專利名稱：固態(tài)圖像傳感器、信號處理方法以及電子裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種固態(tài)圖像傳感器、信號處理方法以及電子裝置，尤其涉及一種能夠獲得更優(yōu)良像素信號的固態(tài)圖像傳感器、信號處理方法以及電子裝置
背景技術(shù)：
通常，經(jīng)由MOS (金屬氧化物)晶體管讀出光接收部件中積累的電荷的現(xiàn)有的圖像傳感器對每個像素或每行等執(zhí)行讀出操作。因此，由于積累光電荷(photocharge)的曝光時段不能在所有像素之間形成一致，因此，有時候會在對象移動等情況下在成像時產(chǎn)生失真。相反，日本專利申請公開H11-177076中披露了一種圖像傳感器，其上除了光接收部件之外還設(shè)置有電荷保留(retention)部件，針對所有像素將在光接收部件中累積的電荷集中地傳送到電荷保留部件，并由此能夠保持該信號電荷知道對每一行的讀出操作為止。這使得能夠進(jìn)行由于所有像素的集中曝光所導(dǎo)致的成像操作。而且，在這種圖像傳感器中，除了光接收部件之外的部分都通過金屬翼，尤其是通過金屬鋁(Al )，將光屏蔽開。而且，日本專利申請公開H09-247536也披露了一種圖像傳感器，與日本專利申請公開H11-177076類似，其能夠進(jìn)行由于所有像素的集中曝光所導(dǎo)致的成像操作，并采用了一種配置，其中電荷累積二極管通過采用遮光層蓋住其上部而不檢測來自外部的光。類似地，日本專利申請公開H10-070261 也披露了一種具有被遮光部件遮蔽的存儲區(qū)域的圖像傳感器。與此類似，能夠進(jìn)行由于所有像素的集中曝光所導(dǎo)致的成像操作的圖像傳感器采用一種遮光結(jié)構(gòu)，使得光在針對所有像素將光接收部件中累積的電荷集中傳送到電荷保留部件并直到對每行的讀出操作為止保持所述信號電荷的過程中不會泄漏到電荷保留部件中。由此，能夠在電荷保留部件保持所述信號電荷的同時抑制由于光泄漏到該電荷保留部件中而產(chǎn)生的泄漏電荷導(dǎo)致的圖像質(zhì)量的惡化。而且，在日本專利申請公開2011-29835中，申請人提出了一種圖像傳感器，其中，布置了校正像素來校正由于泄漏電荷導(dǎo)致的圖像質(zhì)量的惡化。另一方面，如日本專利JP3759435所披露的，提出了一種背照圖像傳感器，其尤其對于相對精細(xì)的像素而言，通過光電轉(zhuǎn)換部件接收進(jìn)入與在半導(dǎo)體基板中的其上設(shè)置有電路元件、布線等的表面相對的背側(cè)的光而在靈敏度方面得到改善。該背照圖像傳感器正趨向?yàn)榻鼛啄曛匾募夹g(shù)。與上述現(xiàn)有的圖像傳感器類似，同樣在這種背照圖像傳感器中，由于對每個像素或多每行等執(zhí)行讀出操作，并且由此用于累積光電荷的曝光時段不能在所有像素之間形成一致，因此有時候會在對象移動等情況下產(chǎn)生失真。

發(fā)明內(nèi)容
順帶而言，文獻(xiàn)1-3中所披露的能夠進(jìn)行由于所有像素的集中曝光導(dǎo)致的成像操作的圖像傳感器被期望遮蔽光線，以便光線不會泄漏到電荷保留部件中，而要完全遮蔽光線對于任何遮光構(gòu)建而言都是困難的。而且，日本專利申請公開2011-29835提出了校正像素的結(jié)構(gòu)，用于校正由于泄漏電荷造成的圖像質(zhì)量的惡化，盡管假設(shè)只簡單地在像素區(qū)域提供校正像素會不可避免地導(dǎo)致分辨率減低和面積效率的降低。另一方面，對于在日本專利JP3759435中披露的背照圖像傳感器而言更為困難的是能夠進(jìn)行由于所有像素的集中曝光所導(dǎo)致的成像操作。在背照圖像傳感器中，光進(jìn)入與在半導(dǎo)體基板中的其上設(shè)置有電路元件、布線等的表面相對的背側(cè)。因此，就工藝而言，要將電荷保留部件遮擋住光線使得光線不會泄漏進(jìn)入就明顯要困難得多。因此，盡管為此而提供校正像素依然重要，但是與沒有校正像素的圖像傳感器相比，只是簡單地在像素區(qū)域提供校正像素剛好會導(dǎo)致特征的明顯惡化，因?yàn)椋滓氖?，背照圖像傳感器是一種用于補(bǔ)償由于減小像素尺寸而產(chǎn)生的敏感度降低的技術(shù)。因此，需要一種技術(shù)，在提供用于校正由于泄漏電荷造成的圖像質(zhì)量的惡化以便抑制像素在敏感度方面的降低的校正像素的情況下，該技術(shù)通過在尺寸方面防止光接收部件的面積降低而能夠獲得更優(yōu)良的像素信號?？紤]到上述情況作出本發(fā)明，并且可期望提供獲得更優(yōu)良的像素信號。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，提供了一種固態(tài)圖像傳感器，包括多個像素，每個像素至少包括光接收部件，接收光線以便生成電荷；傳送部件，傳送在所述光接收部件中累積的電荷；以及存儲部件，保持經(jīng)由所述傳送部件傳送來的電荷；以及由所述多個像素共享的預(yù)定數(shù)量的元件，所述預(yù)定數(shù)量的元件用于以對應(yīng)于所述電荷的電平輸出像素信號，其中，所述多個像素中的一個或多個為輸出校正像素信號的校正像素，所述校正像素信號用于校正從除了所述多個像素中的所述一個或多個之外的像素輸出的像素信號，以及所述預(yù)定數(shù)量的元件中的一個或多個形成于在所述校正像素中包括的所述光接收部件的布線層側(cè)上。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，提供了一種用于固態(tài)圖像傳感器的信號處理方法，該固態(tài)圖像傳感器包括多個像素，每個像素至少包括光接收部件，接收光線以便生成電荷；傳送部件，傳送在所述光接收部件中累積的電荷；以及存儲部件，保持經(jīng)由所述傳送部件傳送來的電荷；以及由所述多個像素共享的預(yù)定數(shù)量的元件，所述預(yù)定數(shù)量的元件用于以對應(yīng)于所述電荷的電平輸出像素信號，其中，所述多個像素中的一個或多個為輸出校正像素信號的校正像素，所述校正像素信號用于校正從除了所述多個像素中的所述一個或多個之外的像素輸出的像素信號，以及所述預(yù)定數(shù)量的元件中的一個或多個形成于在所述校正像素中包括的所述光接收部件上，所述方法包括從除了所述校正像素之外的普通像素中輸出的像素信號減去從校正像素中輸出的像素信號。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，提供了一種電子裝置，包括固態(tài)圖像傳感器，其包括:多個像素，每個像素至少包括:光接收部件，接收光線以便生成電荷；傳送部件，傳送在所述光接收部件中累積的電荷；以及存儲部件，保持經(jīng)由所述傳送部件傳送來的電荷；以及由所述多個像素共享的預(yù)定數(shù)量的元件，所述預(yù)定數(shù)量的元件用于以對應(yīng)于所述電荷的電平輸出像素信號，其中，所述多個像素中的一個或多個為輸出校正像素信號的校正像素，所述校正像素信號用于校正從除了所述多個像素中的所述一個或多個之外的像素輸出的像素信號，以及所述預(yù)定數(shù)量的元件中的一個或多個形成于在所述校正像素中包括的所述光接收部件上。 根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，由多個像素共享的預(yù)定數(shù)量的元件的一部分形成在包含在作為所述多個像素的一部分的校正像素中的光接收部件中。根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，可以獲得更優(yōu)良的像素信號。


圖1是圖釋采用本發(fā)明的圖像傳感器的一個實(shí)施例的示例性配置的方塊示意圖；圖2A和2B是圖釋具有校正像素的像素陣列的平面設(shè)計的示意圖；圖3是圖釋具有校正像素的共享像素單元的第一示例性配置的示意圖；圖4是圖釋關(guān)于像素的剖面的示例性配置的示意圖；圖5是圖釋關(guān)于校正像素的剖面的示例性配置的示意圖；圖6是用于解釋共享像素單元的操作的示意圖；圖7A-7C是圖釋在電荷傳送時段像素在電勢方面變化的示意
圖8A-8C是圖釋在電荷傳送時段校正像素在電勢方面變化的示意圖；圖9是圖釋具有校正像素的共享像素單元的第二示例性配置的示意10是圖釋關(guān)于像素的剖面的示例性配置的示意圖；圖11是圖釋關(guān)于校正像素的剖面的示例性配置的示意圖；圖12A-12C是圖釋具有校正像素的像素陣列的平面設(shè)計的變體的示意圖；圖13是圖釋關(guān)于接收相同色彩的光的像素和校正像素的變體的剖面的示例性配置的示意14A和14B是圖釋具有校正像素的像素陣列的平面設(shè)計的變體的示意圖；以及圖15是圖釋構(gòu)建在電子裝置內(nèi)的圖像捕獲器件的示例性配置的方塊示意圖。
具體實(shí)施例方式下面，將參照附圖對本發(fā)明的具體實(shí)施方式
進(jìn)行詳細(xì)描述。注意，在本說明書和附圖中，具有基本相同功能和結(jié)構(gòu)的構(gòu)成元件采用相同的參考標(biāo)記來指代，并且省略這些構(gòu)成元件的重復(fù)的解釋。圖1是圖釋采用本發(fā)明的圖像傳感器的一個實(shí)施例的示例性配置的方塊示意圖。圖1中的圖像傳感器11為CMOS (互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)固態(tài)圖像傳感器，并被配置為包含像素陣列12、垂直驅(qū)動器13、列處理部分14、水平驅(qū)動器15、輸出部分16以及驅(qū)動控制器17。像素陣列12具有布置成陣列形狀的多個像素21。順帶而言，在圖1中的右側(cè)頂部放大和呈現(xiàn)的像素21的示例性配置代表一種基本配置(沒有采用任何共享像素結(jié)構(gòu)的配置)，其具有電荷保留部件，用于實(shí)施由于如上所述的所有像素的集中曝光導(dǎo)致成像操作。不過，圖像傳感器11采用一種由像素21-1到21-3和校正像素21X構(gòu)成的共享像素結(jié)構(gòu)，像素21-1到21-3以對應(yīng)于通過光電轉(zhuǎn)換生成的電荷的電平輸出像素信號，校正像素21X輸出校正像素信號，用于校正像素21-1到21-3輸出的像素信號的校正，如后面參照圖3所述。在像素陣列12中，像素21經(jīng)由與像素21的行數(shù)對應(yīng)的多個水平信號線22連接到垂直驅(qū)動器13，并且經(jīng)由與像素21的列數(shù)對應(yīng)的多個垂直信號線23連接到列處理部分
14。即，包含在像素陣列12中的所述多個像素21布置在水平信號線22與垂直信號線23交叉的各個點(diǎn)上。垂直驅(qū)動器13經(jīng)由水平信號線22對包含在像素陣列12中的所述多個像素21的每行按序供應(yīng)用于驅(qū)動每個像素21的驅(qū)動信號(傳送信號、選擇信號、重置信號等)。列處理部分14通過對經(jīng)由垂直信號線23從每個像素21輸出的像素信號執(zhí)行⑶S(相關(guān)雙采樣)來抽取像素信號的信號電平，并獲取與像素21所接收的光量對應(yīng)的像素信號。在CDS處理中，通過計算處于復(fù)位電平的像素信號和處于對應(yīng)于像素21所接收的光量的電平的像素信號之間的差被輸出，輸出其中像素21所固有的噪音分量被消除的像素信號。水平驅(qū)動器15針對包含在像素陣列12中的所述多個像素21的每列按序供應(yīng)驅(qū)動信號到列處理部分14，用于使得列處理部分14按序輸出從各個像素21獲取的像素信號在對應(yīng)于來自水平驅(qū)動器15的各個驅(qū)動信號的時間點(diǎn)將像素信號從列處理部分14供應(yīng)到輸出部分16。輸出部分16例如放大像素信號以便將它們輸出到下游信號處理電路(例如，圖15中的信號處理電路104)。驅(qū)動控制器17控制圖像傳感器11內(nèi)的各個塊的驅(qū)動。例如，驅(qū)動控制器17根據(jù)用于各個塊的驅(qū)動間隔生成時鐘信號，以便將它們供應(yīng)到各自的塊。而且，如圖1中的右側(cè)頂部所示，像素21被配置成包含光接收部件32、第一傳送晶體管33、存儲部件34、第二傳送 晶體管35、FD (浮動擴(kuò)散)36、放大晶體管3、選擇晶體管38以及復(fù)位晶體管39。此外，如上所述，圖像傳感器11采用由像素21-1到21_3和校正像素21X構(gòu)成的共享像素結(jié)構(gòu)，而為具有存儲部件34的基本配置的像素21被描述為電荷保留部件。光接收部件32是一種由例如H)(光二極管)構(gòu)成的光電轉(zhuǎn)換部件，并生成和累積與被接受以對其累積的光量對應(yīng)的電荷。第一傳送晶體管33根據(jù)經(jīng)由水平信號線22從垂直驅(qū)動器13供應(yīng)的傳送信號TRX而被驅(qū)動，并且當(dāng)?shù)谝粋魉途w管33被接通時，光接收部件32中累積的電荷被傳送到存儲部件34。存儲部件34保持經(jīng)由第一傳送晶體管33從光接收部件32傳送來的電荷。第二傳送晶體管35根據(jù)經(jīng)由水平信號線22從垂直驅(qū)動器13供應(yīng)來的傳送信號TRG而被驅(qū)動，并且當(dāng)?shù)诙魉途w管35被接通時，存儲部件34中累積的電荷被傳送到FD36.
FD36是具有預(yù)定容量浮動擴(kuò)散區(qū)域并形成在其中第二傳送晶體管35和放大晶體管37的柵電極相連的部分中，并且累積經(jīng)由第二傳送晶體管35從存儲部件34傳送來的電荷。放大晶體管37連接到電源電勢Vdd，放大在FD36中累積的電荷，并以與所述電荷對應(yīng)的點(diǎn)評將像素信號經(jīng)由選擇晶體管38輸出到垂直信號線23。選擇晶體管38根據(jù)經(jīng)由水平信號線22從垂直驅(qū)動器13供應(yīng)來的選擇信號SEL而被驅(qū)動，并且當(dāng)選擇晶體管38被接通時，從放大晶體管37輸出的像素信號準(zhǔn)備好將被輸出到垂直信號線23。復(fù)位晶體管39根據(jù)經(jīng)由水平信號線22從垂直驅(qū)動器13供應(yīng)來的復(fù)位信號RST而被驅(qū)動，并且當(dāng)復(fù)位晶體管39被接通時，在FD36中累積的電荷被放電(discharged)到復(fù)位電勢Vrst，并且FD36被復(fù)位。而且，在該階段，使得第一傳送晶體管33和第二傳送晶體管35同時導(dǎo)通也使得光接收部件32和存儲部件34中累積的電荷復(fù)位。圖像傳感器11被如上配置，并且同時在包含在像素陣列12中的所有像素21中，電荷從光接收部件32被傳送到存儲部件34。之后，針對像素21的每行，保持在存儲部件34中的電荷被傳送到多個FD36，并且處于與所述電荷對應(yīng)的點(diǎn)評的像素信號經(jīng)由垂直信號線23被讀出。在此，圖像傳感器11采用一種遮光構(gòu)件，在該遮光構(gòu)件中，當(dāng)光接收部件32接收光時，存儲部件34被遮光，使得沒有光入射到存儲部件34上。不過，依然存在沿著傾斜方向進(jìn)入圖像傳感器11的光由于其在構(gòu)成圖像傳感器11的基板等上的反射而泄漏到存儲部件34中的機(jī)會。當(dāng)這種光的泄漏導(dǎo)致在存儲部件34中生成電荷(以下適當(dāng)?shù)胤Q之為泄漏電荷)時，像素信號會相對于其真實(shí)值而增加，或者通過在根據(jù)光接收部件32所接收的光量而生成的電荷上增加了泄漏電荷而獲得的像素信號會被輸出。為了校正這種由于泄漏電荷導(dǎo)致的像素信號的增加，圖像傳感器11被配置成包含用于校正泄漏電荷的校正像素?，F(xiàn)在正對圖2A和2B描述具有校正像素的像素陣列12的平面設(shè)計。圖2A中圖釋了具有拜耳(Bayer)圖案的像素21的通常使用的設(shè)計。所述拜耳圖案采用一種設(shè)計，在該設(shè)計中，周期性地布置包括紅像素21R、蘭像素21B以及兩個綠像素2 IGr和21Gb的四個像素21的組合。相反，圖像傳感器11采用一種設(shè)計，在該設(shè)計中，周期性地布置包括紅像素21R、蘭像素2IB以及綠像素2IG和用于校正的校正像素2IX的四個像素21的組合。校正像素21X以對應(yīng)于泄漏電荷的電平輸出像素信號，并且從校正像素21X輸出的像素信號被用作校正像素信號，用于校正在來自其他像素21的像素信號中包含的泄漏電荷。例如，設(shè)置在圖像傳感器11的下游的校正處理部件(例如，后面在圖15中描述的校正處理部件107執(zhí)行校正處理。校正處理部件通過從紅像素2IR、蘭像素2IB以及綠像素2IG輸出的像素信號中減去從校正像素21X.輸出的校正像素信號來校正由于泄漏電荷所導(dǎo)致的像素信號的增加。順帶而言，圖像傳感器11可以采用一種共享像素構(gòu)件，在共享像素構(gòu)件中，多個像素21共享FD36、放大晶體管37、選擇晶體管38以及復(fù)位晶體管39，以便擴(kuò)展像素21的光接收部件32的面積。例如，圖3圖釋了表示包括三個像素21-1到21-3和校正像素21X的四個像素的共享像素構(gòu)件的共享像素單元的第一示例性配置的電路示意圖。如圖3所示，在共享像素單元31中，像素21-1到21_3和校正像素21X共享FD36、放大晶體管37、選擇晶體管38和復(fù)位晶體管39。而且，連接到垂直信號線23的恒流源24構(gòu)成與放大晶體管37結(jié)合的源跟隨器。
像素21-1到21-3分別包括光接收部件32-1到32-3、第一傳送晶體管33-1到
33-3、存儲部件34-1到34-3以及第二傳送晶體管35_1到35_3。而且校正像素21X包括光接收部件32X、第一傳送晶體管33X、存儲部件34X以及第二傳送晶體管35X。在此，像素21-1到21-3的配置與參照圖1所描述的像素21類似。例如，當(dāng)?shù)谝粋魉途w管33-1到33-3根據(jù)傳送信號TRX-1到TRX-3而同時被接通時，在光接收部件32_1到32-3中產(chǎn)生的電荷被集中傳送到存儲部件34-1到34-3。而且，當(dāng)?shù)诙魉途w管35_1到35-3根據(jù)傳送信號TRG-1到TRG-3在各自的時間點(diǎn)被接通時，保持在存儲部件34_1到34-3中的電荷被按序傳送到FD36。另一方面，校正像素21X在光接收部件32X的一個端子(陽極)處接地，并且與此同時在光接收部件32X的另一個端子(陰極)處連接到電源電勢。光接收部件32X中生成的電荷被普通放電到電源電勢Vdd。而且，在校正像素21X中，被供應(yīng)到第一傳送晶體管33X的柵電極的傳送信號TRX-X被普通固定為低電平。因此，在校正像素21X中，光接收部件32X中生成的電荷不會被傳送到存儲部件34X，并且只有在存儲部件34X中生成的泄漏電荷在第二傳送晶體管35X根據(jù)傳送信號TRG-X被接通時被傳送到FD36。也就是說，在像素21-1到21-3以對應(yīng)于所光接收部件32_1到32_3接收的光量的電平輸出像素信號時，校正像素21X以對應(yīng)于在存儲部件34X中生成的泄漏電荷的電平輸出像素信號。因此，采用基于共享像素單元31的共享像素構(gòu)件的圖像傳感器11能夠減少例如放大晶體管37、選擇晶體管38以及復(fù)位晶體管39所占用的面積。因此，光接收部件32-1到32-3的面積能夠相對地得到擴(kuò)大。光接收部件32-1到32-3中的飽和電荷量的所導(dǎo)致的增加能夠改善像素21-1到21-3所輸出的像素信號的信號特性。而且，在圖像傳感器11中，校正像素21X被配置為只傳送在存儲部件34X中生成的泄漏電荷到FD36，而從校正像素21X中輸出的像素信號可被用作校正像素信號。因此，由于在像素21-1到21-3的存儲部件34-1到 34_3中生成的泄漏電荷導(dǎo)致的像素信號的增加得到校正，并且更為精確地獲得像素信號。此外，在沒有必要單獨(dú)區(qū)分像素21-1到21-3的情況下，下面都適當(dāng)?shù)貙⑺鼈兎Q之為像素21。而且，這種稱呼方式類似地也適用到光接收部件32-1到32-3、第一傳送晶體管33-1到33-3、存儲部件34-1到34_3以及第二傳送晶體管35_1到35_3。接著，圖4是圖釋關(guān)于像素21的剖面的示例性配置的示意圖。如圖4所示，像素21具有P-型區(qū)42和n_型區(qū)43到45，形成在半導(dǎo)體基板41中的這些由其中摻雜有具有高濃度的P-型雜質(zhì)(impurity)的p-阱形成，并且像素21具有柵電極46和47，這些經(jīng)所述半導(dǎo)體基板41的表面上未示出的絕緣膜形成。光接收部件32配置有pn結(jié)，其由具有高濃度的p_型區(qū)42和具有低濃度的n_型區(qū)43形成。存儲部件34配置有形成在距離光接收部件32預(yù)定距離的部分中的具有低濃度的η-型區(qū)44。而且，F(xiàn)D36配置有形成在距離存儲部件34預(yù)定距離的部分中的具有高濃度的η-型區(qū)45。柵電極46構(gòu)成第一傳送晶體管33，并布置成覆蓋光接收部件32和存儲部件34之間的區(qū)域。此外，柵電極46有具有遮光屬性的材料形成，并且為存儲部件34遮光。而且，柵電極47構(gòu)成第二傳送晶體管35，并布置成覆蓋存儲部件34和FD36之間的區(qū)域。而且，F(xiàn)D36經(jīng)過布線連接到被連接到of放大晶體管37的柵電極(圖5中的柵電極 62)。下面，圖5是圖釋關(guān)于校正像素21X的剖面的示例性配置的示意圖。如圖5所示，與像素21類似，校正像素21X形成在半導(dǎo)體基板41上。不過，放大晶體管37、選擇晶體管38和復(fù)位晶體管39形成在校正像素21X的光接收部件32X的頂表面。S卩，校正像素21X具有構(gòu)成光接收部件32X的具有高濃度的p_型區(qū)51和具有低濃度的η-型區(qū)52、構(gòu)成存儲部件34Χ的具有低濃度的η-型區(qū)53以及構(gòu)成FD36的具有高濃度的η-型區(qū)54，所有這些都形成在半導(dǎo)體基板41中。而且，校正像素21Χ具有形成在P-型區(qū)51中高濃度的具有η-型區(qū)55到59以及經(jīng)由未示出的絕緣膜形成在半導(dǎo)體基板41的表面上的柵電極60到64，而且，電源電勢Vdd連接到η-型區(qū)52。柵電極60構(gòu)成第一傳送晶體管33Χ，并且布置成覆蓋光接收部件32Χ和存儲部件34Χ之間的區(qū)域。而且柵電極61構(gòu)成第二傳送晶體管35Χ，并且布置成覆蓋存儲部件34Χ和FD36之間的區(qū)域。柵電極62構(gòu)成放大晶體管37，并且布置成覆蓋η_型區(qū)56和η_型區(qū)57之間的區(qū)域。電源電勢Vdd連接到η-型區(qū)57。而且，構(gòu)成FD36的η-型區(qū)54和η-型區(qū)59經(jīng)過布線連接到柵電極62。柵電極63構(gòu)成選擇晶體管38,并且布置成覆蓋η_型區(qū)55和η_型區(qū)566之間的區(qū)域。垂直信號線23連接到η-型區(qū)55。柵電極64構(gòu)成復(fù)位晶體管39，并且布置成覆蓋η-型區(qū)58和η-型區(qū)59之間的區(qū)域。η-型區(qū)59經(jīng)過布線連接到FD36和放大晶體管37的柵電極62。η-型區(qū)58連接到復(fù)位電勢Vrst。因此，圖像傳感器11具有放大晶體管37、選擇晶體管38以及復(fù)位晶體管39，這些都形成在校正像素21Χ的光接收部 件32Χ中。由此，光接收部件32-1到32_3的面積能夠擴(kuò)大到它們的最大值。如上所述，在共享像素單元31中，像素21-1到21-3以及校正像素21Χ共享FD36、放大晶體管37、選擇晶體管38以及復(fù)位晶體管39。而且，在校正像素21Χ的光接收部件32Χ中形成這些晶體管能夠減少這些晶體管所占用的面積，并因此相對地擴(kuò)大光接收部件32-1到32-3的面積。下面，參照圖6描述共享像素單元31的操作。在共享像素單元31中，像素21-1到21-3以及校正像素21Χ按照電荷放電時段、曝光累積時段、電荷傳送時段以及信號讀出時段的順序被驅(qū)動。首先，在電荷放電時段，針對多行，將電荷同時放電。即，復(fù)位信號RST、傳送信號TRX-1到TRX-3、傳送信號TRG-1到TRG-3以及傳送信號TRG-X同時被設(shè)置為高電平。由此，在光接收部件32-1到32-3、存儲部件34-1到34_3、存儲部件34Χ以及FD36中累積的電荷經(jīng)由復(fù)位晶體管39被放電到復(fù)位電勢Vrst。之后，傳送信號TRX-1到TRX-3、傳送信號TRG-1到TRG-3以及傳送信號TRG-X被順序設(shè)置為低電平。接著，在曝光累積時段期間，像素21-1到21-3通過光接收部件32_1到32_3執(zhí)行光電轉(zhuǎn)換生成電荷，并累積與所接收的光量對應(yīng)的電荷。此外，如上所述，由于光接收部件32X連接到電源電勢Vdd，校正像素2IX在光接收部件32X中不累積電荷。隨后，在電荷傳送時段期間，復(fù)位信號RST、傳送信號TRG-1到TRG-3以及傳送信號TRG-X被同時設(shè)置為高電平。由此，存儲部件34-1到34-3、存儲部件34X和FD36中累積的電荷經(jīng)由復(fù)位晶體管39被放電到復(fù)位電勢Vrst。隨后，在傳送信號TRG-1到TRG-3以及傳送信號TRG-X被設(shè)置到低電平并且復(fù)位信號RST被設(shè)置到低電平之后，傳送信號TRX-1到TRX-3同時被設(shè)置到高電平。由此，光接收部件32-1到32-3中累積的電荷被同時(在實(shí)質(zhì)上相同的時間點(diǎn))傳送到對應(yīng)的存儲部件
34-1到34-3。之后，將傳送信號TRX-1到TRX-3設(shè)置為低電平而完成電荷的傳送。此外，后面參照圖7A-7C以及圖8A-8C來描述在將傳送信號TRX-1到TRX-3設(shè)置為高電平之前在時間點(diǎn)tl處、在當(dāng)傳送信號TRX-1到TRX-3處于高電平時的時間點(diǎn)t2處、以及在將傳送信號TRX-1到TRX-3設(shè)置為低電平之后的時間點(diǎn)t3處的的電勢的改變。在此，在電荷放電時段和電荷傳送時段期間同時對多個行進(jìn)行驅(qū)動的同時，在信號讀出時段期間對每行進(jìn)行驅(qū)動。即，在信號讀出時段期間，按照像素21-1、像素21-2、像素21-3以及校正像素21X的順序讀出像素信號。首先，在將選擇信號SEL設(shè)置為高電平使得像素信號準(zhǔn)備被讀出之后，復(fù)位信號RST以一種類似脈沖的方式被設(shè)置為高電平，以便使得FD36復(fù)位，并且在時段Xl期間，初與復(fù)位電平的像素信號被讀出。之后，將傳送信號TRG-1以一種類似脈沖的方式被設(shè)置為高電平使得存儲部件34-1中保持的電荷將被傳送到FD36，并且，在時段X2期間，處于與光接收部件32-1所接收的光量對應(yīng)的電平的像素信號被讀出。接著，選擇信號SEL被設(shè)置為低電平。由此，在時段Xl期間被讀出的處于復(fù)位電平的像素信號和處于與光接收部件32-1所接收的光量對應(yīng)的電平的作為在時段X2期間被讀出的信號的像素信號之間的差通過在圖1中的列處理部分14中的⑶S處理而獲得。因此，其作為像素21-1的像素信號被輸出，在該信號中，噪音分量被消除。

之后，類似地，在將選擇信號SEL設(shè)置為高電平使得像素信號準(zhǔn)備將被讀出之后，在時段X3期間，處于復(fù)位電平的像素信號被讀出，并且在時段X4期間，處于與光接收部件32-2所接收的光量對應(yīng)的電平的像素信號被讀出。隨后，選擇信號SEL被設(shè)置為低電平。由此，其中噪聲分量被消除后的像素21-2的像素信號基于在時段X3期間以復(fù)位電平被讀出的像素信號和在時段X4期間被讀出的處于與光接收部件32-2所接收的光量對應(yīng)的電平像素 目號而獲得。之后，類似地，在將選擇信號SEL設(shè)置為高電平使得像素信號準(zhǔn)備將被讀出之后，在時段Χ5期間，處于復(fù)位電平的像素信號被讀出，并且在時段Χ6期間，處于與光接收部件
32-3所接收的光量對應(yīng)的電平的像素信號被讀出。隨后，選擇信號SEL被設(shè)置為低電平。由此，其中噪聲分量被消除后的像素21-3的像素信號基于在時段Χ5期間以復(fù)位電平被讀出的像素信號和在時段Χ6期間被讀出的處于與光接收部件32-3所接收的光量對應(yīng)的電平像素 目號而獲得。隨后，在將選擇信號SEL設(shè)置為高電平使得像素信號準(zhǔn)備將被讀出以及在時段Χ7期間處于復(fù)位電平的像素信號被讀出之后，傳送信號TRG-X以類似脈沖的方式被設(shè)置為高電平。由此，存儲部件34Χ中保持的電荷傳送到FD36。在此，如上所述的泄漏電荷在存儲部件34Χ中累積。處于與在存儲部件34Χ中生成的泄漏電荷對應(yīng)的電平的像素信號在時段Χ8期間被讀出。由此，用于泄漏電荷校正的校正像素信號基于在時段Χ7期間被讀出的處于復(fù)位電平的像素信號以及處于校正在存儲部件34Χ中生成的泄漏電荷的作為在時段Χ8期間被讀出的信號的像素信號而獲得。在此，參照圖7A-7C以及圖8A-8C描述泄漏電荷。圖7A-7C圖釋了在電荷傳送時段期間在時間點(diǎn)tl到t3處像素21的電勢的變化。圖8A-8C類似地圖釋了校正像素2IX的電勢的變化。如圖6所示，時間點(diǎn)tl是在復(fù)位信號RST被設(shè)置為低電平后和傳送信號TRX被設(shè)置為高電平之前的一個時間段內(nèi)的任意時間點(diǎn)。時間點(diǎn)t2傳送信號TRX正被設(shè)置為高電平時的一個時段內(nèi)的任意時間點(diǎn)。時間點(diǎn)t3是緊接著在傳送信號TRX被設(shè)置為低電平之后和在信號讀出時段期間緊接著在傳送信號TRG被設(shè)置為高電平之前的一個任意時間點(diǎn)。圖7A圖釋了在時間點(diǎn)tl處像素21的電勢。圖7B圖釋了在時間點(diǎn)t2處像素21的電勢。圖7C圖釋了在時間點(diǎn)t3處像素21的電勢。如圖7A所示，光接收部件32中的光電轉(zhuǎn)換使得信號電荷將在光接收部件32中累積。接著，當(dāng)傳送信號TRX被設(shè)置為高電平，光接收部件32和存儲部件34之間的電勢的下降(decline)以及存儲部件34處的電勢的下降使得在光接收部件32中累積的信號電荷將被傳送到存儲部件34，如圖7B所示。之后，被設(shè)置為低電平的傳送信號TRX將電視恢復(fù)到之前的狀態(tài)，存儲部件34保持信號電荷，如圖7C所示。在該階段，當(dāng)以傾斜方向進(jìn)入像素21的光線被反射到半導(dǎo)體基板41的表面和的第一傳送晶體管33的柵電極46上并被泄露到存儲部件34中時，該光線在存儲部件34中產(chǎn)生泄漏電荷。由于該原因，從像素21中輸出的像素信號處于通過將泄漏電荷增加到由光接收部件32中的光電轉(zhuǎn)換所生成的電荷上所電平。.
另一方面，圖8A圖釋了在時間點(diǎn)tl處校正像素21X的電勢。圖8B圖釋了在時間點(diǎn)t2處校正像素21X的電勢。圖8C圖釋了在時間點(diǎn)t3處校正像素21X的電勢。由于光接收部件32X被連接到電源電勢Vdd，因此如圖8A所示光接收部件32X不累積電荷。而且，如上所述，由于傳送信號TRX-X被普通固定到低電平，因此如圖SB所示，光接收部件32X和存儲部件34X之間的電勢的變化不會出現(xiàn)(arise)。不過，當(dāng)以傾斜方向進(jìn)入像素21X的光線被反射到半導(dǎo)體基板41的表面和的第一傳送晶體管33X的柵電極60上并被泄露到存儲部件34X中時，該光線在存儲部件34X中產(chǎn)生泄漏電荷，如圖8C所示。由于該原因，處于與泄漏電荷對應(yīng)的電平的像素信號在存儲部件34X生成泄漏電荷并且電荷被傳送到FD36之后從校正像素21X被輸出。接著，參照圖9描述了具有校正像素的共享像素單元的第二示例性配置。順帶而言，在圖9中，與圖3中的共享像素單元31的那些所共有的構(gòu)成部分設(shè)置了相同的參考標(biāo)記并且其詳細(xì)描述也省略了。即，如圖9所示，共享像素單元31’具有與圖3中的共享像素單元31共同的配置，關(guān)于像素21-1’到21-3’，其分別具有光接收部件32-1到32_3、第一傳送晶體管33_1到
33-3、存儲部件34-1到34-3以及第二傳送晶體管35_1到35_3，關(guān)于校正像素21X’，其具有光接收部件32X、第一傳送晶體管33X、存儲部件34X以及第二傳送晶體管35X，以及共享的FD36、放大晶體管37、選擇晶體管38以及復(fù)位晶體管39。不過，共享像素單元31'與圖3中的共享像素單元31的不同的配置在于被配置了包括電荷放電晶體管71-1到71-3以及電荷放電晶體管71X。即，就共享像素單元31’而言，在像素21-1’to21_3'中，光接收部件32_1到32_3分別經(jīng)由電荷放電晶體管71-1到71-3被連接到電源電勢Vdd。而且，在校正像素2IX ^中，光接收部件32X經(jīng)由電荷放電晶體管71X被連接到電源電勢Vdd。電荷放電晶體管71-1到71-3分別根據(jù)經(jīng)由水平信號線22從圖1中垂直驅(qū)動器13的供應(yīng)的電荷放電信號OFG-1到0FG-3被驅(qū)動。而且，當(dāng)電荷放電晶體管71_1到71_3被接通時，在光接收部件32-1到32-3中累積的電荷分別被放電到電源電勢Vdd以便使得光接收部件32-1到32-3復(fù)位。S卩，與圖3中的其中經(jīng)由第一傳送晶體管33_1到33_3以及第二傳送晶體管35-1到35-3將光接收部件32-1到32_3中的電荷放電的共享像素單元31不同,在共享像素單元3Γ中,光接收部件32-1到32-3中的電荷能夠不通過第一傳送晶體管33-1到33-3和第二傳送晶體管35-1到35_3而被放電。而且，在校正像素21X’中，供應(yīng)到電荷放電晶體管71X的電荷放電信號OFG-X通常被固定的到高電平。因此，光接收部件32X生成的電荷通常被放電到電源電勢Vdd。接著，圖10是圖釋關(guān)于像素21’的剖面的示例性配置的意識圖。順帶地，在圖10中，與圖4中的像素21的那些所共有的構(gòu)成部分設(shè)置了相同的參考標(biāo)記并且其詳細(xì)描述也省略了。S卩，像素21’與圖4中的像素21的共有的配置在于形成于半導(dǎo)體基板41中的P-型區(qū)42和η-型區(qū)43到45以及經(jīng)由未示出的絕緣膜形成在半導(dǎo)體基板41的表面上的柵電極46和47。不過，像素21’與圖4中的像素21的不同在于連接到電源電勢Vdd并形成在半導(dǎo)體基板41中的具有高濃度的η-型區(qū) 48以及經(jīng)由未示出的絕緣膜形成在半導(dǎo)體基板41的表面上的柵電極49。S卩，柵電極49構(gòu)成電荷放電晶體管71，并且布置成覆蓋光接收部件32和η_型區(qū)48之間的區(qū)域。像素21’這樣配置，并且能夠?qū)⒐饨邮詹考?2中累積的電荷放電到電源電勢Vdd，以便根據(jù)供應(yīng)到電荷放電晶體管71的電荷放電信號OFG復(fù)位光接收部件32。接著，圖11是圖釋關(guān)于校正像素21X’的剖面的示例性配置的示意圖。順帶地，在圖11中，與圖5中的校正像素21X的那些所共有的構(gòu)成部分設(shè)置了相同的參考標(biāo)記并且其詳細(xì)描述也省略了。S卩，校正像素21X’與圖5中的校正像素21X共同的配置在于形成在半導(dǎo)體基板41中的P-型區(qū)51和η-型區(qū)52到59以及經(jīng)由未示出的絕緣膜形成在半導(dǎo)體基板41的表面上的柵電極60到64。不過，校正像素21Χ’與圖5中的校正像素21Χ不同的配置在于連接到電源電勢Vdd的并形成于半導(dǎo)體基板41中的具有高濃度的η-型區(qū)65以及經(jīng)由未示出的絕緣膜形成在半導(dǎo)體基板41的表面上的柵電極66。g卩，柵電極66構(gòu)成電荷放電晶體管7IX并被布置成覆蓋在光接收部件32X和n_型區(qū)65之間的區(qū)域。校正像素2IX’這樣配置，并且由于供應(yīng)到電荷放電晶體管7IX的電荷放電信號OFG-X通常被固定到高電平，因此，光接收部件32X中生成的電荷被放電到電源電勢Vdd。此外，盡管未示出，但是可以采用用于抑制光泄漏到光接收部件32X中的遮光構(gòu)件，并由此使用校正像素21X’更精確執(zhí)行校正。接著，參照圖12A-12C描述具有校正像素的像素陣列的平面設(shè)計的變體。如上參照圖2A和2B所述，圖像傳感器11采用一種設(shè)計，在該設(shè)計中，周期性地布置包括紅像素21R、蘭像素21B、綠像素21G以及用于校正的校正像素21X的四個像素的組合。并且校正像素21X也別配置為接收紅光、蘭光以及綠光。例如，如圖12所示，可以布置接收紅光的校正像素21X(R)、接收蘭光的校正像素2IX(B)以及接收綠光的校正像素21X(G)。由此，如圖所示，在布置成4X4的列X行的像素21中，從校正像素21X(R)輸出的校正像素信號可用于校正像素21R的像素信號。類似地，從校正像素21X(B)輸出的校正像素信號可用于校正像素21B的像素信號，以及從校正像素21X(G)輸出的校正像素信號可用于校正像素21G的像素信號。因此，16像素21中的4個被用作校正像素21X，這16個像素21被作為一個集合(set)。由此，可以為像素21R、像素21B以及像素21G所接收的每種色彩的光提供校正像素21X。由此，能夠精確校正用于由像素21R、像素21B以及像素21G所輸出的每種色彩的像素號。而且，如圖12B所示，可以布置接收沒有通過濾色器的光，例如白光，的校正像素2IX(W)。隨后，通過將相鄰像素21R、像素21B以及像素21G的像素信號除以與從校正像素2IX(W)輸出的校正像素信號對應(yīng)的給定比率，即使校正像素21X(W)的像素信號不包含色彩信息也能夠?qū)嵸|(zhì)上精確地執(zhí)行校正。本質(zhì)上，由于校正像素21X(W)能夠防止由于濾色器所導(dǎo)致的敏感度的惡化，因此能夠以較高精度檢測泄漏電荷，并由此更精確地執(zhí)行校正。而且，如圖12C所示，可以布置接收紅光的校正像素21X (R)。例如在其中光線進(jìn)入與半導(dǎo)體基板41上的在其上層疊布線層的表面相對的背側(cè)的背照圖像傳感器中，估計僅有紅光到達(dá)形成在半導(dǎo)體基板41的頂表面中的存儲部件34。因此，僅僅使用從校正像素2IX(R)輸出的校正像素信號 校正像素21R的像素信號就能夠?qū)е滦孤╇姾傻男Ｕ?。在此，如圖12C中所示，其中與接收紅光的校正像素21X(R)相鄰布置接收紅光的像素21R的配置能夠采用其中校正像素21X(R)的光接收部件32X被連接到電源電勢Vdd的配置。換句話說，通過將校正像素21X (R)的光接收部件32X連接到相鄰像素21R的輸出端，可利用光接收部件32X的信號電荷。S卩，圖13圖釋了接收相同色彩的光的像素21和校正像素21X的變體。如圖13所示，像素21"和校正像素21X具有構(gòu)成像素21"的光接收部件32’的P-型區(qū)42和η-型區(qū)43以及構(gòu)成校正像素21Χ’’的光接收部件32Χ’的ρ-型區(qū)51和η-型區(qū)52，所有都是整體形成。即，構(gòu)成光接收部件32’的P-型區(qū)42以及構(gòu)成光接收部件32Χ’的P-型區(qū)51連續(xù)形成，并且構(gòu)成光接收部件32’的η-型區(qū)43以及構(gòu)成光接收部件32Χ’的η-型區(qū)52連續(xù)形成。通過采用這種配置，校正像素21Χ"的光接收部件32Χ’中生成的電荷作為像素21"的像素信號與像素21"的光接收部件32’中生成的電荷一起被讀出。因此，在其中接收相同色彩的光的像素21’和校正像素21Χ"布置成彼此相鄰的配置中，像素21"靈敏度能夠得到改善。尤其是，背照圖像傳感器適于使用這種配置。此外，在圖像傳感器11中，如圖12C所示，除了其中彼此相鄰布置的像素21R和校正像素21X(R)配置，接收相同色彩的光的像素21R和校正像素21X可以不支撐彼此相鄰。例如，圖14A圖釋了一種其中周期性布置接收蘭光的像素21B、接收綠光的像素21G、接收黃光的像素21Y以及接收黃光的校正像素21X(Y)的組合的配置。而且圖14Β圖釋了一種其中周期性布置接收蘭光的像素21Β、接收綠光的像素21G、接收品紅(magenta)光的像素21M以及接收品紅光的校正像素21X(M)的組合的配置。
與此相同，通過將接收黃或品紅光的像素21和校正像素21X彼此相鄰地布置，能夠使用圖13中所示的配置。而且，如上所述的圖像傳感器11可以例如應(yīng)用到諸如數(shù)字照相機(jī)和數(shù)字?jǐn)z像機(jī)之類的圖像捕獲系統(tǒng)、包含圖像捕獲功能的移動電話、或各種電子裝置，諸如包含圖像捕獲功能的設(shè)備。圖15是圖釋內(nèi)置于電子裝置中的圖像捕獲設(shè)備的示例性配置的方塊示意圖。如圖15所示，圖像捕獲設(shè)備101配置成包括光學(xué)系統(tǒng)102、圖像傳感器103、信號處理電路104、監(jiān)視器105以及存儲器106，并且能夠捕獲靜止圖像和移動圖像。光學(xué)系統(tǒng)102被配置為包括一個或多個透鏡，將來自對象的光(入射光)導(dǎo)向圖像傳感器103，并在該圖像傳感器103 (傳感器部件)的光接收平面上對其成像。對于圖像傳感器103，應(yīng)用在上述示例性配置或變體中的圖像傳感器11。根據(jù)經(jīng)由光學(xué)系統(tǒng)102在光接收平面上所成像的圖像，在圖像傳感器103中累積電子一個恒定的時段。隨后與在圖像傳感器103中累積的電子對應(yīng)的信號被供應(yīng)到信號處理電路104。信號處理電路104從圖像傳感器103中輸出的信號電荷執(zhí)行各種信號處理。在此，信號處理電路104具有校正處理部件107，并且校正處理部件107執(zhí)行校正由于泄漏電荷導(dǎo)致的像素信號的增加的校正處理。即，校正處理部件107執(zhí)行從像素21而不是校正像素21X(普通像素)輸出的像素信號減去從校正像素21X輸出的校正像素信號的處理并校正像素21的像素信號中包含的泄漏電荷的分量。通過執(zhí)行信號處理的信號處理電路104獲得圖像(圖像數(shù)據(jù))被供應(yīng)到監(jiān)視器105以便顯示或供應(yīng)到存儲器106以便存儲(記錄)。在如這樣 配置的圖像捕獲裝置101中，采用上述示例性配置或變體的圖像傳感器11被應(yīng)用到圖像傳感器103。由此，獲得高質(zhì)量的圖像，其由于泄漏電荷導(dǎo)致的惡化被防止。順帶地，在這些實(shí)施例中，描述了使用4個像素21之一作為校正像素21X，這4個像素21作為一套(set)，而四個或更多個像素21中的一個或多個的部分可以用作校正像素21X,這些像素21作為一套(set)。此外，本發(fā)明還可以如下配置。(I) 一種固態(tài)圖像傳感器，包括:多個像素，每個像素至少包括:光接收部件，接收光線以便生成電荷；傳送部件，傳送在所述光接收部件中累積的電荷；以及存儲部件，保持經(jīng)由所述傳送部件傳送來的電荷；以及由所述多個像素共享的預(yù)定數(shù)量的元件，所述預(yù)定數(shù)量的元件用于以對應(yīng)于所述電荷的電平輸出像素信號，其中，所述多個像素中的一個或多個為輸出校正像素信號的校正像素，所述校正像素信號用于校正從除了所述多個像素中的所述一個或多個之外的像素輸出的像素信號，以及所述預(yù)定數(shù)量的元件中的一個或多個形成于在所述校正像素中包括的所述光接收部件的布線層側(cè)上。(2)根據(jù)(I)所述的固態(tài)圖像傳感器，其中
針對所有像素，傳送部件在實(shí)質(zhì)上相同的時間點(diǎn)將在所述光接收部件中累積的電荷傳送到所述存儲部件。(3)根據(jù)(I)或(2)所述的固態(tài)圖像傳感器，其中所述光接收部件所接收的光進(jìn)入與在半導(dǎo)體基板中的其上層疊有布線層的表面相對的背側(cè)，在所述半導(dǎo)體基板上形成有所述光接收部件。(4)根據(jù)(I)- (3)任意一個所述的固態(tài)圖像傳感器，其中除了所述多個像素的校正像素之外的普通像素接收對應(yīng)色彩的光，并且所述校正像素針對由所述普通像素所接收的光的每種色彩設(shè)置。(5)根據(jù)(I)- (3)任意一個所述的固態(tài)圖像傳感器，其中所述校正像素接收不穿過濾色器的光。( 6 )根據(jù)(3 )所述的固態(tài)圖像傳感器，其中所述校正像素接收紅色光。(7)根據(jù)(1)- (6)任意一個所述的固態(tài)圖像傳感器，其中所述校正像素的光 接收部件和臨近所述校正像素布置并接收與所述校正像素的光的色彩相同的光的像素的光接收部件通過彼此相連而形成。本領(lǐng)技術(shù)人員可理解，根據(jù)設(shè)計要求或其他因素可以做出各種修改、組合、子組合或變化，只要他們在附后的權(quán)利要求書的范圍或其等同范圍之內(nèi)。本發(fā)明包含與于2012年I月23日向日本專利局申請的日本優(yōu)先權(quán)專利申請JP2012-010806中披露的內(nèi)容相關(guān)的主題，該申請整體通過引用包含在本申請中。
權(quán)利要求
1.一種固態(tài)圖像傳感器，包括: 多個像素，每個像素至少包括: 光接收部件，接收光以便生成電荷； 傳送部件，傳送在所述光接收部件中累積的電荷；以及 存儲部件，保持經(jīng)由所述傳送部件傳送來的電荷；以及 由所述多個像素共享的預(yù)定數(shù)量的元件，所述預(yù)定數(shù)量的元件用于以對應(yīng)于所述電荷的電平輸出像素信號，其中， 所述多個像素中的一個或多個為輸出校正像素信號的校正像素，所述校正像素信號用于校正從除了所述多個像素中的所述一個或多個之外的像素輸出的像素信號，以及 所述預(yù)定數(shù)量的元件中的一個或多個形成于在所述校正像素中包括的所述光接收部件的布線層側(cè)上。
2.如權(quán)利要求1所述的固態(tài)圖像傳感器，其中 針對所述多個像素，傳送部件在實(shí)質(zhì)上相同的時間點(diǎn)將在所述光接收部件中累積的電荷傳送到所述存儲部件。
3.如權(quán)利要求1所述的固態(tài)圖像傳感器，其中 所述光接收部件所接收的光進(jìn)入與在半導(dǎo)體基板中的其上層疊有布線層的表面相對的背側(cè)，在所述半導(dǎo)體基板上形成有所述光接收部件。
4.如權(quán)利要求1所述的固態(tài)圖像傳感器，其中 除了所述多個像素的校正像素之外的普通像素接收對應(yīng)色彩的光，并且 所述校正像素針對由所述普通像素所接收的光的每種色彩設(shè)置。
5.如權(quán)利要求1所述的固態(tài)圖像傳感器，其中 所述校正像素接收不穿過濾色器的光。
6.如權(quán)利要求3所述的固態(tài)圖像傳感器，其中 所述校正像素接收紅色光。
7.如權(quán)利要求1所述的固態(tài)圖像傳感器，其中 所述校正像素的光接收部件和臨近所述校正像素布置并接收與所述校正像素的光的色彩相同的光的像素的光接收部件通過彼此相連而形成。
8.一種用于固態(tài)圖像傳感器的信號處理方法，該固態(tài)圖像傳感器包括: 多個像素，每個像素至少包括: 光接收部件，接收光以便生成電荷； 傳送部件，傳送在所述光接收部件中累積的電荷；以及 存儲部件，保持經(jīng)由所述傳送部件傳送來的電荷；以及 由所述多個像素共享的預(yù)定數(shù)量的元件，所述預(yù)定數(shù)量的元件用于以對應(yīng)于所述電荷的電平輸出像素信號，其中， 所述多個像素中的一個或多個為輸出校正像素信號的校正像素，所述校正像素信號用于校正從除了所述多個像素中的所述一個或多個之外的像素輸出的像素信號，以及 所述預(yù)定數(shù)量的元件中的一個或多個形成于在所述校正像素中包括的所述光接收部件上， 所述方法包括:從除了所述校正像素之外的普通像素中輸出的像素信號減去從校正像素中輸出的像素信號。
9.一種電子裝置，包括: 固態(tài)圖像傳感器，其包括: 多個像素，每個像素至少包括: 光接收部件，接收光以便生成電荷； 傳送部件，傳送在所述光接收部件中累積的電荷；以及 存儲部件，保持經(jīng)由所述傳送部件傳送來的電荷；以及 由所述多個像素共享的預(yù)定數(shù)量的元件，所述預(yù)定數(shù)量的元件用于以對應(yīng)于所述電荷的電平輸出像素信號，其中， 所述多個像素中的一個或多個為輸出校正像素信號的校正像素，所述校正像素信號用于校正從除了所述多個像素中的所述一個或多個之外的像素輸出的像素信號，以及 所述預(yù)定數(shù)量的元件中的一個或多個形成于在所述校正像素中包括的所述光接收部件上 。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種固態(tài)圖像傳感器，包括多個像素，每個像素至少包括接收光線以便生成電荷的光接收部件、傳送在所述光接收部件中累積的電荷的傳送部件以及保持經(jīng)由所述傳送部件傳送來的電荷的存儲部件；以及由所述多個像素共享的預(yù)定數(shù)量的元件。所述預(yù)定數(shù)量的元件以對應(yīng)于所述電荷的電平輸出像素信號，所述多個像素中的一個或多個為輸出校正像素信號的校正像素，所述校正像素信號校正從除了所述多個像素中的一個或多個之外的像素輸出的像素信號，并且所述預(yù)定數(shù)量的元件中的一個或多個形成于在所述校正像素中包括的所述光接收部件的布線層側(cè)上。
文檔編號H04N5/3745GK103220477SQ201310016248
公開日2013年7月24日 申請日期2013年1月16日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月23日
發(fā)明者坂野頼人 申請人:索尼公司