本發(fā)明涉及通信領(lǐng)域，特別涉及基于HARQ技術(shù)的數(shù)據(jù)接收端及其數(shù)據(jù)傳輸方法。

背景技術(shù)：

HARQ(Hybrid Automatic Repeat Request，混合自動重傳)技術(shù)自從3G HSPA技術(shù)之后已經(jīng)成為目前移動通信的駐留關(guān)鍵技術(shù)，通過HARQ技術(shù)可以提高數(shù)據(jù)傳輸?shù)目煽啃浴⑻嵘龜?shù)據(jù)傳輸速率。

采用HARQ技術(shù)時，接收端需要將同一進(jìn)程之前傳輸?shù)臄?shù)據(jù)存儲下來，下次如果重傳，需要將重新傳輸?shù)臄?shù)據(jù)與之前存儲的數(shù)據(jù)進(jìn)行合并，以提高譯碼性能。3GPP(the 3rd Generation Partnership Project，第三代合作伙伴項目)(以LTE為例，TS36.306)規(guī)定了不同能力等級的終端需要存儲的HARQ軟比特大小，如下表1。

表1

從上表1可見，如果以目前LTE類型為等級6的終端為例，那么下行需要支持300Mbps傳輸速率，需要存儲的HARQ軟比特數(shù)為3654144個，如果一個軟比特用一個Byte空間存儲，則需要約3.65MByte存儲空間，目前也有技術(shù)可以達(dá)到每一個軟比特用4～6比特空間存儲的技術(shù)，但伴隨著終端下行速率的不斷提升，HARQ緩存區(qū)(即Buffer)的大小也越來越大，這么大的存儲空間如果完全按照現(xiàn)有技術(shù)中采用片外存儲器的做法，對DDR的讀寫帶寬需求會是一個很大的挑戰(zhàn)(會達(dá)到GByte/s量級)。

現(xiàn)有一種改進(jìn)方法是采用片內(nèi)存儲器進(jìn)行存儲，這樣的話，芯片的面積和成本又會增加很多。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種基于HARQ技術(shù)的數(shù)據(jù)接收端及其數(shù)據(jù)傳輸方法，降低對接收端存儲器的讀寫帶寬要求，同時減小芯片面積，降低芯片成本。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的實施方式提供了一種基于HARQ技術(shù)的數(shù)據(jù)傳輸方法，在接收端設(shè)置片外存儲器和片內(nèi)存儲器，包含以下步驟：

A.所述接收端在收到來自發(fā)送端的數(shù)據(jù)時，將所收到的同一進(jìn)程的數(shù)據(jù)交織存儲在所述片外存儲器和片內(nèi)存儲器中，對所存儲的數(shù)據(jù)進(jìn)行譯碼；

B.如果譯碼失敗，則請求所述發(fā)送端重傳譯碼失敗的數(shù)據(jù)；

C.在接收到來自所述發(fā)送端的重傳數(shù)據(jù)后，將所述重傳數(shù)據(jù)與所述步驟A中所存儲的數(shù)據(jù)合并；

D.譯碼所述步驟C中所合并的數(shù)據(jù)。

本發(fā)明的實施方式還提供了一種基于HARQ技術(shù)的數(shù)據(jù)接收端，包含：

存儲模塊，包含片外存儲器和片內(nèi)存儲器，用于在收到來自發(fā)送端的數(shù) 據(jù)時，將所收到的同一進(jìn)程的數(shù)據(jù)交織存儲在所述片外存儲器和片內(nèi)存儲器中；

譯碼模塊，用于對所述存儲模塊所存儲的數(shù)據(jù)進(jìn)行譯碼；

請求模塊，用于在所述譯碼模塊譯碼失敗時，請求所述發(fā)送端重傳譯碼失敗的數(shù)據(jù)；

合并模塊，用于在接收到來自所述發(fā)送端的重傳數(shù)據(jù)后，將所述重傳數(shù)據(jù)與所述存儲模塊中所存儲的數(shù)據(jù)合并；

所述譯碼模塊，還用于譯碼所述合并模塊所合并的數(shù)據(jù)。

本發(fā)明實施方式相對于現(xiàn)有技術(shù)而言，主要區(qū)別及其效果在于：將基于HARQ技術(shù)所需要存儲的軟比特分開存儲，分別存儲于片外存儲器和片內(nèi)存儲器，而且一個進(jìn)程存儲時對兩個存儲區(qū)域交織存儲，不在一個進(jìn)程中單純讀寫一個存儲區(qū)域，減少每次讀寫時對同一存儲區(qū)域的傳輸帶寬要求，同時，不需設(shè)置非常大的片內(nèi)存儲器，有利于減少芯片面積，降低硬件成本。

作為進(jìn)一步改進(jìn)，交織塊的大小根據(jù)所述接收的總線瞬時速度大小或Outstanding能力確定。根據(jù)總線數(shù)據(jù)傳輸?shù)耐话l(fā)(即Burst)大小或Outstanding能力確定交織塊的大小，可以使得交織塊的大小設(shè)定更為符合實際接收端的傳輸，提高接收端的工作效率。

作為進(jìn)一步改進(jìn)，同一存儲器的相鄰兩個交織塊大小相同。對同一存儲器的交織塊設(shè)置相同大小，便于讀寫。

作為進(jìn)一步改進(jìn)，所述片外存儲器的交織塊和片內(nèi)存儲器的交織塊大小不同。片外存儲器的總大小可以和片內(nèi)存儲器的總大小可以不同，所以片外存儲器的交織塊和片內(nèi)存儲器的交織塊也可以不同，靈活多變地適用不同場景的需要，進(jìn)一步拓展本發(fā)明的應(yīng)用范圍。

作為進(jìn)一步改進(jìn)，在所述步驟A中，在存儲時利用DMA(Direct Memory Access，直接內(nèi)存訪問)技術(shù)在片外存儲器和片內(nèi)存儲器間交織讀寫。利用DMA技術(shù)可以加快數(shù)據(jù)傳輸速度，提高傳輸效率。

附圖說明

圖1是根據(jù)本發(fā)明第一實施方式中的基于HARQ技術(shù)的數(shù)據(jù)傳輸方法流程圖；

圖2是根據(jù)本發(fā)明第一實施方式中的基于HARQ技術(shù)的數(shù)據(jù)傳輸方法中的存儲方式示意圖；

圖3是根據(jù)本發(fā)明第二實施方式中的基于HARQ技術(shù)的數(shù)據(jù)傳輸方法中的存儲方式示意圖；

圖4是根據(jù)本發(fā)明第三實施方式中的基于HARQ技術(shù)的數(shù)據(jù)接收端結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5是根據(jù)本發(fā)明第四實施方式中的基于HARQ技術(shù)的數(shù)據(jù)接收端結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明的各實施方式進(jìn)行詳細(xì)的闡述。然而，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以理解，在本發(fā)明各實施方式中，為了使讀者更好地理解本申請而提出了許多技術(shù)細(xì)節(jié)。但是，即使沒有這些技術(shù)細(xì)節(jié)和基于以下各實施方式的種種變化和修改，也可以實現(xiàn)本申請各權(quán)利要求所要求保護(hù)的技術(shù)方案。

本發(fā)明的第一實施方式涉及一種基于HARQ技術(shù)的數(shù)據(jù)傳輸方法，在接收端分別設(shè)置片外存儲器和片內(nèi)存儲器，其中，本實施方式中片外存儲器為DDR(Double Data Rate，雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器)，而片內(nèi)存儲器為 TCM(Tightly Coupled Memories，緊耦合存儲器)。其流程如圖1所示，具體如下：

步驟101，將所收到的同一進(jìn)程的數(shù)據(jù)交織存儲在片外存儲器和片內(nèi)存儲器中。

具體的說，交織存儲即是對兩塊存儲器交替輪流存儲，同時，將每次交織存儲的數(shù)據(jù)塊稱為交織塊，本實施方式的存儲模式如圖2所示，可見，圖中長條形數(shù)據(jù)中，白色方塊為對片內(nèi)存儲器的交織塊，圖中填充陰影的方塊為對片外存儲器的交織塊。

在實際應(yīng)用中，交織塊的大小可以根據(jù)接收的總線數(shù)據(jù)傳輸?shù)耐话l(fā)大小或Outstanding能力確定，也可以由設(shè)計人員根據(jù)經(jīng)驗確定。這樣可以避免一個進(jìn)程的數(shù)據(jù)全放在片外或全放在片內(nèi)，如果一個進(jìn)程的數(shù)據(jù)仍舊存儲在一處，也就達(dá)不到本實施方式中交織存儲的目的了，對讀寫帶寬的要求也不能緩解。值得一提的是，為了分塊簡便，可以將每一個TTI內(nèi)的數(shù)據(jù)以接近均勻的方式存儲在兩塊存儲器內(nèi)。

需要說明的是，本實施方式中，同一存儲器的相鄰兩個交織塊大小可以相同，甚至同一存儲器的所有交織塊大小都可以相同，這樣控制十分簡便。

但是，本實施方式中片外存儲器的交織塊和片內(nèi)存儲器的交織塊大小可以不同。由于在實際應(yīng)用中，片外存儲器和片內(nèi)存儲器的大小可以不相同，所以設(shè)置交織塊的時候，片外存儲器的交織塊和片內(nèi)存儲器的交織塊也可以不相同，設(shè)置為不同大小的交織塊可以更適應(yīng)實際應(yīng)用場景。

步驟102，對所存儲的數(shù)據(jù)進(jìn)行譯碼。

具體的說，本實施方式在譯碼讀取步驟101中存儲的數(shù)據(jù)時，也需要對片外存儲器和片內(nèi)存儲器交織讀取。

步驟103，判斷譯碼是否成功；若是，則結(jié)束本實施方式中的基于HARQ 技術(shù)的數(shù)據(jù)傳輸方法流程；若否，則繼續(xù)執(zhí)行步驟104。

步驟104，請求發(fā)送端重傳譯碼失敗的數(shù)據(jù)。

具體的說，步驟103和104是本實施方式中數(shù)據(jù)傳輸方法中的錯誤重發(fā)機制，(需注意的是，在HARQ技術(shù)中，譯碼失敗的數(shù)據(jù)并不直接丟棄)。在發(fā)送端重發(fā)之后，接收端即會接收到重傳數(shù)據(jù)。

步驟105，將重傳數(shù)據(jù)與所存儲的數(shù)據(jù)合并。

具體的說，是在接收到重傳數(shù)據(jù)之后，將這部分重傳數(shù)據(jù)與之前步驟101中存儲的數(shù)據(jù)合并在一起。

步驟106，譯碼合并后的數(shù)據(jù)。

具體的說，將步驟105中合并后的數(shù)據(jù)進(jìn)行譯碼，接收到的數(shù)據(jù)經(jīng)合并后譯碼可以提高譯碼成功率。

本實施方式相對于現(xiàn)有技術(shù)而言，改變現(xiàn)有技術(shù)中僅用一個存儲器的方法，改為設(shè)置兩個存儲器，分別是片外存儲器和片內(nèi)存儲器，將基于HARQ技術(shù)所需要存儲的軟比特分開存儲，分別存儲于片外存儲器和片內(nèi)存儲器，而且一個進(jìn)程存儲時對兩個存儲區(qū)域交織存儲，限制了交織塊的大小，不在一個進(jìn)程中單純讀寫一個存儲區(qū)域，減少每次讀寫時對同一存儲區(qū)域的傳輸帶寬要求，同時，不需設(shè)置非常大的片內(nèi)存儲器，有利于減少芯片面積，降低硬件成本。

本實施方式還可以進(jìn)一步優(yōu)化，可以利用DMA技術(shù)在片外存儲器和片內(nèi)存儲器間交織讀寫，可以進(jìn)一步加快數(shù)據(jù)讀寫速度，提高效率。

本發(fā)明的第二實施方式涉及一種基于HARQ技術(shù)的數(shù)據(jù)傳輸方法。第二實施方式與第一實施方式大致相同，主要區(qū)別之處在于：在第一實施方式中，片內(nèi)存儲器采用TCM。而在本發(fā)明第二實施方式中，片內(nèi)存儲器采用SHRAM(共享RAM，共享隨機存儲存儲器)。可見，在實際應(yīng)用中，片內(nèi)存儲器可 以根據(jù)需要設(shè)置不同的存儲器，非常靈活多變。

具體的說，本實施方式中存儲方式示意圖如圖3所示。

在實際應(yīng)用中，片內(nèi)存儲器可以采用第一實施方式中所用的TCM，也可以采用本實施方式中提到的SHRAM，當(dāng)然，還可以是現(xiàn)有其他片內(nèi)存儲器，在此不再一一列舉，可以根據(jù)需求靈活多變地選用不同的片內(nèi)存儲器，滿足不同的設(shè)計需要，拓展了本發(fā)明的應(yīng)用場景，利于廣泛推廣。

值得一提的是，片外存儲器除了采用第一實施方式中提到的DDR，還可以是現(xiàn)有技術(shù)中其他的片外存儲器，可以靈活多變地根據(jù)實際需要選擇不同的片外存儲器，進(jìn)一步拓展本發(fā)明的應(yīng)用場景。

本發(fā)明的第三實施方式涉及一種基于HARQ技術(shù)的數(shù)據(jù)傳輸方法。第三實施方式與第一實施方式大致相同，主要區(qū)別之處在于：在第一實施方式中，片外存儲器的交織塊和片內(nèi)存儲器的交織塊大小不相同。而在本發(fā)明第三實施方式中，片外存儲器的交織塊和片內(nèi)存儲器的交織塊大小相同?？梢姡趯嶋H應(yīng)用中，交織塊的大小可以根據(jù)實際情況作具體設(shè)置，非常靈活多變。

本實施方式中片外存儲器的交織塊和片內(nèi)存儲器的交織塊大小可以相同，又由于同一存儲器的相鄰兩個交織塊大小也相同，也就是說本實施方式中的所有交織塊大小都相同。設(shè)置相同大小的交織塊更利于提高讀寫速度，簡化控制難度。

上面各種方法的步驟劃分，只是為了描述清楚，實現(xiàn)時可以合并為一個步驟或者對某些步驟進(jìn)行拆分，分解為多個步驟，只要包含相同的邏輯關(guān)系，都在本專利的保護(hù)范圍內(nèi)；對算法中或者流程中添加無關(guān)緊要的修改或者引入無關(guān)緊要的設(shè)計，但不改變其算法和流程的核心設(shè)計都在該專利的保護(hù)范圍內(nèi)。

本發(fā)明第四實施方式涉及一種基于HARQ技術(shù)的數(shù)據(jù)接收端，如圖4所示，包含：

存儲模塊，包含片外存儲器和片內(nèi)存儲器，用于在收到來自發(fā)送端的數(shù)據(jù)時，將所收到的同一進(jìn)程的數(shù)據(jù)交織存儲在片外存儲器和片內(nèi)存儲器中。

譯碼模塊，用于對存儲模塊所存儲的數(shù)據(jù)進(jìn)行譯碼。

請求模塊，用于在譯碼模塊譯碼失敗時，請求發(fā)送端重傳譯碼失敗的數(shù)據(jù)。

合并模塊，用于在接收到來自發(fā)送端的重傳數(shù)據(jù)后，將重傳數(shù)據(jù)與存儲模塊中所存儲的數(shù)據(jù)合并。

譯碼模塊，還用于譯碼合并模塊所合并的數(shù)據(jù)。

需要說明的是，本實施方式中交織塊的大小根據(jù)接收的總線數(shù)據(jù)傳輸?shù)耐话l(fā)大小或Outstanding能力確定。

值得一提的是，本實施方式中，同一存儲器的相鄰兩個交織塊大小可以相同，但是，本實施方式中片外存儲器的交織塊和片內(nèi)存儲器的交織塊大小可以不同。

本實施方式還可以進(jìn)一步優(yōu)化，利用DMA技術(shù)在片外存儲器和片內(nèi)存儲器間交織讀寫。

值得一提的是，本實施方式中片外存儲器為DDR，而片內(nèi)存儲器為TCM。

不難發(fā)現(xiàn)，本實施方式為與第一實施方式相對應(yīng)的系統(tǒng)實施例，本實施方式可與第一實施方式互相配合實施。第一實施方式中提到的相關(guān)技術(shù)細(xì)節(jié)在本實施方式中依然有效，為了減少重復(fù)，這里不再贅述。相應(yīng)地，本實施方式中提到的相關(guān)技術(shù)細(xì)節(jié)也可應(yīng)用在第一實施方式中。

值得一提的是，本實施方式中所涉及到的各模塊均為邏輯模塊，在實際應(yīng)用中，一個邏輯單元可以是一個物理單元，也可以是一個物理單元的一部分，還可以以多個物理單元的組合實現(xiàn)。此外，為了突出本發(fā)明的創(chuàng)新部分， 本實施方式中并沒有將與解決本發(fā)明所提出的技術(shù)問題關(guān)系不太密切的單元引入，但這并不表明本實施方式中不存在其它的單元。

本發(fā)明第五實施方式涉及一種基于HARQ技術(shù)的數(shù)據(jù)接收端。第四實施方式與第四實施方式大致相同，主要區(qū)別之處在于：在第四實施方式中，片內(nèi)存儲器采用TCM。而在本發(fā)明第五實施方式中，片內(nèi)存儲器采用SHRAM(共享RAM，共享隨機存儲存儲器)。可見，在實際應(yīng)用中，片內(nèi)存儲器可以根據(jù)需要設(shè)置不同的存儲器，非常靈活多變。

由于第二實施方式與本實施方式相互對應(yīng)，因此本實施方式可與第二實施方式互相配合實施。第二實施方式中提到的相關(guān)技術(shù)細(xì)節(jié)在本實施方式中依然有效，在第二實施方式中所能達(dá)到的技術(shù)效果在本實施方式中也同樣可以實現(xiàn)，為了減少重復(fù)，這里不再贅述。相應(yīng)地，本實施方式中提到的相關(guān)技術(shù)細(xì)節(jié)也可應(yīng)用在第二實施方式中。

本發(fā)明第六實施方式涉及一種基于HARQ技術(shù)的數(shù)據(jù)接收端。第六實施方式與第四實施方式大致相同，主要區(qū)別之處在于：在第四實施方式中，片外存儲器的交織塊和片內(nèi)存儲器的交織塊大小不同。而在本發(fā)明第六實施方式中，片外存儲器的交織塊和片內(nèi)存儲器的交織塊大小相同。可見，在實際應(yīng)用中，交織塊的大小可以根據(jù)實際情況作具體設(shè)置，非常靈活多變。

由于第三實施方式與本實施方式相互對應(yīng)，因此本實施方式可與第三實施方式互相配合實施。第三實施方式中提到的相關(guān)技術(shù)細(xì)節(jié)在本實施方式中依然有效，在第三實施方式中所能達(dá)到的技術(shù)效果在本實施方式中也同樣可以實現(xiàn)，為了減少重復(fù)，這里不再贅述。相應(yīng)地，本實施方式中提到的相關(guān)技術(shù)細(xì)節(jié)也可應(yīng)用在第三實施方式中。

本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以理解，上述各實施方式是實現(xiàn)本發(fā)明的具體實施例，而在實際應(yīng)用中，可以在形式上和細(xì)節(jié)上對其作各種改變，而不偏離本發(fā)明的精神和范圍。