專利名稱：偏轉(zhuǎn)線圈的失聚以及幾何學(xué)失真的校正裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及偏轉(zhuǎn)線圈，特別是涉及偏轉(zhuǎn)線圈的失聚以及幾何學(xué)失真的校正裝置。
通常，如

圖1所示的那樣，偏轉(zhuǎn)線圈10設(shè)置在陰極射線管100的管頸部上，按照線圈的繞線構(gòu)造，大致分為圖2a和圖2b那樣的鞍型-鞍型偏轉(zhuǎn)線圈和圖3a和圖3b那樣的鞍型-喇叭口型。偏轉(zhuǎn)線圈起到這樣的作用使從設(shè)置在上述陰極射線管100的管頸部110內(nèi)的BGR電子槍120所發(fā)射的電子束向左右側(cè)和上下側(cè)方向偏轉(zhuǎn)，而撞擊到該陰極射線管的熒光面上的正確位置上。
圖2a和圖2b表示了現(xiàn)有的鞍型-鞍型偏轉(zhuǎn)線圈，在略呈圓錐形的線圈隔離器11的屏蔽部內(nèi)周面的上/下側(cè)設(shè)置鞍型的水平偏轉(zhuǎn)線圈12，在外周面的左/右側(cè)設(shè)置鞍型的垂直偏轉(zhuǎn)線圈13，為了補(bǔ)強(qiáng)相應(yīng)的垂直偏轉(zhuǎn)線圈13的磁場(chǎng)，在上述線圈隔離器11的屏蔽部的外周面上具有略圓筒形的鐵氧體芯14。在上述線圈隔離器11的管頸部外周緣周邊設(shè)置用于校正由上述垂直偏轉(zhuǎn)線圈13所產(chǎn)生的慧形象差的去慧形象差線圈15。
圖3a和圖3b表示了現(xiàn)有的鞍型-喇叭口型偏轉(zhuǎn)線圈，在略呈圓錐形的線圈隔離器11的屏蔽部內(nèi)周面的上/下側(cè)設(shè)置水平偏轉(zhuǎn)線圈12，在外周面上具有略圓筒形的鐵氧體芯14，在上述鐵氧體芯14的上下側(cè)繞制喇叭口型的垂直偏轉(zhuǎn)線圈16。在上述線圈隔離器11的管頸部外周緣周邊追加設(shè)置用于校正由上述垂直偏轉(zhuǎn)線圈16所產(chǎn)生的慧形象差的去慧形象差線圈15。上述垂直偏轉(zhuǎn)線圈16結(jié)構(gòu)上繞制在上述鐵氧體芯14的上部和下部上，電氣上如圖3c所示的那樣，按左上側(cè)16a-1、左下側(cè)16a-2、右上側(cè)16b-1和右下側(cè)16b-2的順序相互串聯(lián)連接。
如圖2a和圖2b所示的那樣，在鞍型-鞍型偏轉(zhuǎn)線圈中，按照上述左側(cè)垂直偏轉(zhuǎn)線圈13a和右側(cè)垂直偏轉(zhuǎn)線圈13b的相對(duì)分布和/或相對(duì)的電流量的大小，在左側(cè)和右側(cè)的磁場(chǎng)中產(chǎn)生差分，由此，在畫面上產(chǎn)生失聚和幾何學(xué)失真(以下稱為「G/D」。
與此相同，如圖3a和圖3b所示的那樣，在鞍型-喇叭口型偏轉(zhuǎn)線圈中，對(duì)于X-Y軸，按照繞制在上左和下左側(cè)的垂直偏轉(zhuǎn)線圈16a和繞制在上右和下右側(cè)的垂直偏轉(zhuǎn)線圈16b的相對(duì)分布和/或相對(duì)的電流量的大小，在左側(cè)和右側(cè)的磁場(chǎng)中產(chǎn)生差分，由此，在畫面上產(chǎn)生失聚和G/D。
上述失聚大致分為YV失聚和YHC失聚。上述YV失聚為圖4a和圖4b所示的那樣，為在畫面Y軸的上部和下部處紅色R的橫線偏離藍(lán)色B的橫線的垂直失聚。另一方面，YHC失聚如圖5所示的那樣為縱線R和縱線B交叉的水平失聚。上述G/D如圖6a和圖6c所示的那樣為畫面不正常的毀掉了的狀態(tài)，特別是，圖6a和圖6c呈現(xiàn)梯形失真。
圖7是圖2a和圖2b中的現(xiàn)有鞍型-鞍型偏轉(zhuǎn)線圈的YV失聚校正電路圖。如該圖所示的那樣，左側(cè)垂直偏轉(zhuǎn)線圈13a和右側(cè)垂直偏轉(zhuǎn)線圈13b相互電氣串聯(lián)連接，相對(duì)于該左右側(cè)的偏轉(zhuǎn)線圈13a、13b，并聯(lián)連接由兩個(gè)固定電阻21a、21b和可變電阻22所構(gòu)成的差動(dòng)形式的分流電路。
圖7那樣的現(xiàn)有YV失聚校正電路，可變調(diào)整上述可變電阻22的電阻值，通過分別在上述左側(cè)垂直偏轉(zhuǎn)線圈13a和右側(cè)垂直偏轉(zhuǎn)線圈13b中流過的相對(duì)電流量的調(diào)節(jié)來調(diào)節(jié)磁場(chǎng)，由此，把圖4a或者圖4c這樣的YV失聚按圖4b那樣調(diào)節(jié)成R線和B線相一致。
圖8是圖3a和圖3b中的現(xiàn)有鞍型-喇叭口型偏轉(zhuǎn)線圈的YV失聚校正電路圖。如該圖所示的那樣，左上側(cè)垂直偏轉(zhuǎn)線圈16a-1、左下側(cè)垂直偏轉(zhuǎn)線圈16a-2、右上側(cè)垂直偏轉(zhuǎn)線圈16b-1和右下側(cè)垂直偏轉(zhuǎn)線圈16b-2依次串聯(lián)連接。相對(duì)于繞制在上述上左-下左側(cè)的垂直偏轉(zhuǎn)線圈16a和繞制在上右-下右側(cè)的垂直偏轉(zhuǎn)線圈16b，并聯(lián)連接由兩個(gè)固定電阻21a、21b和可變電阻22所構(gòu)成的差動(dòng)形式的分流電路。
圖8中的現(xiàn)有YV失聚校正電路，與圖7的YV失聚校正電路相同，可變調(diào)整上述可變電阻22的電阻值，通過分別在上述繞制在上左和下左側(cè)的垂直偏轉(zhuǎn)線圈16a和繞制在上右和下右側(cè)的垂直偏轉(zhuǎn)線圈16b中流過的相對(duì)電流量的調(diào)節(jié)來調(diào)節(jié)磁場(chǎng)，由此，把圖4a或者圖4c這樣的YV失聚按圖4b那樣調(diào)節(jié)成R線和B線相一致。
但是，在鞍型-鞍型或鞍型-喇叭口型中，當(dāng)利用上述可變電阻22來校正YV失聚時(shí)，按照由分別流過位于左側(cè)的垂直偏轉(zhuǎn)線圈13a、16a和位于右側(cè)的垂直偏轉(zhuǎn)線圈13b、16b的電流量的相對(duì)變化所引起的左/右側(cè)磁場(chǎng)的變化，聚焦圖形當(dāng)然存在這樣的問題由于G/D圖形同時(shí)變化，即使YV失聚得到校正，還會(huì)發(fā)生新的G/D。而且，也存在這樣的問題即使不改變上述可變電阻22，由于在偏轉(zhuǎn)線圈繞制時(shí)產(chǎn)生的左側(cè)和右側(cè)垂直偏轉(zhuǎn)線圈的分布差，G/D產(chǎn)生。即，由于上述線圈的繞線不均衡和機(jī)械裝配所引起的分布差，繞制在X-Y軸的1至4象限的線圈實(shí)際上是難于形成完全的對(duì)稱磁場(chǎng)的，因此，即使通過不均衡的分布而按圖3b那樣完全校正了失聚，還會(huì)如圖5a或圖5b那樣產(chǎn)生G/D。即使按圖5b那樣完全校正了G/D，還會(huì)如圖3a和圖3c那樣在現(xiàn)有的YV失聚校正電路中存在這樣的問題不能象圖3b和圖5b那樣同時(shí)校正失聚和G/D。
作為電視機(jī)使用的現(xiàn)有的偏轉(zhuǎn)線圈，在呈現(xiàn)運(yùn)動(dòng)圖象的畫面的電視畫面的特性上，G/D不會(huì)成為大問題，因此可以利用圖7和圖8那樣的電路，優(yōu)先于G/D來調(diào)整聚焦，但是，最近，在個(gè)人計(jì)算機(jī)的監(jiān)視器上，必須顯示精密的靜止圖象，因此，要求提供能夠進(jìn)一步校正精密的聚焦特性和G/D特性的偏轉(zhuǎn)線圈。
為了解決上述現(xiàn)有技術(shù)的問題，本發(fā)明的目的是提供偏轉(zhuǎn)線圈的失聚和G/D校正裝置，能夠同時(shí)精密地校正YV失聚和G/D。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明能夠調(diào)整去慧形象差線圈的磁場(chǎng)來校正失聚，調(diào)整垂直偏轉(zhuǎn)線圈的磁場(chǎng)來校正G/D，由此，呈現(xiàn)接近于對(duì)稱磁場(chǎng)的特性。
即，如圖9所示的那樣，當(dāng)調(diào)整設(shè)置在偏轉(zhuǎn)線圈10的屏蔽部的垂直偏轉(zhuǎn)線圈的磁場(chǎng)強(qiáng)度時(shí)，由于Z軸上的偏轉(zhuǎn)距離z1較大，會(huì)對(duì)G/D特性產(chǎn)生很大的影響，由于電子束的軌道是大致拋物線函數(shù)的形態(tài)，則隨著電子束從管頸部行進(jìn)到屏蔽部，偏轉(zhuǎn)量變大，而對(duì)G/D特性產(chǎn)生很大的影響。當(dāng)調(diào)整設(shè)置在上述偏轉(zhuǎn)線圈10的管頸部的去慧形象差線圈15的磁場(chǎng)強(qiáng)度時(shí)，由該去慧形象差線圈15所產(chǎn)生的Z軸上的偏轉(zhuǎn)距離z2與由設(shè)置在上述屏蔽部的垂直偏轉(zhuǎn)線圈13、16所產(chǎn)生的偏轉(zhuǎn)距離z1相比非常小，因此幾乎不會(huì)對(duì)G/D特性產(chǎn)生影響，但是，由于上述去慧形象差線圈15處于距屏蔽部較遠(yuǎn)的距離上，并且，位于接近BGR電子槍120的位置上，因此，在電子束的特性上，由較小的磁場(chǎng)變化對(duì)聚焦特性產(chǎn)生很大的影響。
這樣，本發(fā)明的目的是提供一種偏轉(zhuǎn)線圈的失聚和G/D校正裝置，鑒于上述那樣的偏轉(zhuǎn)線圈所引起的G/D和聚焦特性的變化，調(diào)整去慧形象差線圈的磁場(chǎng)，來校正失聚，調(diào)整垂直偏轉(zhuǎn)線圈的磁場(chǎng)來校正G/D。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)線圈的失聚和G/D校正電路，包括具有管頸部和屏蔽部的圓錐形的線圈隔離器；設(shè)置在上述線圈隔離器的屏蔽部內(nèi)表面的上側(cè)和下側(cè)的上側(cè)垂直偏轉(zhuǎn)線圈和下側(cè)水平偏轉(zhuǎn)線圈；設(shè)置在上述線圈隔離器的屏蔽部外表面的左側(cè)和右側(cè)的左側(cè)垂直偏轉(zhuǎn)線圈和右側(cè)垂直偏轉(zhuǎn)線圈；用于補(bǔ)強(qiáng)上述垂直偏轉(zhuǎn)線圈的磁場(chǎng)而設(shè)置在上述線圈隔離器的屏蔽部外周面上的大致圓筒形的鐵氧體芯；去慧形象差線圈，用于通過設(shè)置在上述線圈隔離器的管頸部來與上述垂直偏轉(zhuǎn)線圈電氣連接而生成枕形磁場(chǎng)，以抵消由上述左側(cè)和右側(cè)垂直偏轉(zhuǎn)線圈產(chǎn)生的桶形磁場(chǎng)；第一失聚調(diào)整部，用于在上述去慧形象差線圈中，相對(duì)地控制在位于左側(cè)的去慧形象差線圈和位于右側(cè)的去慧形象差線圈中流過的電流量，相對(duì)地調(diào)整左側(cè)和右側(cè)的磁場(chǎng)，由此，來調(diào)整畫面上的垂直失聚；失真調(diào)整部，用于相對(duì)地控制在上述左側(cè)和右側(cè)垂直偏轉(zhuǎn)線圈中流過的電流量，來相對(duì)地調(diào)整左側(cè)和右側(cè)的磁場(chǎng)，由此，來調(diào)整畫面上的G/D。
上述去慧形象差線圈由以一對(duì)鐵片為媒介所繞制的左側(cè)的上、中和下部去慧形象差線圈和右側(cè)的上、中和下部去慧形象差線圈所構(gòu)成，二者相互電氣連接，上部、中部和下部一體形成的上述一對(duì)鐵片互相相對(duì)地設(shè)置在上述線圈隔離器的管頸部的外周緣左/右側(cè)。上述鐵片構(gòu)成為E字形鐵片。
可以追加第二失聚調(diào)整部，用于在上述去慧形象差線圈中，相對(duì)地控制在位于上側(cè)的去慧形象差線圈和位于下側(cè)的去慧形象差線圈中流過的電流量，來相對(duì)地調(diào)整上側(cè)和下側(cè)的磁場(chǎng)，由此，來調(diào)整畫面上的水平失聚。
上述第一失聚調(diào)整部相對(duì)地調(diào)整在左中側(cè)的去慧形象差線圈和右中側(cè)的去慧形象差線圈中流過的電流量，來調(diào)整左側(cè)和右側(cè)的磁場(chǎng)。
上述第二失聚調(diào)整部相對(duì)地調(diào)整在左/右側(cè)的上部去慧形象差線圈和左/右側(cè)的下部去慧形象差線圈中流過的電流量，來調(diào)整上側(cè)和下側(cè)的磁場(chǎng)。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，按照本發(fā)明的另一個(gè)偏轉(zhuǎn)線圈的失聚和G/D校正電路，包括具有管頸部和屏蔽部的圓錐形的線圈隔離器；設(shè)置在上述線圈隔離器的屏蔽部內(nèi)表面的上側(cè)和下側(cè)而用于形成上側(cè)和下側(cè)偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)的上側(cè)垂直偏轉(zhuǎn)線圈和下側(cè)水平偏轉(zhuǎn)線圈；設(shè)置在上述線圈隔離器的屏蔽部外周面上的大致圓筒形的鐵氧體芯；繞制在上述鐵氧體芯上而用于形成左側(cè)和右側(cè)的偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)的左側(cè)上/下垂直偏轉(zhuǎn)線圈和右側(cè)上/下垂直偏轉(zhuǎn)線圈；去慧形象差線圈，用于通過設(shè)置在上述線圈隔離器的管頸部來與上述垂直偏轉(zhuǎn)線圈電氣連接而生成枕形磁場(chǎng)，以抵消由上述垂直偏轉(zhuǎn)線圈產(chǎn)生的桶形磁場(chǎng)；第一失聚調(diào)整部，用于在上述去慧形象差線圈中，相對(duì)地控制在位于左側(cè)的去慧形象差線圈和位于右側(cè)的去慧形象差線圈中流過的電流量，相對(duì)地調(diào)整左側(cè)和右側(cè)的磁場(chǎng)，由此，來調(diào)整畫面上的垂直失聚；失真調(diào)整部，用于相對(duì)地控制在上述左側(cè)的上下垂直偏轉(zhuǎn)線圈和右側(cè)的上/下垂直偏轉(zhuǎn)線圈中流過的電流量，來相對(duì)地調(diào)整左側(cè)和右側(cè)的磁場(chǎng)，由此，來調(diào)整畫面上的G/D。
上述去慧形象差線圈由以一對(duì)鐵片為媒介所繞制的左側(cè)的上、中和下部去慧形象差線圈和右側(cè)的上、中和下部去慧形象差線圈所構(gòu)成，上部、中部和下部一體形成的上述一對(duì)鐵片互相相對(duì)地設(shè)置在上述線圈隔離器的管頸部的外周緣左側(cè)和右側(cè)。上述鐵片構(gòu)成為E字形鐵片。
可以追加第二失聚調(diào)整部，用于在上述去慧形象差線圈中，相對(duì)地控制在位于上側(cè)的去慧形象差線圈和位于下側(cè)的去慧形象差線圈中流過的電流量，來相對(duì)地調(diào)整上側(cè)和下側(cè)的磁場(chǎng)，由此，來調(diào)整畫面上的水平失聚。
上述第一失聚調(diào)整部相對(duì)地調(diào)整在左中側(cè)的去慧形象差線圈和右中側(cè)的去慧形象差線圈中流過的電流量，來調(diào)整左側(cè)和右側(cè)的磁場(chǎng)。
上述第二失聚調(diào)整部相對(duì)地調(diào)整在位于左側(cè)和右側(cè)的上部的去慧形象差線圈和位于左側(cè)和右側(cè)的下部去慧形象差線圈中流過的電流量，來調(diào)整上側(cè)和下側(cè)的磁場(chǎng)。
本發(fā)明的這些和其他的目的、優(yōu)點(diǎn)及特征將通過結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例的描述而得到進(jìn)一步說明。在這些附圖中圖1表示現(xiàn)有的裝在陰極射線管上的偏轉(zhuǎn)線圈的狀況的示意圖；圖2a是現(xiàn)有的鞍型-鞍型偏轉(zhuǎn)線圈的縱截面圖，圖2b是圖2a的橫截面圖；圖3a是現(xiàn)有的鞍型-喇叭口型偏轉(zhuǎn)線圈的縱截面圖，圖3b是圖3a的橫截面圖，圖3c是表示圖3a和圖3b的垂直偏轉(zhuǎn)線圈的電氣連接關(guān)系的電路圖；圖4a～c是用于說明畫面上的YV失聚圖形的示意圖；圖5表示畫面上的YHC失聚圖形的示意圖；圖6a～c是用于說明畫面上的YHC失聚圖形的示意圖；圖7現(xiàn)有的鞍型-鞍型偏轉(zhuǎn)線圈的YV失聚校正電路圖；圖8現(xiàn)有的鞍型-喇叭口型偏轉(zhuǎn)線圈的YV失聚校正電路圖；圖9用于說明偏轉(zhuǎn)線圈所產(chǎn)生的電子束軌道和偏轉(zhuǎn)量的關(guān)系的曲線圖；圖10按照本發(fā)明的實(shí)施例的鞍型-鞍型偏轉(zhuǎn)線圈的失聚和幾何學(xué)失真的校正裝置的電路圖；圖11a和b是按照本發(fā)明的去慧形象差線圈的構(gòu)成圖；圖12垂直偏轉(zhuǎn)線圈的筒形磁場(chǎng)所產(chǎn)生的畫面的圖形圖；圖13按照本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的鞍型-鞍型偏轉(zhuǎn)線圈的失聚和幾何學(xué)失真的校正裝置的電路圖。
圖10是按照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的鞍型-鞍型偏轉(zhuǎn)線圈的失聚和G/D校正裝置的電路圖。
如圖10所示的那樣，左側(cè)垂直偏轉(zhuǎn)線圈13a和右側(cè)垂直偏轉(zhuǎn)線圈13b相互電氣串聯(lián)連接，這些左側(cè)和右側(cè)垂直偏轉(zhuǎn)線圈13a、13b分別設(shè)置在線圈隔離器的屏蔽部外部表面的左側(cè)和右側(cè)上。差動(dòng)形式的分流電路部(40)相對(duì)于上述左側(cè)垂直偏轉(zhuǎn)線圈13a和右側(cè)垂直偏轉(zhuǎn)線圈13b并聯(lián)連接。上述差動(dòng)形式的分流電路部(40)這樣構(gòu)成第一固定電阻R1、第一可變電阻VR1和第二固定電阻R2依次串聯(lián)連接，把上述第一可變電阻VR1的可動(dòng)電極端與上述第一和第二垂直偏轉(zhuǎn)線圈的共同連接點(diǎn)相連接。上述差動(dòng)形式的分流電路部(40)是用于相對(duì)地控制在上述左側(cè)垂直偏轉(zhuǎn)線圈13a和右側(cè)垂直偏轉(zhuǎn)線圈13b中流過的電流量來調(diào)整畫面的G/D的G/D調(diào)整部40。
第一至第六去慧形象差線圈51～56相對(duì)于上述左側(cè)和右側(cè)垂直偏轉(zhuǎn)線圈13a、13b串聯(lián)連接。上述去慧形象差線圈51～56相互電氣串聯(lián)連接，同時(shí)，如圖11a和圖11b所示的那樣，把E字形鐵片58作為媒介而在上述線圈隔離器的管頸部外部表面的左上側(cè)、右上側(cè)、左下側(cè)、右下側(cè)、左中側(cè)和右中側(cè)設(shè)置依次電氣連接的線圈，來得到用于校正慧形象差的6極磁場(chǎng)。由于由上述垂直偏轉(zhuǎn)線圈13a、13b所產(chǎn)生的磁場(chǎng)如圖26中用箭頭表示的那樣為桶形形狀，則在上側(cè)和下側(cè)偏轉(zhuǎn)時(shí)，相對(duì)于R電子束和B電子束，遠(yuǎn)離磁場(chǎng)的G電子束的靈敏度變低，由此，如圖12所示的那樣，產(chǎn)生使G電子束從R、G電子束失聚的慧形象差。這樣，為了提供G電子束的靈敏度來與R、B電子束聚焦，而使用圖11a和圖11b所示的去慧形象差線圈51～56，來產(chǎn)生由虛線箭頭表示的枕形磁場(chǎng)，由此，來抵消上述垂直偏轉(zhuǎn)線圈13a、13b所產(chǎn)生的桶形磁場(chǎng)，而提高G電子束的靈敏度。上述去慧形象差線圈51～56最好都以相同的方向繞制，但是，也可以是，上側(cè)去慧形象差線圈51、52和下側(cè)去慧形象差線圈53、54的繞線方向是相同的，而中側(cè)去慧形象差線圈55、56的繞線方向相反。前者的繞線方法能夠起到這樣的作用當(dāng)中側(cè)去慧形象差線圈55、56的磁場(chǎng)變強(qiáng)時(shí)，抵消上側(cè)去慧形象差線圈51、52和下側(cè)去慧形象差線圈53、54的磁場(chǎng)來使之相對(duì)地弱化。例如，能夠得到這樣的效果當(dāng)強(qiáng)化左中側(cè)去慧形象差線圈55的磁場(chǎng)時(shí)，使左上側(cè)和左下側(cè)去慧形象差線圈51、53的磁場(chǎng)弱化，來相對(duì)地強(qiáng)化右上側(cè)和右下側(cè)去慧形象差線圈52、54的磁場(chǎng)。后者的繞線方法與由上述繞線方法所產(chǎn)生的磁場(chǎng)形成相反。圖11a作為參考來表示下側(cè)偏轉(zhuǎn)時(shí)的去慧形象差線圈的電流方向和磁場(chǎng)方向，圖11b表示上側(cè)偏轉(zhuǎn)時(shí)的去慧形象差線圈的電流方向和磁場(chǎng)方向。即，上側(cè)偏轉(zhuǎn)時(shí)與下側(cè)偏轉(zhuǎn)時(shí)的電流和磁場(chǎng)方向相互相反。
如圖10所示的那樣，YHC失聚調(diào)整部60相對(duì)于上述第一至第四去慧形象差線圈51～54并聯(lián)連接。該YHC失聚調(diào)整部60用于相對(duì)地控制在上述第一和第二去慧形象差線圈51、52側(cè)以及在上述第三和第四去慧形象差線圈53、54側(cè)流過的電流量，來調(diào)整畫面上的失聚，該YHC失聚調(diào)整部60由相對(duì)于上述第一至第四去慧形象差線圈51～54并聯(lián)連接的第二可變電阻VR2和第三固定電阻R3所構(gòu)成，該第三固定電阻R3連接在上述第二去慧形象差線圈52與第三去慧形象差線圈53的共同連接點(diǎn)和上述第二可變電阻VR2的可動(dòng)電極間。
YV失聚調(diào)整部70相對(duì)于上述第五和第六去慧形象差線圈55、56并聯(lián)連接。該YV失聚調(diào)整部70用于相對(duì)地控制在上述第五去慧形象差線圈55和第六去慧形象差線圈56中流過的電流量，來調(diào)整畫面上的垂直失聚，該YV失聚調(diào)整部70由相對(duì)于上述第五和第六去慧形象差線圈55、56并聯(lián)連接的第三可變電阻VR3和第四固定電阻R4所構(gòu)成，該第四固定電阻R4連接在上述第五去慧形象差線圈55與第六去慧形象差線圈56的共同連接點(diǎn)和上述第三可變電阻VR3的可動(dòng)電極間。
而且，包括相互并聯(lián)連接的上側(cè)水平偏轉(zhuǎn)線圈12a和下側(cè)水平偏轉(zhuǎn)線圈12b，包括用于相對(duì)地改變上述上側(cè)水平偏轉(zhuǎn)線圈12a和下側(cè)水平偏轉(zhuǎn)線圈12b的磁場(chǎng)的平衡線圈。
與上述本發(fā)明的實(shí)施例相對(duì)應(yīng)的各構(gòu)成部件的具體實(shí)施形態(tài)為以下這樣上述電阻R1、R2為約80～120(Ohm)，上述電阻R3為約2.0～2.4(Ohm)，上述電阻R4為約0.3～0.7(Ohm)，上述第一可變電阻VR1為約80～120(Ohm)，上述第二可變電阻VR2為約18～22(Ohm)，上述第三可變電阻VR3為約18～22(Ohm)。
伴隨這樣上述這樣各構(gòu)成部件的具體實(shí)施形態(tài)，在本發(fā)明中，在圖6a和圖6c中，當(dāng)使用于校正由上述G/D調(diào)整部40所產(chǎn)生的G/D的最大可變可能值為(a+b)/2時(shí)，則(a+b)/2=約1mm。這是現(xiàn)有的最大可變可能值的約2倍。當(dāng)使用于校正由上述YV失聚調(diào)整部70所產(chǎn)生的YV失聚的最大可變可能值為圖4a和圖4c的(c+d)/2時(shí)，(c+d)/2=約0.8mm，此時(shí)G/D的變化幾乎沒有。
下面對(duì)按照本發(fā)明的實(shí)施例的偏轉(zhuǎn)線圈的失聚和G/D校正裝置的動(dòng)作進(jìn)行說明。
首先，在右側(cè)垂直偏轉(zhuǎn)線圈13b的右側(cè)磁場(chǎng)強(qiáng)于由左側(cè)垂直偏轉(zhuǎn)線圈13a所產(chǎn)生的左側(cè)磁場(chǎng)，而象圖6a所示的那樣產(chǎn)生G/D的情況下，當(dāng)改變第一可變電阻VR1的電阻值來補(bǔ)強(qiáng)在左側(cè)垂直偏轉(zhuǎn)線圈13a中流過的電流時(shí)，左側(cè)偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)相對(duì)地被補(bǔ)強(qiáng)，由此使由上述右側(cè)垂直偏轉(zhuǎn)線圈13b所產(chǎn)生的右側(cè)磁場(chǎng)與由左側(cè)垂直偏轉(zhuǎn)線圈13a所產(chǎn)生的左側(cè)磁場(chǎng)成為相同的，而如圖6b那樣使G/D被校正。
在由左側(cè)垂直偏轉(zhuǎn)線圈13a所產(chǎn)生的左側(cè)磁場(chǎng)強(qiáng)于右側(cè)垂直偏轉(zhuǎn)線圈13b的右側(cè)磁場(chǎng)，而象圖6c所示的那樣產(chǎn)生G/D的情況下，當(dāng)改變第一可變電阻VR1的電阻值來補(bǔ)強(qiáng)在右側(cè)垂直偏轉(zhuǎn)線圈13b中流過的電流時(shí)，右側(cè)偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)相對(duì)地被補(bǔ)強(qiáng)，由此，使由上述左側(cè)垂直偏轉(zhuǎn)線圈13a所產(chǎn)生的左側(cè)磁場(chǎng)與由右側(cè)垂直偏轉(zhuǎn)線圈13b所產(chǎn)生的右側(cè)磁場(chǎng)成為相同的，而如圖6b那樣使G/D被校正。
通過利用上述那樣的第一可變電阻VR1來校正G/D，利用第二可變電阻VR2相對(duì)地改變?cè)诘谝缓偷诙セ坌蜗蟛罹€圈51、52側(cè)流過的電流量和在第三和第四去慧形象差線圈53、54側(cè)流過的電流量，由此，如圖5所示的那樣，可以校正YHC失聚。圖5是在第一和第二去慧形象差線圈51、52側(cè)流過的電流量相對(duì)地較多而使上側(cè)偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)較強(qiáng)的情況，因此，當(dāng)改變上述第二可變電阻VR2來補(bǔ)強(qiáng)在上述第三和第四去慧形象差線圈53、54側(cè)流過的電流量時(shí)，上側(cè)偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)和下側(cè)偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)的強(qiáng)度成為相同的，YHC失聚被校正。并且，下側(cè)偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)較強(qiáng)時(shí)的YHC失聚可以與上述上側(cè)偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)較強(qiáng)時(shí)相反地調(diào)整上述第二可變電阻VR2。
利用上述那樣的第一可變電阻VR1和第二可變電阻VR2來校正G/D和YHC失聚，接著利用第三可變電阻VR3來相對(duì)地改變?cè)诘谖迦セ坌蜗蟛罹€圈55側(cè)流過的電流量和在第六去慧形象差線圈56側(cè)流過的電流量，由此，如圖4a和圖4c所示的那樣，能夠按下述那樣來校正YV失聚。
首先，如圖4a所示的那樣，YV失聚是在右側(cè)磁場(chǎng)較強(qiáng)時(shí)產(chǎn)生的，可以相對(duì)地補(bǔ)強(qiáng)左側(cè)磁場(chǎng)。這樣，改變第三可變電阻VR3來補(bǔ)強(qiáng)在第六去慧形象差線圈56中流過的電流量，而增強(qiáng)磁場(chǎng)。此時(shí)，如果上述去慧形象差線圈51～56都以相同方向繞制，上述第六去慧形象差線圈56的變強(qiáng)的磁場(chǎng)抵消了右側(cè)上部的第二去慧形象差線圈52和右側(cè)下部的第四去慧形象差線圈54的磁場(chǎng)。由此，右側(cè)磁場(chǎng)變?nèi)酰髠?cè)磁場(chǎng)相對(duì)地變強(qiáng)，因此，左側(cè)磁場(chǎng)與右側(cè)磁場(chǎng)成為相同的，如圖4b那樣，YV失聚被校正。
如圖4c所示的那樣，YV失聚是當(dāng)左側(cè)磁場(chǎng)較強(qiáng)時(shí)產(chǎn)生的，可以相對(duì)地補(bǔ)強(qiáng)右側(cè)磁場(chǎng)。這樣，改變第三可變電阻VR3來補(bǔ)強(qiáng)在第五去慧形象差線圈55中流過的電流量，而相對(duì)地增強(qiáng)磁場(chǎng)。此時(shí)，如果上述去慧形象差線圈51～56都以相同方向繞制，如圖11a和圖11b所示的那樣，由于在E字形鐵片上形成了六極磁場(chǎng)，上述第五去慧形象差線圈55的變強(qiáng)的磁場(chǎng)抵消了左側(cè)上部的第一去慧形象差線圈51和左側(cè)下部的第三去慧形象差線圈53的磁場(chǎng)。由此，左側(cè)磁場(chǎng)變得弱于校正之前，右側(cè)磁場(chǎng)相對(duì)地變強(qiáng)，因此，右側(cè)磁場(chǎng)與左側(cè)磁場(chǎng)成為相同的，如圖4b那樣，YV失聚被校正。
圖13是按照本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的鞍型-喇叭口型偏轉(zhuǎn)線圈的失聚和G/D校正裝置的電路圖。其中，僅對(duì)作為與圖10所示的本發(fā)明的上述實(shí)施例不同的部分的垂直偏轉(zhuǎn)線圈的電路進(jìn)行說明，其他部分，因與圖10的電路相同而省略說明。
在圖13中，左上側(cè)垂直偏轉(zhuǎn)線圈16a-1、左下側(cè)垂直偏轉(zhuǎn)線圈16a-2、右上側(cè)垂直偏轉(zhuǎn)線圈16b-1和右下側(cè)垂直偏轉(zhuǎn)線圈16b-2依次串聯(lián)連接，相對(duì)于上述在上左-下左側(cè)所繞制的垂直偏轉(zhuǎn)線圈16a和在上右-下右側(cè)所繞制的垂直偏轉(zhuǎn)線圈16b，并聯(lián)連接由兩個(gè)第一固定電阻R1、R2和第一可變電阻VR1所構(gòu)成的G/D調(diào)整部40。
圖13的G/D調(diào)整部40與圖10的G/D調(diào)整部40相同地構(gòu)成，可變調(diào)整上述第一可變電阻VR1的電阻值，通過相對(duì)地調(diào)節(jié)分別在上述在上左-下左側(cè)所繞制的垂直偏轉(zhuǎn)線圈16a和在上右-下右側(cè)所繞制的垂直偏轉(zhuǎn)線圈16b中流過的電流量，來相對(duì)地調(diào)整左/右側(cè)的磁場(chǎng)，由此，如圖6a或圖6c那樣，把G/D校正為圖6b那樣。
如以上詳細(xì)說明的沒有，根據(jù)本發(fā)明的偏轉(zhuǎn)線圈的失聚和G/D校正電路，能夠校正在畫面上發(fā)生的G/D，并且能夠完整地校正在該G/D較正時(shí)發(fā)生的失聚，由此，具有提高偏轉(zhuǎn)線圈的品質(zhì)的效果。
權(quán)利要求
1．用于偏轉(zhuǎn)線圈的失聚以及幾何學(xué)失真的校正裝置，包括具有管頸部和屏蔽部的圓錐形的線圈隔離器；相互電氣連接地設(shè)置在上述線圈隔離器的屏蔽部內(nèi)表面的上側(cè)和下側(cè)的上側(cè)垂直偏轉(zhuǎn)線圈和下側(cè)水平偏轉(zhuǎn)線圈；相互電氣連接地設(shè)置在上述線圈隔離器的屏蔽部外表面的左側(cè)和右側(cè)的左側(cè)垂直偏轉(zhuǎn)線圈和右側(cè)垂直偏轉(zhuǎn)線圈；用于補(bǔ)強(qiáng)上述垂直偏轉(zhuǎn)線圈的磁場(chǎng)而設(shè)置在上述線圈隔離器的屏蔽部外周面上的大致圓筒形的鐵氧體芯；去慧形象差線圈，用于通過設(shè)置在上述線圈隔離器的管頸部來與上述垂直偏轉(zhuǎn)線圈電氣連接而生成枕形磁場(chǎng)，以抵消由上述左側(cè)和右側(cè)垂直偏轉(zhuǎn)線圈產(chǎn)生的桶形磁場(chǎng)；失真調(diào)整部，用于相對(duì)地控制在上述左側(cè)和右側(cè)垂直偏轉(zhuǎn)線圈中流過的電流量，來相對(duì)地調(diào)整左側(cè)和右側(cè)的磁場(chǎng)，由此，來調(diào)整畫面上的幾何學(xué)失真；第一失聚調(diào)整部，用于在上述去慧形象差線圈中，相對(duì)地控制在位于左側(cè)的去慧形象差線圈和位于右側(cè)的去慧形象差線圈中流過的電流量，相對(duì)地調(diào)整左側(cè)和右側(cè)的磁場(chǎng)，由此，來調(diào)整畫面上的垂直失聚；第二失聚調(diào)整部，用于在上述去慧形象差線圈中，相對(duì)地控制在位于上側(cè)的去慧形象差線圈和位于下側(cè)的去慧形象差線圈中流過的電流量，來相對(duì)地調(diào)整上側(cè)和下側(cè)的磁場(chǎng)，由此，來調(diào)整畫面上的水平失聚。
2．根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于偏轉(zhuǎn)線圈的失聚以及幾何學(xué)失真的校正裝置，其特征在于，上述去慧形象差線圈由以一對(duì)鐵片為媒介相互電氣連接地繞制的左側(cè)的上、中和下部去慧形象差線圈和右側(cè)的上、中和下部去慧形象差線圈所構(gòu)成，上部、中部和下部一體形成的上述一對(duì)鐵片互相相對(duì)地設(shè)置在上述線圈隔離器的管頸部的外周緣左/右側(cè)。
3．根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于偏轉(zhuǎn)線圈的失聚以及幾何學(xué)失真的校正裝置，其特征在于，上述失真調(diào)整部構(gòu)成為相對(duì)于上述左側(cè)垂直偏轉(zhuǎn)線圈和右側(cè)垂直偏轉(zhuǎn)線圈并聯(lián)連接的差動(dòng)形式的分流電路。
4．根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于偏轉(zhuǎn)線圈的失聚以及幾何學(xué)失真的校正裝置，其特征在于，上述差動(dòng)形式的分流電路依次串聯(lián)連接第一固定電阻、第一可變電阻和第二固定電阻，并與上述第一可變電阻的可動(dòng)電極端和上述左側(cè)及右側(cè)垂直偏轉(zhuǎn)線圈的共同連接點(diǎn)相連接。
5．根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于偏轉(zhuǎn)線圈的失聚以及幾何學(xué)失真的校正裝置，其特征在于，上述第一失聚調(diào)整部相對(duì)地調(diào)整在左中側(cè)的去慧形象差線圈和右中側(cè)的去慧形象差線圈中流過的電流量，來調(diào)整左側(cè)和右側(cè)的磁場(chǎng)。
6．根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于偏轉(zhuǎn)線圈的失聚以及幾何學(xué)失真的校正裝置，其特征在于，上述第一失聚調(diào)整部由第三可變電阻和第四固定電阻所構(gòu)成，該第三可變電阻相對(duì)于上述左中側(cè)去慧形象差線圈和右中側(cè)去慧形象差線圈而并聯(lián)連接，該第四固定電阻連接在上述左中側(cè)去慧形象差線圈和右中側(cè)去慧形象差線圈的共同連接點(diǎn)以及上述第三可變電阻的可動(dòng)電極之間。
7．根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于偏轉(zhuǎn)線圈的失聚以及幾何學(xué)失真的校正裝置，其特征在于，上述第二失聚調(diào)整部相對(duì)地調(diào)整在左/右側(cè)的上部去慧形象差線圈和左/右側(cè)的下部去慧形象差線圈中流過的電流量，來調(diào)整上側(cè)和下側(cè)的磁場(chǎng)。
8．根據(jù)權(quán)利要求7所述的用于偏轉(zhuǎn)線圈的失聚以及幾何學(xué)失真的校正裝置，其特征在于，上述第二失聚調(diào)整部由第二可變電阻和第三固定電阻所構(gòu)成，該第二可變電阻相對(duì)于左上側(cè)、右上側(cè)、左下側(cè)和右下側(cè)去慧形象差線圈所依次連接的去慧形象差線圈而并聯(lián)連接，該第三固定電阻連接在上述右上側(cè)去慧形象差線圈和上述左下側(cè)去慧形象差線圈的共同連接點(diǎn)以及上述第二可變電阻的可動(dòng)電極之間。
9．根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于偏轉(zhuǎn)線圈的失聚以及幾何學(xué)失真的校正裝置，其特征在于，上述去慧形象差線圈都以同一方向繞制。
10．根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于偏轉(zhuǎn)線圈的失聚以及幾何學(xué)失真的校正裝置，其特征在于，在上述去慧形象差線圈中，位于左右側(cè)的上部和下部的去慧形象差線圈的繞制方向相同，位于中部的去慧形象差線圈的繞制方向相反。
11．用于偏轉(zhuǎn)線圈的失聚以及幾何學(xué)失真的校正裝置，包括具有管頸部和屏蔽部的圓錐形的線圈隔離器；相互電氣連接地設(shè)置在上述線圈隔離器的屏蔽部內(nèi)表面的上側(cè)和下側(cè)的上側(cè)垂直偏轉(zhuǎn)線圈和下側(cè)水平偏轉(zhuǎn)線圈；相互電氣連接地設(shè)置在上述線圈隔離器的屏蔽部外表面的左側(cè)和右側(cè)的左側(cè)垂直偏轉(zhuǎn)線圈和右側(cè)垂直偏轉(zhuǎn)線圈；用于補(bǔ)強(qiáng)上述垂直偏轉(zhuǎn)線圈的磁場(chǎng)而設(shè)置在上述線圈隔離器的屏蔽部外周面上的大致圓筒形的鐵氧體芯；去慧形象差線圈，用于通過設(shè)置在上述線圈隔離器的管頸部來與上述垂直偏轉(zhuǎn)線圈電氣連接而生成枕形磁場(chǎng)，以抵消由上述左側(cè)和右側(cè)垂直偏轉(zhuǎn)線圈產(chǎn)生的桶形磁場(chǎng)；第一失聚調(diào)整部，用于在上述去慧形象差線圈中，相對(duì)地控制在位于左側(cè)的去慧形象差線圈和位于右側(cè)的去慧形象差線圈中流過的電流量，相對(duì)地調(diào)整左側(cè)和右側(cè)的磁場(chǎng)，由此，來調(diào)整畫面上的垂直失聚。
12．根據(jù)權(quán)利要求11所述的用于偏轉(zhuǎn)線圈的失聚以及幾何學(xué)失真的校正裝置，其特征在于，上述去慧形象差線圈由以一對(duì)鐵片為媒介相互電氣連接地繞制的左側(cè)的上、中和下部去慧形象差線圈和右側(cè)的上、中和下部去慧形象差線圈所構(gòu)成，上部、中部和下部一體形成的上述一對(duì)鐵片互相相對(duì)地設(shè)置在上述線圈隔離器的管頸部的外周緣左/右側(cè)。
13．根據(jù)權(quán)利要求11所述的用于偏轉(zhuǎn)線圈的失聚以及幾何學(xué)失真的校正裝置，其特征在于，上述第一失聚調(diào)整部相對(duì)地調(diào)整在左中側(cè)的去慧形象差線圈和右中側(cè)的去慧形象差線圈中流過的電流量，來調(diào)整左側(cè)和右側(cè)的磁場(chǎng)。
14．根據(jù)權(quán)利要求13所述的用于偏轉(zhuǎn)線圈的失聚以及幾何學(xué)失真的校正裝置，其特征在于，上述第一失聚調(diào)整部由第三可變電阻和第四固定電阻所構(gòu)成，該第三可變電阻相對(duì)于上述左中側(cè)去慧形象差線圈和右中側(cè)去慧形象差線圈而并聯(lián)連接，該第四固定電阻連接在上述左中側(cè)去慧形象差線圈和右中側(cè)去慧形象差線圈的共同連接點(diǎn)以及上述第三可變電阻的可動(dòng)電極之間。
15．根據(jù)權(quán)利要求12所述的用于偏轉(zhuǎn)線圈的失聚以及幾何學(xué)失真的校正裝置，其特征在于，上述去慧形象差線圈都以同一方向繞制。
16．根據(jù)權(quán)利要求12所述的用于偏轉(zhuǎn)線圈的失聚以及幾何學(xué)失真的校正裝置，其特征在于，在上述去慧形象差線圈中，位于左右側(cè)的上部和下部的去慧形象差線圈的繞制方向相同，位于中部的去慧形象差線圈的繞制方向相反。
17．用于偏轉(zhuǎn)線圈的失聚以及幾何學(xué)失真的校正裝置，包括具有管頸部和屏蔽部的圓錐形的線圈隔離器；相互電氣連接地設(shè)置在上述線圈隔離器的屏蔽部內(nèi)表面的上側(cè)和下側(cè)的上側(cè)垂直偏轉(zhuǎn)線圈和下側(cè)水平偏轉(zhuǎn)線圈；相互電氣連接地設(shè)置在上述線圈隔離器的屏蔽部外表面的左側(cè)和右側(cè)的左側(cè)垂直偏轉(zhuǎn)線圈和右側(cè)垂直偏轉(zhuǎn)線圈；用于補(bǔ)強(qiáng)上述垂直偏轉(zhuǎn)線圈的磁場(chǎng)而設(shè)置在上述線圈隔離器的屏蔽部外周面上的大致圓筒形的鐵氧體芯；去慧形象差線圈，用于通過設(shè)置在上述線圈隔離器的管頸部來與上述垂直偏轉(zhuǎn)線圈電氣連接而生成枕形磁場(chǎng)，以抵消由上述左側(cè)和右側(cè)垂直偏轉(zhuǎn)線圈產(chǎn)生的桶形磁場(chǎng)；失真調(diào)整部，用于相對(duì)地控制在上述左側(cè)和右側(cè)垂直偏轉(zhuǎn)線圈中流過的電流量，來相對(duì)地調(diào)整左側(cè)和右側(cè)的磁場(chǎng)，由此，來調(diào)整畫面上的幾何學(xué)失真；第一失聚調(diào)整部，用于在上述去慧形象差線圈中，相對(duì)地控制在位于左側(cè)的去慧形象差線圈和位于右側(cè)的去慧形象差線圈中流過的電流量，相對(duì)地調(diào)整左側(cè)和右側(cè)的磁場(chǎng)，由此，來調(diào)整畫面上的垂直失聚。
18．根據(jù)權(quán)利要求17所述的用于偏轉(zhuǎn)線圈的失聚以及幾何學(xué)失真的校正裝置，其特征在于，上述去慧形象差線圈由以一對(duì)鐵片為媒介相互電氣連接地繞制的左側(cè)的上、中和下部去慧形象差線圈和右側(cè)的上、中和下部去慧形象差線圈所構(gòu)成，上部、中部和下部一體形成的上述一對(duì)鐵片互相相對(duì)地設(shè)置在上述線圈隔離器的管頸部的外周緣左/右側(cè)。
19．根據(jù)權(quán)利要求17所述的用于偏轉(zhuǎn)線圈的失聚以及幾何學(xué)失真的校正裝置，其特征在于，上述失真調(diào)整部構(gòu)成為相對(duì)于上述左側(cè)垂直偏轉(zhuǎn)線圈和右側(cè)垂直偏轉(zhuǎn)線圈并聯(lián)連接的差動(dòng)形式的分流電路。
20．根據(jù)權(quán)利要求19所述的用于偏轉(zhuǎn)線圈的失聚以及幾何學(xué)失真的校正裝置，其特征在于，上述差動(dòng)形式的分流電路依次串聯(lián)連接第一固定電阻、第一可變電阻和第二固定電阻，并與上述第一可變電阻的可動(dòng)電極端和上述左側(cè)及右側(cè)垂直偏轉(zhuǎn)線圈的共同連接點(diǎn)相連接。
21．根據(jù)權(quán)利要求17所述的用于偏轉(zhuǎn)線圈的失聚以及幾何學(xué)失真的校正裝置，其特征在于，上述第一失聚調(diào)整部相對(duì)地調(diào)整在左中側(cè)的去慧形象差線圈和右中側(cè)的去慧形象差線圈中流過的電流量，來調(diào)整左側(cè)和右側(cè)的磁場(chǎng)。
22．根據(jù)權(quán)利要求21所述的用于偏轉(zhuǎn)線圈的失聚以及幾何學(xué)失真的校正裝置，其特征在于，上述第一失聚調(diào)整部由第三可變電阻和第四固定電阻所構(gòu)成，該第三可變電阻相對(duì)于上述左中側(cè)去慧形象差線圈和右中側(cè)去慧形象差線圈而并聯(lián)連接，該第四固定電阻連接在上述左中側(cè)去慧形象差線圈和右中側(cè)去慧形象差線圈的共同連接點(diǎn)以及上述第三可變電阻的可動(dòng)電極之間。
23．根據(jù)權(quán)利要求18所述的用于偏轉(zhuǎn)線圈的失聚以及幾何學(xué)失真的校正裝置，其特征在于，上述去慧形象差線圈都以同一方向繞制。
24．根據(jù)權(quán)利要求18所述的偏轉(zhuǎn)線圈的失聚以及幾何學(xué)失真的校正裝置，其特征在于，在上述去慧形象差線圈中，位于左右側(cè)的上部和下部的去慧形象差線圈的繞制方向相同，位于中部的去慧形象差線圈的繞制方向相反。
25．用于偏轉(zhuǎn)線圈的失聚以及幾何學(xué)失真的校正裝置，包括具有管頸部和屏蔽部的圓錐形的線圈隔離器；相互電氣連接地設(shè)置在上述線圈隔離器的屏蔽部內(nèi)部表面的上側(cè)和下側(cè)而用于形成上側(cè)和下側(cè)偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)的上側(cè)垂直偏轉(zhuǎn)線圈和下側(cè)水平偏轉(zhuǎn)線圈；設(shè)置在上述線圈隔離器的屏蔽部外周面上的大致圓筒形的鐵氧體芯；相互電氣連接地繞制在上述鐵氧體芯上而用于形成左側(cè)和右側(cè)的偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)的左側(cè)上/下垂直偏轉(zhuǎn)線圈和右側(cè)上/下垂直偏轉(zhuǎn)線圈；去慧形象差線圈，用于通過設(shè)置在上述線圈隔離器的管頸部來與上述垂直偏轉(zhuǎn)線圈電氣連接而生成枕形磁場(chǎng)，以抵消由上述垂直偏轉(zhuǎn)線圈產(chǎn)生的桶形磁場(chǎng)；第一失聚調(diào)整部，用于在上述去慧形象差線圈中，相對(duì)地控制在位于左側(cè)的去慧形象差線圈和位于右側(cè)的去慧形象差線圈中流過的電流量，相對(duì)地調(diào)整左側(cè)和右側(cè)的磁場(chǎng)，由此，來調(diào)整畫面上的垂直失聚。
26．根據(jù)權(quán)利要求25所述的偏轉(zhuǎn)線圈的失聚以及幾何學(xué)失真的校正裝置，其特征在于，上述去慧形象差線圈由以一對(duì)鐵片為媒介相互電氣連接地繞制的左側(cè)的上、中和下部去慧形象差線圈和右側(cè)的上、中和下部去慧形象差線圈所構(gòu)成，上部、中部和下部一體形成的上述一對(duì)鐵片互相相對(duì)地設(shè)置在上述線圈隔離器的管頸部的外周緣左/右側(cè)。
27．根據(jù)權(quán)利要求25所述的偏轉(zhuǎn)線圈的失聚以及幾何學(xué)失真的校正裝置，其特征在于，上述第一失聚調(diào)整部相對(duì)地調(diào)整在左中側(cè)的去慧形象差線圈和右中側(cè)的去慧形象差線圈中流過的電流量，來調(diào)整左側(cè)和右側(cè)的磁場(chǎng)。
28．根據(jù)權(quán)利要求27所述的偏轉(zhuǎn)線圈的失聚以及幾何學(xué)失真的校正裝置，其特征在于，上述第一失聚調(diào)整部由第三可變電阻和第四固定電阻所構(gòu)成，該第三可變電阻相對(duì)于上述左中側(cè)去慧形象差線圈和右中側(cè)去慧形象差線圈而并聯(lián)連接，該第四固定電阻連接在上述左中側(cè)去慧形象差線圈和右中側(cè)去慧形象差線圈的共同連接點(diǎn)以及上述第三可變電阻的可動(dòng)電極之間。
29．根據(jù)權(quán)利要求26所述的偏轉(zhuǎn)線圈的失聚以及幾何學(xué)失真的校正裝置，其特征在于，上述去慧形象差線圈都以同一方向繞制。
30．根據(jù)權(quán)利要求26所述的偏轉(zhuǎn)線圈的失聚以及幾何學(xué)失真的校正裝置，其特征在于，在上述去慧形象差線圈中，位于左右側(cè)的上部和下部的去慧形象差線圈的繞制方向相同，位于中部的去慧形象差線圈的繞制方向相反。
31．根據(jù)權(quán)利要求25所述的偏轉(zhuǎn)線圈的失聚以及幾何學(xué)失真的校正裝置，其特征在于，進(jìn)一步設(shè)置失真調(diào)整部，用于用于相對(duì)地控制在上述左側(cè)上/下垂直偏轉(zhuǎn)線圈和右側(cè)上/下垂直偏轉(zhuǎn)線圈中流過的電流量，來相對(duì)地調(diào)整左側(cè)和右側(cè)的磁場(chǎng)，由此，來調(diào)整畫面上的幾何學(xué)失真。
32．根據(jù)權(quán)利要求25所述的偏轉(zhuǎn)線圈的失聚以及幾何學(xué)失真的校正裝置，其特征在于，進(jìn)一步設(shè)置第二失聚調(diào)整部，用于在上述去慧形象差線圈中，相對(duì)地控制在位于上側(cè)的去慧形象差線圈和位于下側(cè)的去慧形象差線圈中流過的電流量，來相對(duì)地調(diào)整上側(cè)和下側(cè)的磁場(chǎng)，由此，來調(diào)整畫面上的水平失聚。
33．根據(jù)權(quán)利要求32所述的偏轉(zhuǎn)線圈的失聚以及幾何學(xué)失真的校正裝置，其特征在于，上述第二失聚調(diào)整部相對(duì)地調(diào)整在位于左側(cè)和右側(cè)的上部的去慧形象差線圈和位于左側(cè)和右側(cè)的下部去慧形象差線圈中流過的電流量，來調(diào)整上側(cè)和下側(cè)的磁場(chǎng)。
全文摘要
本發(fā)明的目的是提供一種偏轉(zhuǎn)線圈的失聚和幾何學(xué)失真的校正裝置,同時(shí)精密地校正YV失聚和幾何學(xué)失真。包括:線圈隔離器;左側(cè)和右側(cè)垂直偏轉(zhuǎn)線圈13a、13b;G/D調(diào)整部40,去慧形象差線圈51－56,第一失聚調(diào)整部70,第二失聚調(diào)整部60。
文檔編號(hào)H04N3/237GK1220541SQ98125698
公開日1999年6月23日 申請(qǐng)日期1998年12月17日 優(yōu)先權(quán)日1997年12月17日
發(fā)明者崔煥石 申請(qǐng)人:三星電機(jī)株式會(huì)社