專利名稱：電光裝置和半導(dǎo)體器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電光裝置和半導(dǎo)體器件，特別是涉及可在電光裝置或半導(dǎo)體器件中使用的含有接觸孔的連接部分的構(gòu)造。
如圖6(a)所示，該連接部分60，是在圖示橫向方向上延伸的第1布線61和在圖示縱向方向上延伸的第2布線62通過設(shè)置在其交叉部位上的接觸孔63進(jìn)行連接的部分。另外，在該連接部分的右側(cè)與第2布線62大體上平行地延伸的布線64，是用與第1布線同一層形成的相鄰布線。
圖6(b)是沿圖6(a)的A-A’線的剖面圖。如圖6(b)所示，采用在襯底65上依次疊層第1絕緣層66、第2絕緣層67，在第2絕緣層67上形成第1布線61，在第2絕緣層67上形成第3絕緣層68，使得把第1布線61覆蓋起來。然后，在第1布線61上形成貫通第3絕緣膜到達(dá)第1布線61的表面的接觸孔63，在接觸孔63內(nèi)形成第2布線62，在接觸孔63的底面上第1布線61和第2布線62進(jìn)行接觸的辦法，使這些布線61、62電連起來。
專利文獻(xiàn)1特開平7-326666號公報(bào)在現(xiàn)有的圖6(a)的構(gòu)造中，從平面上看第1布線61的端部和第2布線62的邊緣是一致的。為此，若根據(jù)由要使用的光刻技術(shù)或曝光裝置等決定的設(shè)計(jì)規(guī)則考慮，則在設(shè)用同一層構(gòu)成的圖形間的最小間隔尺寸為S的情況下，第1布線61的端部與相鄰的布線64的邊緣之間的間隔為S，第2布線62的邊緣與相鄰的布線64的邊緣之間的間隔也為S。因此，彼此平行地延伸的第2布線62的邊緣和相鄰的布線64的邊緣之間的間隔，就不可能比S更小。在液晶顯示裝置或半導(dǎo)體器件等的電子器件中，要求元件的微細(xì)化和高集成化，象上述那樣的連接部分的構(gòu)成，不能應(yīng)對這樣的要求。
例如，在內(nèi)置外圍電路的液晶顯示裝置中，在對視頻信號進(jìn)行采樣的輸入輸出布線部分中，位數(shù)越多則要平行地延伸的視頻信號線的條數(shù)就越增加，第2導(dǎo)電層和視頻信號線之間的接觸孔個(gè)數(shù)就會飛躍地增多，相應(yīng)的輸入輸出布線部分所占的面積就將增大。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的電光裝置是具有電光物質(zhì)的電光裝置，其特征在于在基板上具備第1絕緣層；在上述第1絕緣層上形成的第1導(dǎo)電層；被形成為把上述第1導(dǎo)電層覆蓋起來的第2絕緣層；在上述第2絕緣層上形成的第2導(dǎo)電層；采用含有至少貫通上述第2絕緣層的接觸孔，且上述第1導(dǎo)電層和上述第2導(dǎo)電層在上述接觸孔的側(cè)面的一部分或底面的一部分處進(jìn)行接觸的辦法，使上述第1導(dǎo)電層和上述第2導(dǎo)電層進(jìn)行電連的連接部分，至少在位于上述接觸孔的底面的正下方的區(qū)域上，設(shè)置具有對上述第1絕緣層的刻蝕的耐性的刻蝕停止層。
本發(fā)明的電光裝置，具備第1導(dǎo)電層和第2導(dǎo)電層在接觸孔的側(cè)面的一部分或底面的一部分處進(jìn)行接觸的辦法，使這些導(dǎo)電層進(jìn)行電連的連接部分。因此，倘采用該構(gòu)成，則可以把由第1導(dǎo)電層和第2導(dǎo)電層構(gòu)成的相鄰圖形配置得密，可以實(shí)現(xiàn)高集成化。但是，如果設(shè)在接觸孔形成工序中的絕緣層的刻蝕時(shí)另外的絕緣層在接觸孔的底面上露了出來，則存在著刻蝕行進(jìn)得深的可能。在該情況下，人們認(rèn)為沿著接觸孔內(nèi)壁面形成的第2導(dǎo)電層的覆蓋性變壞，成為斷線不合格、可靠性不合格等的原因。相對于此，在本發(fā)明的情況下，由于至少在位于接觸孔的地面的正下方的區(qū)域上已設(shè)置有具有對第1絕緣層的刻蝕的耐性的刻蝕停止層，故即便是假定依次對第2絕緣層、第1絕緣層進(jìn)行刻蝕，在刻蝕劑到達(dá)了刻蝕停止層的那一時(shí)刻，刻蝕就會停止，而不會再往前進(jìn)。因此，接觸孔的形狀不會變得異常地深，由于沿著其內(nèi)壁面可確實(shí)地形成第2導(dǎo)電層，故可以避免可靠性降低的問題。
作為上述刻蝕停止層的構(gòu)成材料，只要是第1絕緣層的刻蝕中的刻蝕選擇比可以取得充分大的材料，則不論導(dǎo)電膜、半導(dǎo)體膜都可以使用。例如，在有源矩陣方式的電光裝置中的掃描線等的布線，或構(gòu)成晶體管等的元件的導(dǎo)電膜或半導(dǎo)體膜之內(nèi)，只要具有可以在位于接觸孔的地面的位置上形成的膜，則理想的是使用該膜。在該情況下，不需要僅僅為了形成刻蝕停止層而設(shè)置特別的工序，故制造工序不會變得復(fù)雜起來。另外，上述導(dǎo)電膜或上述半導(dǎo)體膜，只要是可以與別的元件或布線電絕緣的膜即可，而無須是構(gòu)成元件或布線發(fā)揮電功能的膜。
此外，理想的是俯視時(shí)接觸孔的圖形向第1導(dǎo)電層的圖形的外方突出出來，在接觸孔的圖形突出出來的一側(cè)配置與第1導(dǎo)電層同一層的另外的圖形。
倘采用該構(gòu)成，則即便是第1導(dǎo)電層的設(shè)計(jì)規(guī)則不變，也可以具體地實(shí)現(xiàn)例如把第1導(dǎo)電層和第2導(dǎo)電層構(gòu)成的相鄰圖形配置得密的構(gòu)成，可以實(shí)現(xiàn)高集成化。
本發(fā)明的半導(dǎo)體器件，其特征在于在襯底上具備第1絕緣層；在上述第1絕緣層上形成的第1導(dǎo)電層；被形成為把上述第1導(dǎo)電層覆蓋起來的第2絕緣層；在上述第2絕緣層上形成的第2導(dǎo)電層；采用含有至少貫通上述第2絕緣層的接觸孔，且上述第1導(dǎo)電層和上述第2導(dǎo)電層在上述接觸孔的側(cè)面的一部分或底面的一部分處進(jìn)行接觸的辦法，使上述第1導(dǎo)電層和上述第2導(dǎo)電層進(jìn)行電連的連接部分，至少在位于上述接觸孔的底面的正下方的區(qū)域上，設(shè)置具有對上述第1絕緣層的刻蝕的耐性的刻蝕停止層。
作為刻蝕停止層，可以使用導(dǎo)電膜、半導(dǎo)體膜中的任何一者。這些導(dǎo)電膜或上述半導(dǎo)體膜，只要是可以與別的元件或布線電絕緣的膜即可，而無須是構(gòu)成元件或布線發(fā)揮電功能的膜。此外，理想的是俯視時(shí)接觸孔的圖形向第1導(dǎo)電層的圖形的外方突出出來，在接觸孔的圖形突出出來的一側(cè)配置與第1導(dǎo)電層同一層的另外的圖形。
在本發(fā)明的半導(dǎo)體器件中，也可以得到與上述本發(fā)明的電光裝置同樣的作用、效果，可以實(shí)現(xiàn)具有可以應(yīng)對高集成化同時(shí)可靠性高的連接部分的半導(dǎo)體器件。
圖2示出了本發(fā)明的實(shí)施方案2的液晶顯示裝置(電光裝置)中的布線間的連接部分，圖2(a)是連接部分的俯視圖，圖2(b)是沿圖2(a)的D-D’線的剖面圖。
圖3的俯視圖示出了用來說明同上連接部分的高集成化的效果的現(xiàn)有的連接部分的構(gòu)成。
圖4的俯視圖示出了同上液晶顯示裝置的整體構(gòu)成。
圖5是沿圖4的H-H’的剖面圖。
圖6示出了現(xiàn)有的連接部分，圖6(a)是連接部分的俯視圖，圖6(b)是沿圖6(a)的A-A’線的剖面圖。
圖7的框圖示出了本發(fā)明的連接部分的適用部位的一個(gè)例子。
具體實(shí)施例方式
實(shí)施方案1以下，參看

圖1(a)、(b)說明本發(fā)明的實(shí)施方案。
圖1(a)的俯視圖示出了本發(fā)明的實(shí)施方案的液晶顯示裝置(電光裝置)中的布線間的連接部分，圖1(b)是沿圖1(a)的C-C’線的剖面圖。本實(shí)施方案的液晶顯示裝置，是內(nèi)置外圍電路的有源矩陣方式的液晶顯示裝置，在在元件基板和相向基板之間挾持有液晶。此外，在元件基板上具有多個(gè)薄膜晶體管(以下，縮寫為TFT)，中間存在著絕緣膜地從基板開始依次形成有構(gòu)成這些TFT的硅層、第1導(dǎo)電層、第2導(dǎo)電層、象素電極等的導(dǎo)電膜。
本實(shí)施方案的連接部分1，從平面上看如圖1(a)所示，是在圖示橫向方向上延伸的第1導(dǎo)電層2和在圖示縱向方向上延伸的第2導(dǎo)電層3通過設(shè)置在其交叉部位上的接觸孔4進(jìn)行連接的連接部分。另外，在該連接部分1的右側(cè)，與第2導(dǎo)電層3大體上大體上平行地延伸的布線5，為相鄰第1導(dǎo)電層。但是，第1導(dǎo)電層2和第2導(dǎo)電層3并不完全交叉，第1導(dǎo)電層的端部僅僅在第2導(dǎo)電層3的寬度方向的一部分處與第2導(dǎo)電層3重疊。矩形形狀的接觸孔4被配置在第2導(dǎo)電層3的寬度方向的大體上的中央，并向第1導(dǎo)電層2的端部的外方的相鄰第1導(dǎo)電層5側(cè)突出出來，第1導(dǎo)電層2重疊到接觸孔4的一部分上。此外，還設(shè)置有矩形形狀的刻蝕停止層6，使得把接觸孔4的圖形圍起來。
如果設(shè)想內(nèi)置了外圍電路的有源矩陣方式的液晶顯示裝置，則在外圍電路中，就把本發(fā)明的構(gòu)成可以應(yīng)用于布線與布線之間的連接部分，或布線與元件之間的連接部分。在這里如圖1(a)所示，雖然說明的是把第2導(dǎo)電層3設(shè)為1條，僅僅把第1導(dǎo)電層2連接到第2導(dǎo)電層3上的情況的例子，但是，本發(fā)明并不限于第1導(dǎo)電層為1條的情況，在第1導(dǎo)電層為多條的情況，在上述第1導(dǎo)電層的每一條上都連接第2導(dǎo)電層的情況下也可以應(yīng)用。
剖面構(gòu)造，如圖1(b)所示，在襯底7上依次疊層基底絕緣膜8、第1絕緣膜9，在第1絕緣膜9上形成第1導(dǎo)電層2，在第1絕緣膜9上形成第2絕緣膜11，使得把第1導(dǎo)電層2覆蓋起來。并且，形成完全貫通第2絕緣膜11，不完全貫通第1絕緣膜9的接觸孔4。即，接觸孔9的底面位于第1絕緣膜9的厚度方向的途中，在接觸孔4的下方殘存有第1絕緣膜9。此外，第1導(dǎo)電層2的端部位于接觸孔4的側(cè)面的一部分上，采用沿著接觸孔4的內(nèi)壁面形成第2導(dǎo)電層3，并使第2導(dǎo)電層3和第1導(dǎo)電層2接觸的辦法，使這些導(dǎo)電層2、3進(jìn)行電連。然后，在位于基底絕緣膜8上的接觸孔4的底面的下方的位置上，形成刻蝕停止層6。該刻蝕停止層6與第1絕緣膜9之間的刻蝕選擇比高，對第1絕緣膜9的刻蝕耐性充分地高。
另外，作為具體的構(gòu)成材料的例子，作為基底絕緣膜8，第1、第2絕緣膜9、11，可以使用硅氧化膜、硅氮化膜、聚丙烯等的樹脂膜等。作為第1導(dǎo)電層2和第2導(dǎo)電層3，則可以使用Al、Ta、Ti、Cr等的金屬膜或具有導(dǎo)電性的多晶硅膜等，作為刻蝕停止層6可以使用硅等的半導(dǎo)體膜、金屬膜等的種種的膜。但是，在本實(shí)施方案的情況下，作為刻蝕停止層6，理想的是使用與構(gòu)成TFT的半導(dǎo)體層同一層構(gòu)成的硅膜。在本實(shí)施方案中，作為刻蝕停止層6使用的硅膜并不和TFT的半導(dǎo)體層一體，而是從TFT的半導(dǎo)體層孤立的另外的圖形。因此，該刻蝕停止層6，在電氣上處于懸浮的狀態(tài)，在形成上述構(gòu)成的連接部分1時(shí)，在使得把第1導(dǎo)電層2覆蓋起來的那樣地疊層上第2絕緣膜11之后，用眾所周知的光刻技術(shù)和刻蝕技術(shù)進(jìn)行第2絕緣膜11的刻蝕。在這里，第1導(dǎo)電層2的端部要在已形成的接觸孔4的側(cè)面上露出來。接著，為了把接觸孔4形成得更深以便確實(shí)地進(jìn)行與在其次的工序中形成的第2導(dǎo)電層3之間的連接，要刻蝕第1絕緣膜9的一部分。在圖1(b)中，雖然只刻蝕了第1絕緣膜9的膜厚方向的一部分，但是，即便是假設(shè)把第1絕緣膜9的膜厚方向的全部都刻蝕掉，在刻蝕劑到達(dá)刻蝕停止層6的那一時(shí)刻刻蝕也會自然停止。然后，成膜將成為第2導(dǎo)電層3的導(dǎo)電層，當(dāng)借助于進(jìn)行圖形化形成第2導(dǎo)電層3后，就將完成本實(shí)施方案的連接部分1。
另外，在作為第1絕緣膜9和第2絕緣膜11使用不同材料的情況下，可采用改變刻蝕劑的辦法，進(jìn)行上述2階段的絕緣膜刻蝕。在作為第1絕緣膜9和第2絕緣膜11使用不同材料的情況下，則無須改變刻蝕劑，用第2絕緣膜11的過刻蝕也可以刻蝕第1絕緣膜9，變成為圖1(b)那樣的狀態(tài)。此外，即便是不同材料，在兩者的刻蝕選擇比小的情況下，即便是不改變刻蝕劑，也可以充分地變成為圖1(b)那樣的狀態(tài)。在這樣的種種的情況下，本實(shí)施方案的構(gòu)成都是有效的。
在本實(shí)施方案的液晶顯示裝置中，采用作成為使接觸孔4的圖形向第1導(dǎo)電層2的端部的外側(cè)突出出來的構(gòu)成，與此同時(shí)把第2導(dǎo)電層3配置到相鄰第1導(dǎo)電層5附近的辦法，就可以把相鄰圖形配置得密，就可以實(shí)現(xiàn)高集成化。例如，即使柵極層圖形間的最小間隔尺寸與圖6(a)的情況同樣，為S，結(jié)果是第2導(dǎo)電層3與相鄰第1導(dǎo)電層5的間隔可以比圖6(a)的情況狹窄。
此外，由于在位于基底絕緣膜8上的接觸孔4的底面的下方的區(qū)域上設(shè)置有具有對第1絕緣層9的刻蝕的耐性的刻蝕停止層6，故即便是在第1絕緣層9的刻蝕時(shí)，在刻蝕劑到達(dá)了刻蝕停止層的那一時(shí)刻，刻蝕就會停止，而不會再往前進(jìn)。因此，就不會產(chǎn)生因接觸孔4變得異常地深而使得在接觸孔4的最深部分處構(gòu)成第2導(dǎo)電層3的導(dǎo)電膜的覆蓋性惡化，因第2導(dǎo)電層3斷線而使可靠性降低這樣的缺欠。就是說，由于可以沿著接觸孔4的內(nèi)壁面確實(shí)地形成第2導(dǎo)電層3，故可以避免由第2導(dǎo)電層3的斷線產(chǎn)生的可靠性降低的問題。
實(shí)施方案2以下，參看圖2(a)、(b)說明本發(fā)明的實(shí)施方案2。
圖2(a)的俯視圖示出了本實(shí)施方案的液晶顯示裝置(電光裝置)中的布線間的連接部分，圖2(b)是沿圖2(a)的D-D’線的剖面圖。另外，圖3，是用來與圖2(a)對比地說明的現(xiàn)有的連接部分的構(gòu)成的俯視圖。本實(shí)施方案也是與實(shí)施方案1同樣的，是內(nèi)置外圍電路的有源矩陣方式的液晶顯示裝置，列舉出了從基板的一側(cè)開始具有硅層、第1導(dǎo)電層、第2導(dǎo)電層、象素電極等的導(dǎo)電膜的例子進(jìn)行說明。
本實(shí)施方案的連接部分31，如圖2(a)所示，是在在圖示縱向方向上大體上平行地延伸的3條第1導(dǎo)電層32a、32b、32c之內(nèi)，使得跨越右側(cè)的第1導(dǎo)電層32a那樣地把第2導(dǎo)電層33連接到中央的第1導(dǎo)電層32b上的例子。若設(shè)想內(nèi)置外圍電路的有源矩陣方式的液晶顯示裝置，則在對視頻信號進(jìn)行采樣的輸入輸出布線部分中，第1導(dǎo)電層32a、32b、32c與供給視頻信號的視頻信號線對應(yīng)，第2導(dǎo)電層33與用于采樣的元件上所連接的布線相對應(yīng)。視頻信號線與位數(shù)對應(yīng)地增加。例如，圖7示出了把視頻信號線展開為3條的3位的情況下的框圖。視頻信號線32a、32b、32c被配置為大體上平行，并設(shè)置有已連接到每一條視頻信號線上的布線33a、33b、33c，布線33a、33b、33c通過采樣元件71a、71b、71c分別連接到源極線上。本發(fā)明，可以應(yīng)用于把視頻信號線32a、32b、32c分別與布線33a、33b、33c進(jìn)行連接的接觸部分。采樣元件71a、71b、71c例如可用TFT構(gòu)成。在這里，如圖2(a)所示，雖然是以設(shè)第1導(dǎo)電層為3條，把第2導(dǎo)電層33僅僅連接到配置在其中央的第1導(dǎo)電層32b上的情況為例進(jìn)行的說明，但是，本發(fā)明并不限于第1導(dǎo)電層為3條的情況，如上所述，對于視頻信號線(第1導(dǎo)電層)與位數(shù)對應(yīng)地增大，在其全部的視頻信號線的每一條上都連接第2導(dǎo)電層的場合，也可以應(yīng)用。
返回到圖2(a)的說明。使得從中央的第1導(dǎo)電層32b的寬度方向向兩側(cè)方突出出來那樣地形成接觸孔34，把矩形形狀的刻蝕停止層35設(shè)置為使得把接觸孔34的圖形圍起來。然后，第2導(dǎo)電層33，使得與刻蝕停止層35的圖形重疊那樣地，跨越右側(cè)的第1導(dǎo)電層32a地延伸。
參看剖面構(gòu)造，如圖2(b)所示，在襯底37上依次疊層基底絕緣膜38、第1絕緣膜39，在第1絕緣膜39上形成第1導(dǎo)電層32a、32b、32c，在第1絕緣膜39上形成第2絕緣膜40，使得把這些第1導(dǎo)電層32a、32b、32c覆蓋起來。然后，形成貫通第2絕緣膜40的接觸孔34，第1導(dǎo)電層32b位于接觸孔34的底面一部分上，沿著接觸孔34的內(nèi)壁面形成第2導(dǎo)電層33，采用使第2導(dǎo)電層33和第1導(dǎo)電層32b進(jìn)行接觸的辦法，把這些布線電連起來。并且，在位于基底絕緣膜38上的接觸孔34底面的位置上，形成刻蝕停止層35。該刻蝕停止層35，與第1絕緣膜39之間的刻蝕選擇比高，對第1絕緣膜39的刻蝕耐性充分地高。即，在本實(shí)施方案的圖2(b)中，與實(shí)施方案1的圖1(b)不同，示出的是在接觸孔34的部位處第1絕緣膜39全部被刻蝕掉的狀態(tài)。
另外，作為各層的具體的構(gòu)成材料，可以使用與在實(shí)施方案1中所例示的材料相同的材料。對于形成上述構(gòu)成的連接部分31的步驟來說，也是與實(shí)施方案1同樣的。
如該例所示，在設(shè)計(jì)跨越1條的第1導(dǎo)電層把別的第1導(dǎo)電層和第2導(dǎo)電層連接起來的連接部分的情況下，在現(xiàn)有的構(gòu)造中，則如圖3的上側(cè)所示，變成為使接觸孔44完全地位于第1導(dǎo)電層42b上那樣的配置。相對于此，如在圖3的下側(cè)所示，倘采用使要設(shè)置連接部分的第1導(dǎo)電層42e的線寬變細(xì)并在第1導(dǎo)電層42e的兩側(cè)方使接觸孔44突出出來的構(gòu)成，由于可以維持柵極層的圖形間的最小間隔尺寸的規(guī)則S不變地使兩側(cè)的第1導(dǎo)電層42d、42f向中央的第1導(dǎo)電層42e附近恰好靠近尺寸t，故與圖3上側(cè)的構(gòu)造相比可以把相鄰圖形配置得密，可以實(shí)現(xiàn)高集成化。本實(shí)施方案的連接部分31，基本上采用的是圖3的下側(cè)的構(gòu)成，因而可以得到該高集成化的效果。
與此同時(shí)，由于位于接觸孔的底面的正下方的區(qū)域上已設(shè)置有具有對第1絕緣膜39的刻蝕的耐性的刻蝕停止層35，故在對第1絕緣膜39的刻蝕時(shí)，在刻蝕劑到達(dá)了刻蝕停止層35的那一時(shí)刻，刻蝕就會停止，而不會再往前進(jìn)。因此，接觸孔34的形狀不會變得異常地深，由于沿著其內(nèi)壁面可確實(shí)地形成第2導(dǎo)電層33，故可以避免因第2導(dǎo)電層33的斷線引起的可靠性降低的問題。如上所述，如果例如把本發(fā)明應(yīng)用于內(nèi)置外圍電路的有源矩陣方式的液晶顯示裝置的、采樣視頻信號的輸入輸出布線部分，則可以得到更大的高集成化的效果。
液晶顯示裝置的整體構(gòu)成本實(shí)施方案的液晶顯示裝置100，如圖4、圖5所示，用粘接劑52把TFT陣列基板10和相向基板20粘合起來，在用該粘接劑52劃分成區(qū)的區(qū)域內(nèi)封入、保持液晶50。在粘接劑52的形成區(qū)域的內(nèi)側(cè)的區(qū)域內(nèi)形成由遮光性材料構(gòu)成的遮光膜(周邊遮斷)53。在粘接劑52的外側(cè)的區(qū)域上，沿著TFT陣列基板10的一邊形成數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路201和外部電路裝配端子202，沿著與該一邊鄰接的2邊形成掃描線驅(qū)動電路204。在TFT陣列基板10的剩下的一邊上設(shè)置用來把設(shè)置在圖象顯示區(qū)域的兩側(cè)的掃描線驅(qū)動電路204之間連接起來的多條布線205。此外，在相向基板20的拐角的至少一個(gè)地方上，配設(shè)用來在TFT陣列基板10和相向基板20之間形成電導(dǎo)通的基板間導(dǎo)通構(gòu)件206。
在上述實(shí)施方案中說明的這樣的連接部分1、31，例如在數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路201、掃描線驅(qū)動電路204等的外圍電路中使用了多個(gè)。例如，在在外圍電路中內(nèi)置DAC(數(shù)模轉(zhuǎn)換器)等的電路的情況下，在對外圍電路部分的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)進(jìn)行采樣的鎖存器的輸入輸出布線部分中，位數(shù)越多則第2導(dǎo)電層和第1導(dǎo)電層的接觸孔個(gè)數(shù)就會飛躍地增多，輸入輸出布線部分所占的面積就將增大。進(jìn)而，如抑制面積的增大，則變?yōu)闆]有配置接觸孔的余地。這一點(diǎn)，倘采用本發(fā)明，由于對每一個(gè)連接部分都如上所述那樣地實(shí)現(xiàn)高集成化的結(jié)果，作為液晶顯示裝置整體外圍電路可以小型化，故采用使顯示區(qū)域外的外圍區(qū)域變變窄的辦法，就可以得到可以實(shí)現(xiàn)窄框緣化的效果。
另外，本發(fā)明的技術(shù)范圍并不限定于上述實(shí)施方案，在不脫離本發(fā)明的要旨的范圍內(nèi)加上種種的變更是可能的。例如，在實(shí)施方案1、2中，示出了這樣的例子對于把上層一側(cè)的第2導(dǎo)電層連接到下層一側(cè)的第1導(dǎo)電層上的連接部分，把處于比第1導(dǎo)電層更往下層一側(cè)的硅層用做刻蝕停止層。在例如同一層構(gòu)成中，在把下層一側(cè)的第2導(dǎo)電層和上層一側(cè)的象素電極連接起來的連接部分的情況下，也可以不用該例子，而代之以把處于比第2導(dǎo)電層更往下層一側(cè)的第1導(dǎo)電層用做刻蝕停止層。此外，可用各種層實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的構(gòu)成。此外，以上雖然舉出的是以液晶顯示裝置為代表的電光裝置的例子，但是，本發(fā)明并不限于電光裝置，在裝載EL元件的顯示裝置等的一切電光裝置或其它的半導(dǎo)體器件中，也可以使用。
如在以上詳細(xì)地說明的那樣，倘采用本發(fā)明，則在構(gòu)成電光裝置或半導(dǎo)體器件的各種電路等中，可以把相鄰的圖形配置得密，可以實(shí)現(xiàn)高集成化，同時(shí)，由于連接部分的接觸孔的形狀不會變的異常地深，可以沿著其內(nèi)壁面確實(shí)地形成導(dǎo)電層，故可以避免可靠性降低的問題。
權(quán)利要求
1.一種電光裝置，是具有電光物質(zhì)的電光裝置，其特征在于在基板上具備第1絕緣層；在上述第1絕緣層上形成的第1導(dǎo)電層；被形成為把上述第1導(dǎo)電層覆蓋起來的第2絕緣層；在上述第2絕緣層上形成的第2導(dǎo)電層；和含有至少貫通上述第2絕緣層的接觸孔，且通過使上述第1導(dǎo)電層和上述第2導(dǎo)電層在上述接觸孔的側(cè)面的一部分或底面的一部分處進(jìn)行接觸，使上述第1導(dǎo)電層和上述第2導(dǎo)電層電連起來的連接部分，至少在位于上述接觸孔的底面的正下方的區(qū)域上，設(shè)置有具有對上述第1絕緣層的刻蝕的耐性的刻蝕停止層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電光裝置，其特征在于上述刻蝕停止層，由導(dǎo)電膜、半導(dǎo)體膜中的任何一者構(gòu)成。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電光裝置，其特征在于上述導(dǎo)電膜或上述半導(dǎo)體膜，與別的元件或布線電絕緣。
4.根據(jù)權(quán)利要求1到3中的任何一項(xiàng)所述的電光裝置，其特征在于在俯視時(shí)上述接觸孔的圖形從上述第1導(dǎo)電層的圖形向外方突出出來，在上述接觸孔的圖形突出出來的一側(cè)配置有與上述第1導(dǎo)電層同一層的另外的圖形。
5.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于在襯底上具備第1絕緣層；在上述第1絕緣層上形成的第1導(dǎo)電層；被形成為把上述第1導(dǎo)電層覆蓋起來的第2絕緣層；在上述第2絕緣層上形成的第2導(dǎo)電層；和含有至少貫通上述第2絕緣層的接觸孔，且通過使上述第1導(dǎo)電層和上述第2導(dǎo)電層在上述接觸孔的側(cè)面的一部分或底面的一部分處進(jìn)行接觸，使上述第1導(dǎo)電層和上述第2導(dǎo)電層電連起來的連接部分，至少在位于上述接觸孔的底面的正下方的區(qū)域上，設(shè)置有具有對上述第1絕緣層的刻蝕的耐性的刻蝕停止層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于上述刻蝕停止層，由導(dǎo)電膜、半導(dǎo)體膜中的任何一者構(gòu)成。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于上述導(dǎo)電膜或上述半導(dǎo)體膜，與別的元件或布線電絕緣。
8.根據(jù)權(quán)利要求5到7中的任何一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于在俯視時(shí)上述接觸孔的圖形從上述第1導(dǎo)電層的圖形向外方突出出來，在上述接觸孔的圖形突出出來的一側(cè)配置有與上述第1導(dǎo)電層同一層的另外的圖形。
全文摘要
提供具有可以避免可靠性的降低的問題，也可以應(yīng)對高集成化的構(gòu)造的連接部分的電光裝置和半導(dǎo)體器件。本發(fā)明的連接部分1在上述第1絕緣膜9上形成的第1導(dǎo)電層2，和被形成為把上述第1導(dǎo)電層2覆蓋起來的第2絕緣層11，和在上述第2絕緣層11上形成的第2導(dǎo)電層3，采用含有至少貫通上述第2絕緣層11和第1絕緣膜9的接觸孔4，且上述第1導(dǎo)電層2和上述第2導(dǎo)電層3在上述接觸孔的側(cè)面的一部分或底面的一部分處進(jìn)行接觸的辦法，使上這些布線電連起來。然后，至少在位于上述接觸孔4的底面的區(qū)域上，設(shè)置具有對上述第1絕緣層9的刻蝕的耐性的刻蝕停止層6。
文檔編號H05B33/00GK1461054SQ03136019
公開日2003年12月10日 申請日期2003年5月19日 優(yōu)先權(quán)日2002年5月22日
發(fā)明者江口司 申請人:精工愛普生株式會社