專利名稱：高性能遙控調(diào)光電子鎮(zhèn)流器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種日光燈用的鎮(zhèn)流器，具體涉及一種采用紅外線遙控技術(shù)對(duì)熒光燈管遙控調(diào)光的電子鎮(zhèn)流器。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的調(diào)光電子鎮(zhèn)流器普遍存在安裝麻煩，需用另接調(diào)光控制線，調(diào)節(jié)器移動(dòng)不方便等缺點(diǎn)，調(diào)光范圍有限，保護(hù)措施差，調(diào)光線性度差，光輸出不恒定，操作困難。
實(shí)用新型內(nèi)容為了克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，本實(shí)用新型提供一種高性能遙控調(diào)光電子鎮(zhèn)流器，該調(diào)光電子鎮(zhèn)流器可靠性高，調(diào)光范圍大，可遠(yuǎn)距離遙控調(diào)光，調(diào)節(jié)器安裝和操作都很方便。
本實(shí)用新型提供以下技術(shù)方案，一種高性能遙控調(diào)光電子鎮(zhèn)流器，電路主要包括EMC/EMI電磁兼容部份、整流濾波部份、保護(hù)功能部份、調(diào)光及控制集成芯片IC1部份、半橋驅(qū)動(dòng)逆變部份、高頻驅(qū)動(dòng)檢測(cè)部分，其電路還包括紅外線信號(hào)接收電路、紅外線信號(hào)處理電路以及外圍電路、外部調(diào)光取樣回路等部分組成，交流電源經(jīng)防雷擊過高壓保護(hù)電路后，由EMI/EMC電磁兼容電路連接整流濾波電路，整流濾波電路連接半橋驅(qū)動(dòng)控制逆變電路，半橋驅(qū)動(dòng)控制逆變電路的輸出連接高頻驅(qū)動(dòng)檢測(cè)電路，高頻驅(qū)動(dòng)檢測(cè)電路連接調(diào)光及控制集成芯片IC1內(nèi)部運(yùn)算放大器的反向輸入端，紅外線信號(hào)接收電路接收的紅外信號(hào)經(jīng)處理后，連接紅外線信號(hào)處理電路，紅外線信號(hào)處理電路處理后的調(diào)亮調(diào)暗信號(hào)連接外部調(diào)光取樣回路，外部調(diào)光取樣回路將調(diào)光信號(hào)輸入調(diào)光及控制集成芯片IC1的調(diào)光信號(hào)參考電壓端，經(jīng)調(diào)光及控制集成芯片IC1內(nèi)部處理后，由調(diào)光控制信號(hào)輸出端連接內(nèi)部運(yùn)算放大器的同向輸入端，經(jīng)由運(yùn)算放大器輸出信號(hào)由調(diào)光及控制集成芯片IC1的輸出控制端控制半橋驅(qū)動(dòng)控制逆變電路功率放大器Q1、Q2的導(dǎo)通電流，達(dá)到調(diào)光目的，半橋驅(qū)動(dòng)控制逆變電路連接發(fā)光燈管，整流濾波電路經(jīng)過保護(hù)電路后連接調(diào)光控制集成芯片、紅外線信號(hào)處理電路、紅外線信號(hào)接收電路的電源端。
所述紅外線信號(hào)接收電路包括一個(gè)集成芯片IC3和功率放大器Q6以及電阻R3、R37、R35和電容C11，集成芯片IC3的電源端VCC通過電阻R1連接整流濾波電路的輸出，功率放大器Q6的基極連接集成芯片IC3的信號(hào)輸出端OUT，并通過電阻R35和電阻R2連接整流濾波電路的輸出，基極還通過電容C11接地，功率放大器Q6的射極接地，功率放大器Q6的集電極電阻R37同基極電阻R35相連。
所述紅外線信號(hào)處理電路包括兩個(gè)集成芯片IC2、IC4，集成芯片IC2的信號(hào)輸入端RXIN連接紅外線信號(hào)接收電路的功率放大器Q6的集電極，集成芯片IC2的遙控開關(guān)信號(hào)輸出端CP1依次通過電阻R31、開關(guān)三極管Q5以及二極管D16，連接調(diào)光及控制集成芯片IC1的電源端18腳，電阻R31連接開關(guān)三極管Q5的基極，基極通過電容C9接地，開關(guān)三極管Q5的射極接地，開關(guān)三極管Q5的集電極連接二極管D16的負(fù)極，二極管D16的正極連接調(diào)光及控制集成芯片IC1的電源端18腳，集成芯片IC2的光線調(diào)亮信號(hào)輸出端HP1依次通過電阻R40和功率放大器Q7連接集成芯片IC4的信號(hào)輸入端PD，電阻R40連接功率放大器Q7的基極，功率放大器Q7的射極接地，集電極連接集成芯片IC4，極集成芯片IC2的光線調(diào)暗信號(hào)輸出端HP5通過電阻R32和功率放大器Q8連接集成芯片IC4的信號(hào)輸入端PU，電阻R32連接功率放大器Q8的基極，功率放大器Q8的射極接地，集電極連接集成芯片IC4，集成芯片IC4的信號(hào)輸出端依次通過電阻R25和電容C30連接調(diào)光及控制集成芯片IC1的調(diào)光信號(hào)采集參考電壓端，電阻R25和電容C30的連接點(diǎn)連接調(diào)光及控制集成芯片IC1的調(diào)光操作控制端，在電容C30的兩端并聯(lián)連接有外部調(diào)光取樣回路。
所述EMI/EMC電磁兼容部份由變壓器T2和電容C3以及電阻R6組成，電容C3并聯(lián)連接在變壓器T2的副邊，變壓器T2的原邊并聯(lián)連接有防雷擊電阻VR1和電阻R6，串聯(lián)連接有自動(dòng)保護(hù)開關(guān)F1，電磁兼容電路的輸出連接整流濾波電路的輸入，整流濾波電路包括由二極管D1、D2、D3、D4組成的全波整流橋、濾波電容C2、C3、C4、電感T2組成。
所述半橋驅(qū)動(dòng)控制電路由兩個(gè)功率放大器Q1、Q2，電阻R4、R5、R11電容C24、C25、C27、二極管D5、D9、D11以及電感T3組成，功率放大器Q1的源極連接功率放大器Q2的漏極，并連接調(diào)光及控制集成芯片IC1的輸出控制端，同時(shí)通過連接電感T3發(fā)光燈管，功率放大器Q1的柵極通過并聯(lián)連接的二極管D9和電阻R4連接調(diào)光及控制集成芯片IC1的高端MOSFET驅(qū)動(dòng)端，功率放大器Q2的柵極通過并聯(lián)連接的二極管D11和電阻R5連接調(diào)光及控制集成芯片IC1低端MOSFET驅(qū)動(dòng)端，功率放大器Q1的源極連接整流濾波電路，功率放大器Q2的源極連接源極電阻，并將源極電流經(jīng)電阻R9轉(zhuǎn)換成電壓信號(hào)后，連接調(diào)光及控制集成芯片IC1內(nèi)部運(yùn)算器的反向輸入端，功率放大器Q1源極和柵極之間并聯(lián)連接有電阻R11和二極管D5，功率放大器Q2的源極和柵極之間并聯(lián)連接有電阻R12和二極管D6。
所述保護(hù)功能部份的電路，主要由多個(gè)電阻和多個(gè)二極管D13、D17、D18、D19、D20以及可控硅Q9等元件組成，連接在整流濾波電路的輸出端和集成芯片的電源輸入端之間。
所述遙控調(diào)光電子鎮(zhèn)流器配套使用的遙控器發(fā)射部份，其電路由集成芯片IC5、電池BATTERY、晶振器Y1、遙控開關(guān)S1、S2、S3以及功率放大器QR1和發(fā)光二極管DR1等部件組成。
所述調(diào)光及控制集成芯片IC1，內(nèi)部由驅(qū)動(dòng)控制和調(diào)光信號(hào)線性處理兩部份電氣連接而成，其中驅(qū)動(dòng)控制部份由運(yùn)算放大器、壓控振蕩器、欠壓檢測(cè)、控制邏輯、驅(qū)動(dòng)邏輯、自舉電路、比較器、高低端驅(qū)動(dòng)器等組成，其調(diào)光信號(hào)處理部份由運(yùn)算放大器、驅(qū)動(dòng)控制電路等組成。
本實(shí)用新型具備以下優(yōu)點(diǎn)該鎮(zhèn)流器使用了紅外線信號(hào)接收電路、紅外線信號(hào)處理電路和遙控發(fā)射電路，能實(shí)現(xiàn)遙控功能，使用非常方便，遙控調(diào)光信號(hào)和開關(guān)信號(hào)輸入調(diào)光及控制集成芯片IC1后，由調(diào)光及控制集成芯片IC1控制電源開關(guān)和調(diào)光效果，IC1控制半橋驅(qū)動(dòng)控制電路的導(dǎo)通電流，達(dá)到調(diào)節(jié)燈管工作電流的目的，調(diào)光及控制集成芯片IC1的運(yùn)算放大器與高頻驅(qū)動(dòng)檢測(cè)電路和遙控調(diào)光電路的連接，使得調(diào)光電路和驅(qū)動(dòng)電路構(gòu)成了閉環(huán)控制，調(diào)光深度可以加大，范圍廣，跟隨性好，調(diào)光線性度高，其保護(hù)電路的優(yōu)化設(shè)計(jì)，產(chǎn)品可靠性高，可有效的延長(zhǎng)燈管的使用壽命。


圖1是本實(shí)用新型的電氣原理框圖。
圖2是本實(shí)用新型的電氣原理圖。
圖3是本實(shí)用新型遙控發(fā)射器的電氣原理圖。
具體實(shí)施方式
如圖1所示，一種高性能遙控調(diào)光電子鎮(zhèn)流器，電路主要包括EMC/EMI電磁兼容部份、整流濾波部份、保護(hù)功能部份、調(diào)光及控制集成芯片IC1部份、半橋驅(qū)動(dòng)逆變部份、高頻驅(qū)動(dòng)檢測(cè)部分，其電路還包括紅外線信號(hào)接收電路、紅外線信號(hào)處理電路以及外圍電路、外部調(diào)光取樣回路等部分組成，交流電源經(jīng)防雷擊過高壓保護(hù)電路后，由EMI/EMC電磁兼容電路連接整流濾波電路，整流濾波電路連接半橋驅(qū)動(dòng)控制逆變電路，半橋驅(qū)動(dòng)控制逆變電路的輸出連接高頻驅(qū)動(dòng)檢測(cè)電路，高頻驅(qū)動(dòng)檢測(cè)電路連接調(diào)光及控制集成芯片IC1內(nèi)部運(yùn)算放大器的反向輸入端，紅外線信號(hào)接收電路接收的紅外信號(hào)經(jīng)處理后，連接紅外線信號(hào)處理電路，紅外線信號(hào)處理電路處理后的調(diào)亮調(diào)暗信號(hào)連接外部調(diào)光取樣回路，外部調(diào)光取樣回路將調(diào)光信號(hào)輸入調(diào)光及控制集成芯片IC1的調(diào)光信號(hào)參考電壓端，經(jīng)調(diào)光及控制集成芯片IC1內(nèi)部處理后，由調(diào)光控制信號(hào)輸出端連接內(nèi)部運(yùn)算放大器的同向輸入端，經(jīng)由運(yùn)算放大器輸出信號(hào)由調(diào)光及控制集成芯片IC1的輸出控制端控制半橋驅(qū)動(dòng)控制逆變電路功率放大器Q1、Q2的導(dǎo)通電流，達(dá)到調(diào)光目的，半橋驅(qū)動(dòng)控制逆變電路連接發(fā)光燈管，整流濾波電路經(jīng)過保護(hù)電路后連接調(diào)光控制集成芯片、紅外線信號(hào)處理電路、紅外線信號(hào)接收電路的電源端。
如圖2所示，紅外線信號(hào)接收電路包括一個(gè)集成芯片IC3和功率放大器Q6以及電阻R3、R37、R35和電容C11，集成芯片IC3的電源端VCC通過電阻R1連接整流濾波電路的輸出，功率放大器Q6的基極連接集成芯片IC3的信號(hào)輸出端OUT，并通過電阻R35和電阻R2連接整流濾波電路的輸出，基極還通過電容C11接地，功率放大器Q6的射極接地，功率放大器Q6的集電極電阻R37同基極電阻R35相連。
紅外線信號(hào)處理電路包括兩個(gè)集成芯片IC2、IC4，集成芯片IC2的信號(hào)輸入端RXIN連接紅外線信號(hào)接收電路的功率放大器Q6的集電極，集成芯片IC2的遙控開關(guān)信號(hào)輸出端CP1依次通過電阻R31、開關(guān)三極管Q5以及二極管D16，連接調(diào)光及控制集成芯片IC1的電源端18腳，電阻R31連接開關(guān)三極管Q5的基極，基極通過電容C9接地，開關(guān)三極管Q5的射極接地，開關(guān)三極管Q5的集電極連接二極管D16的負(fù)極，二極管D16的正極連接調(diào)光及控制集成芯片IC1的電源端18腳，集成芯片IC2的光線調(diào)亮信號(hào)輸出端HP1依次通過電阻R40和功率放大器Q7連接集成芯片IC4的信號(hào)輸入端PD，電阻R40連接功率放大器Q7的基極，功率放大器Q7的射極接地，集電極連接集成芯片IC4，極集成芯片IC2的光線調(diào)暗信號(hào)輸出端HP5通過電阻R32和功率放大器Q8連接集成芯片IC4的信號(hào)輸入端PU，電阻R32連接功率放大器Q8的基極，功率放大器Q8的射極接地，集電極連接集成芯片IC4，集成芯片IC4的信號(hào)輸出端依次通過電阻R25和電容C30連接調(diào)光及控制集成芯片IC1的調(diào)光信號(hào)采集參考電壓端，電阻R25和電容C30的連接點(diǎn)連接調(diào)光及控制集成芯片IC1的調(diào)光操作控制端，在電容C30的兩端并聯(lián)連接有外部調(diào)光取樣回路。
EMI/EMC電磁兼容部份由變壓器T2和電容C3以及電阻R6組成，電容C3并聯(lián)連接在變壓器T2的副邊，變壓器T2的原邊并聯(lián)連接有防雷擊電阻VR1和電阻R6，串聯(lián)連接有自動(dòng)保護(hù)開關(guān)F1，電磁兼容電路的輸出連接整流濾波電路的輸入，整流濾波電路包括由二極管D1、D2、D3、D4組成的全波整流橋、濾波電容C2、C3、C4、電感T2組成。
半橋驅(qū)動(dòng)控制電路由兩個(gè)功率放大器Q1、Q2，電阻R4、R5、R11電容C24、C25、C27、二極管D5、D9、D11以及電感T3組成，功率放大器Q1的源極連接功率放大器Q2的漏極，并連接調(diào)光及控制集成芯片IC1的輸出控制端，同時(shí)通過連接電感T3發(fā)光燈管，功率放大器Q1的柵極通過并聯(lián)連接的二極管D9和電阻R4連接調(diào)光及控制集成芯片IC1的高端MOSFET驅(qū)動(dòng)端，功率放大器Q2的柵極通過并聯(lián)連接的二極管D11和電阻R5連接調(diào)光及控制集成芯片IC1低端MOSFET驅(qū)動(dòng)端，功率放大器Q1的源極連接整流濾波電路，功率放大器Q2的源極連接源極電阻，并將源極電流經(jīng)電阻R9轉(zhuǎn)換成電壓信號(hào)后，連接調(diào)光及控制集成芯片IC1內(nèi)部運(yùn)算器的反向輸入端，功率放大器Q1源極和柵極之間并聯(lián)連接有電阻R11和二極管D5，功率放大器Q2的源極和柵極之間并聯(lián)連接有電阻R12和二極管D6。
保護(hù)功能部份的電路，主要由多個(gè)電阻和多個(gè)二極管D13、D17、D18、D19、D20以及可控硅Q9等元件組成，連接在整流濾波電路的輸出端和集成芯片的電源輸入端之間。
如圖3所示，遙控調(diào)光電子鎮(zhèn)流器配套使用的遙控器發(fā)射部份，其電路由集成芯片IC5、電池BATTERY、晶振器Y1、遙控開關(guān)S1、S2、S3以及功率放大器QR1和發(fā)光二極管DR1等部件組成。
調(diào)光及控制集成芯片IC1，內(nèi)部由驅(qū)動(dòng)控制和調(diào)光信號(hào)線性處理兩部份電氣連接而成，其中驅(qū)動(dòng)控制部份由運(yùn)算放大器、壓控振蕩器、欠壓檢測(cè)、控制邏輯、驅(qū)動(dòng)邏輯、自舉電路、比較器、高低端驅(qū)動(dòng)器等組成，其調(diào)光信號(hào)處理部份由運(yùn)算放大器、驅(qū)動(dòng)控制電路等組成。
IC1 管腳功能簡(jiǎn)述如下IC1-1 Vboot(Bootstrapped Supply Voltage)內(nèi)部電路構(gòu)成自舉電路控制；IC1-2 HVG高端MOSFET驅(qū)動(dòng)；IC1-3 High Side Driver Reference高端驅(qū)動(dòng)檢測(cè)；IC1-4 驅(qū)動(dòng)控制部份電源濾波回路；IC1-5 LVG低端MOSFET驅(qū)動(dòng)；IC1-6 Half Bridge Enable驅(qū)動(dòng)控制；IC1-7 GND Ground；IC1-8 GND Ground；IC1-9 Opin-(Inverting Input of the operational amplifier)外部檢測(cè)輸入；IC1-10 調(diào)光信號(hào)控制；IC1-11 GND Ground；IC1-12 驅(qū)動(dòng)控制部份調(diào)光控制信號(hào)輸入；IC1-13 調(diào)光操作控制；IC1-14 調(diào)光信號(hào)處理部份處理后的調(diào)光信號(hào)輸出控制；
IC1-15 GND Ground；IC1-16 調(diào)光信號(hào)部份電源；IC1-17 調(diào)光信號(hào)采集參考電壓；IC1-18 驅(qū)動(dòng)控制部份電源。
以下對(duì)本實(shí)用新型的工作原理進(jìn)行解釋說明。
220V的交流電網(wǎng)電壓經(jīng)整流濾波電路后在C13兩端得到恒定的直流電源。此直流電壓，直接加于半橋驅(qū)動(dòng)的高M(jìn)OSFET的漏極，經(jīng)R1、DZ4、C10、C33穩(wěn)壓濾波后加于由IC3為中心組成的遙控接收電路。由IC1、Q1、Q2、T3、C15、為中心元件組成的半橋逆變驅(qū)動(dòng)電路，在IC1的控制下完成預(yù)熱、點(diǎn)火、正常啟動(dòng)三個(gè)狀態(tài)。
在燈管正常啟動(dòng)之后，由C25、C26、C19、C17、D7、D8、DZ1等組成的整流濾波電路提供的電源加于IC1的16腳和經(jīng)R29、D15加于IC2的16腳及IC4的8腳。
IC2用于處理從IC3接收到的遙控信號(hào)，IC4是一個(gè)非易失性數(shù)字電位器，從IC2的3腳和IC2的7腳輸出的調(diào)暗及調(diào)亮的信號(hào)，控制IC4的3和5腳的輸出。由Q3、R25和IC4為主要元件組成IC1外部調(diào)光取樣回路，所得到之信號(hào)經(jīng)IC1的13腳輸入，調(diào)整IC1內(nèi)部的VCO，從面達(dá)到調(diào)光之目的。
由IC2的9腳輸出的遙控開關(guān)信號(hào)用于控制Q5的導(dǎo)通和截止，從而控制I8腳的電壓，達(dá)到遙控開關(guān)的目的。
由Q9、DZ1、DZ2、D17、D18、D19、D20為主要元件組成的異常工作狀態(tài)保護(hù)電路，有效的解除了因無燈、過流、過壓造成的不良工作狀態(tài)。
權(quán)利要求1.一種高性能遙控調(diào)光電子鎮(zhèn)流器，電路主要包括EMC/EMI電磁兼容部份、整流濾波部份、保護(hù)功能部份、調(diào)光及控制集成芯片(IC1)部份、半橋驅(qū)動(dòng)逆變部份、高頻驅(qū)動(dòng)檢測(cè)部分，其特征在于其電路還包括紅外線信號(hào)接收電路、紅外線信號(hào)處理電路以及外圍電路、外部調(diào)光取樣回路等部分組成，交流電源經(jīng)防雷擊過高壓保護(hù)電路后，由EMI/EMC電磁兼容電路連接整流濾波電路，整流濾波電路連接半橋驅(qū)動(dòng)控制逆變電路，半橋驅(qū)動(dòng)控制逆變電路的輸出連接高頻驅(qū)動(dòng)檢測(cè)電路，高頻驅(qū)動(dòng)檢測(cè)電路連接調(diào)光及控制集成芯片(IC1)內(nèi)部運(yùn)算放大器的反向輸入端，紅外線信號(hào)接收電路接收的紅外信號(hào)經(jīng)處理后，連接紅外線信號(hào)處理電路，紅外線信號(hào)處理電路處理后的調(diào)亮調(diào)暗信號(hào)連接外部調(diào)光取樣回路，外部調(diào)光取樣回路將調(diào)光信號(hào)輸入調(diào)光及控制集成芯片(IC1)的調(diào)光信號(hào)參考電壓端，經(jīng)調(diào)光及控制集成芯片(IC1)內(nèi)部處理后，由調(diào)光控制信號(hào)輸出端連接內(nèi)部運(yùn)算放大器的同向輸入端，經(jīng)由運(yùn)算放大器輸出信號(hào)由調(diào)光及控制集成芯片(IC1)的輸出控制端控制半橋驅(qū)動(dòng)控制逆變電路功率放大器(Q1、Q2)的導(dǎo)通電流，達(dá)到調(diào)光目的，半橋驅(qū)動(dòng)控制逆變電路連接發(fā)光燈管，整流濾波電路經(jīng)過保護(hù)電路后連接調(diào)光控制集成芯片、紅外線信號(hào)處理電路、紅外線信號(hào)接收電路的電源端。
2.如權(quán)利要求1所述的高性能遙控調(diào)光電子鎮(zhèn)流器，其特征在于所述紅外線信號(hào)接收電路包括一個(gè)集成芯片(IC3)和功率放大器(Q6)以及電阻(R3、R37、R35)和電容(C11)，集成芯片(IC3)的電源端(VCC)通過電阻(R1)連接整流濾波電路的輸出，功率放大器(Q6)的基極連接集成芯片(IC3)的信號(hào)輸出端(OUT)，并通過電阻(R35)和電阻(R2)連接整流濾波電路的輸出，基極還通過電容(C11)接地，功率放大器(Q6)的射極接地，功率放大器(Q6)的集電極電阻(R37)同基極電阻(R35)相連。
3.如權(quán)利要求1所述的高性能遙控調(diào)光電子鎮(zhèn)流器，其特征在于所述紅外線信號(hào)處理電路包括兩個(gè)集成芯片(IC2、IC4)，集成芯片(IC2)的信號(hào)輸入端(RXIN)連接紅外線信號(hào)接收電路的功率放大器(Q6)的集電極，集成芯片(IC2)的遙控開關(guān)信號(hào)輸出端(CP1)依次通過電阻(R31)、開關(guān)三極管(Q5)以及二極管(D16)，連接調(diào)光及控制集成芯片(IC1)的電源端(18腳)，電阻(R31)連接開關(guān)三極管(Q5)的基極，基極通過電容(C9)接地，開關(guān)三極管(Q5)的射極接地，開關(guān)三極管(Q5)的集電極連接二極管(D16)的負(fù)極，二極管(D16)的正極連接調(diào)光及控制集成芯片(IC1)的電源端(18腳)，集成芯片(IC2)的光線調(diào)亮信號(hào)輸出端(HP1)依次通過電阻(R40)和功率放大器(Q7)連接集成芯片(IC4)的信號(hào)輸入端(PD)，電阻(R40)連接功率放大器(Q7)的基極，功率放大器(Q7)的射極接地，集電極連接集成芯片(IC4)，極集成芯片(IC2)的光線調(diào)暗信號(hào)輸出端(HP5)通過電阻(R32)和功率放大器(Q8)連接集成芯片(IC4)的信號(hào)輸入端(PU)，電阻(R32)連接功率放大器(Q8)的基極，功率放大器(Q8)的射極接地，集電極連接集成芯片(IC4)，集成芯片(IC4)的信號(hào)輸出端依次通過電阻(R25)和電容(C30)連接調(diào)光及控制集成芯片(IC1)的調(diào)光信號(hào)采集參考電壓端，電阻(R25)和電容(C30)的連接點(diǎn)連接調(diào)光及控制集成芯片(IC1)的調(diào)光操作控制端，在電容(C30)的兩端并聯(lián)連接有外部調(diào)光取樣回路。
4.如權(quán)利要求1所述的高性能遙控調(diào)光電子鎮(zhèn)流器，其特征在于所述半橋驅(qū)動(dòng)控制電路由兩個(gè)功率放大器(Q1、Q2)，電阻(R4、R5、R11)電容(C24、C25、C27)、二極管(D5、D9、D11)以及電感(T3)組成，功率放大器(Q1)的源極連接功率放大器(Q2)的漏極，并連接調(diào)光及控制集成芯片(IC1)的輸出控制端，同時(shí)通過連接電感(T3)發(fā)光燈管，功率放大器(Q1)的柵極通過并聯(lián)連接的二極管(D9)和電阻(R4)連接調(diào)光及控制集成芯片(IC1)的高端MOSFET驅(qū)動(dòng)端，功率放大器(Q2)的柵極通過并聯(lián)連接的二極管(D11)和電阻(R5)連接調(diào)光及控制集成芯片(IC1)低端MOSFET驅(qū)動(dòng)端，功率放大器(Q1)的源極連接整流濾波電路，功率放大器(Q2)的源極連接源極電阻，并將源極電流經(jīng)電阻(R9)轉(zhuǎn)換成電壓信號(hào)后，連接調(diào)光及控制集成芯片(IC1)內(nèi)部運(yùn)算器的反向輸入端，功率放大器(Q1)源極和柵極之間并聯(lián)連接有電阻(R11)和二極管(D5)，功率放大器(Q2)的源極和柵極之間并聯(lián)連接有電阻(R12)和二極管(D6)。
5.如權(quán)利要求1所述的高性能遙控調(diào)光電子鎮(zhèn)流器，其特征在于所述EMI/EMC電磁兼容部份由變壓器(T2)和電容(C3)以及電阻(R6)組成，電容(C3)并聯(lián)連接在變壓器(T2)的副邊，變壓器(T2)的原邊并聯(lián)連接有防雷擊電阻(VR1)和電阻(R6)，串聯(lián)連接有自動(dòng)保護(hù)開關(guān)(F1)，電磁兼容電路的輸出連接整流濾波電路的輸入，整流濾波電路包括由二極管(D1、D2、D3、D4)組成的全波整流橋、濾波電容(C2、C3、C4)、電感(T2)組成。
6.如權(quán)利要求1所述的高性能遙控調(diào)光電子鎮(zhèn)流器，其特征在于所述保護(hù)功能部份的電路，主要由多個(gè)電阻和多個(gè)二極管(D13、D17、D18、D19、D20)以及可控硅(Q9)等元件組成，連接在整流濾波電路的輸出端和集成芯片的電源輸入端之間。
7.如權(quán)利要求1所述的高性能遙控調(diào)光電子鎮(zhèn)流器，其特征在于所述遙控調(diào)光電子鎮(zhèn)流器配套使用的遙控器發(fā)射部份，其電路由集成芯片(IC5)、電池(BATTERY)、晶振器(Y1)、遙控開關(guān)(S1、S2、S3)以及功率放大器(QR1)和發(fā)光二極管(DR1)等部件組成。
8.如權(quán)利要求1所述的高性能遙控調(diào)光電子鎮(zhèn)流器，其特征在于所述調(diào)光及控制集成芯片(IC1)，內(nèi)部由驅(qū)動(dòng)控制和調(diào)光信號(hào)線性處理兩部份電氣連接而成，其中驅(qū)動(dòng)控制部份由運(yùn)算放大器、壓控振蕩器、欠壓檢測(cè)、控制邏輯、驅(qū)動(dòng)邏輯、自舉電路、比較器、高低端驅(qū)動(dòng)器等組成，其調(diào)光信號(hào)處理部份由運(yùn)算放大器、驅(qū)動(dòng)控制電路等組成。
專利摘要一種高性能遙控調(diào)光電子鎮(zhèn)流器，涉及一種日光燈用的電子調(diào)光鎮(zhèn)流器，具體涉及一種采用紅外線遙控技術(shù)對(duì)熒光燈管遙控調(diào)光的電子鎮(zhèn)流器。其電路主要包括EMC/EMI電磁兼容部分、整流濾波部分、保護(hù)功能部分、調(diào)光及控制集成芯片(IC1)部分、半橋驅(qū)動(dòng)逆變部分、高頻驅(qū)動(dòng)檢測(cè)部分、紅外線信號(hào)接收電路、紅外線信號(hào)處理電路以及外圍電路、外部調(diào)光取樣回路等部分組成。該鎮(zhèn)流器使用了紅外線信號(hào)接收電路、紅外線信號(hào)處理電路和遙控發(fā)射電路，能實(shí)現(xiàn)遙控功能，使用非常方便，調(diào)光及控制集成芯片IC1的運(yùn)算放大器與高頻驅(qū)動(dòng)檢測(cè)電路和遙控調(diào)光電路的連接，使得調(diào)光電路和驅(qū)動(dòng)電路構(gòu)成了閉環(huán)控制，調(diào)光深度加大，范圍廣，跟隨性好，調(diào)光線性度高，其保護(hù)電路的優(yōu)化設(shè)計(jì)，產(chǎn)品可靠性高，有效的延長(zhǎng)了燈管的使用壽命，可廣泛應(yīng)用于日光燈鎮(zhèn)流器的調(diào)光技術(shù)。
文檔編號(hào)H05B41/392GK2636583SQ0327296
公開日2004年8月25日 申請(qǐng)日期2003年6月13日 優(yōu)先權(quán)日2003年6月13日
發(fā)明者段光磊, 唐波 申請(qǐng)人:龍?jiān)１? 孔紅霞, 段光磊, 唐波