本發(fā)明涉及耳機(jī)音響領(lǐng)域，確切地說(shuō)是指一種分頻喇叭。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有喇叭通常設(shè)為一個(gè)磁鐵貼合在喇叭腔體里面，再結(jié)合一張振動(dòng)膜在磁路上方，再裝上護(hù)蓋來(lái)保護(hù)振動(dòng)膜?，F(xiàn)在技術(shù)的缺點(diǎn)：由于現(xiàn)有的喇叭振動(dòng)膜是設(shè)計(jì)在一張膜片上，喇叭內(nèi)腔只有單磁和單音圈來(lái)驅(qū)動(dòng)聲音，不能把音樂(lè)中的低、高頻很好地區(qū)分開(kāi)，從而影響了喇叭輸出聲音的品質(zhì)，不能同時(shí)很好地輸出低頻和高頻音樂(lè)部分，聲音動(dòng)態(tài)差，沒(méi)有層次感，有了低音效果就沒(méi)有了高音，有了高頻音域就會(huì)失去低音部份。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對(duì)上述缺陷，本發(fā)明解決的技術(shù)問(wèn)題在于提供一種分頻喇叭，可以同時(shí)輸出低頻和高頻聲音效果，使聲音更有層次感，具有高音清晰、低音豐滿的優(yōu)點(diǎn)。

為了解決以上的技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供的分頻喇叭，包括基板、磁框、第一磁鐵、第一華司、第一音圈、第一振膜、前蓋、第二磁鐵、第二華司、第二音圈、第二振膜和護(hù)蓋，其中：

所述基板設(shè)置在所述磁框上面，所述磁框的下部設(shè)置有第一空腔，所述磁框的第一空腔內(nèi)放置有所述第一磁鐵和所述第一華司，所述第一磁鐵和所述第一華司為上下結(jié)構(gòu)，所述第一音圈套接在所述第一磁鐵和所述第一華司的外圍，所述第一振膜設(shè)置在所述磁框的第一空腔的開(kāi)口處，所述第一振膜為環(huán)形結(jié)構(gòu)，所述第一振膜的中部為中空結(jié)構(gòu)；

所述前蓋設(shè)置的下部有第二空腔，所述第二空腔內(nèi)放置有所述第二磁鐵和所述第二華司，所述第二磁鐵和所述第二華司為上下結(jié)構(gòu)，所述第二音圈套接在所述第二磁鐵和所述第二華司的外圍，所述第二振膜設(shè)置在所述前蓋的第二空腔的開(kāi)口處；

所述前蓋的上部設(shè)置有第三空腔，所述前蓋的上部與所述磁框的下部蓋合在一起；

所述護(hù)蓋蓋在所述前蓋的下部。

優(yōu)選地，所述第一振膜包括第一膜片內(nèi)環(huán)、第一膜片外環(huán)和第一膜片，所述第一膜片內(nèi)環(huán)與所述第一華司連接，所述第一膜片外環(huán)設(shè)置在所述磁框的第一空腔的內(nèi)邊緣處，所述第一膜片覆蓋在所述第一膜片內(nèi)環(huán)和所述第一膜片外環(huán)之間的區(qū)域，所述第一膜片與所述第一音圈連接。

優(yōu)選地，所述第二振膜包括第二膜片外環(huán)和第二膜片，所述第二膜片外環(huán)設(shè)置在所述前蓋的第二空腔的內(nèi)邊緣處，所述第二膜片覆蓋所述第二膜片外環(huán)內(nèi)的區(qū)域，所述第二膜片與所述第二音圈連接。

優(yōu)選地，所述磁框的第一空腔為圓形空腔，所述前蓋的第二空腔為圓形空腔，所述第一空腔、所述第二空腔、所述第一磁鐵、第二磁鐵、第一華司和第二華司的圓心重合在一起。

優(yōu)選地，所述磁框的第一空腔的直徑大于所述第一磁鐵和第一華司的直徑，從而使所述第一磁鐵和第一華司與所述磁框的第一空腔之間形成一個(gè)環(huán)形間隙。

優(yōu)選地，所述第一音圈設(shè)置在所述第一磁鐵、第一華司與所述磁框的第一空腔之間的環(huán)形間隙內(nèi)。

優(yōu)選地，所述前蓋的第二空腔的直徑大于所述第二磁鐵和第二華司的直徑，從而使所述第二磁鐵和第二華司與所述前蓋的第二空腔之間形成一個(gè)環(huán)形間隙。

優(yōu)選地，所述第二音圈設(shè)置在所述第二磁鐵、第二華司與所述前蓋的第二空腔之間的環(huán)形間隙內(nèi)。

優(yōu)選地，所述前蓋設(shè)置有多個(gè)低頻氣流出音小孔，所述護(hù)蓋設(shè)置有一個(gè)高頻氣流中孔，所述前蓋的低頻氣流出音小孔和所述護(hù)蓋的高頻氣流中孔為同一朝向。

本發(fā)明提供的分頻喇叭，基板設(shè)置在磁框上面，磁框的下部設(shè)置有第一空腔，磁框的第一空腔內(nèi)放置有第一磁鐵和第一華司，第一磁鐵和第一華司為上下結(jié)構(gòu)，第一音圈套接在第一磁鐵和第一華司的外圍，第一振膜設(shè)置在磁框的第一空腔的開(kāi)口處，第一振膜為環(huán)形結(jié)構(gòu)，第一振膜的中部為中空結(jié)構(gòu)；前蓋設(shè)置的下部有第二空腔，第二空腔內(nèi)放置有第二磁鐵和第二華司，第二磁鐵和第二華司為上下結(jié)構(gòu)，第二音圈套接在第二磁鐵和第二華司的外圍，第二振膜設(shè)置在前蓋的第二空腔的開(kāi)口處。喇叭的振膜為一分二，將低頻與高頻之間振膜分隔成兩部份，第二音圈內(nèi)圍部份作為高頻率振動(dòng)設(shè)計(jì)，第一音圈外圍部份作為低頻振動(dòng)設(shè)計(jì)，第一振膜部份設(shè)置在喇叭磁框的磁路之下，第二振膜設(shè)置在喇叭前蓋之中，一只喇叭內(nèi)同時(shí)設(shè)計(jì)有雙磁和雙動(dòng)圈驅(qū)動(dòng)。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的分頻喇叭，振動(dòng)音膜分隔成第一振膜和第二振膜，第一振膜和第二振膜分別對(duì)應(yīng)低頻振膜和高頻振膜兩部份，設(shè)置雙動(dòng)圈和雙磁來(lái)驅(qū)動(dòng)低頻振膜和高頻振膜，可以同步輸出低頻和高頻音樂(lè)效果，使聲音更有層次感，具有高音清晰、低音豐滿的優(yōu)點(diǎn)。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明實(shí)施例中包括分頻喇叭的耳機(jī)結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例中分頻喇叭的分解結(jié)構(gòu)圖。

具體實(shí)施方式

為了本領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠更好地理解本發(fā)明所提供的技術(shù)方案，下面結(jié)合具體實(shí)施例進(jìn)行闡述。

請(qǐng)參見(jiàn)圖1-圖2，圖1為本發(fā)明實(shí)施例中包括分頻喇叭的耳機(jī)結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明實(shí)施例中分頻喇叭的分解結(jié)構(gòu)圖。

本實(shí)施例提供的分頻喇叭，包括基板s101、磁框s102、第一磁鐵s103、第一華司s104、第一音圈s105、第一振膜m100、前蓋s109、第二磁鐵s110、第二華司s111、第二音圈s112、第二振膜m200和護(hù)蓋s115，其中：

基板s101設(shè)置在磁框s102上面，磁框s102的下部設(shè)置有第一空腔s116，磁框s102的第一空腔s116內(nèi)放置有第一磁鐵s103和第一華司s104，第一磁鐵s103和第一華司s104為上下結(jié)構(gòu)，第一音圈s105套接在第一磁鐵s103和第一華司s104的外圍，第一振膜m100設(shè)置在磁框s102的第一空腔s116的開(kāi)口處，第一振膜m100為環(huán)形結(jié)構(gòu)，第一振膜m100的中部為中空結(jié)構(gòu)；

前蓋s109設(shè)置的下部有第二空腔s117，第二空腔s117內(nèi)放置有第二磁鐵s110和第二華司s111，第二磁鐵s110和第二華司s111為上下結(jié)構(gòu)，第二音圈s112套接在第二磁鐵s110和第二華司s111的外圍，第二振膜m200設(shè)置在前蓋s109的第二空腔s117的開(kāi)口處；

前蓋s109的上部設(shè)置有第三空腔s118，前蓋s109的上部與磁框s102的下部蓋合在一起；

護(hù)蓋s115蓋在前蓋s109的下部。

第一振膜m100包括第一膜片s108內(nèi)環(huán)s106、第一膜片s108外環(huán)s107和第一膜片s108，第一膜片s108內(nèi)環(huán)s106與第一華司s104連接，第一膜片s108外環(huán)s107設(shè)置在磁框s102的第一空腔s116的內(nèi)邊緣處，第一膜片s108覆蓋在第一膜片s108內(nèi)環(huán)s106和第一膜片s108外環(huán)s107之間的區(qū)域，第一膜片s108與第一音圈s105連接。

第二振膜m200包括第二膜片s114外環(huán)和第二膜片s114，第二膜片s114外環(huán)設(shè)置在前蓋s109的第二空腔s117的內(nèi)邊緣處，第二膜片s114覆蓋第二膜片s114外環(huán)內(nèi)的區(qū)域，第二膜片s114與第二音圈s112連接。

磁框s102的第一空腔s116為圓形空腔，前蓋s109的第二空腔s117為圓形空腔，第一空腔s116、第二空腔s117、第一磁鐵s103、第二磁鐵s110、第一華司s104和第二華司s111的圓心重合在一起。

磁框s102的第一空腔s116的直徑大于第一磁鐵s103和第一華司s104的直徑，從而使第一磁鐵s103和第一華司s104與磁框s102的第一空腔s116之間形成一個(gè)環(huán)形間隙。第一音圈s105設(shè)置在第一磁鐵s103、第一華司s104與磁框s102的第一空腔s116之間的環(huán)形間隙內(nèi)。

前蓋s109的第二空腔s117的直徑大于第二磁鐵s110和第二華司s111的直徑，從而使第二磁鐵s110和第二華司s111與前蓋s109的第二空腔s117之間形成一個(gè)環(huán)形間隙。第二音圈s112設(shè)置在第二磁鐵s110、第二華司s111與前蓋s109的第二空腔s117之間的環(huán)形間隙內(nèi)。

前蓋s109設(shè)置有多個(gè)低頻氣流出音小孔，護(hù)蓋s115設(shè)置有一個(gè)高頻氣流中孔，前蓋s109的低頻氣流出音小孔和護(hù)蓋s115的高頻氣流中孔為同一朝向，保持低頻和高頻同步輸出。

請(qǐng)參見(jiàn)圖1，分頻喇叭裝在耳機(jī)耳殼里。分頻喇叭安裝在耳機(jī)前腔r502里面固定密封好，再將耳機(jī)后腔r501合上組裝形成一個(gè)音腔，耳機(jī)后腔r501設(shè)置有聲腔排放空間。耳機(jī)前腔s502設(shè)置有一個(gè)出音口h500來(lái)結(jié)合分頻喇叭的氣流排放，分頻喇叭的前蓋s109正面朝向耳機(jī)前腔r502的臺(tái)階位置，分頻喇叭的前蓋s109設(shè)置有氣流孔，氣流孔的氣流流入耳機(jī)前腔r502的出音口h500的出音方向。該圖的耳機(jī)耳殼為一個(gè)右耳耳機(jī)，可放置于人耳的右耳中使用。

第一振膜m100中間部份，即第一音圈s105對(duì)應(yīng)的部分被切掉后，就失去了高頻振動(dòng)部份，從而得到的只有低頻振動(dòng)頻率。第二振膜m200沒(méi)有低頻振動(dòng)部份，從而只有了高頻振動(dòng)頻率?；錽101用來(lái)連接音圈導(dǎo)線。第一磁鐵s103和第二磁鐵s110起導(dǎo)磁作用。第一華司s104和第二華司s111貼合在磁鐵之上起磁場(chǎng)導(dǎo)向作用。第一音圈s105和第二音圈s112導(dǎo)電之后，在磁場(chǎng)之內(nèi)帶動(dòng)振動(dòng)膜作用。

分頻喇叭的振膜為一分二，將低頻與高頻之間振膜分隔成兩部份，第二音圈s112內(nèi)圍部份作為高頻率振動(dòng)設(shè)計(jì)，第一音圈s105外圍部份作為低頻振動(dòng)設(shè)計(jì)，第一振膜m100部份設(shè)置在磁框s102的磁路之下，第二振膜m200設(shè)置在前蓋s109之中，一只喇叭內(nèi)同時(shí)設(shè)計(jì)有雙磁和雙動(dòng)圈驅(qū)動(dòng)。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的分頻喇叭，振動(dòng)音膜分隔成第一振膜和第二振膜，第一振膜和第二振膜分別對(duì)應(yīng)低頻振膜和高頻振膜兩部份，設(shè)置雙動(dòng)圈和雙磁來(lái)驅(qū)動(dòng)低頻振膜和高頻振膜，可以同步輸出低頻和高頻音樂(lè)效果，使聲音更有層次感，具有高音清晰、低音豐滿的優(yōu)點(diǎn)。

對(duì)所公開(kāi)的實(shí)施例的上述說(shuō)明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。對(duì)這些實(shí)施例的多種修改對(duì)本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來(lái)說(shuō)將是顯而易見(jiàn)的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會(huì)被限制于本文所示的這些實(shí)施例，而是要符合與本文所公開(kāi)的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。