專利名稱：一種可調(diào)增益?zhèn)髀暺鞯闹谱鞣椒?br> 技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及傳聲器技術(shù)領(lǐng)域，更具體的說，是涉及一種可調(diào)增益?zhèn)髀暺鳌?br> 背景技術(shù)：
MIC (Microphone，麥克風(fēng)或傳聲器)，是將聲音信號轉(zhuǎn)換為電信號的能量轉(zhuǎn)換器件，也被成為話筒或微音器。目前，大多數(shù)麥克風(fēng)都是ECM (Electret CondensorMicrophone,駐極體電容器麥克風(fēng)),其工作原理是利用具有永久電荷隔離的聚合材料振動膜。ECM的靈敏度由聲學(xué)靈敏度和電路增益兩個方面構(gòu)成，其中，聲學(xué)靈敏度與ECM的振膜面積、振膜張力、極板間距、極化電位和背聲腔體積等相關(guān)；電路增益與引出線寄生電容、放大器增益和放大器寄生電容等方面相關(guān)，上述參數(shù)的可能變化范圍非常有限，并且其細(xì)微差異是不可避免的，并且其V/ι轉(zhuǎn)換器件使用的是J-FET，而對于J-FET來說，其增益是固定的，不可以也沒法進(jìn)行增益的調(diào)整，部件的細(xì)微差異和工藝制程的差異導(dǎo)致靈敏度的分散。在ECM制作完成后，在后期根據(jù)對靈敏度要求的情況下，對ECM進(jìn)行篩選測來選擇出合格的產(chǎn)品，因此，靈敏度的分布仍是一種離散式的分布狀況，誤差為+/_2dB的成品最好的也僅僅是95%左右。因此，由于這些差異是不可避免的，為此提供一種可調(diào)增益?zhèn)髀暺?，可以在MIC制作完成后，設(shè)置需要的靈敏度時通過調(diào)整增益使制作成的產(chǎn)品具有一致的靈敏度值，進(jìn)而提高成品率和降低制作成本，是本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的問題。

實用新型內(nèi)容有鑒于此，本實用新型提供了一種可調(diào)增益?zhèn)髀暺?，以克服現(xiàn)有技術(shù)中由于V/I轉(zhuǎn)換器件使用的是J-FET，而對于J-FET來說，其增益是固定的，不可以也沒法進(jìn)行增益的調(diào)整，無法設(shè)置需要的靈敏度使制作成的產(chǎn)品具有一致的靈敏度值，進(jìn)而提高成品率和降低制作成本的問題。為實現(xiàn)上述目的，本實用新型提供如下技術(shù)方案:—種可調(diào)增益?zhèn)髀暺?，所述傳聲器的V/I轉(zhuǎn)換器件為具有可調(diào)整增益功能的ASIC集成線路，對所述ASIC集成線路內(nèi)的增益控制寄存器進(jìn)行讀寫調(diào)整。其中，所述ASIC集成線路有兩種工作狀態(tài)，具體為:正常使用狀態(tài)和增益調(diào)整狀態(tài)。經(jīng)由上述的技術(shù)方案可知，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型公開提供了一種可調(diào)增益?zhèn)髀暺?，所述傳聲器的V/ι轉(zhuǎn)換器件為具有可調(diào)整增益功能的ASIC集成線路，對所述ASIC集成線路內(nèi)的增益控制寄存器進(jìn)行讀寫調(diào)整。所述ASIC集成線路有兩種工作狀態(tài)，具體為:正常使用狀態(tài)和增益調(diào)整狀態(tài)。通過外部調(diào)試設(shè)備設(shè)置合格的靈敏度范圍，采用具有可調(diào)整增益功能的ASIC集成線路使制作成的產(chǎn)品具有一致靈敏度值，從而提高成品率和減低生產(chǎn)成本。
為了更清楚地說明本實用新型實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)提供的附圖獲得其他的附圖。圖1為本實用新型實施例公開的一種可調(diào)增益?zhèn)髀暺鹘Y(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本實用新型實施例公開的ASIC集成線路的原理圖。
具體實施方式
下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├绢I(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護(hù)的范圍。本實用新型公開提供了一種可調(diào)增益?zhèn)髀暺鳎鰝髀暺鞯腣/I轉(zhuǎn)換器件為具有可調(diào)整增益功能的ASIC集成線路，對所述ASIC集成線路內(nèi)的增益控制寄存器進(jìn)行讀寫調(diào)整。所述ASIC集成線路有兩種工作狀態(tài)，具體為:正常使用狀態(tài)和增益調(diào)整狀態(tài)。通過外部調(diào)試設(shè)備設(shè)置合格的靈敏度范圍，采用具有可調(diào)整增益功能的ASIC集成線路使制作成的產(chǎn)品具有一致靈敏度值，從而提高成品率和減低生產(chǎn)成本。請參閱附圖1，為本實用新型實施例公開的一種可調(diào)增益?zhèn)髀暺鞯慕Y(jié)構(gòu)示意圖。本實用新型實施例公開了一種了一種可調(diào)增益?zhèn)髀暺?，所述傳聲器I的V/I轉(zhuǎn)換器件為具有可調(diào)整增益功能的ASIC集成線路2，對所述ASIC集成線路2內(nèi)的增益控制寄存器進(jìn)行讀寫調(diào)整。所述ASIC集成線路2有兩種工作狀態(tài)，具體為:正常使用狀態(tài)和增益調(diào)整狀態(tài)。請參閱附圖3，為本實用新型實施例公開的ASIC集成線路的原理圖。傳聲器內(nèi)使用這種ASIC集成線路，在傳聲器組裝完成后，設(shè)置合格靈敏度范圍，對傳聲器的靈敏度進(jìn)行測試，不在范圍內(nèi)的設(shè)置使ASIC集成線路進(jìn)入“增益調(diào)整狀態(tài)”，根據(jù)靈敏度的高低并調(diào)低或調(diào)高ASIC集成線路的增益，使傳聲器得靈敏度變化到合格的靈敏度范圍內(nèi)。本實用新型公開了一種可調(diào)增益?zhèn)髀暺鳎ㄟ^外部調(diào)試設(shè)備設(shè)置合格的靈敏度范圍，采用具有可調(diào)整增益功能的ASIC集成線路使制作成的產(chǎn)品具有一致靈敏度值，從而提高成品率和減低生產(chǎn)成本。綜上所述，本實用新型公開了一種可調(diào)增益?zhèn)髀暺?，所述傳聲器的V/I轉(zhuǎn)換器件為具有可調(diào)整增益功能的ASIC集成線路，對所述ASIC集成線路內(nèi)的增益控制寄存器進(jìn)行讀寫調(diào)整。所述ASIC集成線路有兩種工作狀態(tài)，具體為:正常使用狀態(tài)和增益調(diào)整狀態(tài)。通過外部調(diào)試設(shè)備設(shè)置合格的靈敏度范圍，采用具有可調(diào)整增益功能的ASIC集成線路使制作成的產(chǎn)品具有一致靈敏度值，從而提高成品率和減低生產(chǎn)成本。對所公開的實施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本實用新型。對這些實施例的多種修改對本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本實用新型的精神或范圍的情況下，在其它實施例中實現(xiàn)。因此，本實用新型將不會被限制于本文所示的這些實施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。
權(quán)利要求1.一種可調(diào)增益?zhèn)髀暺鳎涮卣髟谟?，所述傳聲器的V/I轉(zhuǎn)換器件為具有可調(diào)整增益功能的ASIC集成線路，對所述ASIC集成線路內(nèi)的增益控制寄存器進(jìn)行讀寫調(diào)整。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳聲器，其特征在于，所述ASIC集成線路有兩種工作狀態(tài)，具體為:正常使用狀態(tài)和增益調(diào)整狀態(tài)。
專利摘要本申請公開了一種可調(diào)增益?zhèn)髀暺?，所述傳聲器的V/I轉(zhuǎn)換器件為具有可調(diào)整增益功能的ASIC集成線路，對所述ASIC集成線路內(nèi)的增益控制寄存器進(jìn)行讀寫調(diào)整。所述ASIC集成線路有兩種工作狀態(tài)，具體為正常使用狀態(tài)和增益調(diào)整狀態(tài)。通過外部調(diào)試設(shè)備設(shè)置合格的靈敏度范圍，采用具有可調(diào)整增益功能的ASIC集成線路使制作成的產(chǎn)品具有一致靈敏度值，從而提高成品率和減低生產(chǎn)成本。
文檔編號H04R3/00GK202979261SQ201220667279
公開日2013年6月5日 申請日期2012年12月6日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月6日
發(fā)明者田達(dá)亨, 姜增文, 許澎勝 申請人:山東共達(dá)電聲股份有限公司