專利名稱：用于接收衛(wèi)星電視信號的高頻頭的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及高頻信號低噪聲放大降頻器，特別涉及一種用于接收衛(wèi)星電視信號的高頻頭。
背景技術(shù)：
高頻頭通常包括高頻轉(zhuǎn)接頭及其轉(zhuǎn)接頭座、導(dǎo)波筒、集波器和電路盒。高頻頭的作用是接收衛(wèi)星電視信號，并進行頻道選擇、信號放大及降頻處理，最終輸出穩(wěn)定的信號。目前，常規(guī)的高頻頭電路中混頻器一般都采用非線性元件來實現(xiàn)，但是只要是采用非線性器件去完成混頻操作的，就不可避免的會產(chǎn)生相對較高的交調(diào)失真，雜波響應(yīng)和其他的非線性失真。在傳統(tǒng)的ニ極管混頻器中，失真的缺陷明顯，另外，ニ極管混頻器的噪聲包括散粒 噪聲和熱噪聲，其噪聲也是較高的。因此，獲取增益強、噪聲低的高頻頭成為ー個新的重要課題。

實用新型內(nèi)容本實用新型的目的就是要克服現(xiàn)有技術(shù)的上述缺陷，提供ー種增益強、噪聲低的用于接收衛(wèi)星電視信號的高頻頭。為達上述目的，本實用新型提供的用于接收衛(wèi)星電視信號的高頻頭包括高頻轉(zhuǎn)接頭和電路盒，所述電路盒內(nèi)安裝有電路板，所述電路板包括控制芯片單元、高頻放大単元、BPF帶通濾波電路單元、介質(zhì)DR本振単元、N溝道無源場效應(yīng)管FET阻性混頻器單元和中頻輸出放大電路単元，所述高頻放大單元、BPF帶通濾波電路單元、N溝道無源場效應(yīng)管FET阻性混頻器單元和中頻輸出放大電路単元依次相連，所述控制芯片單元與所述高頻放大單元和所述中頻輸出放大電路単元分別相連，所述控制芯片單元經(jīng)所述介質(zhì)DR本振単元與所述N溝道無源場效應(yīng)管FET阻性混頻器單元相連，所述高頻放大單元接收RF信號，所述中頻輸出放大電路単元與所述高頻轉(zhuǎn)接頭相連；接收的衛(wèi)星RF信號經(jīng)所述高頻放大電路放大后，接入所述BPF帶通濾波電路單元濾除干擾信號，再送入所述N溝道無源場效應(yīng)管FET阻性混頻器單元和介質(zhì)DR本振單元進行信號混頻，所述N溝道無源場效應(yīng)管FET阻性混頻器單元輸出中頻信號并經(jīng)所述中頻輸出放大電路單元輸出至所述高頻轉(zhuǎn)接頭。本實用新型用于接收衛(wèi)星電視信號的高頻頭，其中所述高頻放大單元分別通過第一電阻至第三電阻接至所述控制芯片單元，所述BPF帶通濾波電路單元通過銅箔連接在所述高頻放大單元與所述N溝道無源場效應(yīng)管FET阻性混頻器單元之間，所述N溝道無源場效應(yīng)管FET阻性混頻器單元通過銅箔接至所述BPF帶通濾波電路單元，并通過第一電容接至所述介質(zhì)DR本振単元，同時通過第二電容接至所述中頻輸出放大電路単元，所述N溝道無源場效應(yīng)管FET阻性混頻器單元通過銅箔接至所述中頻輸出放大電路単元。本實用新型用于接收衛(wèi)星電視信號的高頻頭，其中所述N溝道無源場效應(yīng)管FET阻性混頻器單元包括第四電阻和N溝道場效應(yīng)管FET管，所述第四電阻一端接地，另外一端連接到所述BPF帶通濾波電路單元與所述N溝道場效應(yīng)管FET管的柵極連接處，所述N溝道場效應(yīng)管FET管的柵極連接到所述第四電阻與所述BPF帶通濾波電路單元連接處，所述N溝道場效應(yīng)管FET管的源極接地，所述N溝道場效應(yīng)管FET管的漏極與所述介質(zhì)DR本振單元連接，并通過ー組印刷電感與所述中頻輸出放大電路單元連接。本實用新型用于接收衛(wèi)星電視信號的高頻頭的優(yōu)點是由于電路板的混頻部分采用N溝道無源場效應(yīng)管FET阻性混頻單元，在保證性能穩(wěn)定的前提下進ー步降低了使用功耗，提高了増益，降低了噪聲。

圖I是本實用新型高頻頭的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本實用新型高頻頭的局部剖視結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是本實用新型高頻頭中電路板的工作原理框圖； 圖4是本實用新型高頻頭中電路板的電路圖。附圖中1.高頻轉(zhuǎn)接頭，2.轉(zhuǎn)接頭座，3.電路盒，4.導(dǎo)波筒，5.介質(zhì)片插槽，6.集波器，7.電路板。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖詳細說明本實用新型一種用于接收衛(wèi)星電視信號的高頻頭的實施例。參照圖I和圖2，本實用新型提供的用于接收衛(wèi)星電視信號的高頻頭包括高頻轉(zhuǎn)接頭I及其轉(zhuǎn)接頭座2、導(dǎo)波筒4、集波器6和電路盒3。在電路盒3內(nèi)安裝有電路板7。本實用新型用于接收衛(wèi)星電視信號的高頻頭技術(shù)考慮到如果采用ー個沒有非線性的時變元件，就能實現(xiàn)沒有失真的混頻器。場效應(yīng)管可以實現(xiàn)這一點。這種混頻器具有失真小，Ι/f噪聲低，沒有散粒噪聲的優(yōu)點，其變頻損耗同ニ極管混頻器相當(dāng)。當(dāng)漏源電壓較低或為O吋，場效應(yīng)管FET溝道可很好的近似為ー個線性電阻。這個線性溝道的電阻由柵極上的RF電壓來調(diào)制。因為柵壓的變化可以改變柵下耗盡區(qū)的深度，從而改變溝道電阻的值。當(dāng)柵壓低于開啟電壓Vt時，溝道阻值很大相當(dāng)于開路；而當(dāng)柵壓超過最大值時，溝道電阻將會降到幾個歐姆。這個變化范圍對于ー個阻性混頻器已經(jīng)足夠了。另外，場效應(yīng)管FET溝道是純電阻，它的噪聲幾乎完全是熱噪聲。場效應(yīng)管FET電阻混頻器的等效噪聲溫度等于混頻器的物理溫度，比ニ極管混頻器的低一點。因為ニ極管混頻器的噪聲包括散粒噪聲和熱噪聲。參照圖3，電路板7包括控制芯片單元12、高頻放大單元8、BPF帶通濾波電路單元
9、介質(zhì)DR本振単元10、N溝道無源場效應(yīng)管FET阻性混頻器單元11和中頻輸出放大電路單元13。高頻放大単元8、BPF帶通濾波電路單元9、N溝道無源場效應(yīng)管FET阻性混頻器單元11和中頻輸出放大電路單元13依次相連?？刂菩酒瑔卧?2與高頻放大單元8和中頻輸出放大電路単元13分別相連。控制芯片單元12經(jīng)介質(zhì)DR本振単元10與N溝道無源場效應(yīng)管FET阻性混頻器單元11相連。高頻放大單元8接收RF信號，中頻輸出放大電路單元13與高頻轉(zhuǎn)接頭I相連。結(jié)合參照圖4，高頻放大単元8分別通過第一電阻Rl至第三電阻R3接至控制芯片單元12。BPF帶通濾波電路單元9通過銅箔連接在高頻放大単元8和N溝道無源場效應(yīng)管FET阻性混頻器單元11之間。N溝道無源場效應(yīng)管FET阻性混頻器單元11通過銅箔接至BPF帶通濾波電路單元9，并通過第一電容C15接至介質(zhì)DR本振単元10，同時通過第二電容C19接至中頻輸出放大電路単元13。N溝道無源場效應(yīng)管FET阻性混頻器單元11通過銅箔接至中頻輸出放大電路單元13。其中，N溝道無源場效應(yīng)管FET阻性混頻器單元11包括第四電阻R4和N溝道場效應(yīng)管FET管Q4，第四電阻R4 —端接地，另外一端連接到BPF帶通濾波電路單元9與N溝道場效應(yīng)管FET管Q4的柵極連接處，N溝道場效應(yīng)管FET管Q4的柵極連接到第四電阻R4與BPF帶通濾波電路單元9連接處，N溝道場效應(yīng)管FET管Q4的源極接地，N溝道場效應(yīng)管FET管Q4的漏極與介質(zhì)DR本振單元10連接，并通過ー組印刷電感與中頻輸出放大電路單元13連接。在本實用新型用于接收衛(wèi)星電視信號的高頻頭的實施例中，高頻頭的工作過程 是接收的衛(wèi)星RF信號經(jīng)高頻放大電路8放大后，接入BPF帶通濾波電路單元9濾除干擾信號，再送入N溝道無源場效應(yīng)管FET阻性混頻器單元11和介質(zhì)DR本振単元10進行信號混頻，N溝道無源場效應(yīng)管FET阻性混頻器單元11輸出中頻信號并經(jīng)中頻輸出放大電路單元13輸出至高頻轉(zhuǎn)接頭I。高頻頭增益的國標(biāo)為55db，噪聲的國標(biāo)為I. 3，本發(fā)明用于接收衛(wèi)星電視信號的高頻頭增益提高到65db，噪聲降低為O. 8，接收信號質(zhì)量得到提高。上面所述的實施例僅僅是對本實用新型的優(yōu)選實施方式進行描述，并非對本實用新型的構(gòu)思和范圍進行限定。在不脫離本實用新型設(shè)計構(gòu)思的前提下，本領(lǐng)域普通人員對本實用新型的技術(shù)方案做出的各種變型和改進，均應(yīng)落入到本實用新型的保護范圍，本實用新型請求保護的技術(shù)內(nèi)容，已經(jīng)全部記載在權(quán)利要求書中。
權(quán)利要求1.ー種用于接收衛(wèi)星電視信號的高頻頭，包括高頻轉(zhuǎn)接頭(I)和電路盒(3 )，其特征在于所述電路盒(3)內(nèi)安裝有電路板，所述電路板(7)包括控制芯片單元(12)、高頻放大單元(8)、BPF帶通濾波電路單元(9)、介質(zhì)DR本振単元(10)、N溝道無源場效應(yīng)管FET阻性混頻器單元(11)和中頻輸出放大電路單元(13 ),所述高頻放大單元(8 )、BPF帶通濾波電路單元(9)、N溝道無源場效應(yīng)管FET阻性混頻器單元(11)和中頻輸出放大電路単元(13)依次相連，所述控制芯片單元(12)與所述高頻放大單元(8)和所述中頻輸出放大電路単元(13)分別相連，所述控制芯片單元(12)經(jīng)所述介質(zhì)DR本振単元(10)與所述N溝道無源場效應(yīng)管FET阻性混頻器單元(11)相連，所述高頻放大單元(8)接收RF信號，所述中頻輸出放大電路單元(13)與所述高頻轉(zhuǎn)接頭(I)相連；接收的衛(wèi)星RF信號經(jīng)所述高頻放大電路(8)放大后，接入所述BPF帶通濾波電路單元(9 )濾除干擾信號，再送入所述N溝道無源場效應(yīng)管 FET阻性混頻器單元(11)和介質(zhì)DR本振単元(10)進行信號混頻，所述N溝道無源場效應(yīng)管FET阻性混頻器單元(11)輸出中頻信號并經(jīng)所述中頻輸出放大電路単元(13)輸出至所述高頻轉(zhuǎn)接頭(I)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的用于接收衛(wèi)星電視信號的高頻頭，其特征在于其中所述高頻放大単元(8)分別通過第一電阻(Rl)至第三電阻(R3)接至所述控制芯片單元(12)，所述BPF帶通濾波電路單元(9 )通過銅箔連接在所述高頻放大單元(8 )與所述N溝道無源場效應(yīng)管FET阻性混頻器單元(11)之間，所述N溝道無源場效應(yīng)管FET阻性混頻器單元(11)通過銅箔接至所述BPF帶通濾波電路單元(9)，并通過第一電容(C15)接至所述介質(zhì)DR本振単元(10)，同時通過第二電容(C19)接至所述中頻輸出放大電路単元(13)，所述N溝道無源場效應(yīng)管FET阻性混頻器單元(11)通過銅箔接至所述中頻輸出放大電路単元(13)。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的用于接收衛(wèi)星電視信號的高頻頭，其特征在于其中所述N溝道無源場效應(yīng)管FET阻性混頻器單元(11)包括第四電阻(R4)和N溝道場效應(yīng)管FET管(Q4)，所述第四電阻(R4)—端接地，另外一端連接到所述BPF帶通濾波電路單元(9)與所述N溝道場效應(yīng)管FET管(Q4)的柵極連接處，所述N溝道場效應(yīng)管FET管(Q4)的柵極連接到所述第四電阻(R4)與所述BPF帶通濾波電路單元(9)連接處，所述N溝道場效應(yīng)管FET管(Q4)的源極接地，所述N溝道場效應(yīng)管FET管(Q4)的漏極與所述介質(zhì)DR本振単元(10)連接,并通過ー組印刷電感與所述中頻輸出放大電路單元(13)連接。
專利摘要本實用新型提供的用于接收衛(wèi)星電視信號的高頻頭，包括高頻轉(zhuǎn)接頭及其轉(zhuǎn)接頭座、導(dǎo)波筒、集波器和電路盒，電路盒內(nèi)安裝的電路板包括控制芯片單元、高頻放大單元、BPF帶通濾波電路單元、介質(zhì)DR本振單元、N溝道無源場效應(yīng)管FET阻性混頻器單元和中頻輸出放大電路單元，衛(wèi)星RF信號經(jīng)電路板輸出至高頻轉(zhuǎn)接頭。本實用新型用于接收衛(wèi)星電視信號的高頻頭的優(yōu)點是由于電路板的混頻部分采用N溝道無源場效應(yīng)管FET阻性混頻單元，在保證性能穩(wěn)定的前提下進一步降低了使用功耗，提高了增益，降低了噪聲。
文檔編號H04N7/20GK202652372SQ20122026609
公開日2013年1月2日 申請日期2012年6月6日 優(yōu)先權(quán)日2012年6月6日
發(fā)明者張金國 申請人:張金國