專利名稱：高電壓高側(cè)晶體管驅(qū)動器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及高側(cè)晶體管驅(qū)動器(high-side transistor driver)，更具體而言涉及高電壓高側(cè)晶體管驅(qū)動器。
背景技術(shù)：
高側(cè)晶體管驅(qū)動器被用于驅(qū)動連接到正電源并浮置(即不參考地電平)的高側(cè)晶體管。所述晶體管可以是MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)或IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)。高側(cè)晶體管可能需要來自例如高電壓電平變換器這樣的電平變換器件的電壓轉(zhuǎn)換。例如高側(cè)晶體管這樣的浮置晶體管可能很難快速地導(dǎo)通和關(guān)斷。
現(xiàn)在參考圖1，其示出了示例性晶體管驅(qū)動器電路10。晶體管驅(qū)動器電路10包括高側(cè)晶體管12和低側(cè)晶體管14。高側(cè)晶體管驅(qū)動器16連接到高側(cè)晶體管12的柵極18，并選擇性地導(dǎo)通和關(guān)斷高側(cè)晶體管12。低側(cè)晶體管驅(qū)動器20連接到低側(cè)晶體管14的柵極22，并選擇性地導(dǎo)通和關(guān)斷低側(cè)晶體管14。高側(cè)晶體管驅(qū)動器16和低側(cè)晶體管驅(qū)動器20可以集成在晶體管驅(qū)動器模塊24中。例如，驅(qū)動器16和20根據(jù)輸入信號28和30導(dǎo)通和關(guān)斷晶體管12和14，以改變到輸出節(jié)點26的電流和/或電壓。
現(xiàn)在參考圖2，其更詳細地示出了高側(cè)晶體管12和高側(cè)晶體管驅(qū)動器16的示例性布置。輸入信號28通過高電壓電平變換器40和反相器42被輸入高側(cè)晶體管驅(qū)動器16。例如，高電壓電平變換器40可以包括高電壓晶體管。雖然僅示出了一個高電壓晶體管，但是可能必需額外的高電壓晶體管來實現(xiàn)高電壓電平變換器40。一般地，可能很難在同一管芯上將多個高電壓晶體管和其他低壓晶體管(未示出)集成在一起。
此外，對于某些應(yīng)用(例如熒光燈鎮(zhèn)流驅(qū)動器)來說，大于600伏的電壓應(yīng)力可以被施加到高電壓晶體管上。高側(cè)晶體管驅(qū)動器16的電路需要能夠浮動在比地電平高出類似電壓的電平上。因此，可以使用例如厚氧化層(thick oxide)SOI(絕緣體硅片)工藝之類的特殊半導(dǎo)體工藝。但是，因為高電壓晶體管的結(jié)電容很大，所以得到的電路一般很慢。例如，一些實現(xiàn)圖2所示的高側(cè)晶體管驅(qū)動器16的鎮(zhèn)流驅(qū)動器可能最大以50kHz進行操作。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的第一方面提供了一種高側(cè)晶體管驅(qū)動器，包括發(fā)送器模塊，用于生成功率輸入信號；轉(zhuǎn)換器模塊，用于接收所述功率輸入信號和生成具有比所述功率輸入信號更高電壓的輸出信號；以及接收器模塊，用于接收所述輸出信號和所述功率輸入信號，并基于所述輸出信號和所述功率輸入信號來將晶體管在導(dǎo)通和關(guān)斷狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換。
本發(fā)明的第二方面提供了一種用于熒光燈的鎮(zhèn)流器，其包括根據(jù)本發(fā)明第一方面的高側(cè)晶體管驅(qū)動器，其中所述鎮(zhèn)流器基于所述晶體管的狀態(tài)來向所述熒光燈提供電流和/或電壓。
本發(fā)明的第三方面提供了一種高側(cè)晶體管驅(qū)動器，包括輸入模塊，其包括接收驅(qū)動器輸入信號并響應(yīng)于所述驅(qū)動器輸入信號生成驅(qū)動器信號的變壓器，其中所述驅(qū)動器輸入信號包括脈沖；轉(zhuǎn)換器模塊，其包括接收功率輸入信號并生成具有高于所述功率輸入信號的電壓的輸出信號的變壓器；以及接收器模塊，用于接收所述輸出信號和所述驅(qū)動器信號，并基于所述輸出信號和所述驅(qū)動器信號來將晶體管在導(dǎo)通和關(guān)斷狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換。


從詳細描述和附圖可更全面地理解本發(fā)明，在附圖中圖1是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的晶體管驅(qū)動器電路的示意圖；圖2是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的包括高電壓電平變換器的高側(cè)晶體管驅(qū)動器的示意圖；
圖3是根據(jù)本發(fā)明的高側(cè)晶體管驅(qū)動器的功能框圖；圖4A是根據(jù)本發(fā)明的包括嵌入信號傳導(dǎo)的高側(cè)晶體管驅(qū)動器的功能框圖；圖4B是根據(jù)本發(fā)明的包括H橋驅(qū)動器的轉(zhuǎn)換器模塊的電路圖；圖4C是根據(jù)本發(fā)明的包括中央抽頭推挽驅(qū)動器的轉(zhuǎn)換器模塊的電路圖；圖5示出了根據(jù)本發(fā)明的包括嵌入信號傳導(dǎo)的功率輸入信號；圖6是根據(jù)本發(fā)明的包括反向信號傳導(dǎo)的高側(cè)晶體管驅(qū)動器的功能框圖；圖7是根據(jù)本發(fā)明的包括高側(cè)晶體管驅(qū)動器的熒光燈鎮(zhèn)流器的功能框圖；圖8A是根據(jù)本發(fā)明的鎮(zhèn)流器邏輯模塊的功能框圖；以及圖8B是根據(jù)本發(fā)明的鎮(zhèn)流器邏輯模塊的第二實現(xiàn)方式的功能框圖。
具體實施例方式
下面的描述在本質(zhì)上僅是示例性的，而絕非意圖限制本公開及其應(yīng)用或使用。為了清楚起見，附圖中相同的標號將標識相同的元件。這里使用的術(shù)語模塊、電路和/或器件是指執(zhí)行一個或多個軟件或固件程序的專用集成電路(ASIC)、電子電路、處理器(共享的、專用的或群組的)和存儲器、組合邏輯電路，和/或提供所描述的功能的其他合適組件。這里使用的短語“A、B和C中的至少一個”應(yīng)被理解為意味著使用不排他邏輯或的邏輯(A或B或C)。應(yīng)當理解，在不改變本公開的原理的情況下，可以以不同的順序執(zhí)行方法中的步驟。
本發(fā)明的高側(cè)晶體管驅(qū)動器包括變壓器，并且去掉了圖2所示的高電壓電平變換器中使用的一個或多個高電壓晶體管。變壓器實現(xiàn)高頻功率遞送，并且在某些實現(xiàn)方式中，還實現(xiàn)嵌入信號傳導(dǎo)。
現(xiàn)在參考圖3，高側(cè)晶體管電路50包括轉(zhuǎn)換器模塊52、輸入信號模塊54、接收器模塊56，以及高側(cè)晶體管58。輸入信號模塊54接收功率輸入節(jié)點60和62處的功率輸入信號。例如，功率輸入信號可以是被示為64的方波信號，但是也可使用其他輸入信號。轉(zhuǎn)換器模塊52可以包括變壓器66和整流器68。轉(zhuǎn)換器模塊52將功率輸入信號轉(zhuǎn)換為被輸出到接收器模塊56的DC輸出信號70。轉(zhuǎn)換器模塊52實現(xiàn)了將功率從低側(cè)(即功率輸入信號64)遞送到高側(cè)(即DC輸出信號70)的高頻推挽DC/DC轉(zhuǎn)換器。例如，變壓器66可以足夠小，以降低制造成本和空間需求。因此，變壓器66可能需要較高頻率的操作。變壓器66將DC輸出信號70與功率輸入信號64隔離開。
輸入信號模塊54包括變壓器72，并在輸入節(jié)點76和78處接收驅(qū)動器輸入信號74。驅(qū)動器輸入信號74可包括輸入脈沖(示為80)或試圖避免變壓器72的核心飽和的其他輸入信號。輸入信號模塊54將驅(qū)動器信號82輸出到接收器模塊56。接收器模塊56接收和處理驅(qū)動器信號82，并將輸入脈沖80轉(zhuǎn)換為適于驅(qū)動高側(cè)晶體管58的高或低信號。轉(zhuǎn)換器模塊52提供驅(qū)動高側(cè)晶體管58所需的能量，輸入信號模塊54確定高側(cè)晶體管58的導(dǎo)通或關(guān)斷狀態(tài)。高側(cè)晶體管58從高電壓節(jié)點84接收例如600伏的高電壓。當高側(cè)晶體管58導(dǎo)通時，輸出節(jié)點62通過高側(cè)晶體管58從高電壓節(jié)點84接收高電壓。
現(xiàn)在參考圖4A，其示出了包括嵌入信號傳導(dǎo)的高側(cè)晶體管電路100。高側(cè)晶體管電路100包括轉(zhuǎn)換器模塊102和發(fā)送器模塊104。轉(zhuǎn)換器模塊102包括變壓器106和整流器108。轉(zhuǎn)換器模塊102將功率輸入信號110轉(zhuǎn)換為DC輸出信號112。例如圖樣辨別接收器模塊114這樣的解碼器件接收DC輸出信號112。圖樣辨別接收器模塊114使用來自DC輸出信號112的能量來驅(qū)動高側(cè)晶體管58。
現(xiàn)在參考圖4B和4C，轉(zhuǎn)換器模塊102可包括替換的電路布置。例如，轉(zhuǎn)換器模塊102可實現(xiàn)圖4B所示的H橋驅(qū)動器布置。轉(zhuǎn)換器模塊102可實現(xiàn)圖4C所示的中央抽頭推挽驅(qū)動器。
現(xiàn)在參考圖4A和圖5，發(fā)送器模塊104輸出功率輸入信號110。功率輸入信號110可以是被示為120的方波信號。功率輸入信號110還包括用于確定高側(cè)晶體管58的導(dǎo)通或關(guān)斷狀態(tài)的嵌入信號122。例如，嵌入信號122可以是干擾功率輸入信號110的正常圖樣的擾動圖樣(即具有較長周期/較低頻率的高和/或低脈沖)。
圖樣辨別接收器模塊114接收嵌入信號122(經(jīng)由功率輸入信號110)，并相應(yīng)地控制高側(cè)晶體管58的導(dǎo)通或關(guān)斷狀態(tài)。圖樣辨別接收器模塊114包括檢測功率輸入信號110的圖樣改變的電路。例如，嵌入信號122可以觸發(fā)圖樣辨別接收器模塊114，以便使高側(cè)晶體管58從關(guān)斷變?yōu)閷?dǎo)通或從導(dǎo)通變?yōu)殛P(guān)斷。
嵌入信號122可以是開始為低然后變高的方波，如124所示?；蛘?，嵌入信號122可以是開始為高然后變低的方波，如126所示。在任一情形下，嵌入信號122都沒有DC值，以避免使變壓器106飽和。換言之，只要各個脈沖具有相等的幅度并且嵌入信號122不使變壓器106飽和，嵌入信號122就不會給轉(zhuǎn)換器模塊102造成不良影響。當嵌入信號122的周期低于閾值(例如小于轉(zhuǎn)換器模塊102的時鐘周期的3到4倍)時，變壓器106的核心將不會飽和。
雖然圖4和圖5所示的嵌入信號122僅示出了兩種信號擾動圖樣，但是其他信號擾動圖樣也是可能的。例如，發(fā)送器模塊104可能會將加電定序信號嵌入功率輸入信號110中。在一種實現(xiàn)中，加電定序信號可以引導(dǎo)圖樣辨別接收器模塊114和/或高側(cè)的其他組件開始正常操作。在另一實現(xiàn)中，發(fā)送器模塊104可以將斷電信號嵌入功率輸入信號110中，其引導(dǎo)高側(cè)晶體管58斷電。
現(xiàn)在參考圖6，高側(cè)晶體管電路100可實現(xiàn)反向信號傳導(dǎo)(即雙向通信)，并包括將轉(zhuǎn)換器模塊102和/或發(fā)送器模塊104置于三態(tài)。例如，高側(cè)晶體管電路100可包括位于傳輸模塊132的電路的低側(cè)的接收器模塊130。接收器模塊130與傳輸模塊132和發(fā)送器模塊104通信。傳輸模塊132與圖樣辨別接收器模塊通信。
圖樣辨別接收器模塊114可包括用于檢測高側(cè)晶體管電路100的高側(cè)的各個狀態(tài)的電路(未示出)。例如，圖樣辨別接收器模塊114可檢測的狀態(tài)包括但不限于短路和超溫(over temperature)狀況。此外，圖樣辨別接收器模塊可以自動檢測變壓器106的繞組的極性?；蛘撸稍跇O性檢測搜索期間通過探測高側(cè)電流的改變來檢測繞組的極性。
轉(zhuǎn)換器模塊102可被臨時禁用(例如被置于三態(tài))，以允許雙向通信(即允許傳輸模塊132發(fā)送數(shù)據(jù))。相反，傳輸模塊132在正常操作期間處于三態(tài)。傳輸模塊132向接收器模塊130傳遞指示了檢測到的狀況的狀態(tài)信息。傳輸模塊132使用存儲在電容器134中的能量來操作和傳遞狀態(tài)信息。在另一實現(xiàn)方式中，接收器模塊130可以與發(fā)送器模塊104集成，和/或傳輸模塊132可以與圖樣辨別接收器模塊114集成。
發(fā)送器模塊104可生成時間分配信號，以便通知傳輸模塊132。例如，發(fā)送器模塊104確定傳輸模塊132進行發(fā)送的時間分配時隙。傳輸模塊132接收時間分配信號，并在時間分配時隙(例如時間分配信號之后3毫秒的時隙)中發(fā)送通信信息。
現(xiàn)在參考圖7，用于熒光燈的鎮(zhèn)流器200可實現(xiàn)本發(fā)明。鎮(zhèn)流器200包括變壓器106、全波或半波整流器108、電解電容器202、鎮(zhèn)流器邏輯模塊204，以及圖樣辨別接收器模塊114。例如，電解電容器202可被用來對電壓進行濾波或平滑。鎮(zhèn)流器邏輯模塊204包括發(fā)送器模塊104。整流器108和圖樣辨別接收器模塊114可由集成電路(IC)206實現(xiàn)。例如，圖樣辨別接收器模塊114可以共享整流器108的輸入引腳。
發(fā)送器模塊104生成用于驅(qū)動圖4和圖6所示的高側(cè)晶體管58的輸入功率信號110。鎮(zhèn)流器邏輯模塊204生成用于驅(qū)動低側(cè)晶體管210的低側(cè)晶體管輸入信號208。在啟動和/或操作期間，鎮(zhèn)流器邏輯模塊204切換晶體管58和210的導(dǎo)通和關(guān)斷，以便改變到熒光燈212的電流和/或電壓。
熒光燈212包括密閉的玻璃管214，其包含例如水銀這樣的第一材料和例如氬這樣的第一惰性氣體，它們被總地示為216。管214被加壓。磷粉218可以沿管214的內(nèi)表面涂敷。管214包括位于管214兩端的電極220A和220B(總地稱作電極220)。根據(jù)晶體管58和210的導(dǎo)通和關(guān)斷狀態(tài)，功率被施加到電極220。
當功率被施加到電極220時，電子通過氣體216從管214的一端遷移到另一端。來自流動電子的能量將一些水銀從液體變?yōu)闅怏w。當電子和帶電原子運動通過管214時，一些將與氣態(tài)水銀原子碰撞。碰撞激勵了這些原子，并導(dǎo)致電子運動到較高狀態(tài)。當電子返回較低能級時，它們釋放光子或光。水銀原子中的電子釋放紫外波長范圍內(nèi)的光子。磷涂層218吸收紫外光子，導(dǎo)致磷涂層218中的電子躍遷到較高能級。當電子返回較低能級時，它們釋放波長與白光相對應(yīng)的光子。
在啟動期間，通過兩個電極220輸出電流。電流流動產(chǎn)生了兩個電極220之間的電荷差。當熒光燈212開啟時，兩個電極的燈絲都被迅速加熱。電子被發(fā)射，從而電離管214中的氣體216。一旦氣體被電離，電極220之間的電壓差就會建立電弧。流動的帶電粒子激勵水銀原子，從而觸發(fā)發(fā)光過程。當更多的電子和離子流過特定區(qū)域時，它們撞擊更多的原子，從而釋放電子并創(chuàng)建更多的帶電粒子。電阻降低，電流升高。鎮(zhèn)流器邏輯模塊204在啟動期間和之后都對功率進行調(diào)節(jié)。2005年4月22日提交的美國專利申請11/112,808中更詳細地描述了可以實現(xiàn)鎮(zhèn)流器邏輯模塊204的示例性熒光燈和鎮(zhèn)流器，該申請的全部內(nèi)容通過引用結(jié)合于此。
鎮(zhèn)流器200可包括延遲匹配模塊222。例如，晶體管58的操作可能在輸入功率信號110的處理期間被延遲。例如，在發(fā)送器模塊104的輸出和晶體管58的響應(yīng)之間可能存在延遲。延遲匹配模塊222將該延遲添加到晶體管210。換言之，延遲匹配模塊222偏移低側(cè)晶體管210的響應(yīng)，以補償延遲。鎮(zhèn)流器200可包括用于動態(tài)調(diào)節(jié)延遲的校準電路。例如，鎮(zhèn)流器邏輯模塊204、發(fā)送器模塊104或鎮(zhèn)流器200的其他組件可確定延遲，并相應(yīng)地調(diào)節(jié)延遲匹配模塊222。
現(xiàn)在參考圖8A，其更詳細地示出了根據(jù)本發(fā)明的示例性鎮(zhèn)流器邏輯模塊204。鎮(zhèn)流器邏輯模塊204包括高頻振蕩器300和數(shù)字狀態(tài)機302。例如，發(fā)送器模塊104包括高頻振蕩器300和數(shù)字狀態(tài)機302。數(shù)字狀態(tài)機302生成功率輸入信號110。換言之，數(shù)字狀態(tài)機302以根據(jù)高頻振蕩器300的輸出頻率輸出功率輸入信號110。鎮(zhèn)流器邏輯模塊通過改變數(shù)字狀態(tài)機302的計數(shù)器值來改變輸出頻率。為了提高輸出頻率分辨率，鎮(zhèn)流器邏輯模塊204還可包括數(shù)字內(nèi)插器304。以此方式，鎮(zhèn)流器邏輯模塊204可在數(shù)字域中實現(xiàn)更復(fù)雜的頻率掃描算法。此外，鎮(zhèn)流器邏輯模塊204可通過在最終平均目標振蕩器頻率附近抖動數(shù)字狀態(tài)機302的計數(shù)器值來實現(xiàn)擴頻技術(shù)。圖8B示出了鎮(zhèn)流器邏輯模塊204的另一實現(xiàn)方式。
如圖8A和圖8B所示，鎮(zhèn)流器邏輯模塊204在數(shù)字域中操作，以生成功率輸入信號110中的擾動圖樣。在數(shù)字域中，鎮(zhèn)流器邏輯模塊204可以先于某些事件生成擾動圖樣。例如，鎮(zhèn)流器邏輯模塊204可較早地生成方波擾動信號，以避免在正常脈沖和較低頻率(即擾動)脈沖的邊界處生成極窄脈沖。鎮(zhèn)流器邏輯模塊204能夠準確地調(diào)節(jié)較低頻率的脈沖，從而脈沖邊沿被精確定位。換言之，在擾動脈沖之后可立即恢復(fù)正常脈沖。此外，轉(zhuǎn)換器模塊102的時鐘信號可從數(shù)字狀態(tài)機302導(dǎo)出。以此方式，鎮(zhèn)流器邏輯模塊204可將轉(zhuǎn)換器模塊102的脈沖與擾動脈沖同步。
鎮(zhèn)流器邏輯模塊204可包括一個或多個狀態(tài)模塊310。例如，狀態(tài)模塊310可實現(xiàn)基于燈點亮重試來檢測燈壽命終點的算法。以此方式，鎮(zhèn)流器邏輯模塊204可避免過熱造成的損壞。此外，狀態(tài)模塊310可通過掃描啟動電壓來實現(xiàn)過電壓燈檢測。
現(xiàn)在本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以從上面的描述中理解，本公開的廣泛教導(dǎo)可以多種形式實現(xiàn)。因此，雖然本公開包括特定示例，但是本公開的真實范圍不應(yīng)僅限于此，因為在本領(lǐng)域的技術(shù)人員學(xué)習(xí)附圖、說明書和所附權(quán)利要求之后將很清楚其他修改。
本申請要求享受2005年9月27日提交的美國臨時申請No.60/720,866的優(yōu)先權(quán)。該申請的全部內(nèi)容通過引用而被包含于此。
權(quán)利要求
1.一種高側(cè)晶體管驅(qū)動器，包括發(fā)送器模塊，用于生成功率輸入信號；轉(zhuǎn)換器模塊，用于接收所述功率輸入信號和生成具有比所述功率輸入信號更高電壓的輸出信號；以及接收器模塊，用于接收所述輸出信號和所述功率輸入信號，并基于所述輸出信號和所述功率輸入信號來將晶體管在導(dǎo)通和關(guān)斷狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換。
2.如權(quán)利要求1所述的高側(cè)晶體管驅(qū)動器，其中所述轉(zhuǎn)換器模塊包括接收所述功率輸入信號的變壓器。
3.如權(quán)利要求2所述的高側(cè)晶體管驅(qū)動器，其中所述轉(zhuǎn)換器模塊包括與所述變壓器通信并生成所述輸出信號的整流器。
4.如權(quán)利要求1所述的高側(cè)晶體管驅(qū)動器，其中所述功率輸入信號包括指示了所述晶體管的所需狀態(tài)的嵌入信號。
5.如權(quán)利要求4所述的高側(cè)晶體管驅(qū)動器，其中所述接收器模塊檢測所述嵌入信號并基于所述嵌入信號來轉(zhuǎn)換所述晶體管。
6.如權(quán)利要求4所述的高側(cè)晶體管驅(qū)動器，其中所述功率輸入信號具有第一頻率和低于所述第一頻率的第二頻率，其中所述第二頻率指示所述嵌入信號。
7.如權(quán)利要求1所述的高側(cè)晶體管驅(qū)動器，還包括第二接收器模塊，其中所述接收器模塊位于所述高側(cè)晶體管驅(qū)動器的高電壓側(cè)，所述第二接收器模塊位于所述高側(cè)晶體管驅(qū)動器的低電壓側(cè)。
8.如權(quán)利要求7所述的高側(cè)晶體管驅(qū)動器，其中所述接收器模塊生成狀態(tài)信號，所述第二接收器模塊接收所述狀態(tài)信號。
9.如權(quán)利要求8所述的高側(cè)晶體管驅(qū)動器，其中所述狀態(tài)信號指示了短路狀況、超溫狀況和與所述轉(zhuǎn)換器模塊通信的變壓器的極性中的至少一個。
10.如權(quán)利要求1所述的高側(cè)晶體管驅(qū)動器，還包括振蕩器，用于生成振蕩信號；以及數(shù)字狀態(tài)機，用于響應(yīng)于所述振蕩信號生成所述功率輸入信號。
11.如權(quán)利要求10所述的高側(cè)晶體管驅(qū)動器，還包括數(shù)字內(nèi)插器。
12.一種用于熒光燈的鎮(zhèn)流器，包括如權(quán)利要求1所述的高側(cè)晶體管驅(qū)動器，其中所述鎮(zhèn)流器基于所述晶體管的狀態(tài)來向所述熒光燈提供電流和/或電壓。
13.如權(quán)利要求12所述的鎮(zhèn)流器，還包括包含所述發(fā)送器模塊的鎮(zhèn)流器邏輯模塊。
14.如權(quán)利要求4所述的高側(cè)晶體管驅(qū)動器，其中所述轉(zhuǎn)換器模塊實現(xiàn)DC/DC轉(zhuǎn)換器，所述發(fā)送器模塊將所述DC/DC轉(zhuǎn)換器與所述嵌入信號同步。
15.如權(quán)利要求1所述的高側(cè)晶體管驅(qū)動器，其中所述功率輸入信號包括相位編碼和功率傳遞分量。
16.如權(quán)利要求1所述的高側(cè)晶體管驅(qū)動器，還包括延遲匹配模塊，所述延遲匹配模塊將延遲添加到低側(cè)晶體管，其中所述延遲對應(yīng)于所述高側(cè)晶體管驅(qū)動器的延遲。
17.如權(quán)利要求8所述的高側(cè)晶體管驅(qū)動器，其中所述發(fā)送器模塊生成指示所述第二接收器模塊何時可操作來接收所述狀態(tài)信號的時間分配信號。
18.一種高側(cè)晶體管驅(qū)動器，包括輸入模塊，其包括接收驅(qū)動器輸入信號并響應(yīng)于所述驅(qū)動器輸入信號生成驅(qū)動器信號的變壓器，其中所述驅(qū)動器輸入信號包括脈沖；轉(zhuǎn)換器模塊，其包括接收功率輸入信號并生成具有高于所述功率輸入信號的電壓的輸出信號的變壓器；以及接收器模塊，用于接收所述輸出信號和所述驅(qū)動器信號，并基于所述輸出信號和所述驅(qū)動器信號來將晶體管在導(dǎo)通和關(guān)斷狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種高側(cè)晶體管驅(qū)動器，包括發(fā)送器模塊，用于生成功率輸入信號；轉(zhuǎn)換器模塊，用于接收所述功率輸入信號和生成具有比所述功率輸入信號更高電壓的輸出信號；以及接收器模塊，用于接收所述輸出信號和所述功率輸入信號，并基于所述輸出信號和所述功率輸入信號來將晶體管在導(dǎo)通和關(guān)斷狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換。
文檔編號H05B41/26GK1942037SQ20061010992
公開日2007年4月4日 申請日期2006年8月24日 優(yōu)先權(quán)日2005年9月27日
發(fā)明者塞哈特·蘇塔迪嘉 申請人:馬維爾國際貿(mào)易有限公司