更小的熱膨月長系l史，當(dāng)這些元件一皮加熱到一個升高的半導(dǎo)體基板等離子體處理溫度(比如大約8(TC到大約160。C)時，該支撐構(gòu)件14和該熱控制^反16之間的夾持力可以顯著增加。例如，在一個實施方式中，該第一加固構(gòu)件34可以是由不4秀鋼(例如Nitronic-60)制成的，并插入鋁制熱控制板16的通孔44/46中。在此實施方式中第二加固構(gòu)件36是不銹鋼螺紋護(hù)套，固定于該鋁或石墨的支撐構(gòu)件14。將該加固構(gòu)件36/38固定以將該熱控制板16固定到該支撐構(gòu)件14中，以提供預(yù)先確定的夾持力。圖3是環(huán)境溫度下這種結(jié)構(gòu)的圖示。將圖3中的結(jié)構(gòu)加熱到升高的工藝溫度后(例如，約80。c到約i6o。c)，該鋁制熱控制板i6(熱膨脹系數(shù)-i4no-，F(xiàn):r1)和不銹鋼制第一加固構(gòu)件34(熱膨脹系數(shù)=9.89*10-6(。？)")以不同比率膨脹，如圖4所示。該第一加固構(gòu)件34必須在軸向膨脹(圖4中箭頭A)以適應(yīng)該熱控制板16的更大的熱膨月長(圖4中的箭頭B)。而且，該熱控制板16和該第一加固構(gòu)件34的毗連的承載面42可以變形以適應(yīng)該熱控制板16的熱膨脹。結(jié)果是，該鋁制熱控制板16和該支撐構(gòu)件14之間的夾持力在升高的溫度下增加。來自熱循環(huán)的力導(dǎo)致該加固構(gòu)件34/36的松動，這是由于該第一加固構(gòu)件34、該熱控制板16和螺絲螺纟丈的局部損壞以及孩M立的產(chǎn)生?！N減少該7義載面42和螺絲螺紋的局部損壞的途徑是佳_用由與該熱控制板16相同的材料，或者與該熱控制板16的材料的熱膨月長系凄t相近的另一種材沖牛構(gòu)成的第一加固構(gòu)件34。這種途徑可以最小化該第一加固構(gòu)件34和熱控制板16的承載面42上因為不同的熱膨脹產(chǎn)生的力，因為該第一加固構(gòu)件34和熱控制板16以大致相同的比率熱膨脹。13已經(jīng)確定，使用陽極化鋁使得第一加固構(gòu)件34可以理想地防止夾持力的顯著增加，因而避免對該第一加固構(gòu)件34和該熱控制才反16的7義載面42以及螺絲螺紋的損壞。例如該第一加固構(gòu)件34(例如螺紋螺絲)材料是由陽極化鋁制成的，并被插入由鋁制成的該熱控制板16的通孔44/46中。第二加固構(gòu)件36(不4秀鋼螺紋護(hù)套)固定于石墨支撐構(gòu)件14。該熱控制壽反16以預(yù)先確定的夾持力^f皮固定于具有該加固構(gòu)件34/36的該支撐構(gòu)件14。然而，由于該陽才及化鋁第一加固構(gòu)件34(例如螺絲)和不銹鋼第二加固構(gòu)件36(例如螺紋護(hù)套)之間的不同膨脹，來自該第一加固構(gòu)件34的該陽極化涂層的剝落產(chǎn)生大量的孩i粒。相應(yīng)地，在非常討厭這種污染的等離子體處理室中，該第一加固構(gòu)件34應(yīng)該由具有合適的熱膨脹系數(shù)，同時在等離子體處理過程中不會引入污染物的材料制成。圖5是用于將該支撐構(gòu)件14(或者支撐板30)固定到該熱控制板16的示例性實施方式的放大的視圖，其可以解決前面兩種問題，即熱膨脹產(chǎn)生的應(yīng)力和樣t粒污染物的剝落。在此實施方式中，該第一加固構(gòu)件34(例如，螺紋螺絲)材并+是不,秀鋼的并插入該鋁制熱控制板16的通孔44/46。該第二加固構(gòu)件36是不銹鋼Nitronic-60螺紋護(hù)套，固定于該鋁或者石墨的支撐構(gòu)件14?？善?牛墊片構(gòu)件48一皮i殳置于該孔44的第一部分內(nèi)，在該第一加固構(gòu)件34的壽義載面和熱控制板16的承載面42之間。例如，該可偏斜墊片構(gòu)件48可以是一個或多個具有相同或不同彈性常數(shù)的碟片彈簧(例如膜片式彈簧墊圈(BELLEVILLEwasher))、螺旋彈簧或者任何滿足以下條件的機(jī)械結(jié)構(gòu)在這些才幾械結(jié)構(gòu)中，偏斜該可偏斜墊片構(gòu)件48所需要的力明顯小于(例如一個ft量級)4吏該第一加固構(gòu)件34或者該7義載面42變形所需要的力。圖6是另一個示例性實施方式，其中該通孔44/46形成于該支撐構(gòu)件14中。又于于這種結(jié)構(gòu)，該3L44/46形成于該支4掌構(gòu)4牛14中并具有階梯結(jié)構(gòu)，包括比該第二部分46更寬的第一部分44(例如，反向鉆孔洞)，以及承載面42?？善眽|片構(gòu)件48"i殳置于該孔44的第一部分內(nèi)，在該第一加固構(gòu)件34的〃K載面42和該支撐構(gòu)件14的承載面42之間。該第二加固構(gòu)件36固定于或者嵌入該熱控制板16中。如圖7所示，該第一加固構(gòu)件34被固定于該第二加固構(gòu)件36,這樣該可偏名+墊片構(gòu)件48(例如石乘片彈簧)在環(huán)境溫度下不是完全平坦的。圖8描繪了在升高的溫度下(例如約80。C到約160。C)的圖7的結(jié)構(gòu)。如圖8所示，通過該可變形的墊片構(gòu)件48，調(diào)節(jié)該熱膨脹的力(也就是壓縮該碟片彈簧)，而不是使該第一加固構(gòu)件34或者該熱控制板16和第一加固構(gòu)件34的承載面42變形。此實施方式中的具有可變形的墊片構(gòu)件48的該加固構(gòu)件34/36還可以用于將圖1所示的支撐環(huán)32固定于該熱控制板16。該可變形墊片構(gòu)件48對該熱控制板16的陽極化鋁涂層的力也可能導(dǎo)致該陽極化涂層的一些剝落，有可能將顆粒物質(zhì)引入到晶片上。為了最小化這種特性，在該熱控制板16的承載面42和該可變形的墊片構(gòu)件48之間設(shè)置平墊圏50。優(yōu)選地，平墊圈50由硬化不銹鋼(例如沉淀硬化不銹鋼PH17-4-H900)制成。圖5-8中的實施方式具有優(yōu)勢，因為(i)該可變形墊片構(gòu)件48可以調(diào)節(jié)該熱控制板16的熱膨脹產(chǎn)生的應(yīng)力，從而最小化對該承載面42和螺絲螺紋的損害；以及(ii)可以使用Nitronic-60不銹鋼螺纟丈護(hù)套，該材津牛在真空環(huán)境中耐磨損。如上所述并如圖4所示，與僅僅使用沒有可變形墊片構(gòu)件48的不銹鋼螺絲相關(guān)的缺點是，熱膨脹產(chǎn)生的應(yīng)力可能損害承載面42和螺紋并導(dǎo)致微粒的產(chǎn)生。盡管陽極化鋁緊固件可以減輕熱膨脹產(chǎn)生的應(yīng)力，但它們很容易受到微粒污染物剝落的影響。因此，使用可變形墊片構(gòu)件站在選擇適于真空處理環(huán)境的材料時提供了額外的靈活性，同時使得與各種材料的熱膨脹系數(shù)的差異有關(guān)的不利影響最小化。而且，熱控制板16、可變形墊片構(gòu)件48和第一加固構(gòu)件34可以是由任4可合適的材料形成的，該材料可以4是供對等離子體環(huán)境中使用的氣體的耐侵蝕性，同時最小化等離子體處理過程中的微粒污染。圖5-8中的實施方式可^^用于將等離子體處理裝置中要進(jìn)4亍加熱并可能引入顆沖立物質(zhì)的兩種構(gòu)4牛固定起來。例如，該第一和第二加固構(gòu)件34/36和可變形墊片構(gòu)件48可用于將基板支架18的元件固定起來，該基板支架18會受到由于該等離子體處理裝置的加熱和冷卻而產(chǎn)生的熱應(yīng)力的影響。實施例l沖丸4亍熱4盾環(huán)測試，以確定在由4立于力。利福尼亞弗雷蒙的朗姆研究中心制造的EXELANFLEXTM電介質(zhì)等離子體刻蝕系統(tǒng)中，在加熱到升高的溫度的過程中，該第一加固構(gòu)件36材津牛在孩丈粒產(chǎn)生方面的效果。對于這些測試，將陽極化鋁螺絲產(chǎn)生的超過0.09pm的樣i粒與Nitronic-60不4秀鋼螺絲產(chǎn)生的相比4交。該測試是這樣執(zhí)行的將鋁熱控制板16夾持到石墨支撐構(gòu)件14上，類似于圖3中所示的結(jié)構(gòu)。在陽才及化鋁螺絲的測試中，將類似于平墊圏50的平墊圈設(shè)置于該熱控制板16的承載面42和該螺絲之間。第二加固構(gòu)件36,即Nitronic-60不銹鋼螺紋護(hù)套，被嵌入該石墨支撐構(gòu)件"中。夾持的鋁熱控制板16和石墨支撐構(gòu)件14凈皮方文入該等離子體刻蝕室中并被置于具有基線樣t粒計數(shù)的硅晶片上。在惰性氣體中，將該室加熱到大約110-115。C，不產(chǎn)生等離子體，橫_得該夾持的鋁熱控制*反16和石墨支撐構(gòu)件14熱膨脹。然后在惰性氣體中將該室冷卻到環(huán)境溫度，使得該夾持的鋁熱控制板16和石墨支撐構(gòu)件14收縮。為進(jìn)行多組觀'J試，然后4吏用光學(xué)表面分析^f義分析石圭晶片表面以確定比0.09pm大的微粒的數(shù)量(該分析儀在大約20,000個微粒計數(shù)下飽和)。如表l所示，與陽才及〗匕鋁螺絲相比，不4秀4閃螺絲產(chǎn)生的大于0.09pm的微粒明顯比較少。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage17</column></row><table>實施例2執(zhí)行測試以測量三種螺絲結(jié)構(gòu)的熱控制板16和支撐構(gòu)件14之間的夾持力(U不銹鋼螺絲；(ii)陽極化鋁螺絲；和(iii)具有》茱片彈簧的不《秀鋼螺絲。在兩個鋁制測試夾具之間并入500石身測壓元件，來才莫擬熱控制纟反16和具有通孔44/46的支撐構(gòu)件14。第二固定構(gòu)件36和Nitronic-60不銹鋼螺紋護(hù)套被嵌入模擬支撐構(gòu)件14的該鋁制夾具中。在測試陽極化鋁螺絲的過程中，在為模擬熱控制板16而建造的該夾具和該螺絲之間設(shè)置類似于平墊圏50的平墊圏。各不同的螺絲結(jié)構(gòu)^f皮扣緊到最終」扭矩的一半，然后繃緊到最終^扭矩(例如12in-lb或15in-lb)，并從該500磅測壓元件中得到夾持力測量值。在重復(fù)該測試前，清潔該螺絲的螺紋和該通孔的第二部分。如下面的表2所總結(jié)的，具有該彈簧碟片的不銹鋼螺絲證實了具有最高的平均夾持力以及較低最終扭矩的最小的標(biāo)準(zhǔn)偏差。這些特征有利于在較低的扭矩下提供更高并更一致的夾持力，有利于例行維護(hù)中該等離子體處理裝置的分解和組裝。螺絲結(jié)構(gòu)最終扭矩(in-lbs.)平均夾持力(lbs.)標(biāo)準(zhǔn)^f烏差(lbs.)不4秀鋼/;萊片彈簧12276.413.3不銹鋼15258.418.6陽才及4匕鉆15202.321.3盡管本發(fā)明是參考其具體實施方式進(jìn)行詳細(xì)描述的，然而，對本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，顯然，可以在不悖離所附權(quán)利要求的范圍的基礎(chǔ)上，對本發(fā)明作出變更和修改。18權(quán)利要求1.一種等離子體處理裝置的元件，包含第一構(gòu)件，具有第一熱膨脹系數(shù)并包括多個具有第一部分和比該第一部分寬的第二部分的通孔，該第二部分由至少一個承載面部分限定；多個第一加固構(gòu)件，具有第二膨脹系數(shù)并設(shè)置于該第一構(gòu)件的該孔內(nèi)，該第一加固構(gòu)件包括承載面；至少一個可偏斜墊片，設(shè)置于限定該孔的該第二部分的該承載面和該第一加固構(gòu)件的該承載面之間；以及第二加固構(gòu)件，嚙合于各第一加固構(gòu)件以將該第一構(gòu)件以預(yù)先確定的夾持力固定于該第二構(gòu)件，該至少一個可偏斜墊片適于調(diào)節(jié)在室溫和升高的處理溫度之間的熱循環(huán)過程中產(chǎn)生的力。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的元件，其中該可偏斜墊片構(gòu)件適于實質(zhì)上減少該熱循環(huán)過程中來自該第一構(gòu)件或者該第一加固構(gòu)件的農(nóng)i粒的產(chǎn)生。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的元件，其中該至少一個可偏斜墊片是在同一個孔內(nèi)的一個或多個碟片彈簧。4.才艮據(jù)權(quán)利要求3所述的元件，進(jìn)一步包含i殳置于各可偏斜墊片和該第一構(gòu)件的承載面之間的平墊圈。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的元件，其中各該第一加固構(gòu)件包含外螺紋，且各該第二加固構(gòu)件包含與相應(yīng)的第一加固構(gòu)件的外螺紋嚙合的內(nèi)螺纟丈。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的元件，其中該第一熱膨脹系數(shù)大于該第二熱膨脹系數(shù)。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的元件，其中該第一熱膨脹系數(shù)大體上等于該第二熱膨脹系數(shù)。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的元件，其中該第一構(gòu)件是熱控制板。9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的元件，其中該熱控制板是由鋁或鋁合金材料構(gòu)成的。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的元件，其中該第二構(gòu)件是支撐構(gòu)件。11.根據(jù)權(quán)利要求IO所述的元件，其中該支撐構(gòu)件包含支撐板和圍繞該支撐板的外周延伸的支撐環(huán)。12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的元件，其中該支撐構(gòu)件是由鋁或石墨構(gòu)成的。13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的元件，進(jìn)一步包含固定于該第二構(gòu)件的第三構(gòu)件。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的元件，其中該第三構(gòu)件是電極。15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的元件，其中該電極包含內(nèi)部硅電極和夕卜部硅電極。16.—種等離子體處理裝置的元件，包含第一構(gòu)件，具有第一熱膨脹系數(shù)；第二構(gòu)件，包括多個具有第一部分和比該第一部分寬的第二部分的通孔，該第二部分由至少一個壽義載面部分限定；多個第一加固構(gòu)件，具有第二熱膨月長系數(shù)并i殳置于該第二構(gòu)件的該孔內(nèi)，各該第一加固構(gòu)件包括承載面；至少一個可偏斜墊片，設(shè)置于限定該:jL的該第二部分的該^R載面和該第一加固構(gòu)<牛的該岸義載面之間；以及第二加固構(gòu)件，嚙合于各第一加固構(gòu)^牛以將該第一構(gòu)件以預(yù)先確定的夾持力固定于該第二構(gòu)件，該至少一個可偏斜墊片適于調(diào)節(jié)在室溫和升高的處理溫度之間的熱循環(huán)過程中產(chǎn)生的力。17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的元件，其中該可偏存+墊片構(gòu)件適于實質(zhì)上減少該熱循環(huán)過程中來自該第一構(gòu)件或者該第一加固構(gòu)件的微粒的產(chǎn)生。18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的元件，其中該至少一個可偏斜墊片是一個或多個碟片彈簧。19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的元件，進(jìn)一步包含"i殳置于各可偏斜墊片和該第二構(gòu)件的承載面之間的平墊圈。20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的元件，其中各該第一加固構(gòu)件包含外螺紋，且各該第二加固構(gòu)件包含與相應(yīng)的第一加固構(gòu)件的外螺紋嚙合的內(nèi)螺紋。21.根據(jù)權(quán)利要求16所述的元件，其中該第一熱膨脹系數(shù)大于該第二熱膨脹系數(shù)。22.才艮據(jù)權(quán)利要求16所述的元件，其中該第一熱膨月長系lt大體上等于該第二熱膨脹系數(shù)。23.根據(jù)權(quán)利要求16所述的元件，其中該第一構(gòu)件是熱控制板。24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的元件，其中該熱控制板是由鋁或鋁合金材料構(gòu)成的。25.根據(jù)權(quán)利要求16所述的元件，其中該第二構(gòu)件是支撐構(gòu)件。26.々艮據(jù)纟又利要求25所述的元件，其中該支撐構(gòu)件包含支撐板和圍繞該支撐板的外周延伸的支撐環(huán)。27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的元件，其中該支撐構(gòu)件是由鋁或石墨構(gòu)成的。28.根據(jù)權(quán)利要求16所述的元件，進(jìn)一步包含固定于該第二構(gòu)件的第三構(gòu)件。29.根據(jù)權(quán)利要求28所述的元件，其中該第三構(gòu)件是電極。30.才艮據(jù)一又利要求29所述的元件，其中該電才及包含內(nèi)部石圭電才及和外部石圭電才及。31.—種等離子體處理裝置的噴淋頭電極組件，包含鋁制熱控制板，包括多個具有第一部分和比該第一部分寬的第二部分的通孔，該第二部分由至少一個承載面部分限定；多個不銹鋼加固構(gòu)件，設(shè)置于該熱控制板的該孔內(nèi)，該第一加固構(gòu)件包括承載面；多個可偏斜墊片，i殳置于該孔的該第二部分的該承載面和該第一力口固構(gòu)^f牛的該岸義載面之間；第二加固構(gòu)件，嚙合于各第一加固構(gòu)件以將該熱控制板以預(yù)先確定的夾持力固定于支撐構(gòu)件，該可偏斜墊片適于調(diào)節(jié)在室溫和升高的處理溫度之間的熱循環(huán)過禾呈中該熱4空制并反和該第一加固構(gòu)件之間的熱膨脹的差異產(chǎn)生的力；以及石圭電極，固定于該支撐板。32.根據(jù)權(quán)利要求31所述的噴淋頭電^L組件，其中該至少一個可偏斜墊片是一個或多個碟片彈簧。33.根據(jù)權(quán)利要求32所述的噴淋頭電極組件，進(jìn)一步包含設(shè)置于各可偏斜墊片和該熱控制^^反的承載面之間的平墊圈。34.才艮據(jù)—又利要求31所述的噴淋頭電才及組件，其中各該不《秀鋼加固構(gòu)件包含外螺紋，且各該第二加固構(gòu)件包含與相應(yīng)的不銹鋼加固構(gòu)件的內(nèi)螺鄉(xiāng)丈嚙合的內(nèi)螺玟。35.—種在等離子體處理裝置中處理半導(dǎo)體基^反的方法，該方法包含將基板置于等離子體處理裝置的反應(yīng)室內(nèi)的基板支架上；使用權(quán)利要求31所述的該噴淋頭電才及組件將工藝氣體引入該反應(yīng)室；離子體；使用該等離子體處理該基板。全文摘要提供一種等離子體處理裝置的元件，該元件包括適于調(diào)節(jié)在熱循環(huán)過程中產(chǎn)生的應(yīng)力的加固構(gòu)件。該加固構(gòu)件包括可偏斜墊片以調(diào)節(jié)由熱膨脹系數(shù)的差異產(chǎn)生的力，同時使多余的微粒污染物的產(chǎn)生最小化。文檔編號H05H1/34GK101578926SQ200780046532公開日2009年11月11日申請日期2007年10月16日優(yōu)先權(quán)日2006年10月16日發(fā)明者安瑟?！さ吕R拉,沙魯巴·J·烏拉爾申請人:朗姆研究公司