專利名稱：：在載體基板上制造圖案形成金屬結構的方法
技術領域：
：本發(fā)明涉及一種在載體基板上制造圖案形成金屬結構的方法，更具體而言，涉及一種用于制造用于在UHF范圍內運行的RFID(射頻標識)的天線的方法。技術背景幾十年來，RFID—直是一種用于倉庫中的非接觸式電子防盜裝置技術(EAS:電子物品監(jiān)視)。在最簡單的例子中，適于RFID應用的裝置包括閱讀器或檢測器的天線及安全構件或標簽(亦稱作轉發(fā)器)。因此該閱讀器兼用作產生電磁場及檢測被該轉發(fā)器修改的場。在該例子中，所用的轉發(fā)器是一種當其在閱讀器天線前方經過時通過諧振效應影響閱讀器的交變磁場的LC振蕩器。作為結果，閱讀器內產生器線圈中的電壓降略有變化，從而指示該轉發(fā)器在該閱讀器的交變磁場中的存在。然而此類l位轉發(fā)器僅適于上述應用或類似應用。對于其他應用，舉例而言用于識別鈔票、動物、患者、用于貨物及存貨管理、用作存取系統(tǒng)、用于位置識另U以及用作電子止動器(electronicimmobilizer),先前的l位轉發(fā)器并不適合，因為其僅含有"存在"或"不存在"的信息，而無更復雜的信息。出于這些目的，這種轉發(fā)器必須具有用于儲存所需信息的數(shù)據(jù)載體。通常，將電子半導體存儲器(芯片)用作該數(shù)據(jù)載體。為允許自該數(shù)據(jù)載體中讀取所儲存的信息，必須將該轉發(fā)器靠近該閱讀器放置。給該轉發(fā)器提供電池用于運行該芯片已為人們所知。然而，此舉措昂貴且因此對于許多應用不可能。因此，可使用儲存于由該閱讀器傳輸?shù)碾姶艌鲋械哪芰看骐姵?。出于該目的，整流由該轉發(fā)器的天線吸收的能量并將該能量提供至該芯片。在許多情況下，閱讀器一直使用頻率范圍最高達幾十MHz的交變場。通常所用的頻率為13.56MHz。此輻射波長介于自幾十米至幾千米(13.56MHz:22.1m)的范圍內。由于當使用頻率為13.56MHz的電磁輻射時，轉發(fā)器自身通常仍處于閱讀器的近場中，在該轉發(fā)器位置處將該閱讀器發(fā)射的場視為交變磁場。因此，在該閱讀器天線與該轉發(fā)器之間的功率發(fā)射以類似于關于l位轉發(fā)器的形式實現(xiàn)。該交變磁場受到該轉發(fā)器中負載調制的影響，因此在該閱讀器中亦可檢測出由調制負載引起的變化。該負載調制攜帶該芯片所輸送的信息。在高達幾十MHz的頻率范圍內運行的RFID系統(tǒng)需要相當大的天線。而且該技術的效率相當?shù)?。然而，其在許多應用中并非有利的。因此，已開發(fā)出在UHF頻率范圍內運行的系統(tǒng)(UHF:超高頻率，一般認為其頻率介于0.3至3GHz的范圍內，波長10cm-lm)。為RFID預留的UHF頻率在歐洲為868MHz，而在USA為915MHz。由于在該情況下該轉發(fā)器與該閱讀器分開的距離明顯大于波長，因而該轉發(fā)器的天線不處于該閱讀器發(fā)射天線的近場中。因此，不能將該轉發(fā)器位置處該閱讀器發(fā)射的場視為交變磁場。反而，該轉發(fā)器的天線反射該閱讀器所發(fā)射的電磁輻射。通過改變該轉發(fā)器中的負載電阻，可改變其反射能力以便將儲存于該芯片中的信息調制到所反射的電磁輻射，并因此可供該閱讀器接收。人們對于制造用于RFID應用的轉發(fā)器已提出許多建議。在許多情況下，該方法的最重要評價標準之一是天線結構的低成本制造。就此方面己提出許多建議舉例而言，DE10229166Al公開一種制造結構金屬層的方法，其至少包括如下步驟提供其表面上界定有形成掩模結構的導電區(qū)域及不導電區(qū)域的陰極及陽極，所述陰極及所述陽極被設置于含有基板金屬的電解液中；在該陰極與該陽極之間施加電壓；將該基板金屬沉積于該陰極的導電區(qū)域之上；提供載體層并使該載體層接觸該陰極的表面，以及將已沉積于該陰極上的基板金屬轉移至該載體層上，使該結構金屬層受到保護。出于該目的，舉例而言，將設有由塑性材料或陶瓷制成的掩模結構的不銹鋼鼓狀物用作陰極。給通過在該鼓狀物上沉積銅所形成的銅結構提供粘合劑，并將其壓靠在作為載體層的紙箔或塑料箔網(wǎng)上，使該銅結構被轉移至該網(wǎng)上。DE10145749A1公開一種在載體本體上制造金屬層的方法，其中至少部分地在所述載體本體的表面上施加粘合劑層；將金屬箔或金屬粉沉積于設有粘合劑層的載休本體的表面上；將所述金屬箔或粉固定至所述粘合劑層上；然后以機械方法去除金屬箔或金屬粉未粘合至該粘合劑層的區(qū)域，以僅將金屬箔或金屬粉粘合至該粘合劑層的區(qū)域保留作為該載體本體上的結構。出于該目的，給由塑料制成的載體本體提供(舉例而言)粘合劑。然后，將金屬箔(例如銅)施加至該粘合劑層。接下來，以諸如擦刷等機械方式去除已施加至該載體上未涂敷粘合劑的區(qū)域上的銅層?？赏ㄟ^化學方法和/或通過電鍍來修補該結構銅層。在該方法的替代變化形式中，亦可通過將金屬層擠壓在塑料箔上來施加該金屬層，可將結構印模用于該目的。該金屬層粘附在其中該印模將該金屬層擠壓在該塑料箔上的區(qū)域中。然后，以諸如擦刷等機械方法去除尚未被擠壓的金屬層。在DE10065540A1中描述了一種在基板上制造條形導體的方法，其中使用掩?；蚣袊娚溲b置在基板上噴射該條形導體作為金屬顆粒懸浮體。該金屬顆粒懸浮體含有至少一小部分銅顆粒。該懸浮體是一種漆，其以逐漸增加的厚度噴射到該基板的表面上。DE10124772C1說明一種用于形成安裝至半導體芯片上的天線的方法，其中將由焊料制成的結構天線層在載體上形成為天線的形狀；其后在所述載體上施加所述半導體芯片并將所述芯片焊接至所述天線層上；以及熔鑄所述天線層以形成天線。將優(yōu)選地含有由一種具有至少約一種共晶組合物的材料制成的焊料顆粒的焊膏用于該目的，舉例而言，含有Sn、In、Bi及Ga組中元素的至少一種的合金或金屬間化合物。將該焊膏印刷于該載體上。DE10145750Al說明一種在載體本體上制造金屬層的方法，其中將導電顆粒施加至該載體本體的表面上以將其固定于該載體本體上；及以化學方法金屬鍍敷和/或通過在金屬鍍敷槽中電鍍所述具有顆粒的載體本體以形成金屬層。出于該目的，首先(舉例而言)將其上固定有導電顆粒(例如銅或鐵顆粒)的結構粘合劑層沉積于該載體本體上。然后，將具有固定至該粘合劑層的顆粒的載體本體置于金屬鍍敷槽中，以化學方法和/或通過電鍍在并列布置的顆粒上形成金屬層。也可不使用粘合劑層，而使用具有粘合劑性質的載體本體。該通過化學方法和/或電鍍形成的金屬層可以(舉例而言)是銅層。DE10254927A1公開一種在載體上制造導電結構的方法，其中首先在該載體的表面至少部分地覆蓋導電顆粒；然后將鈍化層沉積于由導電顆粒形成的顆粒層上；該鈍化層形成為該導電結構的負片；以及最后在尚未覆蓋有該鈍化層的區(qū)域中形成該導電結構。出于該目的，首先將優(yōu)選地由鐵顆粒制成的不導電層吹送、噴射或打印于該載體的整個表面上。在毗鄰的導電顆粒之間將不存在電導，因為顆粒將具有不導電表面。顆粒通過(舉例而言)粘合劑附著至該載體上。然后通過(例如)印刷施加該鈍化層。然后用銅槽通過離子交換(其中以并不十分惰性的鐵交換較為惰性的銅)對裸露區(qū)域進行鍍銅。DE3515985A1涉及在基板上的可軟焊涂層的制造，該方法包括以導體條和/或接觸區(qū)域的形式將可軟焊金屬層施加至電絕緣基板上。該方法包括以導體條和/或接觸區(qū)域的形式將第一導電清漆層施加于該基板上，該清漆特別含有金屬顆粒；固化該第一層并將該具有經固化第一層的基板浸入含有可軟焊金屬離子的溶液中以便用化學方法將第二金屬層沉積在第一層上。該清漆中的金屬顆?？梢?舉例而言)是鐵顆粒。該溶液可為酸性并可含有(舉例而言)硫酸及銅離子。該溶液或者可以是氯化銅溶液。本發(fā)明的潛在問題是使用公知方法制造的天線的發(fā)射性質并不令人滿意，尤其若用于UHF范圍中時。
發(fā)明內容因此，本發(fā)明的目的是提供一種用于在載體基板上制造圖案形成金屬結構的方法。更具體而言，本發(fā)明的目的是提供一種用于在載體基板上制造圖案形成金屬結構的方法，所述圖案形成金屬結構用作RFID運行所用的天線。本發(fā)明的另一目的是提供一種用于在載體基板上制造圖案形成金屬結構的方法，所述圖案形成金屬結構用作利用在UHF或MW頻率范圍中的輻射的RFID運行所用的天線。本發(fā)明的另一目的是提供一種用于在載體基板上制造圖案形成金屬結構的方法，所述圖案形成金屬結構用作RFID運行所用的天線，該天線允許在活躍地發(fā)射RFID輻射的閱讀器與其中該天線用于接收及發(fā)射該RFID輻射的轉發(fā)器之間極為可靠地實現(xiàn)足夠大的傳輸距離。本發(fā)明的另一目的是提供一種用于使用適用于大量制造轉發(fā)器的低成本制造方法在載體基板上制造圖案形成金屬結構的方法，所述圖案形成金屬結構用作RFID運行所用的天線。本發(fā)明的另一目的是提供一種用于在載體基板上制造圖案形成金屬結構的方法，其中該方法極為可靠，尤其在生產條件下。本發(fā)明的另一目的是提供一種用于在載體基板上制造圖案形成金屬結構的方法，其中該方法允許制造充分附著到該基板的金屬結構。這些目的可通過根據(jù)權利要求1所述的方法實現(xiàn)。本發(fā)明的優(yōu)選實施例在從屬權利要求中說明。本發(fā)明最重要的方面涉及一種在載體基板上制造圖案形成金屬結構的方法。本發(fā)明的另一方面涉及一種在載體基板上制造圖案形成金屬結構的方法，該圖案形成金屬結構用作用于RFID應用的天線，優(yōu)選地用作UHF或MW運行所用的天線。本發(fā)明的用于在載體基板上制造圖案形成金屬結構的方法包括如下方法步驟a.提供該載體基板，b.使用含有分散金屬的復合材料在該載體基板上形成圖案，c.使該載體基板與鹵素離子接觸；以及d.其后，將金屬層(更具體而言將銅層)沉積于由該復合材料形成的圖案上，從而形成金屬結構。圖l:示出天線結構的圖案。具體實施方式本發(fā)明的方法具體而言用于制造用于RFID應用(主要在UHF范圍內)的天線。為該目的所提供的天線結構(舉例而言)呈兩個U形分叉的形式，其中分叉的各個腿的長度(舉例而言)僅在IOcm以下，兩個分叉的每一腿均與包括運行轉發(fā)器所需的電路的專用半導體部件相連接。對于該半導體部件到該天線結構的連接，可在每一腿處設置連接焊盤，在此處通過諸如直接或通過芯片載體條(插入物、搭接片(strap)、倒裝芯片封裝)實施粘接而接觸該半導體部件。本發(fā)明的方法具有如下優(yōu)點其允許在有效地發(fā)射RFID輻射的閱讀器與轉發(fā)器之間極可靠地實現(xiàn)足夠大的傳輸距離，即使在UHF及MW范圍中運行。根據(jù)本發(fā)明在本文所用的UHF是指在介于約500MHz至約1.5GHz的頻率范圍內的電磁輻射。根據(jù)本發(fā)明在本文所用的MW指微波輻射，即頻率超過約1.5GHz的電磁輻射。在該閱讀器約為500mW的相當?shù)偷妮椛涔β氏乱褜崿F(xiàn)大傳輸距離，例如遠至3m的距離。對于具有相同設計的由傳統(tǒng)包銅材料(5pm、15jum或35pm)蝕刻而成的UHF天線、或通過化學方法將銅沉積到催化膏上制成的UHF天線、或僅通過銀膏制成的UHF天線或以化學方法及電解方法制成的具有5pm、10|Lim、15pm或30pm的銅層厚度的UHF天線，僅在個別情形下實現(xiàn)過如此大的傳輸距離且不可復制。而且，該方法極具成本效率，因為所用的材料相當便宜且可以以良好的可復制性在大的工業(yè)規(guī)模上實施該方法。鹵素離子優(yōu)選地為氯離子、溴離子或碘離子，更具體而言為氯離子。鹵素離子可(舉例而言)由氯化鹽提供。該氯化鹽舉例而言可為堿性鹽、堿土金屬鹽或重金屬鹽，更具體而言為鐵(n)或鐵(ni)鹽。包含于溶液(預浸溶液)中的鹵素離子可另外含有至少一種酸。該預浸溶液優(yōu)選地為水溶液。該酸特定而言可以為無機酸，但基本上也可以是有機酸。該無機酸更具體而言可為硫酸。若該無機酸為鹽酸，則可省去另一鹵素離子源。該預浸溶液的優(yōu)選實施例是氯化鐵(ni)水溶液，其特定而言可含有硫酸。或者，可使用含有硫酸鐵(n)及堿性氯化鹽(例如氯化鈉)以及酸(例如硫酸)的水溶液。該預浸溶液在升高的溫度下工作，該溫度優(yōu)選介于(舉例而言)自約30°C至約70°C的范圍內，更優(yōu)選地介于自約4(TC至約5(TC的范圍內。根據(jù)本發(fā)明的方法，若單獨使用含有鹵素離子源的預浸溶液來預處理通過該復合材料形成的圖案，則可實現(xiàn)在UHF及MW運行中從閱讀器至轉發(fā)器的大傳輸距離，即使將該閱讀器的輻射功率設定得相當?shù)?，舉例而言約500mW。在該情況下已顯現(xiàn)該天線結構的電阻相當?shù)颓腋鶕?jù)天線結構的設計該電阻通常達到1至5Q。而且，所沉積的金屬層充分地附著到該復合材料上實施使用膠帶的剝離測試不破壞該復合材料上的金屬層。因此不消弱該電阻。然而，若通過組合方法步驟c)及d)在與金屬沉積同時而非在金屬沉積之前使該圖案與鹵素離子相接觸，則該圖案的電阻比在金屬沉積之前使該載體基板與鹵素離子接觸高10-100的因數(shù)。此外，在此情況下，所沉積的金屬層不足以充分牢固地附著到該復合材料上。若實施剝離測試，則該金屬層可實際上完全從該復合材料上剝落且粘附至用以實施該剝離測試的膠帶上。因此削弱該圖案的電導。所沉積的金屬層與該載體基板上的復合材料的附著力不足使得此圖案沒有價值，這是因為除在UHF及MW運行中所需的大傳輸距離外，若將該轉發(fā)器用作非接觸標簽也需要轉發(fā)器具有面對機械暴露的最小的耐用度。若該載體基板完全不接觸鹵素離子，則僅實現(xiàn)極短的傳輸距離。這將排除據(jù)此制造的合理用于UHF及MW運行中的轉發(fā)器。已發(fā)現(xiàn)在此情況下該天線結構的電阻相當高，雖然若執(zhí)行實施四個方法步驟的本發(fā)明的方法該電阻會極低，但與使該圖案完全不接觸鹵素離子時的情況相比較，該電阻(舉例而言)低約100-1000的因子。然而，看來最大程度地減小電阻來實現(xiàn)大傳輸距離是不夠的，因為厚銅層在由該復合材料所形成的圖案上的沉積不會產生該天線結構的滿意效率。另外已顯現(xiàn)使具有該復合材料圖案的基板接觸含有鹵素離子的預浸溶液比替代地在金屬沉積步驟期間(而不提前使其與含有鹵化物的預浸溶液接觸)使該基板與鹵化物接觸有利。該現(xiàn)象是由于如下事實第一情況與第二情況相比，可實現(xiàn)更遠的傳輸距離且在該載體基板上制造的金屬結構的附著力較大。在方法步驟d)中，優(yōu)選地通過電荷交換反應來沉積金屬。該金屬由此沉積于由復合材料形成的圖案上，而該復合材料中所含分散金屬同時得到溶解。所沉積的金屬更具體而言為銅。特定而言，若通過含有銅離子的酸性溶液沉積該銅，則可獲得涂覆有該銅層的圖案的高電導率。更具體而言，可使用硫酸銅硫酸鹽溶液進行沉積。已進一步發(fā)現(xiàn)通過使用含有至少銅絡合劑的溶液的電荷交換反應沉積銅有利。該絡合劑可(更具體而言)在該酸性或堿性介質中形成絡合物。特定而言，可使用酸性介質中的膦酸絡合齊U(例如1-羥基亞已基-l，l-二膦酸)及堿性介質中的三羥乙基胺作為絡合劑。將銅沉積于復合材料上，優(yōu)選地具有不超過5fim、更優(yōu)選地具有不超過2nm且更優(yōu)選地具有介于0.8至1.8pm范圍內的厚度。已發(fā)現(xiàn)該傳輸距離極其依賴于所沉積銅層的厚度。若該銅層過厚，例如IOpm，則所形成天線結構的電導率極高。然而可實現(xiàn)的傳輸距離相當短，且甚至隨著銅層厚度的增加而進一步減小。比較而言，若無金屬沉積于由該復合材料形成的圖案上且若僅使用充滿該分散金屬的復合材料，則完全無信號可被傳輸。一方面出于該原因，必須給該圖案設置金屬涂層。另一方面，具有薄涂層厚度的涂層有利。關于選擇分散于該復合材料中的金屬，己發(fā)現(xiàn)其應具有比在方法步驟d中所沉積的金屬更小的惰性，優(yōu)選地為銅。優(yōu)選若銅為方法步驟d)中所沉積的金屬，尤其有利的分散金屬選自包括鐵、鐵基合金、鋅及鋅基合金的組。鐵尤其高純度的鐵為尤其有利的分散金屬。對于制造該復合材料，已發(fā)現(xiàn)由羰基鐵制成的鐵粉有利。出于該目的所用的方法類似于開發(fā)用于由羰基鎳制造鎳粉的Mond工藝。該粉特定而言可具有不超過約6)Lim的顆粒大小。緊跟在印刷之后由復合材料形成的圖案的涂層厚度為(舉例而言)約IO^m。特定而言在這些條件下，優(yōu)選不超過約6pm的顆粒大小。除該分散金屬外，該復合材料也可含有導電碳顆粒，例如導電煤煙顆粒及碳黑顆粒。這種顆粒有利地影響(舉例而言)該復合材料的適印性。該復合材料可含有至少一種粘合劑，該粘合劑選自包括環(huán)氧樹脂、聚氨基甲酸乙酯樹脂及丙烯酸樹脂的組。出于該目的，舉例而言可使用聚合物粘合劑系統(tǒng)，因為其也包含在可購買的絲網(wǎng)印刷染料中。為固化該粘合劑系統(tǒng)，可在印刷之前添加合適的基于脂肪族或芳香族聚異氰酸酯的硬化劑。若需要，通過添加諸如乙酸乙酯等稀釋劑來調節(jié)適于應用(例如印刷)的粘性。先前措施允許將該復合材料設計為導電膏。已發(fā)現(xiàn)絲網(wǎng)印刷尤其適合作為印刷方法?；旧希部墒褂谜障喟及嬗∷?。已發(fā)現(xiàn)約為IOium的濕涂層厚度滿足需要。在室溫下干燥的新近印刷的天線結構不具可測量的電導率，且因此不適合用作轉發(fā)器中的天線。僅有后來的金屬板使天線可運行。本發(fā)明需要用鹵素離子進行額外處理，尤其當用于UHF范圍中時。在形成之后，優(yōu)選地可在室溫下膠化由復合材料形成的圖案。然后，使該圖案與鹵素離子接觸并最后沉積金屬。若在圖案印刷與其上的金屬沉積之間所消耗的時間多于兩個小時，則鹵素離子額外地防止在電荷交換期間的否則延遲的沉積，并在該圖案接觸該溶液之后使該金屬立刻沉積。在金屬沉積之后，優(yōu)選地在增加的溫度下回火所涂覆的圖案?；鼗饻囟惹『玫椭磷阋允乖撦d體基板不會被削弱(基材容許回火)。若將聚對苯二甲酸乙二醇酯用作載體基板，則在金屬沉積之后即刻以約120°C至約140°C進行回火處理并可持續(xù)約2分鐘至約3分鐘。在該時間段期間，在電荷交換反應期間產生的分散的金屬顆粒(更具體而言鐵顆粒)及金屬核(更具體而言銅核)可靠地并入復合材料中的粘合劑的熱交聯(lián)聚合物基質中。若欲進一步加固由離子交換反應形成的金屬層，則可通過無電鍍金屬沉積(無外部電流源)和/或電鍍來實現(xiàn)，舉例而言通過銅電鍍，例如在含有硫酸、甲磺酸、氨基磺酸、焦磷酸或這些酸的所有或部分的混合的酸性銅鍍敷槽中。對于通過電鍍向施加至帶式載體基板的此類圖案上的金屬沉積，可使用DE10342512A中所述的設備，所述設備設置有至少一個用于該工件的接觸電極以及至少一個其中使至少一個反電極及該工件接觸處理液的電解區(qū)域，該接觸電極設置于該電解區(qū)域外部且不接觸該處理液，且所述接觸電極與所述電解區(qū)域相隔很近以允許電解處理小導電結構。已發(fā)現(xiàn)為實現(xiàn)均勻的粘合強度在電鍍處理之后以約120°C持續(xù)約2至3分鐘來結束熱處理是有利的。然而已發(fā)現(xiàn)在通過電荷交換反應的金屬沉積后，可以容易地消除對額外的無電金屬沉積和/或通過電鍍的金屬沉積的需要。該載體基板優(yōu)選地由選自包括如下材料的組中的至少一種材料組成聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚氯乙烯、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯及浸漬紙。在施加該圖案之前，根據(jù)需要通常再次清潔并干燥該載體基板。這同樣適用于設有該圖案的載體基板。在處理步驟之間，沖洗基板以去除粘附溶液。在通過電鍍加固該圖案的情況下，已在剝離測試中確定聚對苯二甲酸乙二醇酯的粘合強度為4N/cm2。與通過電鍍加固的導電銀膏相比較，實現(xiàn)了僅為2N/cm'z的粘合強度值。為更好地理解本發(fā)明，以下將給出實例。針對所有如下測試，選擇如下條件在由聚對苯二甲酸乙二醇酯材料組成的載體箔上，利用膏來對用于UHF運行的天線結構進行絲網(wǎng)印刷。圖1中示出該天線的結構。該天線結構由兩個天線分枝1、2組成，該兩個分枝在連接焊盤3、4處焊接至芯片載體條5。芯片載體條5載有半導體部件6。恰好在印刷之前向含有約70wt,%的顆粒大小為2-6pm的鐵粉、24wt.-。/。的基于聚氨基甲酸乙酯樹脂的粘合劑的膏中添加硬化劑及用于調節(jié)粘性的稀釋劑。該濕涂層厚度為約IOnm。在絲網(wǎng)印刷之后，在室溫下使具有印刷于其上的天線結構的載體基板膠化達0.1-1小時。此后，根據(jù)表1處理經印刷的載體基板。然后將如此在該載體基板上形成的天線結構焊接至安裝至芯片載體條(具有Philipsi-連接芯片的UHF芯片載體條)的半導體部件上。然后，測量該天線結構的分枝的兩腿之間的電阻(在圖1中標示為3及7的位置處)。另外，使用由加拿大SAMSys技術制成的具有500mW或3W的發(fā)射功率的閱讀器來確定該可實現(xiàn)的傳輸距離。比較實例A至C:在表2中示出不含有鹵化物的預浸溶液中的成分(比較實例A及B)和含有鹵素離子的金屬沉積溶液中的成分(比較實例C)以及所獲得的電阻值及剝離測試值。在比較實例A和B中，使用了具有如下成分的金屬沉積溶液216g/1CuS04*5H20、50ml/l濃H2S04。在比較實例C中，不執(zhí)行方法步驟c)，即不在預浸溶液中預處理該載體基板。使用Philipsi-連接芯片及SAMSys500mW閱讀器，利用在比較實例A及B中所制造的任一天線結構均不能確定功率傳輸。結果，傳輸距離為0m。根據(jù)實例A、B及C所制得的天線結構所測得的電阻值相對高。進一步地，通過將膠帶施加到該圖案上并以約直角從該基板上撕下，來測試該圖案與該基板的粘合強度。若觀察到有銅粘到該膠帶上，則認為粘合強度不夠強。如表2所示，該粘合強度在比較實例A及B中令人滿意，但在比較實例C中不令人滿意。實例1-18表3示出本發(fā)明含有鹵化物的預浸溶液的成分及所獲得的電阻值。所獲得的對所有天線結構的剝離測試顯示出所沉積的銅層與該復合材料的足夠強的粘合力。根據(jù)該測試數(shù)據(jù)可見，使用含有鹵化物的預浸溶液較之使用不含有鹵化物的預浸溶液電阻明顯減小。若該預浸溶液不含有酸，則該電阻同樣略有增加。實例19:在另一實例中，測量根據(jù)本發(fā)明的方法制成的天線的傳輸距離。制造條件與先前條件完全相同。預浸溶液含有250ml/l濃H2S04、10g/1FeCl3*6H20(對應于實例1)。使用Philipsi-連接芯片及SAMSys500mW閱讀器，通過平均12個天線獲得1.42m的連續(xù)傳輸距離及1.74m的最大傳輸距離，并使用約3W的閱讀器的發(fā)射功率，獲得4.02m的最大傳輸距離。應了解，本文所述的實例及實施例僅用于舉例說明的目的，且本領域技術人員將易于借助于實例及實施例設計出各種修改及改變以及對本申請中所說明特征的組合，這些修改、改變及組合皆包括在本發(fā)明所述的精神及范圍內且包括在所附權利要求的范疇內。本文引用的所有出版物、專利及專利申請皆以引用的方式并入本文中。表l:工藝順序<table>tableseeoriginaldocumentpage19</column></row><table>"除在比較實例c中以外')變量2)注入少量空氣)室溫4)216g/1CuS04*5H20、50ml/1H2S04，水中濃度，比較實例C中除外。表2:無鹵化物的預浸液中的成分及電阻值<table>tableseeoriginaldocumentpage20</column></row><table>表3:使用鹵化物的預浸液的成分及電阻值<table>tableseeoriginaldocumentpage20</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage21</column></row><table>1)潤濕劑2)在測試8及13中，使通過將該復合材料絲網(wǎng)印刷在基板上形成的圖案老化19個小時。權利要求1、一種在載體基板上制造圖案形成金屬結構的方法，其包括如下方法步驟a、提供所述載體基板；b、使用含有分散金屬的復合材料在所述載體基板上形成圖案；c、使所述載體基板與鹵素離子接觸；以及d、其后，將金屬層沉積到由所述復合材料形成的圖案上，從而形成金屬結構。2、根據(jù)權利要求l所述的方法，其特征在于與金屬沉積同時和/或在金屬沉積之前，使由所述復合材料形成的圖案與所述鹵素離子接觸。3、根據(jù)前述權利要求中任一項所述的方法，其特征在于使由所述復合材料形成的圖案與含有所述鹵素離子及至少一種酸的溶液接觸。4、根據(jù)前述權利要求中任一項所述的方法，其特征在于所述鹵素離子氯離子、溴離子或碘離子。5、根據(jù)前述權利要求中任一項所述的方法，其特征在于在方法步驟d)中通過電荷交換反應來沉積所述金屬。6、根據(jù)前述權利要求中任一項所述的方法，其特征在于在方法步驟d)中所沉積的金屬為銅。7、根據(jù)權利要求6所述的方法，其特征在于通過酸性溶液來沉積銅。8、根據(jù)權利要求7所述的方法，其特征在于所述酸性溶液含有硫酸。9、根據(jù)權利要求6-8中任一項所述的方法，其特征在于通過含有至少一種銅絡合劑的溶液來沉積銅。10、根據(jù)權利要求6-9中任一項所述的方法，其特征在于所述分散于復合材料中的金屬具有比銅小的惰性。11、根據(jù)前述權利要求中任一項所述的方法，其特征在于所述復合材料含有至少一種選自包括鐵、鐵基合金、鋅及鋅基合金的組的分散金屬。12、根據(jù)前述權利要求中任一項所述的方法，其特征在于所述分散金屬為高純度鐵。13、根據(jù)權利要求ll和12中任一項所述的方法，其特征在于所述鐵由羰基鐵制成。14、根據(jù)前述權利要求中任一項所述的方法，其特征在于所述分散金屬具有不超過6,的顆粒大小。15、根據(jù)前述權利要求中任一項所述的方法，其特征在于所述復合材料另外含有導電碳顆粒。16、根據(jù)前述權利要求中任一項所述的方法，其特征在于所述圖案形成復合材料在室溫下膠化。17、根據(jù)前述權利要求中任一項所述的方法，其特征在于在升高的溫度下對沉積于所述復合材料上的銅進行回火。18、根據(jù)權利要求17所述的方法，其特征在于所述回火溫度恰好低至不足以損壞所述載體基板。19、根據(jù)前述權利要求中任一項所述的方法，其特征在于銅沉積于所述復合材料上的厚度不超過5pnu20、根據(jù)前述權利要求中任一項所述的方法，其特征在于所述復合材料含有至少一種選自包括環(huán)氧樹脂、聚胺基甲酸乙酯樹脂及丙烯酸樹脂的組的粘合劑。21、根據(jù)前述權利要求中任一項所述的方法，其特征在于所述復合材料導電膏。22、根據(jù)前述權利要求中任一項所述的方法，其特征在于通過印刷在所述載體基板上形成圖案。23、根據(jù)前述權利要求中任一項所述的方法，其特征在于通過絲網(wǎng)印刷在所述載體基板上形成圖案。24、根據(jù)前述權利要求中任一項所述的方法，其特征在于所述載體基板由至少一種選自包括聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚氯乙烯、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯及浸漬紙的組的材料組成。25、根據(jù)前述權利要求中任一項所述的方法，其特征在于所述圖案是天線結構。26、根據(jù)權利要求25所述的方法，其特征在于所述天線結構具有設置用于接觸半導體部件的連接焊盤。27、根據(jù)權利要求25和26中任一項所述的方法，其特征在于所述天線結構適用于UHF接收。28、根據(jù)前述權利要求中任一項所述的方法，其特征在于其適合制造用于RFID應用的天線。全文摘要為改良以公知方法制造的天線(更具體而言用于UHF范圍內應用的天線)的傳輸特性，本發(fā)明提出一種在載體基板上制造圖案形成金屬結構的方法。該方法包括如下方法步驟提供載體基板；使用含有分散金屬的復合材料在所述載體基板上形成圖案；使所述載體基板與鹵素離子接觸；以及其后將金屬層沉積于由所述復合材料形成的所述圖案上，從而形成金屬結構。文檔編號H05K3/24GK101243735SQ200680029374公開日2008年8月13日申請日期2006年8月4日優(yōu)先權日2005年8月9日發(fā)明者F·克恩勒,M·居熱莫,M·達姆馬施,W·普塔克申請人:埃托特克德國有限公司