一種0.1階混合型與t型分?jǐn)?shù)階積分切換方法及電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種0. 1階分?jǐn)?shù)階積分切換方法及電路，特別涉及一種0. 1階混合型 與T型分?jǐn)?shù)階積分切換方法及電路。
【背景技術(shù)】
[0002] 實(shí)現(xiàn)0. 1階分?jǐn)?shù)階積分電路的結(jié)構(gòu)主要有混合型分?jǐn)?shù)階積分形式、T型分?jǐn)?shù)階積 分形式和T型分?jǐn)?shù)階積分形式，這三種實(shí)現(xiàn)0. 1階分?jǐn)?shù)階積分電路的結(jié)構(gòu)均有三部分電阻 和電容組成，利用上述三種結(jié)構(gòu)形式實(shí)現(xiàn)分?jǐn)?shù)階積分電路的方法和電路己有報(bào)道，但利用 不同形式的〇. 1階分?jǐn)?shù)階積分電路之間切換的方法來(lái)實(shí)現(xiàn)〇. 1階分?jǐn)?shù)階積分電路還未見(jiàn)報(bào) 道，本發(fā)明提供了一種實(shí)現(xiàn)〇. 1階混合型與T型分?jǐn)?shù)階積分切換方法及電路。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種0. 1階混合型分?jǐn)?shù)階積分與T型分?jǐn)?shù)階積分 切換方法及電路，本發(fā)明采用如下技術(shù)手段實(shí)現(xiàn)發(fā)明目的：
[0004] 1、一種0. 1階混合型與T型分?jǐn)?shù)階積分切換方法，其特征是在于：一種混合型0. 1 階分?jǐn)?shù)階積分與一種〇. 1階T型分?jǐn)?shù)階積分通過(guò)二選一模擬開(kāi)關(guān)器進(jìn)行選擇控制輸出，當(dāng) 模擬開(kāi)關(guān)器的控制信號(hào)為高電平時(shí)，選擇混合型〇. 1階分?jǐn)?shù)階積分輸出，當(dāng)模擬開(kāi)關(guān)器的 控制信號(hào)為低電平時(shí)，選擇T型分?jǐn)?shù)階積分輸出，或是，當(dāng)模擬開(kāi)關(guān)器的控制信號(hào)為低電平 時(shí)，選擇混合型〇. 1階分?jǐn)?shù)階積分輸出，當(dāng)模擬開(kāi)關(guān)器的控制信號(hào)為高電平時(shí)，選擇T型分 數(shù)階積分輸出。
[0005] 2、一種0. 1階混合型與T型分?jǐn)?shù)階積分切換電路，其特征在于：所述一種0. 1階混 合型與T型分?jǐn)?shù)階積分切換電路由0. 1階混合型分?jǐn)?shù)階積分電路和0. 1階T型分?jǐn)?shù)階積分 電路及二選一模擬開(kāi)關(guān)U0三部分組成，所述0. 1階混合型分?jǐn)?shù)階積分電路由三部分組成， 其中電阻Rhx與電容Chx并聯(lián)，形成第一部分，第一部分與電阻Rhy串聯(lián)后再與電容Chy并 聯(lián)，形成第二部分，前兩部分與電阻Rhz串聯(lián)后再與電容Chz并聯(lián)，形成第三部分，輸出引腳 HA接第一部分，輸出引腳HB接第三部分；所述0. 1階T型分?jǐn)?shù)階積分電路由三部分組成，其 中電阻RTX與電容CTx并聯(lián)，形成第一部分，電阻RTy與電容CTy串聯(lián)，形成第二部分，第二 部分與第一部分進(jìn)行并聯(lián)，電阻RTz與電容CTz并聯(lián)，形成第三部分，第三部分與前兩部分 進(jìn)行并聯(lián)，輸出引腳TA接第一部分，輸出引腳TB接第三部分；所述0. 1階混合型分?jǐn)?shù)階積 分電路的輸出引腳HB接所述二選一模擬開(kāi)關(guān)U0的SB引腳，所述0. 1階T型分?jǐn)?shù)階積分電 路的輸出引腳TB接所述二選一模擬開(kāi)關(guān)U0的SA引腳，所述二選一模擬開(kāi)關(guān)U0的輸出引腳 D作為0. 1階混合型與T型分?jǐn)?shù)階積分切換電路的輸出，二選一模擬開(kāi)關(guān)U0的控制引腳IN 作為0. 1階混合型與T型分?jǐn)?shù)階積分切換電路的控制，所述0. 1階混合型分?jǐn)?shù)階積分電路 的輸出引腳HA和所述0. 1階T型分?jǐn)?shù)階積分電路的輸出引腳TA分別作為0. 1階混合型與 T型分?jǐn)?shù)階積分切換電路的輸入引腳，所述二選一模擬開(kāi)關(guān)U0采用ADG884,所述電阻Rhx 由電位器Rhxl和電阻Rhx2、Rhx3、Rhx4、Rhx5串聯(lián)組成，所述電容Chx由電容Chxl、Chx2、 Chx3、Chx4并聯(lián)組成；所述電阻Rhy由電位器Rhyl和電阻Rhy2、Rhy3、Rhy4、Rhy5串聯(lián)組 成，所述電容〇^由電容〇171、〇172、〇173、〇174，并聯(lián)組成；所述電阻1?112由電位器1?1121和 電阻Rhz2、Rhz3、Rhz4、Rhz5串聯(lián)組成，所述電容Chz由電容Chzl、Chz2、Chz3、Chz4并聯(lián) 組成，所述電阻Rhx= 0. 6286M，所述電位器Rhxl= 3. 5K，所述電阻Rhx2 = 500K、Rhx3 = 100K、Rhx4 = 20K、Rhx5 = 5. 1K，所述電容Chx= 15. 75uF，所述電容Chxl= 10uF、Chx2 = 4. 7uF、Chx3 =luF、Chx4 = 47nF;所述電阻Rhy= 0? 3845M，所述電位器Rhyl= 3. 5K,所 述電阻Rhy2 = 200K、Rhy3 = 100K、Rhy4 = 51K、Rhy5 = 30K，所述電容Chy= 0? 1569uF， 所述電容Chyl= 100nF、Chy2 = 47nF、Chy3 = 10nF、Chy4 懸空；所述電阻Rhz= 0? 5718M， 所述電位器Rhzl= 0? 8K和所述電阻Rhz2 = 500K、Rhz3 = 51K、Rhz4 = 20K、Rhz5 = 0K， 所述電容Chz= 0? 631nF，所述電容Chzl= 0? 33nF、Chz2 = 0? 33nF、Chz3 懸空、Chz4 懸 空，所述電阻RTx= 0. 5849M，所述電位器RTxl= 4. 9K和所述電阻RTx2 = 500K、RTx3 = 51K、RTx4 = 33K、RTx5 = 10K，所述電容CTx= 0.000631uF，所述電容CTxl= 330pF、CTx2 =100pF、CTx3 = 100pF、CTx4 =lOOpF;所述電阻RTy= 2. 382M和所述電位器RTyl=IK, 所述電阻RTy2 = 2M、RTy3 = 300K、RTy4 = 51K、RTy5 = 30K，所述電容CTy= 2. 517uF，所 述電容CTyl= 2. 2uF、CTy2 = 220nF、CTy3 = 68nF、CTy4 = 33nF;所述電阻RTz= 1. 432M 和所述電位器RTzl=OK和所述電阻RTz2 = 1M、RTz3 = 430K、RTz4 = 2K、RTz5 = 0K，所 述電容CTz= 0.02509uF，所述電容CTzl= 22nF、CTz2 = 3.3nF、CTz3 懸空、CTz4 懸空。
[0006] 本發(fā)明的有益果是：采用二選一的模擬開(kāi)關(guān)，實(shí)現(xiàn)了 0. 1階混合型分?jǐn)?shù)階積分電 路和0. 1階T型分?jǐn)?shù)階積分電路的自動(dòng)切換，使0. 1階分?jǐn)?shù)階積分電路用于保密通信中時(shí)， 提高了 〇. 1階分?jǐn)?shù)階積分的復(fù)雜性，增加了破譯的難度，有利于通信的安全性。
【附圖說(shuō)明】
[0007] 圖1為本發(fā)明的混合型與T型分?jǐn)?shù)階積分切換電路內(nèi)部實(shí)際連接圖。
[0008] 圖2為本發(fā)明的混合型與T型分?jǐn)?shù)階積分切換電路0. 1階混合型積分電路實(shí)際連 接圖。
[0009] 圖3為本發(fā)明的混合型與T型分?jǐn)?shù)階積分切換電路0. 1階T型積分電路實(shí)際連接 圖。
[0010] 圖4為本發(fā)明的混合型與T型分?jǐn)?shù)階積分切換電路示意圖。
[0011] 圖5為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的電路連接結(jié)構(gòu)示意圖。
[0012] 圖6、圖7和圖8為本發(fā)明的電路實(shí)際連接圖。
【具體實(shí)施方式】
[0013] 下面結(jié)合附圖和優(yōu)選實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作更進(jìn)一步的詳細(xì)描述，參見(jiàn)圖1-圖8。
[0014] 1、一種0. 1階混合型與T型分?jǐn)?shù)階積分切換方法，其特征是在于：一種混合型0. 1 階分?jǐn)?shù)階積分與一種〇. 1階T型分?jǐn)?shù)階積分通過(guò)二選一模擬開(kāi)關(guān)器進(jìn)行選擇控制輸出，當(dāng) 模擬開(kāi)關(guān)器的控制信號(hào)為高電平時(shí)，選擇混合型〇. 1階分?jǐn)?shù)階積分輸出，當(dāng)模擬開(kāi)關(guān)器的 控制信號(hào)為低電平時(shí)，選擇T型分?jǐn)?shù)階積分輸出，或是，當(dāng)模擬開(kāi)關(guān)器的控制信號(hào)為低電平 時(shí)，選擇混合型〇. 1階分?jǐn)?shù)階積分輸出，當(dāng)模擬開(kāi)關(guān)器的控制信號(hào)為高電平時(shí)，選擇T型分 數(shù)階積分輸出。
[0015] 2、一種0. 1階混合型與T型分?jǐn)?shù)階積分切換電路，其特征在于：所述一種0. 1階混 合型與T型分?jǐn)?shù)階積分切換電路由0. 1階混合型分?jǐn)?shù)階積分電路和0. 1階T型分?jǐn)?shù)階積分 電路及二選一模擬開(kāi)關(guān)U0三部分組成，所述0. 1階混合型分?jǐn)?shù)階積分電路由三部分組成， 其中電阻Rhx與電容Chx并聯(lián)，形成第一部分，第一部分與電阻Rhy串聯(lián)后再與電容Chy并 聯(lián)，形成第二部分，前兩部分與電阻Rhz串聯(lián)后再與電容Chz并聯(lián)，形成第三部分，輸出引腳 HA接第一部分，輸出引腳HB接第三部分；所述0. 1階T型分?jǐn)?shù)階積分電路由三部分組成，其 中電阻RTX與電容CTx并聯(lián)，形成第一部分，電阻RTy與電容CTy串聯(lián)，形成第二部分，第二 部分與第一部分進(jìn)行并聯(lián)，電阻RTz與電容CTz并聯(lián)，形成第三部分，第三部分與前兩部分 進(jìn)行并聯(lián)，輸出引腳TA接第一部分，輸出引腳TB接第三部分；所述0. 1階混合型分?jǐn)?shù)階積 分電路的輸出引腳HB接所述二選一模擬開(kāi)關(guān)U0的SB引腳，所述0. 1階T型分?jǐn)?shù)階積分電 路的輸出引腳TB接所述二選一模擬開(kāi)關(guān)U0的SA引腳，所述二選一模擬開(kāi)關(guān)U0的輸出引腳 D作為0. 1階混合型與T型分?jǐn)?shù)階積分切換電路的輸出，二選一模擬開(kāi)關(guān)U0的控制引腳IN 作為0. 1階混合型與T型分?jǐn)?shù)階積分切換電路的控制，所述0. 1階混合型分?jǐn)?shù)階積分電路 的輸出引腳HA和所述0. 1階T型分?jǐn)?shù)階積分電路的輸出引腳TA分別作為0. 1階混合型與 T型分?jǐn)?shù)階積分切換電路的輸入引腳，所述二選一模擬開(kāi)關(guān)U0采用ADG884,所述電阻Rhx 由電位器Rhxl和電阻Rhx2、Rhx3、Rhx4、Rhx5串聯(lián)組成，所述電容Chx由電容Chxl、Chx2、 Chx3、Chx4并聯(lián)組成；所述電阻Rhy由電位器Rhyl和電阻Rhy2、Rhy3、Rhy4、Rhy5串聯(lián)組 成，所述電容〇^由電容〇171、〇172、〇173、〇174，并聯(lián)組成；所述電阻1?112由電位器1?1121和 電阻Rhz2、Rhz3、Rhz4、Rhz5串聯(lián)組成，所述電容Chz由電容Chzl、Chz2、Chz3、Chz4并聯(lián) 組成，所述電阻Rhx= 0. 6286M，所述電位器Rhxl= 3. 5K，所述電阻Rhx2 = 500K、Rhx3 = 100K、Rhx4 = 20K、Rhx5 = 5. 1K，所述電容Chx= 15. 75uF，所述電容Chxl= 10uF、Chx2 = 4. 7uF、Chx3 =luF、Chx4 = 47nF;所述電阻Rhy= 0? 3845M，所述電位器Rhyl= 3. 5K,所 述電阻Rhy2 = 200K、Rhy3 = 100K、Rhy4 = 51K、Rhy5 = 30K，所述電容Chy= 0? 1569uF， 所述電容Chyl= 100nF、Chy2 = 47nF、Chy3 = 10nF、Chy4 懸空；所述電阻Rhz= 0? 5718M， 所述電位器Rhzl= 0? 8K和所述電阻Rhz2 = 500K、Rhz3 = 51K、Rhz4 = 20K、Rhz5 = 0K， 所述電容Chz= 0? 631nF，所述電容Chzl= 0? 33nF、Chz2 = 0? 33nF、Chz3 懸空、Chz4 懸 空，所述電阻RTx= 0. 5849M，所述電位器RTxl= 4. 9K和所述電阻RTx2 = 500K、RTx3 = 51K、RTx4 = 33K、RTx5 = 10K，所述電容CTx= 0.000631uF，所述電容CTxl= 330pF、CTx2 =100pF、CTx3 = 100pF、CTx4 =lOOpF;所述電阻RTy= 2. 382M和所述電位器RTyl=IK, 所述電阻RTy2 = 2M、RTy3 = 300K、RTy4 = 51K、RTy5 = 30K，所述電容CTy= 2. 517uF，所 述電容CTyl= 2. 2uF