本發(fā)明涉及通信領(lǐng)域,特別涉及基于HARQ技術(shù)的數(shù)據(jù)接收端及其數(shù)據(jù)傳輸方法。
背景技術(shù):
HARQ(Hybrid Automatic Repeat Request,混合自動重傳)技術(shù)自從3G HSPA技術(shù)之后已經(jīng)成為目前移動通信的駐留關(guān)鍵技術(shù),通過HARQ技術(shù)可以提高數(shù)據(jù)傳輸?shù)目煽啃浴⑻嵘龜?shù)據(jù)傳輸速率。
采用HARQ技術(shù)時,接收端需要將同一進(jìn)程之前傳輸?shù)臄?shù)據(jù)存儲下來,下次如果重傳,需要將重新傳輸?shù)臄?shù)據(jù)與之前存儲的數(shù)據(jù)進(jìn)行合并,以提高譯碼性能。3GPP(the 3rd Generation Partnership Project,第三代合作伙伴項目)(以LTE為例,TS36.306)規(guī)定了不同能力等級的終端需要存儲的HARQ軟比特大小,如下表1。
表1
從上表1可見,如果以目前LTE類型為等級6的終端為例,那么下行需要支持300Mbps傳輸速率,需要存儲的HARQ軟比特數(shù)為3654144個,如果一個軟比特用一個Byte空間存儲,則需要約3.65MByte存儲空間,目前也有技術(shù)可以達(dá)到每一個軟比特用4~6比特空間存儲的技術(shù),但伴隨著終端下行速率的不斷提升,HARQ緩存區(qū)(即Buffer)的大小也越來越大,這么大的存儲空間如果完全按照現(xiàn)有技術(shù)中采用片外存儲器的做法,對DDR的讀寫帶寬需求會是一個很大的挑戰(zhàn)(會達(dá)到GByte/s量級)。
現(xiàn)有一種改進(jìn)方法是采用片內(nèi)存儲器進(jìn)行存儲,這樣的話,芯片的面積和成本又會增加很多。
技術(shù)實現(xiàn)要素:
本發(fā)明的目的在于提供一種基于HARQ技術(shù)的數(shù)據(jù)接收端及其數(shù)據(jù)傳輸方法,降低對接收端存儲器的讀寫帶寬要求,同時減小芯片面積,降低芯片成本。
為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明的實施方式提供了一種基于HARQ技術(shù)的數(shù)據(jù)傳輸方法,在接收端設(shè)置片外存儲器和片內(nèi)存儲器,包含以下步驟:
A.所述接收端在收到來自發(fā)送端的數(shù)據(jù)時,將所收到的同一進(jìn)程的數(shù)據(jù)交織存儲在所述片外存儲器和片內(nèi)存儲器中,對所存儲的數(shù)據(jù)進(jìn)行譯碼;
B.如果譯碼失敗,則請求所述發(fā)送端重傳譯碼失敗的數(shù)據(jù);
C.在接收到來自所述發(fā)送端的重傳數(shù)據(jù)后,將所述重傳數(shù)據(jù)與所述步驟A中所存儲的數(shù)據(jù)合并;
D.譯碼所述步驟C中所合并的數(shù)據(jù)。
本發(fā)明的實施方式還提供了一種基于HARQ技術(shù)的數(shù)據(jù)接收端,包含:
存儲模塊,包含片外存儲器和片內(nèi)存儲器,用于在收到來自發(fā)送端的數(shù) 據(jù)時,將所收到的同一進(jìn)程的數(shù)據(jù)交織存儲在所述片外存儲器和片內(nèi)存儲器中;
譯碼模塊,用于對所述存儲模塊所存儲的數(shù)據(jù)進(jìn)行譯碼;
請求模塊,用于在所述譯碼模塊譯碼失敗時,請求所述發(fā)送端重傳譯碼失敗的數(shù)據(jù);
合并模塊,用于在接收到來自所述發(fā)送端的重傳數(shù)據(jù)后,將所述重傳數(shù)據(jù)與所述存儲模塊中所存儲的數(shù)據(jù)合并;
所述譯碼模塊,還用于譯碼所述合并模塊所合并的數(shù)據(jù)。
本發(fā)明實施方式相對于現(xiàn)有技術(shù)而言,主要區(qū)別及其效果在于:將基于HARQ技術(shù)所需要存儲的軟比特分開存儲,分別存儲于片外存儲器和片內(nèi)存儲器,而且一個進(jìn)程存儲時對兩個存儲區(qū)域交織存儲,不在一個進(jìn)程中單純讀寫一個存儲區(qū)域,減少每次讀寫時對同一存儲區(qū)域的傳輸帶寬要求,同時,不需設(shè)置非常大的片內(nèi)存儲器,有利于減少芯片面積,降低硬件成本。
作為進(jìn)一步改進(jìn),交織塊的大小根據(jù)所述接收的總線瞬時速度大小或Outstanding能力確定。根據(jù)總線數(shù)據(jù)傳輸?shù)耐话l(fā)(即Burst)大小或Outstanding能力確定交織塊的大小,可以使得交織塊的大小設(shè)定更為符合實際接收端的傳輸,提高接收端的工作效率。
作為進(jìn)一步改進(jìn),同一存儲器的相鄰兩個交織塊大小相同。對同一存儲器的交織塊設(shè)置相同大小,便于讀寫。
作為進(jìn)一步改進(jìn),所述片外存儲器的交織塊和片內(nèi)存儲器的交織塊大小不同。片外存儲器的總大小可以和片內(nèi)存儲器的總大小可以不同,所以片外存儲器的交織塊和片內(nèi)存儲器的交織塊也可以不同,靈活多變地適用不同場景的需要,進(jìn)一步拓展本發(fā)明的應(yīng)用范圍。
作為進(jìn)一步改進(jìn),在所述步驟A中,在存儲時利用DMA(Direct Memory Access,直接內(nèi)存訪問)技術(shù)在片外存儲器和片內(nèi)存儲器間交織讀寫。利用DMA技術(shù)可以加快數(shù)據(jù)傳輸速度,提高傳輸效率。
附圖說明
圖1是根據(jù)本發(fā)明第一實施方式中的基于HARQ技術(shù)的數(shù)據(jù)傳輸方法流程圖;
圖2是根據(jù)本發(fā)明第一實施方式中的基于HARQ技術(shù)的數(shù)據(jù)傳輸方法中的存儲方式示意圖;
圖3是根據(jù)本發(fā)明第二實施方式中的基于HARQ技術(shù)的數(shù)據(jù)傳輸方法中的存儲方式示意圖;
圖4是根據(jù)本發(fā)明第三實施方式中的基于HARQ技術(shù)的數(shù)據(jù)接收端結(jié)構(gòu)示意圖;
圖5是根據(jù)本發(fā)明第四實施方式中的基于HARQ技術(shù)的數(shù)據(jù)接收端結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚,下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明的各實施方式進(jìn)行詳細(xì)的闡述。然而,本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以理解,在本發(fā)明各實施方式中,為了使讀者更好地理解本申請而提出了許多技術(shù)細(xì)節(jié)。但是,即使沒有這些技術(shù)細(xì)節(jié)和基于以下各實施方式的種種變化和修改,也可以實現(xiàn)本申請各權(quán)利要求所要求保護(hù)的技術(shù)方案。
本發(fā)明的第一實施方式涉及一種基于HARQ技術(shù)的數(shù)據(jù)傳輸方法,在接收端分別設(shè)置片外存儲器和片內(nèi)存儲器,其中,本實施方式中片外存儲器為DDR(Double Data Rate,雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器),而片內(nèi)存儲器為 TCM(Tightly Coupled Memories,緊耦合存儲器)。其流程如圖1所示,具體如下:
步驟101,將所收到的同一進(jìn)程的數(shù)據(jù)交織存儲在片外存儲器和片內(nèi)存儲器中。
具體的說,交織存儲即是對兩塊存儲器交替輪流存儲,同時,將每次交織存儲的數(shù)據(jù)塊稱為交織塊,本實施方式的存儲模式如圖2所示,可見,圖中長條形數(shù)據(jù)中,白色方塊為對片內(nèi)存儲器的交織塊,圖中填充陰影的方塊為對片外存儲器的交織塊。
在實際應(yīng)用中,交織塊的大小可以根據(jù)接收的總線數(shù)據(jù)傳輸?shù)耐话l(fā)大小或Outstanding能力確定,也可以由設(shè)計人員根據(jù)經(jīng)驗確定。這樣可以避免一個進(jìn)程的數(shù)據(jù)全放在片外或全放在片內(nèi),如果一個進(jìn)程的數(shù)據(jù)仍舊存儲在一處,也就達(dá)不到本實施方式中交織存儲的目的了,對讀寫帶寬的要求也不能緩解。值得一提的是,為了分塊簡便,可以將每一個TTI內(nèi)的數(shù)據(jù)以接近均勻的方式存儲在兩塊存儲器內(nèi)。
需要說明的是,本實施方式中,同一存儲器的相鄰兩個交織塊大小可以相同,甚至同一存儲器的所有交織塊大小都可以相同,這樣控制十分簡便。
但是,本實施方式中片外存儲器的交織塊和片內(nèi)存儲器的交織塊大小可以不同。由于在實際應(yīng)用中,片外存儲器和片內(nèi)存儲器的大小可以不相同,所以設(shè)置交織塊的時候,片外存儲器的交織塊和片內(nèi)存儲器的交織塊也可以不相同,設(shè)置為不同大小的交織塊可以更適應(yīng)實際應(yīng)用場景。
步驟102,對所存儲的數(shù)據(jù)進(jìn)行譯碼。
具體的說,本實施方式在譯碼讀取步驟101中存儲的數(shù)據(jù)時,也需要對片外存儲器和片內(nèi)存儲器交織讀取。
步驟103,判斷譯碼是否成功;若是,則結(jié)束本實施方式中的基于HARQ 技術(shù)的數(shù)據(jù)傳輸方法流程;若否,則繼續(xù)執(zhí)行步驟104。
步驟104,請求發(fā)送端重傳譯碼失敗的數(shù)據(jù)。
具體的說,步驟103和104是本實施方式中數(shù)據(jù)傳輸方法中的錯誤重發(fā)機制,(需注意的是,在HARQ技術(shù)中,譯碼失敗的數(shù)據(jù)并不直接丟棄)。在發(fā)送端重發(fā)之后,接收端即會接收到重傳數(shù)據(jù)。
步驟105,將重傳數(shù)據(jù)與所存儲的數(shù)據(jù)合并。
具體的說,是在接收到重傳數(shù)據(jù)之后,將這部分重傳數(shù)據(jù)與之前步驟101中存儲的數(shù)據(jù)合并在一起。
步驟106,譯碼合并后的數(shù)據(jù)。
具體的說,將步驟105中合并后的數(shù)據(jù)進(jìn)行譯碼,接收到的數(shù)據(jù)經(jīng)合并后譯碼可以提高譯碼成功率。
本實施方式相對于現(xiàn)有技術(shù)而言,改變現(xiàn)有技術(shù)中僅用一個存儲器的方法,改為設(shè)置兩個存儲器,分別是片外存儲器和片內(nèi)存儲器,將基于HARQ技術(shù)所需要存儲的軟比特分開存儲,分別存儲于片外存儲器和片內(nèi)存儲器,而且一個進(jìn)程存儲時對兩個存儲區(qū)域交織存儲,限制了交織塊的大小,不在一個進(jìn)程中單純讀寫一個存儲區(qū)域,減少每次讀寫時對同一存儲區(qū)域的傳輸帶寬要求,同時,不需設(shè)置非常大的片內(nèi)存儲器,有利于減少芯片面積,降低硬件成本。
本實施方式還可以進(jìn)一步優(yōu)化,可以利用DMA技術(shù)在片外存儲器和片內(nèi)存儲器間交織讀寫,可以進(jìn)一步加快數(shù)據(jù)讀寫速度,提高效率。
本發(fā)明的第二實施方式涉及一種基于HARQ技術(shù)的數(shù)據(jù)傳輸方法。第二實施方式與第一實施方式大致相同,主要區(qū)別之處在于:在第一實施方式中,片內(nèi)存儲器采用TCM。而在本發(fā)明第二實施方式中,片內(nèi)存儲器采用SHRAM(共享RAM,共享隨機存儲存儲器)。可見,在實際應(yīng)用中,片內(nèi)存儲器可 以根據(jù)需要設(shè)置不同的存儲器,非常靈活多變。
具體的說,本實施方式中存儲方式示意圖如圖3所示。
在實際應(yīng)用中,片內(nèi)存儲器可以采用第一實施方式中所用的TCM,也可以采用本實施方式中提到的SHRAM,當(dāng)然,還可以是現(xiàn)有其他片內(nèi)存儲器,在此不再一一列舉,可以根據(jù)需求靈活多變地選用不同的片內(nèi)存儲器,滿足不同的設(shè)計需要,拓展了本發(fā)明的應(yīng)用場景,利于廣泛推廣。
值得一提的是,片外存儲器除了采用第一實施方式中提到的DDR,還可以是現(xiàn)有技術(shù)中其他的片外存儲器,可以靈活多變地根據(jù)實際需要選擇不同的片外存儲器,進(jìn)一步拓展本發(fā)明的應(yīng)用場景。
本發(fā)明的第三實施方式涉及一種基于HARQ技術(shù)的數(shù)據(jù)傳輸方法。第三實施方式與第一實施方式大致相同,主要區(qū)別之處在于:在第一實施方式中,片外存儲器的交織塊和片內(nèi)存儲器的交織塊大小不相同。而在本發(fā)明第三實施方式中,片外存儲器的交織塊和片內(nèi)存儲器的交織塊大小相同??梢姡趯嶋H應(yīng)用中,交織塊的大小可以根據(jù)實際情況作具體設(shè)置,非常靈活多變。
本實施方式中片外存儲器的交織塊和片內(nèi)存儲器的交織塊大小可以相同,又由于同一存儲器的相鄰兩個交織塊大小也相同,也就是說本實施方式中的所有交織塊大小都相同。設(shè)置相同大小的交織塊更利于提高讀寫速度,簡化控制難度。
上面各種方法的步驟劃分,只是為了描述清楚,實現(xiàn)時可以合并為一個步驟或者對某些步驟進(jìn)行拆分,分解為多個步驟,只要包含相同的邏輯關(guān)系,都在本專利的保護(hù)范圍內(nèi);對算法中或者流程中添加無關(guān)緊要的修改或者引入無關(guān)緊要的設(shè)計,但不改變其算法和流程的核心設(shè)計都在該專利的保護(hù)范圍內(nèi)。
本發(fā)明第四實施方式涉及一種基于HARQ技術(shù)的數(shù)據(jù)接收端,如圖4所示,包含:
存儲模塊,包含片外存儲器和片內(nèi)存儲器,用于在收到來自發(fā)送端的數(shù)據(jù)時,將所收到的同一進(jìn)程的數(shù)據(jù)交織存儲在片外存儲器和片內(nèi)存儲器中。
譯碼模塊,用于對存儲模塊所存儲的數(shù)據(jù)進(jìn)行譯碼。
請求模塊,用于在譯碼模塊譯碼失敗時,請求發(fā)送端重傳譯碼失敗的數(shù)據(jù)。
合并模塊,用于在接收到來自發(fā)送端的重傳數(shù)據(jù)后,將重傳數(shù)據(jù)與存儲模塊中所存儲的數(shù)據(jù)合并。
譯碼模塊,還用于譯碼合并模塊所合并的數(shù)據(jù)。
需要說明的是,本實施方式中交織塊的大小根據(jù)接收的總線數(shù)據(jù)傳輸?shù)耐话l(fā)大小或Outstanding能力確定。
值得一提的是,本實施方式中,同一存儲器的相鄰兩個交織塊大小可以相同,但是,本實施方式中片外存儲器的交織塊和片內(nèi)存儲器的交織塊大小可以不同。
本實施方式還可以進(jìn)一步優(yōu)化,利用DMA技術(shù)在片外存儲器和片內(nèi)存儲器間交織讀寫。
值得一提的是,本實施方式中片外存儲器為DDR,而片內(nèi)存儲器為TCM。
不難發(fā)現(xiàn),本實施方式為與第一實施方式相對應(yīng)的系統(tǒng)實施例,本實施方式可與第一實施方式互相配合實施。第一實施方式中提到的相關(guān)技術(shù)細(xì)節(jié)在本實施方式中依然有效,為了減少重復(fù),這里不再贅述。相應(yīng)地,本實施方式中提到的相關(guān)技術(shù)細(xì)節(jié)也可應(yīng)用在第一實施方式中。
值得一提的是,本實施方式中所涉及到的各模塊均為邏輯模塊,在實際應(yīng)用中,一個邏輯單元可以是一個物理單元,也可以是一個物理單元的一部分,還可以以多個物理單元的組合實現(xiàn)。此外,為了突出本發(fā)明的創(chuàng)新部分, 本實施方式中并沒有將與解決本發(fā)明所提出的技術(shù)問題關(guān)系不太密切的單元引入,但這并不表明本實施方式中不存在其它的單元。
本發(fā)明第五實施方式涉及一種基于HARQ技術(shù)的數(shù)據(jù)接收端。第四實施方式與第四實施方式大致相同,主要區(qū)別之處在于:在第四實施方式中,片內(nèi)存儲器采用TCM。而在本發(fā)明第五實施方式中,片內(nèi)存儲器采用SHRAM(共享RAM,共享隨機存儲存儲器)。可見,在實際應(yīng)用中,片內(nèi)存儲器可以根據(jù)需要設(shè)置不同的存儲器,非常靈活多變。
由于第二實施方式與本實施方式相互對應(yīng),因此本實施方式可與第二實施方式互相配合實施。第二實施方式中提到的相關(guān)技術(shù)細(xì)節(jié)在本實施方式中依然有效,在第二實施方式中所能達(dá)到的技術(shù)效果在本實施方式中也同樣可以實現(xiàn),為了減少重復(fù),這里不再贅述。相應(yīng)地,本實施方式中提到的相關(guān)技術(shù)細(xì)節(jié)也可應(yīng)用在第二實施方式中。
本發(fā)明第六實施方式涉及一種基于HARQ技術(shù)的數(shù)據(jù)接收端。第六實施方式與第四實施方式大致相同,主要區(qū)別之處在于:在第四實施方式中,片外存儲器的交織塊和片內(nèi)存儲器的交織塊大小不同。而在本發(fā)明第六實施方式中,片外存儲器的交織塊和片內(nèi)存儲器的交織塊大小相同。可見,在實際應(yīng)用中,交織塊的大小可以根據(jù)實際情況作具體設(shè)置,非常靈活多變。
由于第三實施方式與本實施方式相互對應(yīng),因此本實施方式可與第三實施方式互相配合實施。第三實施方式中提到的相關(guān)技術(shù)細(xì)節(jié)在本實施方式中依然有效,在第三實施方式中所能達(dá)到的技術(shù)效果在本實施方式中也同樣可以實現(xiàn),為了減少重復(fù),這里不再贅述。相應(yīng)地,本實施方式中提到的相關(guān)技術(shù)細(xì)節(jié)也可應(yīng)用在第三實施方式中。
本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以理解,上述各實施方式是實現(xiàn)本發(fā)明的具體實施例,而在實際應(yīng)用中,可以在形式上和細(xì)節(jié)上對其作各種改變,而不偏離本發(fā)明的精神和范圍。