專利名稱：顯示設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及平面型板式顯示設(shè)備，尤其涉及一種顯示設(shè)備，該顯示設(shè)備能夠窄化所謂的邊框，所述邊框?yàn)轱@示單元外周的非顯示區(qū)域。
背景技術(shù)：
已提供的顯示設(shè)備通過排列多個(gè)顯示元件及控制各個(gè)顯示元件的狀態(tài)來形成文本、圖像或視頻圖像。這種顯示設(shè)備的一個(gè)例子是諸如液晶顯示設(shè)備或有機(jī)EL(場(chǎng)致發(fā)光)顯示設(shè)備的電光設(shè)備。對(duì)于這種顯示設(shè)備，通過密封一襯底和另一襯底或者一襯底和一密封件來防止部件損壞。
例如，對(duì)于有機(jī)EL顯示設(shè)備，滲透到設(shè)備中的外置氣體影響有機(jī)EL發(fā)光元件的壽命。特別是，濕氣(水蒸汽)和氧氣損壞金屬電極，并惡化發(fā)光元件的延長操作。這樣，在其上形成有有機(jī)EL顯示元件陣列的襯底用金屬罐、防水塑料封裝或保護(hù)膜或類似物密封以便獲得對(duì)水蒸汽和氧氣的氣體屏蔽性能。
然而，當(dāng)在形成有顯示元件的顯示元件襯底上形成密封金屬罐或密封保護(hù)膜時(shí)，需要用于將密封金屬罐或密封保護(hù)膜連接到顯示元件襯底上的空間。并且，為了確保前述的氣體屏蔽性能，規(guī)定量的連接寬度(連接空間)是必要的。由于顯示元件襯底的密封在該襯底的外周進(jìn)行，在這樣的外周出現(xiàn)不用作顯示區(qū)域的所謂的邊框。這使得安裝有顯示設(shè)備的諸如便攜式電話設(shè)備和便攜式信息設(shè)備的設(shè)備的小形化設(shè)計(jì)和自由設(shè)計(jì)變得復(fù)雜。
因此，本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種能夠窄化所述邊框區(qū)域的顯示設(shè)備。
并且，本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種顯示設(shè)備，其中，即使在窄化邊框區(qū)域的情況下也不會(huì)損害氣體屏蔽性能。

發(fā)明內(nèi)容
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明的顯示設(shè)備包括襯底，其具有由存儲(chǔ)體層分開的多個(gè)顯示元件和布線層；電極層，用于覆蓋多個(gè)顯示元件和存儲(chǔ)體層；以及密封襯底，其通過連接所述襯底的至少外周密封區(qū)域來覆蓋所述襯底；其中布線層在襯底密封區(qū)域的一部分處形成；以及電極層的外周部分連接到密封區(qū)域中的布線層。
根據(jù)本上述結(jié)構(gòu)，由于襯底密封區(qū)域的一部分可被用作電極和線路的連接部分，密封襯底的尺寸可被減小，同時(shí)保證氣體屏蔽或類似屏蔽的必要的連接寬度，并且，作為顯示設(shè)備邊框的結(jié)構(gòu)元件的部分的尺寸因此減小了。
優(yōu)選的是，電極層為各個(gè)顯示元件的共用電極(負(fù)電極或正電極)。
優(yōu)選的是，共用電極層的構(gòu)成至少包括兩種電極層，其中一層為位于顯示元件一側(cè)上的下層，另一層為位于下層上的上層；上部電極層由與下部電極層相比具有較高的氣體屏蔽性能或抗環(huán)境性能的材料形成。因此，下部電極層的損壞可被抑制。并且，具有良好發(fā)光效率的(或操作效率)的膜可被用作下部電極層。
優(yōu)選的是，下部電極層形成為覆蓋多個(gè)顯示元件的全部和至少部分存儲(chǔ)體層，但離開密封襯底的密封部分；并且上部電極(層)形成為覆蓋下部(部分)電極層的全部并到達(dá)密封襯底的密封部分的內(nèi)側(cè)。因此，下部電極層將離開氣體可能滲透的連接部分，因此有可能抑制下部電極層的損壞。并且，具有良好發(fā)光效率的膜可被用作下部電極層。
優(yōu)選的是，密封襯底包括突出的密封部分以便環(huán)繞與襯底的密封區(qū)域相對(duì)的密封襯底的外周。因此，中空的密封襯底(具有凹形橫截面)可被用于密封襯底。
優(yōu)選的是，襯底布線層的上表面形成平面，并且電極層疊加在布線層上并與布線層電連接。因此，可確定地獲得布線層和電極層的電傳導(dǎo)。
優(yōu)選的是，與密封襯底的密封部分相對(duì)的襯底的表面也形成為平面。因此，施加到襯底密封部分的應(yīng)力可均勻分布。
優(yōu)選的是，多層的薄膜代替密封襯底用于密封。因此，可獲得柔性膜形的顯示設(shè)備。
優(yōu)選的是，襯底密封區(qū)域的大小由確保連接裝置的氣體屏蔽性能或抗環(huán)境性能所必需的邊緣確定。電極層和布線層的連接區(qū)域包括在該邊緣中。因此，可確?？煽啃圆⑶绎@示設(shè)備的邊框可變窄。
優(yōu)選的是，所述連接裝置包括粘合膜，所述粘合膜的膜厚不超過20μm。并且，粘合膜的寬度至少為1mm或更多。因此，可減小與外部大氣的接觸面，能夠顯著確保外面大氣的滲透長度，從而抑制被密封元件的損壞。
優(yōu)選的是，密封襯底的外周位于襯底的外周內(nèi)側(cè)，它們之間的距離對(duì)應(yīng)于將密封襯底安裝到襯底上的邊緣。因此，密封襯底可容易地安裝到襯底上。
進(jìn)一步優(yōu)選的是，密封襯底的外周位于襯底的外周內(nèi)側(cè)，它們之間的距離至少對(duì)應(yīng)于劃分襯底的劃線邊緣。因此，可確保裝配后用于分開和切割顯示器的空間。
優(yōu)選的是，密封襯底由平面襯底構(gòu)成。因此，可更容易地進(jìn)行密封。
優(yōu)選的是，存儲(chǔ)體層不在襯底密封區(qū)域內(nèi)。因此，由于存儲(chǔ)體層遠(yuǎn)離密封區(qū)域，存儲(chǔ)體層可用具有高的水分滲透性的有機(jī)材料形成。
優(yōu)選的是，襯底為多邊形或方形襯底，并且電極層和布線層在該襯底的一側(cè)連接。因此，由于在其它側(cè)(其它三側(cè))不再需要將線路和電極層放在一起，這樣的其它側(cè)(或其它三側(cè))可較窄。這種結(jié)構(gòu)對(duì)于便攜式電話的顯示設(shè)備的情況來說是非常有效的，在這樣的顯示設(shè)備中，模塊在特定方向上可被延長，而在其它方向上被限制。
優(yōu)選的是，襯底為多邊形或方形襯底，并且電極層和布線層分別在襯底的兩側(cè)連接。對(duì)于安裝多個(gè)驅(qū)動(dòng)Ics以便減小到達(dá)電極的布線電阻和顯示大量數(shù)據(jù)的情況，這種結(jié)構(gòu)是很有效的。
優(yōu)選的是，襯底是多邊形或方形襯底，并且電極層和布線層分別在襯底的三個(gè)側(cè)部連接。這種結(jié)構(gòu)通過在這樣的三個(gè)側(cè)部連接，能夠充分地減小到達(dá)電極的布線電阻，并利用一側(cè)與外部電路連接。
優(yōu)選的是，襯底是多邊形或方形襯底，并且電極層和布線層分別在襯底的四個(gè)側(cè)部連接。當(dāng)實(shí)現(xiàn)大尺寸高精度顯示設(shè)備時(shí)，有必要盡可能地減小布線電阻，在這種情況下，這種結(jié)構(gòu)是較佳的選擇。這里，拉出布線(pullout wiring)可經(jīng)由電源布線層之下的絕緣膜形成，或者，電極層和電源布線層的連接區(qū)域可能被分成多個(gè)塊，并且拉出布線可能集中地位于彼此相關(guān)的塊之間。
優(yōu)選的是，虛擬顯示元件位于所述多個(gè)顯示元件排列區(qū)域的外周。因此，可減輕對(duì)顯示元件的實(shí)質(zhì)影響。并且，用噴墨系統(tǒng)，可使顯示元件材料的涂敷(涂敷量)均勻分布。
優(yōu)選的是，所述顯示元件是有機(jī)EL元件。下部電極層是鈣，上部電極層是鋁。
優(yōu)選的是，存儲(chǔ)體層由樹脂材料形成。由于存儲(chǔ)體層位于顯示元件之間，可防止顏色混合。
優(yōu)選的是，所述顯示設(shè)備應(yīng)用在諸如數(shù)碼相機(jī)、個(gè)人電腦、平面電視、便攜式信息終端設(shè)備，便攜式電話設(shè)備、電子書等等的電子設(shè)備中。因此，可獲得各種顯示設(shè)備，其中在所述顯示設(shè)備的外周具有最小的非顯示區(qū)域(邊框)。
根據(jù)本發(fā)明的顯示設(shè)備的制造方法包括在襯底的外周內(nèi)側(cè)建立的密封區(qū)域的一部分處形成至少一層布線層的步驟，在所述襯底上將形成電路；形成元件分隔層的布驟，所述元件分隔層包括多個(gè)槽，用于將除襯底布線層上表面外的多個(gè)顯示元件互相分隔開；在元件分隔層的多個(gè)槽中的每個(gè)槽中形成顯示元件的步驟；分別在多個(gè)顯示元件、顯示分隔層和布線層上形成共用電極層的步驟；將連接材料涂敷到襯底密封區(qū)域上的連接材料涂敷的步驟；在襯底的密封區(qū)域處用所述連接材料連接具有環(huán)形密封部分的密封襯底并密封所述襯底的密封步驟。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，可使顯示設(shè)備的邊框變窄。
優(yōu)選的是，連接材料涂敷步驟將連接材料涂敷到共用電極層和形成于襯底密封區(qū)域中的布線層的連接區(qū)域以及剩余的密封區(qū)域(除上述區(qū)域之外的區(qū)域)。因此，在襯底和密封襯底之間的密封區(qū)域可利用所需要的連接材料進(jìn)行密封。
并且，根據(jù)本發(fā)明的顯示設(shè)備的制造方法包括在襯底的外周內(nèi)側(cè)建立的密封區(qū)域的一部分處形成至少一層布線層的步驟，在所述襯底上將形成電路；形成元件分隔層的布驟，所述元件分隔層包括多個(gè)槽，用于將除襯底布線層上部(表面)外的多個(gè)顯示元件互相分隔開；在元件分隔層的多個(gè)槽中的每個(gè)槽中形成顯示元件的步驟；分別在多個(gè)顯示元件、顯示分隔層和布線層上形成共用電極層的步驟；將連接材料涂敷到襯底密封區(qū)域和共用電極層上的連接材料涂敷的步驟；在襯底的密封區(qū)域處利用連接材料將覆蓋襯底密封區(qū)域的密封襯底與共用電極層連接并密封所述襯底的密封步驟。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，可使顯示設(shè)備的邊框變窄。
再者，根據(jù)本發(fā)明的顯示設(shè)備的制造方法包括在襯底的外周內(nèi)側(cè)建立的密封區(qū)域的一部分處形成至少一層布線層的步驟，在所述襯底上將形成電路；形成元件分隔層的布驟，所述元件分隔層包括多個(gè)槽，用于將除襯底布線層上部(表面)外的多個(gè)顯示元件互相分隔開；在元件分隔層的多個(gè)槽中的每個(gè)槽中形成顯示元件的步驟；分別在多個(gè)顯示元件、顯示分隔層和布線層上形成共用電極層的步驟；在襯底上形成用于覆蓋襯底密封區(qū)域和共用電極層的多層的膜的密封步驟。
優(yōu)選的是，多層的膜包含防止水或氣體滲透的膜。
優(yōu)選的是，共用電極層形成為包括至少兩種電極層，其中一層為位于顯示元件一側(cè)的下層，另一層為位于下層上的上層；上部電極層由與下部電極層相比具有較高的氣體屏蔽性能或抗環(huán)境性能的材料形成。因此，下部電極層的損壞可被抑制。因此，可防止發(fā)光元件的損壞。
優(yōu)選的是，下部電極層形成為覆蓋多個(gè)顯示元件的全部和至少部分存儲(chǔ)體層，但離開密封襯底的密封部分；并且上部電極(層)形成為覆蓋下部電極層的全部并到達(dá)密封襯底的密封部分的內(nèi)側(cè)。因此，可防止下部電極層的損壞。


圖1是平面圖，用于解釋根據(jù)本發(fā)明的顯示設(shè)備的第一實(shí)施例。
圖2是沿圖1的截面A-B的截面圖，用于解釋根據(jù)本發(fā)明的顯示設(shè)備的第一實(shí)施例(使用密封襯底的例子)；圖3是沿圖1的截面C-D的截面圖，用于解釋根據(jù)本發(fā)明的顯示設(shè)備的第一實(shí)施例；圖4是用于說明普通顯示設(shè)備(對(duì)照例子)的邊緣結(jié)構(gòu)的說明圖，用于說明第一實(shí)施例的效果。
圖5(a)和5(b)是用于說明襯底外周的密封部分的平面性的說明圖，其中圖5(a)示出了在襯底布線層121，112，107和共用電極123之間具有非直線性的情形，而圖5(b)示出了不存在這種非直線性的情形；圖6是用于說明根據(jù)本發(fā)明的顯示設(shè)備的制造過程的過程圖；圖7是沿圖1的截面A-B的截面圖，用于解釋根據(jù)本發(fā)明的顯示設(shè)備的第二實(shí)施例(粘附密封襯底的整個(gè)表面的例子)；圖8是沿圖1的截面C-D的截面圖，用于解釋根據(jù)本發(fā)明的顯示設(shè)備的第二實(shí)施例；圖9是用于解釋根據(jù)第二實(shí)施例的顯示設(shè)備的制造過程的過程圖；圖10是沿圖1的截面A-B的截面圖，用于解釋根據(jù)本發(fā)明的顯示設(shè)備的第三實(shí)施例(使用多層的密封膜的例子)；圖11是沿圖1的截面C-D的截面圖，用于解釋根據(jù)本發(fā)明的顯示設(shè)備的第三實(shí)施例；圖12是用于說明根據(jù)第三實(shí)施例的顯示設(shè)備的制造過程的過程圖；圖13是用于說明根據(jù)本發(fā)明的顯示設(shè)備的第四實(shí)施例(使用虛擬像素的例子)的平面圖；圖14是用于說明在襯底的三個(gè)側(cè)部連接電源布線和共用電極的例子的說明圖；圖15是用于說明在襯底的一個(gè)側(cè)部連接電源布線和共用電極的例子的說明圖；圖16是用于說明在襯底的兩個(gè)側(cè)部連接電源布線和共用電極的例子的說明圖；圖17是用于說明在襯底的四個(gè)側(cè)部連接電源布線和共用電極的例子的說明圖；圖18是用于說明應(yīng)用根據(jù)本發(fā)明的顯示設(shè)備的便攜式個(gè)人電腦的例子的說明圖；圖19是用于說明應(yīng)用根據(jù)本發(fā)明的顯示設(shè)備的便攜式電話設(shè)備的例子的說明圖
圖20是用于說明應(yīng)用根據(jù)本發(fā)明的顯示設(shè)備的數(shù)碼相機(jī)的例子的說明圖；圖21是用于說明應(yīng)用根據(jù)本發(fā)明的顯示設(shè)備的電子書的例子的說明圖；具體實(shí)施方式
以下將參照

本發(fā)明的實(shí)施例。
圖1至圖3是用于說明根據(jù)本發(fā)明的顯示設(shè)備的第一實(shí)施例的說明圖。圖1示意地示出了該顯示設(shè)備的平面圖。圖2是截面圖，示意地示出了沿圖1的截面A-B的截面圖。圖3是截面圖，示意地示出了沿圖1的截面C-D的截面圖。各個(gè)圖中的相應(yīng)的部件被給予相同的標(biāo)號(hào)。并且，在圖2的中部中，顯示元件區(qū)域以簡化的方式示出。
第一實(shí)施例的顯示設(shè)備1示出了有機(jī)EL顯示設(shè)備的情形。如果進(jìn)行廣泛的分類，這種顯示設(shè)備1由以下部分構(gòu)成包括發(fā)光元件陣列的TFT襯底100；用于密封發(fā)光元件陣列的密封襯底200；用于連接TFT襯底100和密封襯底200的連接裝置301；用于驅(qū)動(dòng)TFT襯底100的掃描行的掃描行驅(qū)動(dòng)單元140；用于驅(qū)動(dòng)TFT襯底100的數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)IC401，等等。
TFT襯底100由排成陣列的多個(gè)有機(jī)EL發(fā)光元件120、用于驅(qū)動(dòng)這樣的發(fā)光元件120或者用作開關(guān)的TFT晶體管130等構(gòu)成。對(duì)于TFT襯底100，在玻璃襯底101上形成保護(hù)膜102，在保護(hù)膜上淀積硅，低濃度雜質(zhì)被注入硅中，并且在其上制作布線圖案以便形成多晶硅TFT區(qū)域103。并且，襯底100也可以為樹脂襯底。由氧化的硅形成的門絕緣膜104以CVD(化學(xué)氣相淀積)方法淀積在其上。鋁用濺射方法淀積在其上，并且在其中制作布線圖案以便形成有機(jī)EL驅(qū)動(dòng)電源布線膜105和106、有機(jī)EL負(fù)電極布線層107以及TFT130的門布線膜108。接著，利用掩模將高濃度離子注入TFT區(qū)域103的源漏極區(qū)域，并且氧化的硅被沉淀在其上以便形成第一間層絕緣膜110。接觸孔掩模被用于執(zhí)行各向異性的蝕刻以便在TFT區(qū)域103中打開接觸孔。接著，鋁被沉淀在其上并且在其上制作布線圖案以便形成源漏極電極109和連接電極112。接著，氧化的硅被沉淀在其上以便形成第二間層絕緣膜111。為了抑制諸如金屬離子和水的TFT損壞因素到達(dá)TFT，例如，使用的第二間層絕緣膜可以是包含硼、碳、氮、鋁、硅、磷、鐿、釤、鉺、釔、釓、鏑、釹等元素中的至少一種元素的絕緣膜。隨后描述的顯示元件組形成于其上。
如上所述構(gòu)成的TFT襯底100的中心區(qū)域是顯示區(qū)域，顯示元件組位于該處。發(fā)射紅色光、綠色光和藍(lán)色光的發(fā)光元件120作為顯示元件被排成矩陣，其中這三種顏色作為單個(gè)像素。各個(gè)發(fā)光元件120中的每個(gè)所發(fā)出的光通過玻璃襯底101發(fā)射到外部。而且，光還可從與TFT襯底100相對(duì)的一側(cè)提取。這里，優(yōu)選的是，在發(fā)光層上面的層由具有高光透射率的材料構(gòu)成。為了分開各個(gè)發(fā)光元件和防止色彩混合，存貯體層113形成于各個(gè)發(fā)光元件之間和顯示區(qū)域的外周處。例如，該存貯體層113可通過在有機(jī)材料膜如感光性樹脂上制作圖案來形成。
發(fā)光元件120由透明(ITO)正電極121、有機(jī)EL層/電子孔傳輸層122、負(fù)電極(共用電極)123等等構(gòu)成。負(fù)電極123具有兩層結(jié)構(gòu)，并且，例如，下層為鈣膜123a和上層為鋁膜123b。負(fù)電極123a跨各個(gè)發(fā)光元件120、在各個(gè)發(fā)光元件120之間共有的存貯體層、及在顯示區(qū)域的外周處的存貯體層113而形成，并因此確保與上層負(fù)電極123b的接觸。上層負(fù)電極123b還用作布線膜，且連接到密封部分202的下部區(qū)域中的布線膜107。如上所述，通過使與有機(jī)EL層/電子孔傳輸層122相接觸的負(fù)電極123a為鈣膜，可提高發(fā)光效率，并且，通過用上層鋁膜123b覆蓋鈣膜123a的全部，可獲得低電阻布線和氣體屏蔽(防侵蝕)。而且，也可以利用有機(jī)EL元件結(jié)構(gòu)，其中在發(fā)光層(有機(jī)EL層/電子孔傳輸層)上設(shè)置附加的電子注射層或電子傳輸層，或者可在其上附加設(shè)置這樣的電子注射層和電子傳輸層的疊層。
如上述結(jié)構(gòu)的襯底100的上表面用具有倒置凹形截面的密封襯底200來密封。該密封襯底200由如金屬、玻璃、陶瓷、塑料及其類似物質(zhì)構(gòu)成，并包括扁平的密封板201、圍繞密封板的底面外周形成的突出的密封部分202、及干燥劑(材料)203。干燥劑203吸收滲入內(nèi)側(cè)的水蒸汽或氧氣。
氮?dú)庾鳛槎栊詺怏w填充在TFT襯底100和密封襯底200之間，及兩個(gè)襯底100和200在密封部分202處經(jīng)由作為連接裝置的粘合劑301連接。盡管可從具有熱固性或紫外線凝固性的材料中適當(dāng)?shù)剡x擇粘結(jié)劑，但是，尤其選擇使用對(duì)氣體如水蒸汽具有低滲透性的那些材料。
如圖2所示，襯底100設(shè)置有用于放置密封襯底200的邊緣。而且，密封襯底200的密封部分202的寬度，即，襯底100的密封區(qū)域，被設(shè)置為適當(dāng)?shù)膶挾?大致相應(yīng)于只有粘結(jié)劑301的部分的寬度b和垂直布線的連接寬度c)以便粘結(jié)劑301防止氣體的滲透。例如，該寬度(粘結(jié)劑301的寬度d)設(shè)置為1mm或更寬，以便確保外部大氣的較長滲透長度，因此，水蒸汽和氧氣從粘結(jié)劑層的滲透將會(huì)很困難。而且，粘結(jié)劑301的膜厚為20μm或更小，以便減小粘結(jié)劑301和外部大氣的接觸面，因而氣體很難滲透。這將抑制密封在內(nèi)部的元件的損壞。
負(fù)電極膜123b以對(duì)應(yīng)于垂直連接寬度c的量設(shè)置在密封部分202下部的區(qū)域內(nèi)，并經(jīng)ITO膜113和源漏極膜112連接到襯底100的布線107。
如圖3所示，襯底100的數(shù)據(jù)線連接到襯底端部的電極121，并經(jīng)各向異性導(dǎo)電薄膜303連接到布線帶(wiring tape)402。用于驅(qū)動(dòng)各個(gè)數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器IC 401被連接在該布線帶的中部。部分負(fù)電極123還設(shè)置在襯底100下部處的密封部分202內(nèi)。
圖4示出了TFT襯底100和密封襯底200的普通連接的例子(對(duì)照例子)。在圖4中，對(duì)應(yīng)于圖2中所示元件的元件被給予相同的標(biāo)號(hào)，略去了這樣的元件的說明。
在這個(gè)例子中，用于將密封襯底200安裝在TFT襯底100上的安裝邊緣a，和用于防止氣體滲透和確保密封可靠性的粘結(jié)劑301的邊緣d，被確保位于負(fù)電極123和襯底布線107的連接區(qū)域c的外側(cè)。從TFT襯底100到連接區(qū)域c的距離為安裝邊緣a+粘結(jié)劑301的邊緣d+連接區(qū)域c。采用這種結(jié)構(gòu)，在顯示設(shè)備1外周的非顯示區(qū)域的尺寸較大。
作為對(duì)照，利用圖2中所描述的第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)，負(fù)電極123或負(fù)電極123和布線107的連接區(qū)域c設(shè)置在密封部分202的下部區(qū)域(寬度d)中。從TFT襯底100的端部到連接區(qū)域的距離為安裝邊緣a+粘結(jié)劑301的邊緣d。粘結(jié)劑301的邊緣d大致為b+c，并且，非顯示區(qū)域的尺寸將減小對(duì)應(yīng)于布線連接部分的邊緣c的量。
而且，利用第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)，如圖5(a)所示，密封部分202的下部區(qū)域形成幾乎是平的，或其不平度不變。在圖5(a)和圖5(b)中，對(duì)應(yīng)于圖2所示元件的元件標(biāo)以相同的標(biāo)號(hào)，省略對(duì)這些元件的說明。
在圖5(a)和圖5(b)中，x表示電源布線107和共用電極膜123的連接寬度，y表示在電源布線107和共用電極膜123之間的偏移量，及z表示在上述連接區(qū)域外周的密封區(qū)域下的密封邊緣。
如這些圖所示，在密封部分202的下部區(qū)域處的TFT襯底100的電源布線107形成為相對(duì)較寬和較平。如圖1所示，電源布線107設(shè)置在襯底100的外周，以便不與其它布線相交叉。因此，盡可能地避免了由布線的交叉而引起的不平度，并且電源布線107形成為平的。鋁膜112和ITO膜121在其上形成為平的，并且共用電極膜123的鋁進(jìn)一步沉淀在這些導(dǎo)電膜的平面1上，以便實(shí)現(xiàn)與發(fā)光元件120的負(fù)電極的電連接。在該連接區(qū)域的外周側(cè)的襯底100的頂表面(絕緣膜111)m也形成為平面。
優(yōu)選的是，如圖5(a)所示，在電源布線107和共用電極膜123之間的偏移量y為0。因此，電源布線107的寬度和共用電極123連接寬度一致，以便最小化布線電阻，結(jié)果，可避免在寬度方向上的尺寸浪費(fèi)。
如上所述，電源布線膜107和共用電極123的導(dǎo)電部分(垂直導(dǎo)電部分)x形成為平的，及其外周密封區(qū)域z也形成平的區(qū)域?？纱_定地進(jìn)行垂直導(dǎo)電，形成共用電極膜123后的膜端部分的不平度均勻地形成，垂直導(dǎo)電部分的高度在TFT襯底100側(cè)對(duì)齊，以便防止密封條件在垂直導(dǎo)電區(qū)域部分變化。而且，通過在垂直導(dǎo)電部分x的外周部分z確保平的部分z，從罐密封施加到密封部分上的應(yīng)力可變得均勻。
圖6(a)至6(d)為用于說明根據(jù)第一實(shí)施例的顯示設(shè)備1的制造過程的過程圖。
首先，如圖6(a)所示，形成TFT襯底100。換句話說，用CVD方法將氮化硅膜沉淀在玻璃襯底101上，以便形成保護(hù)膜102。用CVD方法將硅沉淀在其上。而且，低濃度雜質(zhì)注入其中，及對(duì)其進(jìn)行激光退火熱處理，以便形成多晶硅膜103。在該多晶硅膜103上制作布線圖案，以便形成TFT區(qū)域130。用CVD方法將由氧化硅形成的門絕緣膜104沉淀在其上。用濺射方法將鋁沉淀在其上，并在其上制作布線圖案，以便形成有機(jī)EL驅(qū)動(dòng)電源布線膜105和106、有機(jī)EL負(fù)電極布線層107、及TFT130的門布線膜108。下一步，使用掩模將高濃度離子注射到TFT區(qū)域103的源漏極區(qū)域中，及通過熱處理激活雜質(zhì)。而且，用CVD方法將氧化硅沉淀在其上，以便形成第一間層絕緣膜110。使用接觸孔掩模對(duì)該間層絕緣膜110進(jìn)行各向異性蝕刻，以便在TFT區(qū)域103的源漏極區(qū)域中打開接觸孔。接著，鋁沉淀在其上，并在其上制作布線圖形，以便形成源漏極109和連接電極112。
下一步，如圖6(b)所示，氧化的硅沉淀在其上，以便形成第二間層絕緣膜111。對(duì)布線膜107上的間層絕緣膜111進(jìn)行蝕刻，以便暴露鋁膜112。用濺射方法使ITO沉淀在其上，及在其上制作布線圖案，以便形成發(fā)光元件120的正電極121。而且，ITO膜121還沉淀在布線膜107的鋁膜112上，以便調(diào)節(jié)連接區(qū)域的膜厚度并防止鋁表面的氧化。
如圖6(c)所示，用旋涂法涂敷光敏有機(jī)樹脂膜，及在其上制作布線圖案，以便形成存貯體層113，其中發(fā)光元件的正電極(ITO)121暴露在槽的底部。該存儲(chǔ)體層113分開各個(gè)發(fā)光元件。下一步，用噴墨方法在正電極121上形成EL層122。EL層122由例如發(fā)光層、電子傳輸層、電子注射層、孔注射層、孔傳輸層等等構(gòu)成。例如，用真空淀積法在這些發(fā)光元件120上制作鈣123a的圖案，及通過蒸發(fā)鋁123b在其上進(jìn)一步制作布線圖案。鈣123a和鋁123b構(gòu)成發(fā)光元件120的負(fù)電極(共用電極)123。通過將負(fù)電極123制成覆蓋有下層鈣層123a和上層鋁層123b的兩層結(jié)構(gòu)，可防止?jié)駳鉂B透到鈣膜123a中(確保氣體屏蔽性能)。鋁膜123b擴(kuò)展到襯底101的外周作為共用電極123，并經(jīng)在布線連接部分(如圖2)的邊緣c處的ITO膜121和鋁膜121連接到布線膜107。
下一步，如圖6(d)所示，粘結(jié)劑或密封劑301在TFT襯底100的外周涂敷到包括布線膜107的部分，及具有倒置凹形并且在其外周側(cè)具有突出部分202的密封襯底200在惰性氣體氣氛如氮?dú)庀卤徽辰?。干燥劑設(shè)置在密封襯底200的內(nèi)側(cè)，吸收滲透到內(nèi)側(cè)的濕氣或氧氣。作為粘結(jié)劑，優(yōu)選不滲透氧氣或濕氣的絕緣材料，也可使用光凝固樹脂或熱固樹脂。例如，可使用環(huán)氧樹脂或丙烯酸酯樹脂。
上面說明了顯示設(shè)備的形成。
圖7和圖8示出了第二實(shí)施例，在這些圖中，對(duì)應(yīng)于圖2和圖3所示元件的元件被給予相同的標(biāo)號(hào)，省略對(duì)這些元件的說明。
在本實(shí)施例中，使用平面襯底作為密封襯底200。作為密封襯底200，優(yōu)選的是，使用玻璃板、鋁板、不銹鋼板、丙烯板、陶瓷板等等。使用粘結(jié)劑301來填充TFT襯底100和密封襯底200之間的全部間隙，以便連接(粘結(jié))兩個(gè)襯底。即使在這種情況，也要確保如上所述的包括負(fù)電極123和襯底布線膜107的連接區(qū)域的用于保證可靠密封的邊緣的必要寬度b+c，存貯體層113位于負(fù)電極123和襯底布線膜107的連接區(qū)域的內(nèi)側(cè)。因此，可使邊框?qū)挾茸冋?，并由于遠(yuǎn)離粘合劑301設(shè)置樹脂膜113，從而防止了氣體滲透到存貯體層113中，所述樹脂膜113具有相對(duì)高的濕氣滲透性。
圖9(a)至9(d)為說明根據(jù)第二實(shí)施例的顯示設(shè)備1的制造過程的過程圖。在這些圖中，對(duì)應(yīng)于圖6所示元件的元件賦以相同的標(biāo)號(hào)，并省略對(duì)這些元件的說明。
在該顯示設(shè)備中，圖9(a)至9(c)的過程與圖6(a)至6(c)的過程相同。
如圖9(c)所示，當(dāng)形成TFT襯底100后，用旋涂方法、噴墨方法或轉(zhuǎn)錄輥(transcription roller)將粘結(jié)劑301涂在TFT襯底100的上表面上，以便達(dá)到適當(dāng)?shù)哪ず穸?。密封襯底200在與TFT襯底100對(duì)齊時(shí)被粘接在該粘結(jié)劑膜的上表面上。
而且，粘結(jié)劑301還可涂在用于與TFT襯底100粘接的密封襯底200上。而且，當(dāng)將密封襯底200和TFT襯底100對(duì)齊后，粘結(jié)劑可利用毛細(xì)管現(xiàn)象從外周的縫隙滲透到內(nèi)側(cè)。
在圖10和圖11中示出了第三實(shí)施例。在這些圖中，與圖2和圖3所示元件相對(duì)應(yīng)的元件被給予相同的標(biāo)號(hào)，省略對(duì)這些元件的說明。
在本實(shí)施例中，代替密封襯底200，形成多層的薄膜210。例如，日本專利公開No.2000-223264提出了用無機(jī)鈍化密封膜和樹脂密封膜的層疊膜作為密封膜。在TFT襯底100上形成多層的薄膜210，并覆蓋負(fù)電極123的全部。多層的薄膜可采用各種結(jié)構(gòu)，例如，有機(jī)層/無機(jī)層/有機(jī)層、或無機(jī)層/有機(jī)層/無機(jī)層等結(jié)構(gòu)。作為無機(jī)材料，例如，可使用陶瓷材料如SiO2、SiN和SiON，及作為有機(jī)樹脂材料，可使用普通的碳?xì)浠衔锎蠓肿尤缇垡蚁?、聚苯乙烯和聚丙烯。而且，還可使用氟化大分子。聚合體材料本身可被設(shè)置，或?qū)⑶绑w或單體涂在襯底上用于凝固。負(fù)電極123在襯底100的端側(cè)連接到電源布線107。即使在這種情況下，也確保如上所述的保證密封可靠性所必須的邊緣b+c的寬度，所述寬度包括負(fù)電極123和襯底布線膜107的連接區(qū)域，存貯體層113位于負(fù)電極123和襯底布線膜107的連接區(qū)域內(nèi)側(cè)。因此，邊框變窄。
圖12(a)到圖12(d)是用于說明根據(jù)第三實(shí)施例的顯示設(shè)備1的制造過程的過程圖。在這些圖中，與圖6所示元件對(duì)應(yīng)的元件被給予相同的標(biāo)號(hào)，省略對(duì)這些元件的說明。
在該顯示設(shè)備中，圖12(a)至圖12(c)的過程以與圖6(a)至圖6(c)的過程相同的方式進(jìn)行。
如圖12(c)所示，當(dāng)形成TFT襯底100后，如圖12(d)所示，使用高氣密防護(hù)膜210來覆蓋TFT襯底100，以便防止負(fù)電極123暴露在外部空氣中，并在其外周形成布線圖案，以便能夠分離襯底。保護(hù)膜210優(yōu)選為多層的薄膜。如上所述，通過層壓有機(jī)層/無機(jī)層/有機(jī)層、或無機(jī)層/有機(jī)層/無機(jī)層等而形成多層的薄膜。作為無機(jī)材料，例如，可使用陶瓷材料如SiO2、SiN和SiON，作為有機(jī)樹脂材料，可使用普通的碳?xì)浠衔锎蠓肿尤缇垡蚁?、聚苯乙烯和聚丙烯。而且，還可使用氟化大分子。聚合體材料本身可被設(shè)置，或?qū)⑶绑w或單體涂在襯底上用于凝固。
圖13示出了本發(fā)明的第四實(shí)施例。在該實(shí)施例中，示出了虛擬像素添加到前述第一到第三實(shí)施例的顯示設(shè)備的顯示區(qū)域中的例子。
滲透到顯示設(shè)備內(nèi)側(cè)的氣體將穿入膜，并影響來自外周側(cè)上顯示元件的顯示區(qū)域。這樣，通過事先提供在顯示區(qū)域的外周圖像顯示中不使用的虛擬像素，減輕了滲透氣體對(duì)屏幕顯示的影響。而且，由于在顯示區(qū)域的外周提供了虛擬像素，即使用噴墨方法涂敷發(fā)光材料時(shí)，也會(huì)使所涂的膜均勻形成。換句話說，利用噴墨方法，少量的墨(材料)滴從噴嘴釋放，當(dāng)這種釋放開始后，需要時(shí)間使釋放率穩(wěn)定。由于在虛擬像素部分穩(wěn)定了排放率，各個(gè)發(fā)光元件的涂膜可均勻一致。
而且，可以使用掩模沉淀方法來代替噴墨方法用于形成發(fā)光體。并且，噴墨方法和掩摸沉淀方法可結(jié)合使用。
圖14到圖1 7示出了本發(fā)明的其它實(shí)施例。在各個(gè)圖中，對(duì)應(yīng)于圖1所示元件的元件被給予相同的標(biāo)號(hào)，省略對(duì)這些元件的說明。
在這些實(shí)施例中，盡管TFT襯底和密封襯底放置在一起并在襯底的外周處密封，但使TFT襯底外周的一側(cè)或多側(cè)或所有側(cè)邊變窄了。
利用圖1和圖2所示的實(shí)施例，如圖14所示，電源布線107和共用電極(負(fù)電極)123在方形(多邊形)襯底100的三側(cè)(上側(cè)、左側(cè)、右側(cè))相連接，通過密封其外側(cè)區(qū)域而獲得邊框的窄化，及驅(qū)動(dòng)器IC(外部電路)在一側(cè)(下側(cè))與布線帶402相連。根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，利用三側(cè)的連接，布線電阻可減小至共用電極123，及由于一側(cè)可專用于與外部電路連接，整個(gè)顯示設(shè)備模塊的邊框可以以非常均衡的方式被窄化。
對(duì)于圖15所示的實(shí)施例，電源布線107和共用電極(負(fù)電極)123在襯底100的一側(cè)(下側(cè))處連接，在其外側(cè)區(qū)域處進(jìn)行密封。在該例子中，由于共用電極123和布線膜107僅在一側(cè)處連接，并且由于在該側(cè)的共用電極123和布線膜107之間必須保證充足的傳導(dǎo)區(qū)域(垂直傳導(dǎo)區(qū)域)，因此很難窄化邊框。然而，由于在其它三側(cè)上不再需要共用電極123的布線，這三側(cè)的邊框部分可進(jìn)行較大的窄化。對(duì)于模塊可在特定方向上延長而在其它方向上受到限制的便攜式電話的顯示設(shè)備，這種結(jié)構(gòu)是有效的。
對(duì)于圖16所示的實(shí)施例，共用電極123和布線膜107在襯底100的兩側(cè)(左側(cè)和右側(cè))處連接，分別在其外側(cè)區(qū)域處進(jìn)行密封。當(dāng)分別在互相面對(duì)的任一側(cè)(上側(cè)和下側(cè))設(shè)置布線帶402時(shí)，為了安裝外部電路，例如，當(dāng)從頂部驅(qū)動(dòng)奇數(shù)線并且從底部驅(qū)動(dòng)偶數(shù)線時(shí)這是有效的，通過安裝許多驅(qū)動(dòng)器Ics啟動(dòng)大容量(大屏幕)顯示。并且，采用這種結(jié)構(gòu)，可以獲得可與在圖14所示的在三側(cè)連接共用電極123和布線膜107的情況相比較的布線電阻的減小量。
對(duì)于圖17所示的實(shí)施例，共用電極123和布線膜107在襯底100的四側(cè)(上側(cè)、下側(cè)、左側(cè)和右側(cè))處連接，分別在其外側(cè)區(qū)域處進(jìn)行密封。接著，在用于在共用電極123和具有多層的布線膜的布線膜107之間獲得傳導(dǎo)性的布線的下部處經(jīng)由絕緣膜形成拉出布線，并且該拉出布線與外部電路連接。并且，用于連接共用電極123和布線膜107的電傳導(dǎo)區(qū)域可被分成多個(gè)塊，拉出布線可以設(shè)置在共有的塊之間。根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，可獲得實(shí)現(xiàn)大尺寸高清晰度顯示所需要的布線電阻的充分減小。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例，由于顯示設(shè)備裝配為共用電極(負(fù)電極)123和襯底布線107的連接區(qū)域(c)被包括在密封邊緣內(nèi)(b+c)，可減小顯示單元的邊框區(qū)域。
并且，由于與共用電極123和襯底布線107的連接區(qū)域(c)相比，存儲(chǔ)體層113被設(shè)置在襯底的更內(nèi)側(cè)，有可能防止氣體從襯底100和密封襯底(密封膜)200的連接部分(b+c)處直接透入存儲(chǔ)體層113。因此，即使使用樹脂(如光刻膠，其容易加工)作為存儲(chǔ)體層113時(shí)，對(duì)發(fā)光元件120的影響也將減至最小。
并且，作為將鈣電極123a布置得遠(yuǎn)離電極123a和襯底布線107的連接區(qū)域(c)的結(jié)果，可防止由于氧氣或水蒸汽滲透而引起的鈣電極123a的侵蝕。
接著，以下將描述包括根據(jù)本發(fā)明的顯示設(shè)備的電子設(shè)備。然而，本發(fā)明決不限于這些范例。
<移動(dòng)電腦>
首先，說明在移動(dòng)電腦中應(yīng)用有關(guān)前述實(shí)施例的顯示設(shè)備的例子。圖18是透視圖，示出了個(gè)人電腦的結(jié)構(gòu)。在圖18中，個(gè)人電腦1100由包括鍵盤1102的主體1104和包括前述顯示設(shè)備的顯示設(shè)備單元1106構(gòu)成。
<便攜式電話>
接著，說明在便攜式電話的顯示單元中應(yīng)用有關(guān)前述實(shí)施例的顯示設(shè)備的例子。圖19是透視圖，示出了便攜式電話的結(jié)構(gòu)。在圖19中，便攜式電話1200包括多個(gè)操作按鈕1202、聽筒1024、話筒1206和前述顯示設(shè)備1208。
<數(shù)字式照相機(jī)>
接著，說明在數(shù)字式照相機(jī)的取景器中應(yīng)用有關(guān)前述實(shí)施例的顯示設(shè)備的例子。圖20是透視圖，示出了數(shù)字式照相機(jī)的結(jié)構(gòu)，并簡要地示出了與外部設(shè)備的連接。
盡管普通相機(jī)用照相目標(biāo)的光學(xué)影像曝光膠片，數(shù)字式照相機(jī)1300通過利用CCD(電荷耦合器件)等視頻元件對(duì)照相目標(biāo)的光學(xué)影像進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換來產(chǎn)生圖像信號(hào)。前述的顯示設(shè)備1304被設(shè)置在數(shù)字式照相機(jī)1300的殼體1302的背面，構(gòu)造用于根據(jù)CCD的視頻信號(hào)進(jìn)行顯示。這樣，顯示設(shè)備1304用作取景器用于顯示照像目標(biāo)。并且，在殼體1302的觀察側(cè)設(shè)置包括光學(xué)透鏡或CCD等類似物的光接收單元。
當(dāng)攝影師確定了顯示在顯示設(shè)備1304上的照相目標(biāo)的影像并按下快門1308時(shí)，CCD的視頻信號(hào)與此同時(shí)傳輸并儲(chǔ)存在電路襯底1310的存儲(chǔ)器中。并且，該數(shù)字式照相機(jī)1300還包括位于殼體1302側(cè)表面上的視頻信號(hào)輸出終端1312和數(shù)據(jù)傳輸I/O終端1314。并且，如圖20所示，需要時(shí)，電視監(jiān)控器1430連接到視頻信號(hào)輸出終端1312上，并且個(gè)人電腦1430連接到數(shù)據(jù)傳輸I/O終端1314上。并且，根據(jù)規(guī)定的操作，結(jié)構(gòu)為存儲(chǔ)在電路襯底1308的存儲(chǔ)器中的視頻信號(hào)輸出到電視監(jiān)控器1330或個(gè)人電腦1340中。
<電子書>
圖21的透視圖示出了作為根據(jù)本發(fā)明的顯示設(shè)備的例子的電子書的結(jié)構(gòu)。在圖21中，標(biāo)號(hào)1400代表電子書。電子書1400包括書形的框架1402和蓋子1403，蓋子1403能夠打開和關(guān)閉框架1402。顯示設(shè)備1404設(shè)置在框架1402上，狀態(tài)為顯示面暴露在其表面上，并且，操作單元1405也設(shè)置在其上?？刂破?、計(jì)數(shù)器、存儲(chǔ)器等構(gòu)造在框架1402內(nèi)。在本實(shí)施例中，顯示設(shè)備1404包括像素部分，顯示元件設(shè)置到其上，顯示設(shè)備1404還包括集成外圍電路，其與像素部分一體地設(shè)置。該外圍電路包括解碼器掃描驅(qū)動(dòng)器和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器。
并且，除了圖18的個(gè)人電腦、圖19的便攜式電話、圖20的數(shù)字式照像機(jī)以及圖21的電子書之外，電子設(shè)備，例如電子紙、液晶電視、取景或監(jiān)視觀察視頻帶記錄器、汽車導(dǎo)航設(shè)備、報(bào)紙、電子筆記本、計(jì)算器、字處理器、工作站、電視電話、OS終端、包括觸摸面板的設(shè)備等等也適用。前述的顯示設(shè)備可用于上述各種電子設(shè)備的顯示單元。
根據(jù)本發(fā)明的顯示設(shè)備并不限于實(shí)施例中的有機(jī)EL顯示設(shè)備。并且，襯底也并不限于實(shí)施例的TFT襯底。除了有源襯底外，本發(fā)明也可應(yīng)用于無源襯底。
并且，盡管在實(shí)施例中粘合劑被用作連接裝置，但并不限于此。也可應(yīng)用其它的連接方法，例如用超聲波或激光進(jìn)行連接。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的顯示設(shè)備，其被優(yōu)選的原因在于，邊框的寬度，即顯示區(qū)域外圍的非顯示區(qū)域的寬度可被窄化。
權(quán)利要求
1.一種顯示設(shè)備，包括襯底，其具有由存儲(chǔ)體層分開的多個(gè)顯示元件和布線層；電極層，用于覆蓋所述多個(gè)顯示元件和所述存儲(chǔ)體層；以及密封襯底，其通過連接所述襯底的至少外周密封區(qū)域來覆蓋所述襯底；其中所述布線層在所述襯底密封區(qū)域的一部分處形成；以及所述電極層的外周部分連接到所述密封區(qū)域中的所述布線層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其特征在于，所述電極層為各個(gè)顯示元件的共用電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其特征在于，所述電極層由多個(gè)電極層構(gòu)成，其中至少一個(gè)電極層具有氣體屏蔽性能或抗環(huán)境性能。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其特征在于，所述電極層由多個(gè)電極層構(gòu)成，第一電極層覆蓋所述多個(gè)顯示元件和所述存儲(chǔ)體層的一部分，并且第二電極層覆蓋所述第一電極層和所述存儲(chǔ)體層的其余部分并且在所述襯底的密封區(qū)域連接到所述布線層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其特征在于，所述密封襯底包括突出的密封部分以便環(huán)繞與所述襯底的密封區(qū)域相對(duì)的所述密封襯底的外周。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其特征在于，所述襯底布線層的上表面形成平面，并且所述電極層疊加在布線層上并與布線層電連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其特征在于，所述襯底的所述密封區(qū)域形成平面。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其特征在于，所述襯底的布線層是形成于所述襯底外周側(cè)的電源的布線層。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其特征在于，所述襯底和所述密封襯底的連接是通過粘合膜來進(jìn)行的。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示設(shè)備，其特征在于，所述襯底密封區(qū)域的大小由確保所述粘合膜的氣體屏蔽性能或抗環(huán)境性能所必需的邊緣確定，并且所述電極層和所述布線層的連接區(qū)域包括在該邊緣中。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示設(shè)備，其特征在于，所述粘合膜的膜厚不超過20μm。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示設(shè)備，其特征在于，所述粘合膜的寬度至少保證為2mm。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其特征在于，連接所述電極層和所述布線層的區(qū)域的寬度至少保證為1mm。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其特征在于，所述密封襯底的外周邊以對(duì)應(yīng)于將所述密封襯底安裝到所述襯底上的邊緣的量位于所述襯底的外周邊內(nèi)側(cè)。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其特征在于，所述襯底為方形襯底，并且所述電極層和所述布線層在該襯底的一側(cè)處連接。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其特征在于，所述襯底為方形襯底，并且所述電極層和所述布線層分別在該襯底的兩側(cè)處連接。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其特征在于，所述襯底為方形襯底，并且所述電極層和所述布線層分別在該襯底的三側(cè)處連接。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其特征在于，所述襯底為方形襯底，并且所述電極層和所述布線層分別在該襯底的四側(cè)處連接。
19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其特征在于，所述密封襯底是由平面襯底構(gòu)成的。
20.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其特征在于，代替所述密封襯底形成用于覆蓋所述襯底的多層的薄膜。
21.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其特征在于，在所述多層的薄膜中至少一層薄膜具有氣體屏蔽性能或抗環(huán)境性能。
22.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其特征在于，所述存儲(chǔ)體層不在所述襯底的密封區(qū)域內(nèi)。
23.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其特征在于，虛擬顯示元件圍繞所述多個(gè)顯示元件排列區(qū)域的外周設(shè)置。
24.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其特征在于，所述顯示元件是有機(jī)EL元件。
25.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示設(shè)備，其特征在于，所述第一電極層是鈣，所述第二電極層是鋁。
26.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其特征在于，所述存儲(chǔ)體層由樹脂材料形成。
27.包括如權(quán)利要求1-26任一項(xiàng)所述顯示設(shè)備的電子設(shè)備。
28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的電子設(shè)備，其特征在于，所述電子設(shè)備包括數(shù)碼相機(jī)、便攜式信息終端設(shè)備和便攜式電話設(shè)備中的至少一種設(shè)備。
29.一種顯示設(shè)備的制造方法，包括在襯底的外周內(nèi)側(cè)建立的密封區(qū)域的一部分處形成至少一層布線層的步驟，在所述襯底上將形成電路；形成元件分隔層的布驟，所述元件分隔層包括多個(gè)槽，用于將除襯底布線層上表面外的多個(gè)顯示元件互相分隔開；在所述元件分隔層的多個(gè)槽中的每個(gè)槽中形成所述顯示元件的步驟；分別在所述多個(gè)顯示元件、所述顯示分隔層和所述布線層上形成共用電極層的步驟；將連接材料涂敷到所述襯底密封區(qū)域上的連接材料涂敷的步驟；和在所述襯底的密封區(qū)域處用所述連接材料連接具有環(huán)形密封部分的密封襯底并密封所述襯底的密封步驟。
30.根據(jù)權(quán)利要求29所述的制造方法，其特征在于，所述連接材料涂敷步驟將連接材料涂敷到所述共用電極層和形成于所述襯底密封區(qū)域中的所述布線層的連接區(qū)域以及除所述連接區(qū)域外的所述密封區(qū)域。
31.一種顯示設(shè)備的制造方法，包括在襯底的外周內(nèi)側(cè)建立的密封區(qū)域的一部分處形成至少一層布線層的步驟，在所述襯底上將形成電路；形成元件分隔層的布驟，所述元件分隔層包括多個(gè)槽，用于將除所述襯底的所述布線層上表面外的多個(gè)顯示元件互相分隔開；在所述元件分隔層的多個(gè)槽中的每個(gè)槽中形成所述顯示元件的步驟；分別在所述多個(gè)顯示元件、所述顯示分隔層和所述布線層上形成共用電極層的步驟；將連接材料涂敷到所述襯底密封區(qū)域和所述共用電極層上的連接材料涂敷的步驟；和利用連接材料將覆蓋所述襯底密封區(qū)域的密封襯底與所述共用電極層連接并密封所述襯底的密封步驟。
32.一種顯示設(shè)備的制造方法，包括在襯底的外周內(nèi)側(cè)建立的密封區(qū)域的一部分處形成至少一層布線層的步驟，在所述襯底上將形成電路；形成元件分隔層的布驟，所述元件分隔層包括多個(gè)槽，用于將除所述襯底的所述布線層上部外的多個(gè)顯示元件互相分隔開；在所述元件分隔層的多個(gè)槽中的每個(gè)槽中形成所述顯示元件的步驟；分別所述多個(gè)顯示元件、所述顯示分隔層；和在所述襯底上形成用于覆蓋所述襯底密封區(qū)域和所述共用電極層的多層的膜并密封所述襯底的密封步驟。
33.根據(jù)權(quán)利要求32所述的制造方法，其特征在于，所述多層的膜包含防止水或氣體滲透的膜。
34.根據(jù)權(quán)利要求29-33中任一項(xiàng)所述的顯示設(shè)備的制造方法，其特征在于，所述共用電極層形成為包括至少兩種電極層，其中一種為位于所述顯示元件一側(cè)的下層，另一種為位于下層上的上層；和所述上部電極層由與所述下部電極層相比具有較高的氣體屏蔽性能或抗環(huán)境性能的材料形成。
35.根據(jù)權(quán)利要求34所述的顯示設(shè)備的制造方法，其特征在于，所述下部電極層形成為覆蓋所述多個(gè)顯示元件的全部和至少部分所述存儲(chǔ)體層，但離開所述密封襯底的密封部分；和所述上部電極層形成為覆蓋所述下部電極層的全部并到達(dá)所述密封襯底的密封部分的內(nèi)側(cè)。
全文摘要
一種能夠窄化邊框區(qū)域的顯示設(shè)備，包括襯底(100)，其外側(cè)具有多個(gè)排列的顯示元件(120)和電源布線層(107)；存儲(chǔ)體層(113)，用于將顯示元件互相分開；電極層(123)，用于覆蓋多個(gè)顯示元件和存儲(chǔ)體層；以及密封襯底(200)，其通過利用諸如粘合劑的連接元件(301)來連接襯底的外周部分和環(huán)繞該部分的密封部分(202)來覆蓋所述電極層；其中密封襯底的外周位于襯底外周的內(nèi)側(cè)，電極層的外周部分連接到位于密封部分(b+c)之內(nèi)的電源布線(107)。因此，電極(123)和布線(107)的連接區(qū)域(c)可用作襯底和密封襯底的連接區(qū)域(b+c)，并且，在確保氣體屏蔽等所必要的連接寬度的同時(shí)，顯示設(shè)備的邊框的結(jié)構(gòu)元件部分被減小了。
文檔編號(hào)H05B33/26GK1496543SQ0380006
公開日2004年5月12日 申請(qǐng)日期2003年1月16日 優(yōu)先權(quán)日2002年1月16日
發(fā)明者小林英和, 橫山修, 松枝洋二郎, 二郎 申請(qǐng)人:精工愛普生株式會(huì)社