專利名稱：：大氣壓等離子體產(chǎn)生方法、等離子體處理方法和使用其的部件安裝方法、以及使用這些方...的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種利用低輸入功率產(chǎn)生在寬泛范圍內(nèi)進(jìn)行等離子體處理的大氣壓等離子體的方法、通過所產(chǎn)生的大氣壓等離子體的一種處理方法和一種部件安裝方法、以及一種使用這些方法的裝置。
背景技術(shù)：
：通常，已知一種大氣壓等離子體產(chǎn)生裝置，其使惰性氣體轉(zhuǎn)變?yōu)榻咏髿鈮?按照壓力是在500至1500mmHg的范圍內(nèi))的等離子體并通過該惰性氣體所產(chǎn)生的自由基使活性氣體轉(zhuǎn)變?yōu)榈入x子體來進(jìn)行諸如表面重構(gòu)、蝕刻、以及沉積之類的等離子體處理。在這樣的大氣壓等離子產(chǎn)生裝置中，向圓柱形反應(yīng)容器的一端提供預(yù)先以預(yù)定比率混合的惰性氣體和活性氣體。對該反應(yīng)容器施加高頻電場使混合氣體轉(zhuǎn)變?yōu)榈入x子體并且向處理對象施加從該反應(yīng)容器的另一端噴射出的所生成的等離子體來進(jìn)行處理。參考圖21，將以使用氬作為惰性氣體和氧作為活性氣體的情況來描述等離子體產(chǎn)生的原理。施加了高頻電場之后，其中產(chǎn)生了放電等離子體的反應(yīng)空間中的氬原子(Ar)被該放電等離子體中的電子(e)激活或離子化，并且變成氬自由基(A^)、氬離子(Ar+)、或電子(e)。處于亞穩(wěn)態(tài)的高能氬自由基(A")與其附近的同類或不同類原子反應(yīng)以便于通過使該原子激發(fā)或離子化來返回穩(wěn)定態(tài)，從而使得該反應(yīng)以雪崩倍增的方式發(fā)生。如果那時其附近有氧氣，則氧原子(O)被激發(fā)或離子化并變成氧自由基(0*)、氧離子(0+)、或電子(e)。該氧自由基(0*)與處理對象表面的材料反應(yīng)并且進(jìn)行諸如表面重構(gòu)之類的等離子體處理和通過與該表面的有機(jī)物質(zhì)反應(yīng)去除有機(jī)物質(zhì)。與活性氣體的自由基相比惰性氣體的自由基可保持亞穩(wěn)態(tài)更長時間，因此惰性氣體一般用于產(chǎn)生等離子體。將沉積用氣體用作活性氣體可實(shí)現(xiàn)沉積。使用氫可預(yù)期還原操作。如圖22所示，根據(jù)大氣壓等離子體產(chǎn)生裝置的常規(guī)示例1包括用于構(gòu)成反5應(yīng)空間的反應(yīng)室101、設(shè)置在反應(yīng)室101外周外周中且軸向有間距的一對電極103a和103b、以及用于在該一對電極103a和103b之間施加交流或脈沖形狀高頻電壓的高頻電源104。從反應(yīng)室101的一端提供按預(yù)定比例混合而成的惰性氣體和活性氣體的混合氣體102，而在一對電極103a和103b之間施加交流或脈沖形狀高頻電壓。因此，在反應(yīng)空間中產(chǎn)生等離子體，并且從反應(yīng)容器101的另一端噴射所產(chǎn)生的等離子體105。將等離子體105施加于處理對象106的表面上可以進(jìn)行等離子體處理(參考日本專利特許公開No.2002-1253)。在圖22所示的結(jié)構(gòu)中，相比于僅激發(fā)惰性氣體的情況，需要許多倍數(shù)的輸入功率來激發(fā)由惰性氣體和活性氣體混合而成的混合氣體并使得活性氣體變成等離子體，所以存在其中裝置太大的問題。如圖23所示，作為解決這個問題的等離子體產(chǎn)生原理，提出了僅將惰性氣體(圖中的氬氣)113提供給高頻電源112將高頻電場施加到其中的反應(yīng)室111，而從活性氣體供給管115將活性氣體(圖中的氧氣)116提供給從反應(yīng)室111噴射的等離子體114。如圖24所示，在具體化該等離子體產(chǎn)生原理的常規(guī)示例2中，將從反應(yīng)室111噴射的等離子體114從處理對象117的一側(cè)噴霧并且通過活性氣體供給管115將活性氣體116從處理對象117的另一側(cè)噴霧(參考日本專利特許公開No.Hei9-59777)。此外，如圖25所示，已知以下配置為常規(guī)示例3?；钚詺怏w供給空間121被設(shè)置在中間，而惰性氣體供給到其中并且高頻電源124將高頻電場施加于其上的一對反應(yīng)空間122和123設(shè)置在其兩側(cè)?；钚詺怏w流過經(jīng)激發(fā)的惰性氣體以與該惰性氣體混合，接著變成等離子體的該活性氣體對處理對象125進(jìn)行等離子體處理(參考日本專利特許公開No.2003-49272)。同樣以下為一種已知的通過大氣壓等離子體進(jìn)行等離子體處理的裝置。該裝置設(shè)置有產(chǎn)生大氣壓等離子體和從出口噴射等離子體流的等離子體頭和使處理對象和該等離子體頭相對移動以使該等離子體頭面對處理對象的特定部分的移動裝置。通過對處理對象的特定處理部分噴霧等離子體流進(jìn)行等離子體處理(參考日本專利特許公開No.Hei11-251304)。圖26A和26B所示的裝置已知為與用于將部件安裝到襯底上的方法和裝置有關(guān)的常規(guī)示例4。常規(guī)示例4使用設(shè)置有圓柱形反應(yīng)空間132和在反應(yīng)室132內(nèi)部和外部設(shè)置的一對電極133和134的等離子體頭131。等離子體頭131在電極133和134之間施加高頻電壓同時從反應(yīng)空間132的上端供給惰性氣體135,以在反應(yīng)空間132中產(chǎn)生等離子體并從反應(yīng)空間132的下端132a噴射等離子體流136。離子體頭131按箭頭"a"相對移動到其上固定了平板顯示器的面板137的工作臺138，以便于對由在面板137的側(cè)端并聯(lián)形成的透明電極139a組成的連接電極部件139進(jìn)行等離子體處理(參考日本專利特許公開No.2002-28597)。還已知通過使用具有圖22所示結(jié)構(gòu)的等離子體頭以相似的方式進(jìn)行等離子體處理(參考日本專利特許公開No.2003-167526)。還提出了一種用于在大氣壓下產(chǎn)生微感應(yīng)耦合等離子體流的緊湊型微等離子體流產(chǎn)生裝置(參考日本專利No.3616088的描述)。然而，圖22中所示的結(jié)構(gòu)具有的問題是，如上所述需要大輸入功率來產(chǎn)生等離子體而且該裝置變得很大。除此之外，變成等離子體的活性氣體的壽命很短而且等離子體105在從反應(yīng)室101的另一端噴射出去之后立即消失。因此，變成等離子體的活性氣體不能高效率地起作用，除非反應(yīng)室101的另一端和處理對象106之間的距離L很短，因而存在的問題是等離子體處理的距離范圍被限制為很小。在圖24所示的結(jié)構(gòu)中，因?yàn)榫哂卸虊勖氖芗ぐl(fā)活性氣體在離開反應(yīng)容器111之后立即消失，所以不可能使活性氣體116變成等離子體，除非它在反應(yīng)室111的出口附近。因此，存在的問題是不能充分地使活性氣體116變成為等離子體。相比于圖24所示的結(jié)構(gòu)，在圖25所示結(jié)構(gòu)中活性氣體容易與惰性氣體混合，因?yàn)榛钚詺怏w流過經(jīng)激發(fā)的惰性氣體以便混合，且因此具有的優(yōu)勢是使活性氣體成為等離子體的范圍變得均勻。然而，惰性氣體的壽命仍然很短，而且存在的問題是等離子體處理的距離范圍被限制為很小。在上述日本專利特許公開No.Hei11-251304中公開的等離子體處理方法中，必須通過不僅在將等離子體流施加到處理對象的處理部分期間而且在處理部分之間移動期間保持供給惰性氣體和活性氣體的混合氣體或至少供給惰性氣體來持續(xù)產(chǎn)生等離子體流。這是因?yàn)橐坏┩Ｖ巩a(chǎn)生等離子體流，就需要花費(fèi)時間來重新激起等離子體并產(chǎn)生穩(wěn)定的等離子體流且因此生產(chǎn)率顯著降低。而且在等離子體流變穩(wěn)定以前供給的氣體被浪費(fèi)而對等離子體處理沒有貢獻(xiàn)。因此，相比于真空等離子體處理的情況消耗氣體的量顯著增加到諸如從每分鐘幾升到每分鐘幾百升的程度。而且昂貴的高純度氣體是必需的，因?yàn)槿绻麑⒌图兌葰怏w用于大氣壓等離子體，等離子體將變得不穩(wěn)定。因此，存在的問題是等離子體處理的運(yùn)行成本變得極高。還存在的問題是難以穩(wěn)定地將等離子體流施加到處理對象的處理部分，和難以不將等離子流施加到除處理部分以外的位置上，因?yàn)榈入x子流是連續(xù)噴射的。換言之，必須復(fù)雜地控制等離子體頭和處理對象之間的相對移動來將等離子體流穩(wěn)定地施加到處理對象的處理部分上和不將等離子流施加到除處理部分以外的位置上。因此，存在的問題是控制機(jī)制的裝備和結(jié)構(gòu)變得復(fù)雜。而且，因?yàn)槿缟纤鲎兂傻入x子體的活性氣體在所產(chǎn)生的等離子體中壽命很短，所以等離子體流在從等離子體頭的出口噴射之后立即消失。因此，在不縮短等離子體頭出口和處理對象之間距離的情況下變成等離子體的活性氣體不能有效率地工作，所以存在的問題是等離子體處理的效率降低以及由于等離子體處理的距離范圍被限制為很小而使處理期間的移動控制變得復(fù)雜。在上述日本專利特許公開No.Hd11-251304、No.2002-28597以及No.2003-167526中公開的等離子體產(chǎn)生方法中，使用符合平行板的一對電極產(chǎn)生電容耦合等離子體(非平衡等離子體)，而且所產(chǎn)生等離子體的等離子體密度最大值是IO"至1012/cm3。因?yàn)槭褂镁哂械偷入x子體密度的這樣的電容耦合等離子體在襯底的部件要接合部分上進(jìn)行等離子處理要花費(fèi)大量時間，所以不可能將等離子體處理調(diào)整為部件安裝工藝的其它工藝方法的生產(chǎn)節(jié)拍。由此，必須在與部件安裝工藝分開的工藝中進(jìn)行等離子體處理，因此存在的問題是部件安裝的生產(chǎn)率嚴(yán)重降低。當(dāng)在單獨(dú)工藝中進(jìn)行等離子體處理時，存在的問題是在將襯底從等離子處理工藝運(yùn)送到部件安裝工藝中期間等離子體處理部分再次被污染。而且，實(shí)際上不可能將等離子體處理納入部件安裝線，因?yàn)殡m然這在平板顯示器的尺寸是幾英寸的情況下仍有可能，但近年來平板顯示器的尺寸已增大并超過四十英寸。電容耦合等離子體的等離子體溫度大約是幾百攝氏度，因此幾乎不用擔(dān)心平板顯示器被熱損壞。另一方面，在日本專利No.3616088的描述中公開的感應(yīng)耦合等離子體(熱等離子體)具有1016至10"/cn^的等離子體密度，而且該密度大約比電容耦合等離子體高105倍。因此，感應(yīng)耦合等離子體具有高活性和高處理能力。然而，熱等離子體的等離子區(qū)溫度是幾千到上萬攝氏度，所以存在的問題是當(dāng)?shù)入x子體所施加的襯底具有熱敏感部分時熱等離子體通過熱損壞襯底。例如，在近年來的液晶面板制造工藝中，將其上己經(jīng)附著了起偏振片的襯底提供給部件安裝線來安裝用于驅(qū)動液晶的電子部件。如果將等離子體處理工藝納入安裝線，則高溫等離子體會影響并損壞起偏振片，所以不可能這么做?？紤]到上述常規(guī)問題，本發(fā)明的目的是提供以小輸入功率產(chǎn)生大氣壓等離子體的用于產(chǎn)生大氣壓等離子體的方法和裝置。使用大氣壓等離子體在相對其中產(chǎn)生等離子體的反應(yīng)空間的透視方向和平面方向在寬泛范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)等離子體處理。本發(fā)明的另一目的是提供用于通過簡單結(jié)構(gòu)和控制以低成本和高生產(chǎn)率穩(wěn)定地和有效地僅處理處理對象的處理部分的等離子體處理的方法和裝置。本發(fā)明的再一目的是提供用于將部件安裝到襯底上的方法和裝置，其能在不通過熱將其損壞的情況下對襯底的部件要接合部分有效地進(jìn)行等離子體處理和將等離子體處理納入部件安裝工藝中。發(fā)明公開為實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明的一種用于產(chǎn)生大氣壓等離子體的方法包括將第一惰性氣體供給到反應(yīng)空間中并施加高頻電場來從反應(yīng)空間噴射有已成為等離子體的惰性氣體構(gòu)成的初級等離子體(primaryplasma)的等離子體產(chǎn)生步驟；以及形成包含第二惰性氣體作為主要成份和與之混合的適量的活性氣體的混合氣體區(qū)域以使初級等離子體與之碰撞來產(chǎn)生由已成為等離子體的混合氣體構(gòu)成的二次等離子體(secondaryplasma)的等離子體擴(kuò)張步驟。而且，根據(jù)本發(fā)明的大氣壓等離子體產(chǎn)生裝置包括具有反應(yīng)空間的等離子體產(chǎn)生部分，用于將第一惰性氣體供給到該反應(yīng)空間中的第一惰性氣體供給裝置，以及用于對該反應(yīng)空間施加高頻電場的高頻電源，該等離子體產(chǎn)生部分從反應(yīng)空間噴射由已成為等離子體的第一惰性氣體構(gòu)成的初級等離子體；以及包括包含作為主要成份的第二惰性氣體和與其混合的適量活性氣體以使所噴射的初級等離子體與之碰撞的混合氣體區(qū)域的等離子體擴(kuò)張部分，該部分用于產(chǎn)生由已成為等離子體的混合氣體構(gòu)成的二次等離子體。已基于通過本發(fā)明人對用于產(chǎn)生大氣壓等離子體的方法的刻苦研究發(fā)現(xiàn)的事實(shí)完成了本發(fā)明，其中當(dāng)將惰性氣體供給到從反應(yīng)空間中噴射的等離子體以使該等離子體與該惰性氣體碰撞時，所供給的惰性氣體雪崩倍增地變成等離子體并且該等離子體很大程度地?cái)U(kuò)張。因此，根據(jù)本發(fā)明的用于產(chǎn)生大氣壓等離子體的方法和裝置，在第一反應(yīng)空間中通過施加高頻電場使第一惰性氣體成為等離子體并作為初級等離子體噴射。該初級等離子體碰撞到第二惰性氣體和活性氣體的混合氣體區(qū)域中，以使與初級等離子體碰撞的第二惰性氣體雪崩倍增地成為等離子體并擴(kuò)張到整個混合氣體區(qū)域。通過已經(jīng)變成等離子體的第二惰性氣體的自由基使活性氣體變成等離子體，而且因此該等離子體在相對于反應(yīng)空間的透視方向和平面方向大范圍地?cái)U(kuò)張并進(jìn)行等離子體處理。而且，該方法和裝置僅需要小的電功率，因?yàn)楦哳l電場僅施加在其中產(chǎn)生初級等離子體的反應(yīng)空間上。因?yàn)檩斎牍β市?，所產(chǎn)生的二次等離子體溫度低，所以產(chǎn)生的效果是，有可能容易對諸如其上已安裝低熱阻部件等的襯底之類的低熱阻襯底進(jìn)行等離子體處理。不同種類的氣體可用作第一惰性氣體和第二惰性氣體，但優(yōu)選使用同一種類的惰性氣體，因?yàn)槎蔚入x子體的擴(kuò)張變得穩(wěn)定而且氣體供給裝置可被簡化。優(yōu)選從氬氣、氦氣、氙氣、氖氣、氮?dú)?、氪氣、及其一種或多種混合氣體中選擇第一惰性氣體和第二惰性氣體。精確而言，氮?dú)獠⒎嵌栊詺怏w但在產(chǎn)生大氣壓等離子體中表現(xiàn)得像普通惰性氣體一樣并且可以用相同的方式得到。因此，本發(fā)明的示例包括氮?dú)庾鳛槎栊詺怏w?？梢蕴峁┑诙栊詺怏w和活性氣體已預(yù)先混合于其中的用于將混合氣體供給到混合氣體區(qū)域的混合氣體供給裝置，而該混合氣體區(qū)域被形成為在其中提供第二惰性氣體和活性氣體的混合氣體。在這種配置中，相比于分別提供兩種氣體的情況該氣體供給裝置被簡化。因?yàn)榈诙栊詺怏w和活性氣體被均勻混合，所以二次等離子體甚至在較廣區(qū)域中穩(wěn)定地形成，所以有可能大范圍地均勻執(zhí)行等離子體處理。考慮其中活性氣體由氫氣組成而且將氫氣提供為混合氣體并以4%或更低的濃度與第二惰性氣體混合的情況。在這種情況下，雖然因?yàn)楫?dāng)氫氣濃度超過4%時氫氣會爆炸所以使用氫氣有爆炸的風(fēng)險，但有可能通過提供該混合氣體安全地進(jìn)行等離子體還原處理而不會有爆炸的風(fēng)險。此外，有可能高效地大范圍執(zhí)行處理?？煞謩e提供用于將第二惰性氣體供給到混合氣體區(qū)域的第二惰性氣體供給裝置和用于將活性氣體供給到混合氣體區(qū)域的活性氣體供給裝置來形成混合氣體區(qū)域以便于分別將第二惰性氣體和活性氣體供給到該區(qū)域。在這種情況下，活性氣體可以混合成經(jīng)調(diào)節(jié)的任意濃度，而且因此有可能按所需條件進(jìn)行等離子體處理。第二惰性氣體供給裝置設(shè)置在從等離子體產(chǎn)生部分噴射的初級等離子體外而活性氣體供給裝置設(shè)置在第二惰性氣體供給裝置外，以便于向所噴射的初級等離子體之外提供第二惰性氣體并向第二惰性氣體供給區(qū)域之外提供活性氣體。因?yàn)槌跫壍入x子體與僅有第二惰性氣體的氣氛碰撞，所以第二惰性氣體的等離子體有效地?cái)U(kuò)張到第二惰性氣體供給區(qū)域的全部。將活性氣體混合到廣泛擴(kuò)張的二次等離子體中并使其變成等離子體在更大范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)等離子體處理。一個或多個等離子體產(chǎn)生部分可設(shè)置在構(gòu)成等離子體擴(kuò)張空間的有預(yù)定截面形狀的等離子體管的外周壁上，來將初級等離子體噴射到等離子體擴(kuò)張空間中，從該等離子體管的一端提供混合氣體。這使得從等離子體擴(kuò)張空間的另一端噴射二次等離子體成為可能。在這種情況下，二次等離子體可從與等離子體管截面部分的形狀和尺寸相對應(yīng)的區(qū)域噴射，所以有可能一次在更大范圍內(nèi)進(jìn)行等離子體處理。例如，使用具有纖細(xì)截面的等離子體管以及沿垂直于該等離子體管縱向的方向相對移動處理對象使得在大面積上均勻地和有效率地進(jìn)行等離子體處理成為可能。此外，可以提供等離子體產(chǎn)生部分和等離子體擴(kuò)張部分。在等離子體產(chǎn)生部分中，一對電極相對設(shè)置而反應(yīng)空間置于其間。等離子體產(chǎn)生部分從設(shè)置在其中設(shè)置了電極之一的表面中的多個開口噴射初級等離子體。等離子體擴(kuò)張部分以初級等離子體從其中噴射的方式設(shè)置在等離子體產(chǎn)生部分附近?；旌蠚怏w從等離子體擴(kuò)張部分的一側(cè)、兩側(cè)、或外周供給，而二次等離子體從設(shè)置在與等離子體產(chǎn)生部分相對的側(cè)面的多個開口噴射。在該情況下，有可能利用大氣壓等離子體一次在大的平坦表面上進(jìn)行等離子體處理。根據(jù)本發(fā)明的一種等離子體處理方法包括將第一惰性氣體供給到設(shè)置在等離子體頭中的反應(yīng)空間并施加高頻電場以從該反應(yīng)空間連續(xù)噴射初級等離子體；在等離子體頭中或其附近形成包括作為主要成份的第二惰性氣體和與之混合的適量活性氣體的混合氣體區(qū)域來使初級等離子體與混合氣體區(qū)域碰撞并產(chǎn)生二次等離子體；以及當(dāng)處理部分進(jìn)行等離子體處理時僅在處理部分形成混合氣體區(qū)域并產(chǎn)生二次等離子體，同時相對移動等離子體頭和處理對象來通過將所產(chǎn)生的二次等離子體噴霧到處理對象的處理部分上進(jìn)行該處理。根據(jù)本發(fā)明的一種等離子體處理裝置包括具有用于噴射由已變成等離子體的第一惰性氣體構(gòu)成的初級等離子體的等離子體產(chǎn)生部分和用于通過使初級等離子體碰撞到第二惰性氣體和活性氣體的混合氣體區(qū)域中來產(chǎn)生由變成等離子體的混合氣體構(gòu)成的二次等離子體的等離子體擴(kuò)張部分；用于向等離子體產(chǎn)生部分供給第一惰性氣體的第一惰性氣體供給裝置；用于在等離子體產(chǎn)生部分上施加高頻電場的高頻電源；用于將第二惰性氣體和活性氣體的混合氣體供給到混合氣體區(qū)域的供給裝置；用于使處理對象和等離子體頭相對移動的移動裝置；用于識別等離子體頭與處理對象的處理部分相對地定位的定時的裝置；以及用于控制高頻電源、相應(yīng)氣體供給裝置、以及移動裝置的控制裝置。該控制裝置僅當(dāng)?shù)入x子體頭與處理對象的處理部分相對地定位時操作混合氣體供給裝置。根據(jù)本發(fā)明的等離子體處理方法和裝置，通過在處理對象的處理部分上噴射如上所述形成的二次等離子體，處理部分可以高效地進(jìn)行等離子體處理。在保持產(chǎn)生初級等離子體的情況下停止混合氣體區(qū)域的形成可即時停止二次等離子體在除處理部分之外的另一區(qū)域中的等離子處理。一旦到達(dá)另一處理部分，混合氣體區(qū)域就再次形成，而因?yàn)楸３至顺跫壍入x子體，所以在那里即時產(chǎn)生穩(wěn)定的二次等離子體。所以，有可能穩(wěn)定和有效地僅對處理對象的處理部分進(jìn)行等離子體處理。處理和非處理通過形成混合氣體區(qū)域和停止形成來轉(zhuǎn)換，從而在非處理時間沒有消耗混合氣體。第一惰性氣體的流速也可減少還原，而且因此有可能減少還原昂貴氣體的消耗。此外，在非處理時間沒有必要將等離子體頭移離處理對象，因此有可能利用簡單結(jié)構(gòu)和控制以高生產(chǎn)率低成本僅對處理部分進(jìn)行等離子體處理。而且，因?yàn)楦哳l電場僅施加在其中產(chǎn)生初級等離子體的反應(yīng)空間上，所以小功率就足夠了。因?yàn)檩斎牍β市?，所以所產(chǎn)生的二次等離子體溫度也保持得較低，所以產(chǎn)生的效果是，有可能容易對諸如其上已安裝低熱阻部件等的襯底之類的低熱阻襯底進(jìn)行等離子體處理。如果移動裝置設(shè)置有機(jī)械手裝置(RobotDevice)并且等離子體頭安裝在可以在該機(jī)械手裝置的X、Y、和Z方向上移動的移動頭上，則有可能以高度通用性進(jìn)行等離子體處理。根據(jù)本發(fā)明的一種用于將部件安裝到襯底上的方法包括將第一惰性氣體供給到反應(yīng)空間并對設(shè)置在該反應(yīng)空間附近的天線施加高頻電壓來從該反應(yīng)空間噴射由感應(yīng)耦合等離子體構(gòu)成的初級等離子體；使初級等離子體與包含作為主要成份的第二惰性氣體和與之混合的適量活性氣體的混合氣體區(qū)域碰撞來產(chǎn)生二次等離子體；對襯底的部件要安裝部分施加所產(chǎn)生的二次等離子體來進(jìn)行等離子體處理；以及將部件接合到已進(jìn)行過等離子體處理的部件要安裝部分上。根據(jù)本發(fā)明的一種部件安裝裝置包括具有等離子體頭和移動裝置的等離子體處理部分，該等離子體頭具有用于噴射作為第一惰性氣體的感應(yīng)耦合等離子體的初級等離子體的感應(yīng)耦合等離子體產(chǎn)生部分和用于使該初級等離子體與包含第二惰性氣體和活性氣體的混合氣體區(qū)域碰撞來產(chǎn)生由已變成等離子體的混合氣體構(gòu)成的二次等離子體的等離子體擴(kuò)張部分，該移動裝置以等離子頭沿著襯底的部件要接合部分相對移動的方式相對移動襯底和等離子體頭；以及用于將部件接合到襯底的部件要接合部分上的部件接合部分。根據(jù)本發(fā)明的用于將部件安裝到襯底上的方法和裝置，因?yàn)槭褂删哂懈叩入x子體密度的感應(yīng)耦合等離子體構(gòu)成的初級等離子體與第二惰性氣體和活性氣體的混合氣體區(qū)域碰撞，所以與初級等離子體碰撞的第二惰性氣體雪崩倍增地變成等離子體并且擴(kuò)張到整個混合氣體區(qū)域中，而且己變成等離子體的第二惰性氣體的自由基等產(chǎn)生由已變成等離子體的活性氣體構(gòu)成的二次等離子體。因此，有可能產(chǎn)生比常規(guī)電容耦合等離子體有更高等離子體密度和更低等離子體溫度的二次等離子體。將二次等離子體施加到襯底的部件要接合部分上有效地在不被熱損壞襯底的情況下在短時間內(nèi)進(jìn)行所需等離子處理。因?yàn)椴考雍显诮?jīng)受等離子體處理之后的部件要接合部分上，所以部件的接合具有高接合強(qiáng)度和高可靠性。在部件安裝步驟中設(shè)置等離子體處理使得以高生產(chǎn)率將部件安裝到襯底上成為可能?？紤]其中該襯底是平板顯示器的面板、接合部分是設(shè)置在面板端部的連接電極、該部件包括附著在連接電極上的各向異性導(dǎo)電膜和用于驅(qū)動平板顯示器的臨時或最終壓配其上的電子部件、以及部件安裝步驟具有等離子體處理步驟、各向異性導(dǎo)電膜附著步驟、臨時壓配步驟、以及最終壓配步驟的情況。在這種情況下，有可能制造其上使用單部件安裝線以高生產(chǎn)率通過各向異性導(dǎo)電膜安裝了驅(qū)動用電子部件的平板顯示器。當(dāng)該平板顯示器的尺寸是io英寸或更大時，上述效果尤其明顯地呈現(xiàn)。如果等離子體處理步驟中混合氣體中的活性氣體包括氧氣，那么面板的連接電極的表面被有效重構(gòu)。各向異性導(dǎo)電膜的接合強(qiáng)度比沒有等離子體處理的情況增大1.3到2倍，所以有可能確保接合強(qiáng)度和高可靠性。當(dāng)?shù)入x子體處理部分的處理時間是各向異性導(dǎo)電膜附著部分、臨時壓配部分、以及最終壓配部分的最短處理時間或更短時，如果將等離子體處理部分添加到部件安裝線，則有可能按照與沒有等離子體處理部分的情況一樣的生產(chǎn)節(jié)拍制造平板顯示器。如果相同的裝置包括等離子體處理部分和各向異性膜附著部分而且其處理時間是臨時壓配部分和最終壓配部分的最短處理時間或更短，則當(dāng)附著各向異性導(dǎo)電膜的處理時間比臨時壓配和最終壓配的處理時間更短時，有可能利用剩余時間進(jìn)行等離子體處理。因此，有可能以高生產(chǎn)率制造平板顯示器。如果移動裝置設(shè)置有機(jī)械手裝置而且等離子體頭安裝在可在機(jī)械手裝置的x、Y、和Z方向移動的可移動頭上，通過將襯底固定在預(yù)定位置并沿著部件要接合部分移動等離子體頭可以使部件要接合部分正確地和有效率地進(jìn)行等離子體處理。因此，有可能高通用性地對任意襯底進(jìn)行等離子體處理。附圖簡述圖1是對根據(jù)本發(fā)明的大氣壓等離子體產(chǎn)生裝置中等離子體產(chǎn)生原理的說明性視圖2A至2C示出根據(jù)本發(fā)明的大氣壓等離子體產(chǎn)生裝置的第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)，圖2A是縱向截面圖，圖2B是透視圖，而圖2C是其中部件的形狀部分地不同的示例的透視圖3是等離子體親水處理之后的液滴接觸角的說明性視圖4A至4B示出上述第一實(shí)施例的修改示例的結(jié)構(gòu)，圖4A是第一修改示例的縱向截面圖，而圖4B是第二修改示例的透視圖5A至5B示出根據(jù)本發(fā)明的大氣壓等離子體產(chǎn)生裝置的第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)，圖5A是縱向截面圖，而圖5B是透視圖6A至6B示出上述第二實(shí)施例的修改示例的結(jié)構(gòu)，圖6A是第一修改示例的縱向截面圖，而圖6B是第二修改示例的縱向截面圖7是根據(jù)本發(fā)明的大氣壓等離子體產(chǎn)生裝置的第三實(shí)施例的縱向截面圖；圖8A至8B示出根據(jù)本發(fā)明的大氣壓等離子體產(chǎn)生裝置的第四實(shí)施例的結(jié)構(gòu)，圖8A是縱向截面圖，而圖8B是透視圖9A至9B示出根據(jù)本發(fā)明的大氣壓等離子體產(chǎn)生裝置的第五實(shí)施例的結(jié)構(gòu)，圖9A是透視圖，而圖9B是縱向截面圖IO是根據(jù)本發(fā)明的大氣壓等離子體產(chǎn)生裝置的第六實(shí)施例的縱向截面圖；圖11是示出根據(jù)本發(fā)明的大氣壓等離子體產(chǎn)生裝置的第七實(shí)施例的總體結(jié)構(gòu)的透視圖12A至12B示出處理對象的示例，圖12A是示出處理對象的示例的平面圖，而圖12B是示出處理對象的另一示例的平面圖；圖13是根據(jù)第七實(shí)施例的控制結(jié)構(gòu)的框圖14是示出根據(jù)第七實(shí)施例的氣體供給部分和流速控制部分的結(jié)構(gòu)的圖表；圖15是第七實(shí)施例中的操作的說明性視圖16A至16B是本發(fā)明的實(shí)施例和常規(guī)示例的操作的說明性視圖，圖16A是第七實(shí)施例的操作狀態(tài)的說明性視圖，而圖16B是常規(guī)示例的操作狀態(tài)的說明性視圖17A至17B示出根據(jù)本發(fā)明的第八實(shí)施例的部件安裝裝置，圖17A是整個結(jié)構(gòu)的透視圖，而圖17B是處理過程的說明性視圖18A至18D是用于示出液晶面板的制造工藝的透視圖19A至19B示出該液晶面板的等離子體處理部分，圖19A是安裝狀態(tài)的平面圖，而圖19B是部分截面圖20A至20B示出根據(jù)本發(fā)明的第九實(shí)施例的部件安裝裝置，圖20A是完整透視圖，而圖20B是處理過程的說明性視14圖21是等離子體產(chǎn)生原理的說明性視圖22是根據(jù)常規(guī)大氣壓等離子體產(chǎn)生裝置的常規(guī)示例1的前視圖；圖23是另一等離子體產(chǎn)生原理的說明性視圖24是根據(jù)常規(guī)大氣壓等離子體產(chǎn)生裝置的常規(guī)示例2的前視圖；圖25是根據(jù)常規(guī)大氣壓等離子體產(chǎn)生裝置的常規(guī)示例3的透視圖；以及圖26A至26B示出根據(jù)對液晶面板中的接觸電極部分的常規(guī)等離子體處理方法的常規(guī)示例4，圖26A是透視圖，而圖26B是縱向截面前視圖。實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的最佳模式以下將描述本發(fā)明的實(shí)施例。(第一實(shí)施例)現(xiàn)在將參考圖1至4B描述根據(jù)本發(fā)明的大氣壓等離子體產(chǎn)生裝置的第一實(shí)施例。首先，將參考圖l描述根據(jù)本發(fā)明的用于產(chǎn)生大氣壓等離子體的方法的原理。圖1示出其中將氬氣用作第一惰性氣體，將氦氣用作第二惰性氣體，將氧氣用作活性氣體，以及供給第二惰性氣體和氧氣的混合氣體的示例。因?yàn)楣┙o了氬氣而且將高頻電場施加到反應(yīng)空間1，所以反應(yīng)空間1中的氬原子(Ar)被放電等離子體中的電子(e)激發(fā)或離子化而變成氬自由基(Ar"、氬離子(Ar+)和電子(e)。處于亞穩(wěn)態(tài)的高能氬自由基(Ar*)與其附近的同類或不同類原子反應(yīng)通過使該原子激發(fā)或離子化以返回穩(wěn)定態(tài)，使得等離子體反應(yīng)雪崩倍增地發(fā)生。像這樣產(chǎn)生的初級等離子體從反應(yīng)空間1噴射出。因?yàn)楹夂脱鯕獾幕旌蠚怏w被供給到從反應(yīng)空間1噴射的初級等離子體中，所以被初級等離子體中的氬自由基(Ar*)激發(fā)或離子化的氦原子(He)變成氦自由基(He*)、氦離子(He+)、和電子(e)。所產(chǎn)生的氦自由基(He*)雪崩倍增地推動上述反應(yīng)由此產(chǎn)生氦自由基(He*)。此外，其附近的氧原子(0)被氦自由基(He*)激發(fā)或離子化而變成氧自由基(O*)、氧離子(0+)和電子(e)。氧自由基(0*)與處理對象S的表面材料反應(yīng)而進(jìn)行重構(gòu)表面或與表面中的有機(jī)物質(zhì)反應(yīng)來去除它們的等離子體處理。因此，如果反應(yīng)空間和處理對象之間的距離L很大，就有可能通過氧自由基(0*)在大范圍平面上進(jìn)行等離子處理?，F(xiàn)在將參考圖2A至2C描述根據(jù)這個實(shí)施例的大氣壓等離子體產(chǎn)生裝置的具體結(jié)構(gòu)的示例。如圖2A和2B所示，該大氣壓等離子體產(chǎn)生裝置具有截面為圓形的由形成反應(yīng)空間1的電介質(zhì)組成的圓柱形反應(yīng)容器2，擔(dān)當(dāng)?shù)入x子體產(chǎn)生部分。環(huán)狀天線3設(shè)置在反應(yīng)容器2的外周上外周。高頻電源4將高頻電壓施加到天線3上來將高頻電場施加到反應(yīng)空間1上，而從反應(yīng)容器2的上端2a供給第一惰性氣體5，以使從反應(yīng)容器2的底端2b噴射為感應(yīng)耦合等離子體的初級等離子體6?；旌蠚怏w容器7設(shè)置在擔(dān)當(dāng)?shù)入x子體擴(kuò)張部分的反應(yīng)容器2的底端2b附近周圍，而且在其外周有多個氣體入口9用于向其內(nèi)部供給混合氣體8?；旌蠚怏w容器7在反應(yīng)容器2的底端2b下延伸。初級等離子體6對其碰撞來產(chǎn)生二次等離子體11的混合氣體區(qū)域10在反應(yīng)容器2的底端2b之下形成?；旌蠚怏w區(qū)10的底端是開放的。圖2B中混合氣體容器7的形狀是帶有開放底端的圓柱，而如圖2C所示可以是具有開放底端的帶有角部的盒子。在上述結(jié)構(gòu)中，因?yàn)榛旌蠚怏w8供給到混合氣體容器7中而初級等離子體6從反應(yīng)容器2的底端2b噴射，所以初級等離子體6與混合氣體8在混合氣體區(qū)10碰撞以產(chǎn)生二次等離子體11。二次等離子體11擴(kuò)張到混合氣體區(qū)10的整個區(qū)域而且從混合器體區(qū)10向下噴射。將二次等離子體11施加到處理對象S上進(jìn)行所需等離子體處理。二次等離子體ll像這樣大大地?cái)U(kuò)張，因此如果反應(yīng)容器2的底端2b和處理對象S之間有距離則與反應(yīng)容器2的截面相比有可能在平面方向進(jìn)行大面積等離子體處理。將描述特定示例。對于該裝置的結(jié)構(gòu)，反應(yīng)容器2的內(nèi)徑R1是0.8mm，混合氣體容器7的內(nèi)徑R2是5mm，混合氣體容器7的底端和處理對象S之間的距離Ll是lmm，而反應(yīng)容器2底端和混合氣體容器7底端之間的距離L2是4mm。第一惰性氣體5是流速為50sccm的氬氣。以下氣體用作供給到混合氣體容器7中的氣體，而由等離子體對處理對象S的表面進(jìn)行等離子體親水處理。應(yīng)用示例1:擔(dān)當(dāng)?shù)诙栊詺怏w的氬氣(流速500sccm)和擔(dān)當(dāng)活性氣體的氧氣(流速50sccm)的混合氣體，應(yīng)用示例2:擔(dān)當(dāng)?shù)诙栊詺怏w的氦氣(流速500sccm)和擔(dān)當(dāng)活性氣體的氧氣(流速50sccm)的混合氣體，比較示例l:僅有擔(dān)當(dāng)活性氣體的氧氣(流速500sccm)的單一氣體，比較示例2:僅有擔(dān)當(dāng)活性氣體的氧氣(流速50sccm)的單一氣體。接著，水滴落到處理對象S的表面上，而如圖3所示測量液滴的接觸角e來判定水的親和性質(zhì)量。16<table>tableseeoriginaldocumentpage17</column></row><table>表1示出結(jié)果。從表1可以理解的是，在其中活性氣體和第二惰性氣體混合的應(yīng)用示例1和2中有效地進(jìn)行了等離子體處理并獲得了親水性，而在僅使用活性氣體的比較示例1和2中難以獲得等離子體處理的效果。在圖2A和2B的示例中，混合氣體容器7為圓柱形。然而，如圖4A所示，混合氣體容器7可形成為設(shè)置有其直徑向下減小的接觸頭的倒置錐體形狀，以使從氣體入口9供給的混合氣體8更有效地和從反應(yīng)容器2的底端2b噴射的初級等離子體6碰撞來進(jìn)一步有效地產(chǎn)生二次等離子體11。在圖2A和2B的示例中，混合氣體8從全部多個氣體入口9供給到混合氣體容器7中。然而，如圖4B所示，從各自的氣體入口9分別供給第二惰性氣體12和活性氣體13到混合氣體容器7中，以使氣體在混合氣體容器7中混合來形成混合氣體區(qū)10。在這個實(shí)施例中，將描述對第二惰性氣體12和活性氣體13的混合比變化情況下的影響的實(shí)驗(yàn)結(jié)果。高頻電源4的頻率是100MHz而其輸出是40W。氬氣用作供給到反應(yīng)容器2的第一惰性氣體5而且其流速為50sccm。對于供給到等離子體管21的混合氣體8，如表2和3所示，流速為500sccm的氦氣和流速為1000sccm的氬氣用作第二惰性氣體12，而流速在50sccm和500sccm之間變化的氧氣用作活性氣體13來在處理對象S的表面上進(jìn)行等離子體親水處理。然后，測量處理對象S表面上液滴的接觸角來判定該表面的親水性。<table>tableseeoriginaldocumentpage17</column></row><table>[表3]<table>tableseeoriginaldocumentpage18</column></row><table>表2和3示出結(jié)果。如同從表2和3的結(jié)果中理解地，無論第二惰性氣體12是氦氣或氬氣，所獲得的結(jié)果都相似，而且當(dāng)活性氣體13的混合體積比是20%或更小時可獲得高等離子體處理效果。(第二實(shí)施例)現(xiàn)在將參考圖5A至6B描述根據(jù)本發(fā)明的大氣壓等離子體產(chǎn)生裝置的第二實(shí)施例。在以下描述中，相同的附圖標(biāo)記指的是和上述實(shí)施例相同的部件，而且將略去其描述。僅主要描述其差別。上述第一實(shí)施例公開了其中使用了圓柱形反應(yīng)容器2、設(shè)置在其外周的天線3將高頻電場施加到反應(yīng)容器1上、以及混合氣體容器7設(shè)置在反應(yīng)容器2底端2b的外周的示例。如圖5A和5B所示，第二實(shí)施例具有擔(dān)當(dāng)?shù)入x子體產(chǎn)生部分的截面為狹長矩形的矩形管狀反應(yīng)容器14，以及在其長壁上相對設(shè)置的一對電極15a和15b。整個反應(yīng)容器14由電介質(zhì)組成，或電介質(zhì)設(shè)置在與電極15a和15b相對的至少一個壁上。高頻電源4在電極15a和15b之間施加高頻電壓來對反應(yīng)容器14中的反應(yīng)空間1施加高頻電場。因此，從反應(yīng)容器14的上端供給第一惰性氣體5并對反應(yīng)空間1施加高頻電場使得初級等離子體6從反應(yīng)容器14的底端噴射出。此外擔(dān)當(dāng)?shù)入x子體擴(kuò)張部分的混合氣體室16靠近反應(yīng)容器14的底端側(cè)設(shè)置。從設(shè)置在混合氣體室16的上部位置的氣體入口17供給第二惰性氣體和活性氣體的混合氣體8。而且，通過向下延伸外壁及反應(yīng)容器14和混合氣體室16的端壁形成具有開放底端的混合氣體區(qū)10以使初級等離子體6與從混合氣體室16流向混合氣體區(qū)10的混合氣體碰撞。而且在這個實(shí)施例中，在混合氣體區(qū)10中初級等離子體6與混合氣體8碰撞產(chǎn)生二次等離子體11而且二次等離子體11擴(kuò)張到整個區(qū)域。因?yàn)槎蔚入x子體11從混合氣體區(qū)10的底端開口向下噴射，所以將二次等離子體11施加到處理對象S上可以進(jìn)行所需等離子體處理。在圖5A和5B所示的示例中，混合氣體室16設(shè)置在反應(yīng)容器14一側(cè)。然而，如圖6A所示，混合氣體室16可設(shè)置在反應(yīng)容器14兩側(cè)以使初級等離子體6與從兩側(cè)供給的混合氣體8有效碰撞。而且，如圖6B所示，混合氣體室16兩側(cè)的外壁可向內(nèi)傾斜以使初級等離子體6與混合氣體8進(jìn)一步有效地碰撞而且進(jìn)一步有效地產(chǎn)生二次等離子體11。(第三實(shí)施例)現(xiàn)在將參考圖7描述根據(jù)本發(fā)明的大氣壓等離子體產(chǎn)生裝置的第三實(shí)施例。在上述第一和第二實(shí)施例中，用于供給混合氣體8的混合氣體容器7和16設(shè)置在反應(yīng)容器2和14底端的外周。在這個實(shí)施例中，如圖7所示，用于供給第二惰性氣體12的惰性氣體室18設(shè)置在反應(yīng)容器2和14的外周或兩側(cè)。用于供給活性氣體13的活性氣體室19設(shè)置在惰性氣體室18的外周或兩側(cè)，而且通過向下延伸活性氣體室19的外壁在其內(nèi)部形成混合氣體區(qū)10。根據(jù)這個結(jié)構(gòu)，因?yàn)閺姆磻?yīng)容器2和14噴射的初級等離子體6首先與僅有從惰性氣體室18供給的第二惰性氣體12的氣氛碰撞，使第二惰性氣體12有效地變成等離子體，而且變成等離子體的第二惰性氣體12擴(kuò)張到整個混合氣體區(qū)10。因?yàn)榛钚詺怏w13混合到變成等離子體的第二惰性氣體12中，使活性氣體13有效地變成等離子體并且擴(kuò)張為二次等離子體11，所以有可能進(jìn)行更大范圍的等離子體處理。(第四實(shí)施例)現(xiàn)在將參考圖8A至8B描述根據(jù)本發(fā)明的大氣壓等離子體產(chǎn)生裝置的第四實(shí)施例。上述第一實(shí)施例公開了其中反應(yīng)容器2在整個長度上形成為圓柱形狀的示例。然而，在這個實(shí)施例中，如圖8A和8B所示，反應(yīng)容器2的底端2b附近形成為其直徑向下擴(kuò)大的喇叭狀部分20。根據(jù)這個結(jié)構(gòu)，因?yàn)槌跫壍入x子體6從反應(yīng)容器2噴射到混合氣體區(qū)10中而擴(kuò)散，所以初級等離子體6中的自由基有效地混合到供給給混合氣體區(qū)10的混合氣體8中。混合氣體8中的第二惰性氣體12和活性氣體13有效地變成等離子體并擴(kuò)張為二次等離子體11，所以有可能進(jìn)一步有效地進(jìn)行更大范圍的等離子體處理。這個實(shí)施例的結(jié)構(gòu)也可以按照相同的方式應(yīng)用到上述第二實(shí)施例。(第五實(shí)施例)現(xiàn)在將參考圖9A至9B描述根據(jù)本發(fā)明的大氣壓等離子體產(chǎn)生裝置的第五實(shí)施例。上述第二實(shí)施例公開了其中使用截面形狀為細(xì)長矩形的反應(yīng)容器14而且其一側(cè)或兩側(cè)設(shè)置有混合氣體容器16的示例。在這個實(shí)施例中，如圖9A所示，設(shè)置了截面為矩形形狀而且在其內(nèi)部形成混合氣體區(qū)10的等離子體管21，而且從其上端21a供給第二惰性氣體12和活性氣體13的混合氣體8。擔(dān)當(dāng)?shù)入x子體產(chǎn)生部分的多個反應(yīng)容器2以適當(dāng)?shù)拈g隔設(shè)置在等離子體管21的外壁上以便于向混合氣體區(qū)10中噴射初級等離子體6。將第一惰性氣體5供給到每個反應(yīng)容器2中，并且高頻電源4施加高頻電壓到設(shè)置在其外周的每個環(huán)狀天線3上。在等離子體管21中，從中噴射初級等離子體6的反應(yīng)容器2的設(shè)置位置下方的混合氣體區(qū)10的下部變成等離子體擴(kuò)張空間22，而二次等離子體11從等離子體管21的下端噴射出。根據(jù)這個實(shí)施例，二次等離子體11從與等離子體管21截面部分的形狀和尺寸對應(yīng)的區(qū)域噴射，所以有可能一次進(jìn)行更大范圍的等離子體處理。例如，使用如圖9A所示截面為矩形形狀的等離子體管21，按垂直于等離子體管21縱向的方向相對地移動處理對象S，有可能在大面積上均勻地和有效地進(jìn)行等離子體處理。根據(jù)上述第一到第五實(shí)施例的任一項(xiàng)的大氣壓等離子體產(chǎn)生裝置具有緊湊的結(jié)構(gòu)，而且因此有可能容易將其安裝在機(jī)械手裝置的可在X、Y和Z方向移動的移動頭上。因此，有可能在各種處理對象的任意位置和區(qū)域尤其是微小區(qū)域上精確地和有效地進(jìn)行等離子體處理。因此，有可能提供具有極高通用性的微型等離子體處理裝置。(第六實(shí)施例)現(xiàn)在將參考圖10描述根據(jù)本發(fā)明的大氣壓等離子體產(chǎn)生裝置的第六實(shí)施例。在這個實(shí)施例中，如圖10所示，設(shè)置有形狀為中空平板的等離子體產(chǎn)生部分23，其包括設(shè)置成以便于將扁平反應(yīng)空間24夾在中間的垂直相對的一對電極25a和25b。從設(shè)置在上電極25a上的氣體供給管26將第一惰性氣體5供給到反應(yīng)空間24中，而且高頻電源4在電極25a和25b之間施加高頻電壓以從設(shè)置在下電極25b中的和在反應(yīng)空間24的下表面設(shè)置的多個開口27噴射初級等離子體6。鄰近等離子體產(chǎn)生部分23的下部有等離子體擴(kuò)張部分28以使初級等離子體6噴射到內(nèi)部混合氣體區(qū)29中。從設(shè)置在混合氣體區(qū)29外周上的氣體供給頭30將第二惰性氣體12和活性氣體13的混合氣體8供給到混合氣體區(qū)29中。當(dāng)從開口27噴射的初級等離子體6與混合氣體8碰撞時，產(chǎn)生二次等離子體ll。接著，從設(shè)置在正對等離子體產(chǎn)生部分23的等離子體擴(kuò)張部分28的底面上的多個開口31噴射二次等離子體ll。等離子體產(chǎn)生部分23的下電極25b由具有對應(yīng)于開口27的開口的多孔金屬板組成。此外，諸如陶瓷之類的電介質(zhì)36至少整體地設(shè)置在電極25b的上表面上以合適地設(shè)置在暴露給等離子體的兩個面上，且開口27穿過它形成。具有上述結(jié)構(gòu)的大氣壓等離子體產(chǎn)生裝置設(shè)置在處理室32的上部中，而移動裝置33——將處理對象S移到正對等離子體擴(kuò)張部分28下方的位置來將其固定在該位置并在等離子體處理之后將其移出一設(shè)置在處理室32的下部中。氣體供給管26通過絕緣組件34穿過處理室32的頂壁延伸到外面。氣體供給頭30的外壁是處理室32的外壁，而用于將混合氣體8供給到氣體供給頭30中的氣體入口35設(shè)置在處理室32的外壁上。根據(jù)這個實(shí)施例，從等離子體產(chǎn)生部分23底面中的多個開口27將初級等離子體6噴射到等離子體擴(kuò)張部分28中的混合氣體區(qū)29中。己經(jīng)變成等離子體的混合氣體8產(chǎn)生二次等離子體11，而從等離子體擴(kuò)張部分28底面中的多個開口31在約整個表面上均勻地噴射二次等離子體11。因此，處理對象S——由移動裝置33移入并固定在其位置——的整個表面同時均勻地進(jìn)行等離子體處理。因此，有可能通過大氣壓等離子體在平坦表面上均勻地進(jìn)行大面積等離子體處理。(第七實(shí)施例)現(xiàn)在將參考圖11至16B描述根據(jù)本發(fā)明的等離子體處理裝置的第七實(shí)施例。參考圖11，根據(jù)本發(fā)明的等離子體處理裝置41設(shè)置有擔(dān)當(dāng)用于在三個軸向移動并固定其位置的移動裝置的機(jī)械手裝置42。機(jī)械手裝置42配置成包括可以在水平面兩正交軸方向(X-Y軸方向)上移動和確定其位置的移動組件43、附著到移動組件43以便于可在垂直方向(Z軸方向)上移動和確定其位置的可動頭44、以及設(shè)置在可動頭44上的等離子體頭50。另一方面，載入和載出部分45將處理對象S載入或載出等離子體頭10可移動范圍的下部位置以將其安排和固定在預(yù)定位如圖12A和12B所示，在處理對象S中，有多個單獨(dú)的要進(jìn)行等離子體處理的待處理部分46。作為像這樣的處理對象S，有其中用于安裝電子元件的焊盤區(qū)對應(yīng)于如圖12A所示的處理部分46的電路襯底47的示例，以及其中導(dǎo)電膜附著區(qū)對應(yīng)于如圖12B所示的處理部分46的諸如液晶面板和等離子體顯示面板之類的平板顯示器48的示例，而且分別通過等離子體處理重構(gòu)該焊盤的表面和清潔該附著區(qū)。上述第一到第五實(shí)施例的裝置可以應(yīng)用為等離子體頭50，但將圖2A到2C所示的根據(jù)第一實(shí)施例的裝置應(yīng)用到這個實(shí)施例中。參考圖13，作為等離子體處理裝置41的控制結(jié)構(gòu)，控制部分51控制擔(dān)當(dāng)?shù)入x子體頭50的移動裝置的機(jī)械手裝置42、高頻電源4、用于基于預(yù)先存儲在存儲器部分52中的操作程序和控制數(shù)據(jù)來控制從氣體供給部分53到等離子體頭50的氣體供給的流速控制部分54。當(dāng)控制部分51基于相對地定位處理對象S的處理部分46上的等離子體頭50的定時——換言之，基于從用于判定處理部分46上的處理開始和結(jié)束的處理開始判定裝置55和處理結(jié)束判定裝置56輸入的信號一~^控制流速控制部分54時，通過處理開始信號將混合氣體8供給到混合氣體容器7中以對處理部分46進(jìn)行等離子體處理，而通過處理結(jié)束信號停止供給混合氣體8以結(jié)束對處理部分46的等離子體處理。在這個實(shí)施例中，處理開始判定裝置55和處理結(jié)束判定裝置56通過將存儲在存儲部分52中的控制數(shù)據(jù)與來自機(jī)械手裝置42的現(xiàn)時位置數(shù)據(jù)作比較來判定開始和結(jié)束，但可以單獨(dú)設(shè)置用于在等離子體頭50相對地定位于處理部分46的開始點(diǎn)和結(jié)束點(diǎn)時判定開始和結(jié)束的裝置?？刂撇糠?1和機(jī)械手裝置42可以整體地設(shè)置而不分離。氣體供給部分53和流速控制部分54具體地具有如圖14所示的相應(yīng)結(jié)構(gòu)。即，氣體供給部分53具有用于供給第一惰性氣體5的第一惰性氣體供給源57和用于供給第二惰性氣體和活性氣體的混合氣體8的混合氣體供給源58，而且在氣體出口分別設(shè)置了壓力調(diào)節(jié)閥57a和58a。通過由流速控制器等組成的第一流速控制裝置59將第一惰性氣體5供給到反應(yīng)容器2。通過由流速控制器等和開/關(guān)控制閥61組成的第二流速控制裝置60將混合氣體8供給到混合氣體容器7。開/關(guān)閥61和第一和第二流速控制裝置59和60組成流速控制部分54，而控制部分51控制每個組件。在上述結(jié)構(gòu)中，在等離子體頭50中向下噴射由初級等離子體6碰撞產(chǎn)生的二次等離子體11，并將二次等離子體11施加到處理對象S的處理部分46可以進(jìn)行所需等離子體處理。然后，因?yàn)槎蔚入x子體ll如上所述地大大擴(kuò)張，即使反應(yīng)容器2的下端2b和處理對象S之間的距離大，與反應(yīng)容器2的截面積相比也有可能有效地和確定地在平面方向短時間地進(jìn)行大面積等離子體處理?，F(xiàn)在將描述通過具有上述結(jié)構(gòu)的等離子體處理裝置41對處理對象S的處理部22分46進(jìn)行等離子體處理的過程。當(dāng)載入和載出部分45將處理對象S載入并將其固定在預(yù)定位置時，機(jī)械手裝置42開始工作以使等離子體頭50移到處理對象S的第一處理部分46的處理開始點(diǎn)。接著，將第一惰性氣體5供給到擔(dān)當(dāng)?shù)入x子體產(chǎn)生部分的反應(yīng)容器2而且高頻電源4施加高頻電場。因?yàn)榈入x子體點(diǎn)火器(未示出)瞬間產(chǎn)生高電壓，所以產(chǎn)生初級等離子體6。將初級等離子體6噴射到混合氣體容器7中，之后連續(xù)保持這種狀態(tài)。在這種狀態(tài)下當(dāng)?shù)入x子體頭50到達(dá)處理開始點(diǎn)時，如圖15所示，在to點(diǎn)處產(chǎn)生處理開始判定裝置55的探測信號。開/關(guān)控制閥61立即開啟，而且在緊隨其后的h點(diǎn)處將混合氣體8供給混合氣體容器7。如上所述二次等離子體11產(chǎn)生并且開始對處理部分46進(jìn)行等離子體處理，接著在處理部分46上移動等離子體頭50同時保持等離子體處理狀態(tài)以對處理部分46進(jìn)行等離子體處理。接著，處理結(jié)束判定裝置56的探測信號在點(diǎn)t2處降低，而開/關(guān)控制闊61立即關(guān)閉。在緊隨其后的點(diǎn)13處停止對混合氣體容器7的混合氣體8供給以停止產(chǎn)生二次等離子體11，所以等離子體處理立即停止。因此，對第一處理部分46的等離子體處理結(jié)束。接著，機(jī)械手裝置42繼續(xù)工作，等離子體頭50移到處理對象S的下一處理部分46的處理開始點(diǎn)。在此期間，保持初級等離子體6噴射到混合氣體容器7中的狀態(tài)但并不產(chǎn)生二次等離子體11，所以完全沒有進(jìn)行等離子體處理。接著，只要處理開始點(diǎn)到達(dá)點(diǎn)t4，處理開始判定裝置55的探測信號才出現(xiàn)。開/關(guān)控制閥61立即開啟，在緊隨其后的點(diǎn)t5處將混合氣體8供給到混合氣體容器7以產(chǎn)生二次等離子體11而如上所述對下一處理部分46開始等離子體處理。在那之后，重復(fù)上述操作直至完成處理對象S的全部處理部分46的等離子體處理。當(dāng)所有處理部分46的等離子體處理完成時，載入和載出部分45將處理對象S載出，并將下一處理對象S載入以按照相同的方式進(jìn)行等離子體處理。如上所述，混合氣體8對混合氣體容器7的供給和停止可以轉(zhuǎn)換二次等離子體ll的形成和停止。因此，根據(jù)這個實(shí)施例，如圖16A所示，在等離子頭50從第一處理部分46的點(diǎn)A移動到處理開始點(diǎn)B之后，使等離子體頭50移到處理停止點(diǎn)C(=D)可實(shí)現(xiàn)第一處理部分46的等離子體處理。連續(xù)使等離子體頭50移動到下一處理部分46的處理開始點(diǎn)E(二F)同時保持它的高度，在從該點(diǎn)移動到處理結(jié)束點(diǎn)G(=H)期間進(jìn)行等離子體處理。接著，使等離子體頭50從同一點(diǎn)H移動到下一處理部分46。重復(fù)上述操作同時保持等離子體頭50的垂直位置可以僅對多個處理部分46穩(wěn)定地實(shí)現(xiàn)等離子體處理。等離子頭50的移動路徑是直的而且其移動控制簡單，所以有可能高生產(chǎn)率地進(jìn)行等離子體處理。相反，如圖16B所示，使等離子體頭50按照慣例從點(diǎn)A向下移動到其中第一處理部分46的處理開始點(diǎn)B進(jìn)行等離子體處理的垂直位置，然后使等離子體頭50移到處理結(jié)束點(diǎn)C而對第一處理部分46進(jìn)行等離子體處理。然后，使等離子體頭50升高至其中處理對象S不進(jìn)行等離子處理的垂直位置D并使其移動到下一處理部分46的處理開始點(diǎn)F上方的位置E同時保持其高度。接著，使等離子體頭50從點(diǎn)E向下移動到其中可以進(jìn)行等離子體處理的點(diǎn)F，進(jìn)行等離子處理同時向處理結(jié)束點(diǎn)G移動。然后，將等離子體頭50升高到位置H以使其移動到下一處理部分46。重復(fù)這樣的操作使等離子體頭50的移動路徑和移動控制復(fù)雜化，而且因此存在的問題是等離子體處理的生產(chǎn)率變低。在上述實(shí)施例中，使用具有等離子體頭50的機(jī)械手裝置42作為用于使等離子體頭50相對于處理對象S移動的移動裝置，但該移動裝置不限于此。例如，可以使用用于傳送處理對象S的傳送裝置作為移動裝置而且等離子體頭50可以是固定的。此外，可以設(shè)置用于分別移動處理對象S和等離子體頭50的裝置。(第八實(shí)施例)現(xiàn)在將參考圖17A到19B描述其中將根據(jù)本發(fā)明的部件安裝裝置應(yīng)用到用于將驅(qū)動部件安裝到作為平板顯示器示例的液晶顯示器上的部件安裝裝置上的第八實(shí)施例。在圖17A和17B中，71表示用于液晶面板的部件安裝裝置，包括等離子體處理部分72、各向異性導(dǎo)電膜附著部分73、臨時壓配部分74、以及最終壓配部分75。由傳送裝置(未示出)載入的液晶面板76被等離子體處理部分72接受并通過等離子體處理在部件要安裝部分77上進(jìn)行表面重構(gòu)。接著，將液晶面板76傳送到各向異性導(dǎo)電膜附著部分73，并且立即將液晶面板76的部件要安裝部分77固定在各向異性導(dǎo)電膜附著裝置73a下方的位置，以便在部件要安裝部分77上附著各向異性導(dǎo)電膜。然后，將液晶面板76傳送到臨時壓配部分74，將由元件提供器74a提供的用于驅(qū)動液晶面板76的諸如IC和TAB板之類的電子元件79臨時壓配到各向異性導(dǎo)電膜78上。接著，將液晶面板76傳送到最終壓配部分75，而壓配工具75a最終以更高溫度使每個臨時壓配部分配合以安裝電子元件79。將其上如此安裝了電子元件79的液晶面板載出部件安裝裝置71。將參考圖18A到18D描述液晶面板76的組裝過程。液晶面板76由夾置在兩個玻璃襯底80a和80b之間的液晶組成。一玻璃襯底80a的側(cè)端部分突出以提供突出部81，而連接到用于驅(qū)動液晶的電極的連接電極82設(shè)置在突出部81的內(nèi)表面。如圖17B所示示例，當(dāng)液晶面板76較小時突出部81僅設(shè)置在一個側(cè)端部分，如圖18B所示當(dāng)液晶面板76具有中等尺寸時突出部81設(shè)置在接合成字母L形狀的兩個側(cè)端部分，當(dāng)液晶面板76較大時突出部81設(shè)置在接合成字母U形狀的三個側(cè)端部分。參考圖18A,預(yù)先將起偏振片83a和83b附著到液晶面板76的除突出部81之外的兩個表面上，而且將液晶面板76傳送到處于圖18B所示狀態(tài)的部件安裝裝置71中。在部件安裝裝置71中，如上所述安裝電子元件79以使其通過各向異性導(dǎo)電膜接合到設(shè)置在突出部81上的連接電極82。將處于圖18C所示狀態(tài)的液晶面板76載出，然后如圖18D所示，每個電子元件79接合到印制線路板84而且液晶面板76安裝到液晶顯示設(shè)備(未示出)中。在這樣的液晶面板76中，如圖19A所示將預(yù)定長度為L3的多個元件要接合部分一一電子元件79接合到其上——按確定間隔設(shè)置在一玻璃襯底80a的突出部81中，而且在等離子體處理過程中優(yōu)選地僅使元件要安裝部分77進(jìn)行等離子體處理。如圖19B所示，有其中在中等尺寸或大尺寸液晶面板76中突出部81的寬度尺寸L4是數(shù)毫米到40毫米的情況，尤其當(dāng)將液晶驅(qū)動IC安裝到其上時。在那種情況下，要進(jìn)行等離子體處理的面積變得很大。因此，當(dāng)?shù)入x子體處理部分72通過施加普通電容耦合等離子體進(jìn)行等離子體處理時需要大量的處理時間，所以不可能使等離子體處理合乎以下各向異性導(dǎo)電膜附著部73、臨時壓配部74以及最終壓配部75的生產(chǎn)節(jié)拍。因此，不可能實(shí)現(xiàn)具有等離子體處理部分72、各向異性導(dǎo)電膜附著部分73、臨時壓配部分74、及最終壓配部分75的生產(chǎn)線的部件安裝裝置71。如圖17A所示，根據(jù)這個實(shí)施例的等離子體處理部分72設(shè)置有擔(dān)當(dāng)移動裝置的可在三個軸向移動并固定的機(jī)械手裝置85，而且等離子體頭安裝在可在X-Y-Z三軸方向移動并固定的可動頭85a上。通過載入和載出部分(未示出)將液晶面板76在等離子體頭50的可移動范圍下載入和載出，并將其安排和固定在預(yù)定位置。等離子體頭50具有第一實(shí)施例的圖2A和2C中所示的結(jié)構(gòu)。等離子體處理部分72具有圖13的控制結(jié)構(gòu)，而且其中的氣體供應(yīng)部分和流速控制部分的結(jié)構(gòu)與第七實(shí)施例中的圖14的結(jié)構(gòu)相同。而且，液晶面板76的元件要安裝部分77通過等離子體處理部分72的等離子體處理過程與參考圖15描述的上述第七實(shí)施例基本相同，從而將省略其描述。根據(jù)處理過程，如上所述的等離子頭50的移動路徑是直25的而且其移動控制簡單，所以有可能高生產(chǎn)率地進(jìn)行等離子體處理。作為處理節(jié)拍的示例，在液晶面板76為10到20英寸的情況下，各向異性導(dǎo)電膜附著部分73花費(fèi)5到7秒，臨時壓配部分74花費(fèi)8到15秒，而最終壓配部分75花費(fèi)8到15秒。優(yōu)選地將等離子體處理部分72的處理節(jié)拍設(shè)置得比各向異性導(dǎo)電膜附著部分73的處理節(jié)拍短，而這個實(shí)施例可以實(shí)現(xiàn)它。在上述實(shí)施例中，使用具有等離子體頭50的機(jī)械手裝置85作為用于使等離子體頭50相對于液晶面板76移動的移動裝置，但該移動裝置不限于此。例如，可以使用用于傳送液晶面板76的傳送裝置作為移動裝置而且等離子體頭50可以固定地設(shè)置。此外，可以設(shè)置用于分別移動液晶面板76和等離子體頭50的裝置。(第九實(shí)施例)現(xiàn)在將參考圖20A至20B描述根據(jù)本發(fā)明的部件安裝裝置的第九實(shí)施例。在這個實(shí)施例中，如圖20A和20B所示，將具有等離子體頭50的機(jī)械手裝置85設(shè)置在載入和載出部分(未示出)上以便于不妨礙各向異性導(dǎo)電膜附著部分73的各向異性導(dǎo)電膜附著裝置73a。因此，將等離子體處理部分72和各向異性導(dǎo)電膜附著部分73并排設(shè)置。在這個實(shí)施例中，將等離子體處理過程的處理節(jié)拍設(shè)置為3到8秒可以使等離子體處理部分72和各向異性導(dǎo)電膜附著部分73、臨時壓配部分74、及最終壓配部分75的各個處理節(jié)拍統(tǒng)一為8至15秒。因此，有可能通過小型設(shè)備高生產(chǎn)率地將電子元件79安裝到液晶面板76上。在上述實(shí)施例中僅描述了將用于驅(qū)動平板顯示器的電子元件79安裝到諸如液晶顯示面板76之類的平板顯示器上的示例，但本發(fā)明不限于此。當(dāng)將任意電子元件安裝到各種類型的襯底上時，在安裝元件之前優(yōu)選地應(yīng)用本發(fā)明通過等離子體處理來清潔襯底的元件要安裝部分并重構(gòu)其表面。工業(yè)可應(yīng)用性如上所述，根據(jù)本發(fā)明，在反應(yīng)空間中使第一惰性氣體成為等離子體并作為初級等離子體將其噴射。該初級等離子體與第二惰性氣體和活性氣體的混合氣體區(qū)碰撞而雪崩倍增地引起等離子體反應(yīng)而且二次等離子體很大程度地?cái)U(kuò)張到整個混合氣體區(qū)。因此，有可能在反應(yīng)空間的透視方向和平面方向進(jìn)行大范圍等離子體處理。通過小輸入功率產(chǎn)生進(jìn)行大范圍等離子體處理的大氣壓等離子體，所以本發(fā)明適用于大氣壓等離子體產(chǎn)生裝置。特別地，本發(fā)明適用于安裝在三維機(jī)械手裝置上的小型大氣壓等離子體產(chǎn)生裝:權(quán)利要求1.一種用于產(chǎn)生大氣壓等離子體的方法，包括等離子體產(chǎn)生步驟，將第一惰性氣體(5)供給到反應(yīng)空間(1，24)并施加高頻電場以從所述反應(yīng)空間噴射由已成為等離子體的所述第一惰性氣體構(gòu)成的初級等離子體(6)；以及等離子體擴(kuò)展步驟，形成包含作為主要成分的第二惰性氣體(12)和與之混合的適量活性氣體(13)的混合氣體區(qū)(10，29)以使所述初級等離子體與之碰撞以便產(chǎn)生由已成為所述等離子體的所述混合氣體(8)構(gòu)成的二次等離子體(11)。2.—種等離子體處理方法，包括將第一惰性氣體(5)供給到設(shè)置在等離子體頭(50)中的反應(yīng)空間(1,24)并施加高頻電場以從所述反應(yīng)空間連續(xù)噴射初級等離子體(6);在所述等離子體頭中或其附近形成其中包含作為主要成分的第二惰性氣體(12)和與之混和的適量活性氣體(13)的混合氣體區(qū)(10,29)以使所述初級等離子體與所述混合氣體區(qū)碰撞而產(chǎn)生二次等離子體(11);以及僅在處理部分形成所述混合氣體區(qū)并且當(dāng)所述處理部分(46)進(jìn)行所述等離子體處理時產(chǎn)生所述二次等離子體同時使所述等離子體頭和處理對象(S)相對移動以通過在所述處理對象的所述處理部分上噴霧所產(chǎn)生的二次等離子體來進(jìn)行所述處理。3.—種用于將元件安裝到襯底上的方法，包括將第一惰性氣體(5)供給到反應(yīng)空間(1，24)并對設(shè)置在所述反應(yīng)空間附近的天線(3)施加高頻電壓以從所述反應(yīng)空間噴射由感應(yīng)耦合等離子體構(gòu)成的初級等離子體(6);使所述初級等離子體與包含作為主要成分的第二惰性氣體(12)和與之混合的適量活性氣體(13)的混合氣體區(qū)(10,29)碰撞以產(chǎn)生二次等離子體(11);將所產(chǎn)生的二次等離子體施加到表面(76)的元件要接合部分(77)上以進(jìn)行等離子體處理；以及將元件(19)接合到已進(jìn)行所述等離子體處理的所述元件要接合部分上。4.如權(quán)利要求3所述的用于將元件安裝到襯底上的方法，其特征在于，所述襯底(76)是平板顯示器的面板，所述元件要接合部分(77)是設(shè)置在所述面板端部的連接電極(82)，所述元件包括附著在所述連接電極上的各向異性導(dǎo)電膜(78)和臨時或最終壓配于其上的用于驅(qū)動所述平板顯示器的電子元件(79)，以及部件安裝步驟包括等離子體處理步驟、各向異性導(dǎo)電膜附著步驟、臨時壓配步驟、以及最終壓配步驟。5.—種大氣壓等離子體產(chǎn)生裝置，包括等離子體產(chǎn)生部分(2,14,21,23)和等離子體擴(kuò)張部分(7,16,22,28)，所述等離子體產(chǎn)生部分包括反應(yīng)空間(1,24)、用十將第一惰性氣體(5)供給到所述反應(yīng)空間的第一惰性氣體供應(yīng)裝置(57,59)、以及用于對所述反應(yīng)空間施加高頻電場的高頻電源(4)，所述等離子體產(chǎn)生部分從所述反應(yīng)空間噴射由已變成等離子體的所述第一惰性氣體構(gòu)成的初級等離子體(6)，所述等離子體擴(kuò)張部分包括包含作為主要成分的第二惰性氣體(12)和與之混合的適量活性氣體(13)以使所述噴射的初級等離子體與之碰撞的混合氣體區(qū)(10,29)，所述等離子體擴(kuò)張部分產(chǎn)生由已成為等離子體的所述混合氣體構(gòu)成的二次等離子體(11)。6.—種等離子體處理裝置包括具有用于噴射由已成為等離子體的第一惰性氣體(5)構(gòu)成的初級等離子體(6)的等離子體產(chǎn)生部分(2,14,21,23)和用于通過使所述初級等離子體碰撞到第二惰性氣體(12)和活性氣體(13)的混合氣體區(qū)(10,29)以產(chǎn)生由已變成等離子體的混合氣體(8)構(gòu)成的二次等離子體(11)的等離子體擴(kuò)張部分(7,16,22,28)的等離子體頭(50);用于將所述第一惰性氣體供給到所述等離子體產(chǎn)生部分的第一惰性氣體供給裝置(57,59);用于在所述等離子體產(chǎn)生部分上施加高頻電場的高頻電源(4);用于將所述第二惰性氣體和所述活性氣體供給到所述混合氣體區(qū)的混合氣體供給裝置(58,60);用于使處理對象(S)和所述等離子體頭相對移動的移動裝置(42);用于識別所述等離子體頭與所述處理對象的處理部分(46)相對定位的定時的裝置(55,56);以及用于控制所述高頻電源、所述各個氣體供給裝置(57,59,58,60)、以及所述移動裝置的控制裝置(51)，僅當(dāng)所述等離子體頭與所述處理對象的所述處理部分相對定位時所述控制裝置操縱所述混合氣體供給裝置。7.如權(quán)利要求6所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述移動裝置(42)包括機(jī)械手裝置(42)，而且所述等離子體頭(50)安裝在可在所述機(jī)械手裝置的X、Y、及Z方向移動的可動頭(44)上。8.—種元件安裝裝置，包括具有等離子體頭(50)和移動裝置(85)的等離子體處理部分(72)，所述等離子體頭(50)具有用于噴射初級等離子體(6)即第一惰性氣體(5)的感應(yīng)耦合等離子體的感應(yīng)耦合等離子體產(chǎn)生部分(2,14,21)和用于使所述初級等離子體與包含第二惰性氣體(12)和活性氣體(13)的混合氣體區(qū)(10,29)碰撞來產(chǎn)生由已變成等離子體的混合氣體構(gòu)成的二次等離子體(11)的等離子體擴(kuò)張部分(7,16，22)，所述移動裝置(85)使所述襯底(76)和所述等離子體頭按照所述等離子體頭沿著所述襯底(76)的元件要接合部分(77)相對移動的方式相對移動；以及用于將元件(78,79)接合到所述襯底的所述元件要接合部分(77)上的元件接合部分(73,74,75)。全文摘要將第一惰性氣體(5)供給到反應(yīng)空間(1)中并且高頻電源(4)施加高頻電場以便從反應(yīng)空間噴射由已成為等離子體的第一惰性氣體構(gòu)成的初級等離子體(6)。形成其中混合氣體(8)具有作為主要成分的第二惰性氣體(12)和相混合的適量活性氣體(13)的混合氣體區(qū)(10)。初級等離子體碰撞到混合氣體區(qū)以產(chǎn)生由已成為等離子體的混合氣體構(gòu)成的二次等離子體(11)，接著將二次等離子體噴霧到處理對象(S)上以進(jìn)行等離子體處理。因此，通過由小輸入功率產(chǎn)生的大氣壓等離子體可以在寬泛范圍內(nèi)進(jìn)行等離子體處理。文檔編號H05H1/24GK101455127SQ20078001983公開日2009年6月10日申請日期2007年5月28日優(yōu)先權(quán)日2006年5月30日發(fā)明者井上和弘,辻裕之申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社