專利名稱:一種音頻接口適配裝置及音頻信號接收設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及電子技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種音頻接口適配裝置及音頻信號接收設(shè)備。
背景技術(shù):
現(xiàn)有的音頻信號發(fā)送設(shè)備(例如,移動通信終端)的音頻接口(例如耳機(jī)插孔)和音頻信號接收設(shè)備(例如,耳機(jī))的音頻接口一般采用四段式接口,其中管腳I和管腳2為音頻管腳,即左聲道管腳和右聲道管腳。但是,不同的音頻接口的管腳3和管腳4的作用不同,存在管腳3為MIC管腳(麥克管腳),管腳4為GND管腳(地線管腳),以及管腳3為GND管腳(地線管腳),管腳4為MIC管腳(麥克管腳)兩種類型的音頻接口。由于存在上述不同類型的音頻接口,當(dāng)音頻信號發(fā)送設(shè)備(例如,移動通信終端)的音頻接口與音頻信號接收設(shè)備(例如,耳機(jī)、耳麥)的音頻接口不匹配時,音頻信號發(fā)送設(shè)備和音頻信號接收設(shè)備之間不僅無法通過音頻接口的MIC管腳進(jìn)行通信,也無法正常使用音頻接口的音頻管腳(左聲道管腳和右聲道管腳)進(jìn)行音頻信號的傳輸。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是,克服現(xiàn)有技術(shù)的不足,提供一種音頻接口適配裝置(適配電路)以及設(shè)置有上述適配裝置的音頻信號接收設(shè)備(例如,耳機(jī)、耳麥,揚聲器,音頻信號轉(zhuǎn)接設(shè)備,及其它通過音頻管腳接收并處理音頻信號的音頻信號接收設(shè)備),當(dāng)其與設(shè)置有任何類型的音頻接口的音頻信號發(fā)送設(shè)備連接時,都可以通過音頻接口的音頻管腳(左聲道管腳,和/或右聲道管腳)正常接收音頻信號。為了解決上述問題,本發(fā)明提供一種音頻接口適配裝置,該裝置包含:音頻接口,所述音頻接口包含管腳1,管腳2,管腳3和管腳4 ;音頻接口的音頻管腳通過第一單向?qū)щ娖骷c所述管腳3相連,并通過第二單向?qū)щ娖骷c所述管腳4相連;所述音頻管腳包括所述管腳1、和/或管腳2 ;所述管腳3和管腳4中的一個作為麥克管腳,另一個作為地線管腳;所述第一單向?qū)щ娖骷膶?dǎo)電方向為所述音頻管腳至所述管腳3 ;所述第二單向?qū)щ娖骷膶?dǎo)電方向為所述音頻管腳至所述管腳4。此外,所述管腳I依次通過第一信號處理模塊、所述第一單向?qū)щ娖骷c所述管腳3相連,并依次通過所述第一信號處理模塊、第二單向?qū)щ娖骷c所述管腳4相連;和/或所述管腳2依次通過第二信號處理模塊、第一單向?qū)щ娖骷c所述管腳3相連,并依次通過所述第二信號處理模塊和所述第二單向?qū)щ娖骷c所述管腳4相連。此外,所述裝置中還包含第一雙向?qū)щ娫?;所述第一雙向?qū)щ娫囊欢伺c所述管腳3和第一單向?qū)щ娖骷噙B,所述第一雙向?qū)щ娫牧硪欢伺c所述管腳4和第二單向?qū)щ娖骷噙B。此外,所述第一雙向?qū)?電元件為電阻。
此外,所述第一單向?qū)щ娖骷橐韵略械囊环N:二極管,三極管,MOS管;所述第二單向?qū)щ娖骷橐韵略械囊环N:二極管,三極管,MOS管。此外,所述第一單向?qū)щ娖骷槎O管Dl,Dl的正極與所述音頻管腳相連,Dl的負(fù)極與所述管腳3相連;和/或所述第二單向?qū)щ娖骷槎O管D2,D2的正極與所述音頻管腳相連,D2的負(fù)極與所述管腳4相連。此外,所述第一單向?qū)щ娖骷镻NP型三極管Tl,Tl的發(fā)射極與所述音頻管腳相連,Tl的基極與所述管腳3相連;和/或所述第二單向?qū)щ娖骷镻NP型三極管T2,T2的發(fā)射極與所述音頻管腳相連,T2的基極與所述管腳4相連。此外,所述第一單向?qū)щ娖骷镹PN型三極管Tl,Tl的基極與所述音頻管腳相連,Tl的發(fā)射極與所述管腳3相連;和/或所述第二單向?qū)щ娖骷镹PN型三極管T2,T2的基極與所述音頻管腳相連,Τ2的發(fā)射極與所述管腳4相連。此外,所述第一單向?qū)щ娖骷镹溝道結(jié)型MOS管Fl,F(xiàn)l的源極與所述音頻管腳相連,F(xiàn)l的柵極與所述管腳3相連;和/或所述第二單向?qū)щ娖骷镹溝道結(jié)型MOS管F2,F(xiàn)2的源極與所述音頻管腳相連,F(xiàn)2的柵極與所述管腳4相連。此外,所述第一單向?qū)щ娖骷镻溝道結(jié)型MOS管Fl,F(xiàn)l的柵極與所述音頻管腳相連,F(xiàn)l的源極與所述管腳3相連;和/或所述第二單向?qū)щ娖骷镻溝道結(jié)型MOS管F2,F(xiàn)2的柵極與所述音頻管腳相連,F(xiàn)2的源極與所述管腳4相連。 此外,所述第一信號處理模塊為以下一種:電阻,麥克風(fēng),變壓器,并聯(lián)的電阻和比較器,并聯(lián)的電阻和運算放大器;所述第二信號處理模塊為以下一種:電阻,麥克風(fēng),變壓器,并聯(lián)的電阻和比較器,并聯(lián)的電阻和運算放大器。此外,所述音頻接口為耳機(jī)插口或耳機(jī)插孔。此外,所述第一單向?qū)щ娖骷退龅诙蜗驅(qū)щ娖骷稍趩我恍酒?。本發(fā)明還提供一種音頻信號接收設(shè)備,該設(shè)備包含:音頻接口適配裝置以及音頻信號接收單元,其中所述音頻接口適配裝置包含:音頻接口,第一單向?qū)щ娖骷?,第二單向?qū)щ娖骷?,信號處理模塊;所述音頻接口包含管腳1,管腳2,管腳3和管腳4 ;所述管腳I通過第一單向?qū)щ娖骷c所述管腳3相連,并通過第二單向?qū)щ娖骷c所述管腳4相連;所述管腳2通過第一單向?qū)щ娖骷c所述管腳3相連,并通過第二單向?qū)щ娖骷c所述管腳4相連;其中:所述信號處理模塊包括第一信號處理模塊,所述管腳I依次通過所述第一信號處理模塊、第一單向?qū)щ娖骷c所述管腳3相連,并依次通過第一信號處理模塊、第二單向?qū)щ娖骷c所述管腳4相連;和/或所述信號處理模塊包括第二信號處理模塊,所述管腳2依次通過所述第二信號處理模塊、第一單向?qū)щ娖骷c 所述管腳3相連,并依次通過第二信號處理模塊、第二單向?qū)щ娖骷c所述管腳4相連;所述管腳3和管腳4中的一個作為麥克管腳,另一個作為地線管腳;所述第一單向?qū)щ娖骷膶?dǎo)電方向為所述音頻管腳至所述管腳3 ;所述第二單向?qū)щ娖骷膶?dǎo)電方向為所述音頻管腳至所述管腳4 ;所述信號處理模塊為以下一種或兩種:變壓器,所述變壓器的次級線圈與音頻信號接收單元相連;并聯(lián)的電阻和比較器,所述比較器的輸出端與音頻信號接收單元相連;并聯(lián)的電阻和運算放大器,所述運算放大器的輸出端與音頻信號接收單元相連。此外,所述音頻管腳包括:所述管腳I和管腳2 ;所述信號處理模塊包括:第一信號處理模塊和第二信號處理模塊;所述管腳I依次通過所述第一信號處理模塊和所述第一單向?qū)щ娖骷c所述管腳3相連;所述管腳2依次通過所述第二信號處理模塊和所述第二單向?qū)щ娖骷c所述管腳4相連。此外,所述音頻接口適配裝置中還包含第一雙向?qū)щ娫凰龅谝浑p向?qū)щ娫囊欢伺c所述管腳3和第一單向?qū)щ娖骷噙B,所述第一雙向?qū)щ娫牧硪欢伺c所述管腳4和第二單向?qū)щ娖骷噙B。此外,所述第一雙向?qū)щ娯<殡娮?。此外,所述第一單向?qū)щ娖骷橐韵略械囊环N:二極管,三極管,MOS管;所述第二單向?qū)щ娖骷橐韵略械囊环N:二極管,三極管,MOS管。此外,所述第一單向?qū)щ娖骷槎O管Dl,Dl的正極與所述音頻管腳相連,Dl的負(fù)極與所述管腳3相連;和/或所述第二單向?qū)щ娖骷槎O管D2,D2的正極與所述音頻管腳相連,D2的負(fù)極與所述管腳4相連。此外,所述第一單向?qū)щ娖骷镻NP型三極管Tl,Tl的發(fā)射極與所述音頻管腳相連,Tl的基極與所述管腳3相連;和/或所述第二單向?qū)щ娖骷镻NP型三極管T2,T2的發(fā)射極與所述音頻管腳相連,T2的基極與所述管腳4相連。此外,所述第一單向?qū)щ娖骷镹PN型三極管Tl,Tl的基極與所述音頻管腳相連,Tl的發(fā)射極與所述管腳3相連;和/或所述第二單向?qū)щ娖骷镹PN型三極管T2,T2的基極與所述音頻管腳相連,Τ2的發(fā)射極與所述管腳4相連。此外,所述第一單向?qū)щ娖骷镹溝道結(jié)型MOS管Fl,F(xiàn)l的源極與所述音頻管腳相連,F(xiàn)l的柵極與所述管腳3相連;和/或所述第二單向?qū)щ娖骷镹溝道結(jié)型MOS管F2,F(xiàn)2的源極與所述音頻管腳相連,F(xiàn)2的柵極與所述管腳4相連。此外,所述第一單向?qū)щ娖骷镻溝道結(jié)型MOS管Fl,F(xiàn)l的柵極與所述音頻管腳相連,F(xiàn)l的源極與所述管腳3相連;和/或所述第二單向?qū)щ娖骷镻溝道結(jié)型MOS管F2,F(xiàn)2的柵極與所述音頻管腳相連,F(xiàn)2的源極與所述管腳4相連。此外,所述音頻接口為耳機(jī)插口或耳機(jī)插孔。此外,所述第一單向 導(dǎo)電器件和所述第二單向?qū)щ娖骷稍趩我恍酒小?br>
綜上所述,采用本發(fā)明的音頻接口適配裝置,音頻信號接收設(shè)備可以與設(shè)置有任何類型的音頻接口的音頻信號發(fā)送設(shè)備連接,成功通過音頻信號發(fā)送設(shè)備進(jìn)行的檢測,并通過音頻接口的音頻管腳(左聲道,和/或右聲道管腳)正常接收音頻信號。
為了更清楚地說明本發(fā)明實施例的技術(shù)方案,下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例,對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他附圖。圖1是本發(fā)明的原理示意圖;圖2為本發(fā)明音頻接口適配裝置和音頻信號接收設(shè)備第一實施例的結(jié)構(gòu)示意圖;圖3為本發(fā)明音頻接口適配裝置和音頻信號接收設(shè)備第二實施例的結(jié)構(gòu)示意圖;圖4為本發(fā)明音頻接口適配裝置和音頻信號接收設(shè)備第三實施例的結(jié)構(gòu)示意圖;圖5為本發(fā)明音頻接口適配裝置和音頻信號接收設(shè)備第四實施例的結(jié)構(gòu)示意圖;圖6為本發(fā)明音頻接口適配裝置和音頻信號接收設(shè)備第五實施例的結(jié)構(gòu)示意圖;圖7為本發(fā)明音頻接口適配裝置和音頻信號接收設(shè)備第六實施例的結(jié)構(gòu)示意圖;圖8為本發(fā)明音頻接口適配裝置和音頻信號接收設(shè)備第七實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式下面結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖,對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例,而不是全部的實施例。基于本發(fā)明的實施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。如圖1所示,本發(fā)明的核心是,將音頻接口中的音頻管腳(管腳1,和/或管腳2)通過具有單向?qū)щ娞匦缘钠骷?以下稱為單向?qū)щ娖骷?,例如,二極管、三極管,MOS管等)分別與音頻接口的管腳3和管腳4相連。此外,在音頻管腳和單向?qū)щ娖骷g可串聯(lián)信號處理模塊,上述信號處理模塊可以是麥克風(fēng)、變壓器的初級線圈、電阻等,也可以是包括并聯(lián)的電阻和比較器,或包括并聯(lián)的電阻和運算放大器的信號處理模塊。下面將結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述。第一實施例圖2為本發(fā)明音頻接口適配裝置和音頻信號接收設(shè)備第一實施例的結(jié)構(gòu)示意圖;本實施例中,單向?qū)щ娖骷槎O管,信號處理模塊為麥克風(fēng)。如圖2所示,本實施例中音頻接口適配裝置包含:音頻接口,麥克風(fēng)Ml,麥克風(fēng)M2,二極管Dl和二極管D2。其中:音頻接口包含管腳1、管腳2、管腳3和管腳4。管腳I和管腳2為音頻管腳,可以分別為左聲道管腳和右聲道管腳;根據(jù)不同的音頻接口標(biāo)準(zhǔn),管腳3和管腳4可以分別作為MIC管腳和GND管腳,或分別作為GND管腳和MIC管腳使用。本發(fā)明的音頻接口可 以是任一款四段式耳機(jī)插頭或者插孔,例如直徑為3.5mm或2.5mm的耳機(jī)插頭或者耳機(jī)插孔。音頻接口的管腳I (左聲道管腳)和管腳2 (右聲道管腳)分別與麥克風(fēng)Ml和麥克風(fēng)M2的一端相連,麥克風(fēng)Ml和麥克風(fēng)M2的另一端都與二極管Dl和二極管D2的正極相連,二極管Dl和二極管D2的負(fù)極分別與音頻接口的管腳3和管腳4相連。上述二極管可以是鍺管。如果本發(fā)明的音頻接口為耳機(jī)插頭,則可直接將本發(fā)明的音頻信號接收設(shè)備插入音頻信號發(fā)送設(shè)備(例如,智能手機(jī))的耳機(jī)插孔中;如果本發(fā)明的音頻接口為耳機(jī)插孔,則可以采用兩端都是耳機(jī)插頭的轉(zhuǎn)接線連接智能手機(jī)的耳機(jī)插孔。采用本實施例音頻接口適配裝置的音頻信號接收設(shè)備可以是耳機(jī)、耳麥、揚聲器
坐寸ο當(dāng)設(shè)置有上述音頻接口適配裝置的音頻信號接收設(shè)備與音頻信號發(fā)送設(shè)備相連時,無論音頻信號發(fā)送設(shè)備的音頻接口的管腳3和管腳4是什么類型,音頻信號接收設(shè)備都可以成功通過音頻信號發(fā)送設(shè)備針對管腳I和管腳2 (即音頻管腳)進(jìn)行的檢測和識別,并正常使用管腳I和管腳2進(jìn)行音頻信號的接收和處理。可選地,本實施例中,管腳3和管腳4之間可以通過雙向?qū)щ娫?,例如電阻Rl相連,上述雙向?qū)щ娫淖柚捣秶梢詾?7.7ΚΩ 15ΚΩ,一般采用10ΚΩ、12ΚΩ或15ΚΩ。如果管腳3和管腳4之間通過雙向?qū)щ娫?例如,電阻)相連,本發(fā)明的音頻信號接收設(shè)備可以成功通過音頻信號發(fā)送設(shè)備針對MIC管腳的檢測和識別。第二實施例圖3為本發(fā)明音頻接口適配裝置和音頻信號接收設(shè)備第二實施例的結(jié)構(gòu)示意圖;本實施例中,單向?qū)щ娖骷槎O管,信號處理模塊分別為電阻和變壓器Ul。本發(fā)明第二實施例與第一實施例的區(qū)別在于信號處理模塊的類型不同。本實施例中,與音頻接口的管腳I (或管腳2)相連的信號處理模塊為變壓器;與音頻接口的管腳2(或管腳I)相連的信號處理模塊為電阻R2,其阻值范圍可以為:4Ω以上,一般采用8Ω、16 Ω 或 32Ω。音頻接口的管腳I與變壓器的初級線圈的一端相連,該初級線圈的另一端與二極管Dl和二極管D2的正極相連。采用本實施例音頻接口適配裝置的音頻信號接收設(shè)備中還可以包含音頻信號接收單元,該音頻信號接收單元與變壓器次級線圈的兩端相連,接收經(jīng)過放大的音頻信號后進(jìn)行相應(yīng)處理。當(dāng)然,本實施例中音頻接口的管腳I和管腳2都可以分別與變壓器Ul和U2相連;Ul和U2的次級線圈的兩端可以與一個或分別與兩個音頻信號接收單元相連。第三實施例圖4為本發(fā)明音頻接口適配裝置和音頻信號接收設(shè)備第三實施例的結(jié)構(gòu)示意圖;本實施例中,單向?qū)щ娖骷槎O管,信號處理模塊中包含并聯(lián)的電阻和比較器。本發(fā)明第三實施例與第一實施例的區(qū)別在于信號處理模塊的類型不同。本實施例中,與音頻接口的管腳I相連的信號處理模塊包含并聯(lián)的電阻R2和比較器Cl ;與音頻接口的管腳2相連的信號處理模塊包 含并聯(lián)的電阻R3和比較器C2。
管腳I與電阻R2的一端以及比較器Cl的一個輸入端(例如,正極)相連,電阻R2的另一端以及比較Cl的另一輸入端(例如,負(fù)極)與二極管Dl和二極管D2的正極相連。管腳2與電阻R3的一端以及比較器C2的一個輸入端(例如,正極)相連,電阻R3的另一端以及比較C2的另一輸入端(例如,負(fù)極)與二極管Dl和二極管D2的正極相連。采用本實施例音頻接口適配裝置的音頻信號接收設(shè)備中還可以包含音頻信號接收單元,該音頻信號接收單元與比較器Cl和C2的輸出端相連,接收經(jīng)過比較器整形處理的音頻信號后進(jìn)行相應(yīng)處理。此外,本實施例中的比較器還可以替換為運算放大器。第四實施例圖5為本發(fā)明音頻接口適配裝置和音頻信號接收設(shè)備第四實施例的結(jié)構(gòu)示意圖;本實施例中,單向?qū)щ娖骷镻NP型三極管,信號處理模塊為麥克風(fēng)。本發(fā)明第四實施例與第一實施例的區(qū)別在于單向?qū)щ娖骷煌?。本實施例中,單向?qū)щ娖骷?三極管Tl和三極管T2。其中:三極管Tl的發(fā)射極通過麥克風(fēng)Ml和麥克風(fēng)M2與管腳I和管腳2相連;三極管Tl的基極與管腳3相連。 三極管T2的發(fā)射極通過麥克風(fēng)Ml和麥克風(fēng)M2與管腳I和管腳2相連;三極管T2的基極與管腳4相連。三極管Tl和T2的集電極可以處于懸空狀態(tài)。此外,與本發(fā)明第二實施例和第三實施例類似,本實施例中的第一信號處理模塊(麥克風(fēng)Ml)和第二信號處理模塊(麥克風(fēng)M2)也可以替換為:電阻和變壓器Ul,或替換為包含并聯(lián)的電阻和比較器的信號處理模塊等。第五實施例圖6為本發(fā)明音頻接口適配裝置和音頻信號接收設(shè)備第五實施例的結(jié)構(gòu)示意圖;本實施例中,單向?qū)щ娖骷镹PN型三極管,信號處理模塊為麥克風(fēng)。本發(fā)明第五實施例與第一實施例的區(qū)別在于單向?qū)щ娖骷煌?。本實施例中,單向?qū)щ娖骷?三極管Tl和三極管T2。其中:三極管Tl的基極通過麥克風(fēng)Ml和麥克風(fēng)M2與管腳I和管腳2相連;三極管Tl的發(fā)射極與管腳3相連。三極管T2的基極通過麥克風(fēng)Ml和麥克風(fēng)M2與管腳I和管腳2相連;三極管T2的發(fā)射極與管腳4相連。三極管Tl和T2的集電極可以處于懸空狀態(tài)。此外,與本發(fā)明第二實施例和第三實施例類似,本實施例中的第一信號處理模塊(麥克風(fēng)Ml)和第二信號處理模塊(麥克風(fēng)M2)也可以替換為:電阻和變壓器Ul,或替換為包含并聯(lián)的電阻和比較器的信號處理模塊等。第六實施例圖7為本發(fā)明音頻接口適配裝置和音頻信號接收設(shè)備第六實施例的結(jié)構(gòu)示意圖;本實施例中,單向?qū)щ娖骷镹溝道結(jié)型MOS管,信號處理模塊為麥克風(fēng)。本發(fā)明第六實施例與第一實施例的區(qū)別在于單向?qū)щ娖骷煌?。本實施例中,單向?qū)щ娖骷?MOS管Fl和MOS 管F2。其中:
MOS管Fl的源極通過麥克風(fēng)Ml和麥克風(fēng)M2與管腳I和管腳2相連;M0S管Fl的柵極與管腳3相連。MOS管F2的源極通過麥克風(fēng)Ml和麥克風(fēng)M2與管腳I和管腳2相連;M0S管F2的柵極與管腳4相連。MOS管Fl和F2的漏極可以處于懸空狀態(tài)。此外,與本發(fā)明第二實施例和第三實施例類似,本實施例中的第一信號處理模塊(麥克風(fēng)Ml)和第二信號處理模塊(麥克風(fēng)M2)也可以替換為:電阻和變壓器Ul,或替換為包含并聯(lián)的電阻和比較器的信號處理模塊等。第七實施例圖8為本發(fā)明音頻接口適配裝置和音頻信號接收設(shè)備第七實施例的結(jié)構(gòu)示意圖;本實施例中,單向?qū)щ娖骷镻溝道結(jié)型MOS管,信號處理模塊為麥克風(fēng)。本發(fā)明第七實施例與第一實施例的區(qū)別在于單向?qū)щ娖骷煌?。本實施例中,單向?qū)щ娖骷?MOS管Fl和MOS管F2。其中:MOS管Fl的柵極通過麥克風(fēng)Ml和麥克風(fēng)M2與管腳I和管腳2相連;M0S管Fl的源極與管腳3相連。MOS管F2的柵極通過麥克風(fēng)Ml和麥克風(fēng)M2與管腳I和管腳2相連;M0S管F2的源極與管腳4相連。MOS管Fl和F2的漏極可以處于懸空狀態(tài)。此外,與本發(fā)明第二實施例和第三實施例類似,本實施例中的第一信號處理模塊(麥克風(fēng)Ml)和第二信號處理模塊(麥克風(fēng)M2)也可以替換為:電阻和變壓器Ul,或替換為包含并聯(lián)的電阻和比較器的信號處理模塊等。根據(jù)本發(fā)明的基本原理,上述實施例還可以有其它變形方式,例如:第一單向?qū)щ娖骷偷诙蜗驅(qū)щ娖骷梢允遣煌愋偷脑骷?,第一單向?qū)щ娖骷槎O管,第二單向?qū)щ娖骷槿龢O管。上述實施例中音頻接口的管腳I和管腳2均通過信號處理模塊與單向?qū)щ娖骷噙B,當(dāng)然,還可以是管腳I或管腳2中的一個通過信號處理模塊與單向?qū)щ娖骷噙B,另一個直接與單向?qū)щ娖骷噙B。當(dāng)然,上述實施例中的第一單向?qū)щ娖骷偷诙蜗驅(qū)щ娖骷梢约稍趩我恍酒?,例如BAT54系列。以上所述,僅為本發(fā)明較佳的具體實施方式
,但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此,任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明披露的技術(shù)范圍內(nèi),可輕易想到的變化或替換,都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之 內(nèi)。因此,本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)該以權(quán)利要求書的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種音頻接口適配裝置,該裝置包含:音頻接口,所述音頻接口包含管腳1,管腳2,管腳3和管腳4;其特征在于, 音頻接口的音頻管腳通過第一單向?qū)щ娖骷c所述管腳3相連,并通過第二單向?qū)щ娖骷c所述管腳4相連; 所述音頻管腳包括所述管腳1、和/或管腳2 ; 所述管腳3和管腳4中的一個作為麥克管腳,另一個作為地線管腳; 所述第一單向?qū)щ娖骷膶?dǎo)電方向為所述音頻管腳至所述管腳3 ;所述第二單向?qū)щ娖骷膶?dǎo)電方向為所述音頻管腳至所述管腳4。
2.如權(quán)利要求1所述的裝置,其特征在于, 所述管腳I依次通過第一信號處理模塊、所述第一單向?qū)щ娖骷c所述管腳3相連,并依次通過所述第一 信號處理模塊、第二單向?qū)щ娖骷c所述管腳4相連;和/或 所述管腳2依次通過所述第二信號處理模塊、第一單向?qū)щ娖骷c所述管腳3相連,并依次通過所述第二信號處理模塊和所述第二單向?qū)щ娖骷c所述管腳4相連。
3.如權(quán)利要求1至2中任一權(quán)利要求所述的裝置,其特征在于, 所述裝置中還包含第一雙向?qū)щ娫? 所述第一雙向?qū)щ娫囊欢伺c所述管腳3和第一單向?qū)щ娖骷噙B,所述第一雙向?qū)щ娫牧硪欢伺c所述管腳4和第二單向?qū)щ娖骷噙B。
4.如權(quán)利要求3所述的裝置,其特征在于, 所述第一雙向?qū)щ娯<殡娮琛?br>
5.如權(quán)利要求1至2中任一權(quán)利要求所述的裝置,其特征在于, 所述第一單向?qū)щ娖骷橐韵略械囊环N:二極管,三極管,MOS管; 所述第二單向?qū)щ娖骷橐韵略械囊环N:二極管,三極管,MOS管。
6.如權(quán)利要求5所述的裝置,其特征在于, 所述第一單向?qū)щ娖骷槎O管D1,D1的正極與所述音頻管腳相連,Dl的負(fù)極與所述管腳3相連;和/或 所述第二單向?qū)щ娖骷槎O管D2,D2的正極與所述音頻管腳相連,D2的負(fù)極與所述管腳4相連。
7.如權(quán)利要求5所述的裝置,其特征在于, 所述第一單向?qū)щ娖骷镻NP型三極管T1,T1的發(fā)射極與所述音頻管腳相連,Tl的基極與所述管腳3相連;和/或 所述第二單向?qū)щ娖骷镻NP型三極管Τ2,Τ2的發(fā)射極與所述音頻管腳相連,Τ2的基極與所述管腳4相連。
8.如權(quán)利要求5所述的裝置,其特征在于, 所述第一單向?qū)щ娖骷镹PN型三極管Τ1,Τ1的基極與所述音頻管腳相連,Tl的發(fā)射極與所述管腳3相連;和/或 所述第二單向?qū)щ娖骷镹PN型三極管Τ2,Τ2的基極與所述音頻管腳相連,Τ2的發(fā)射極與所述管腳4相連。
9.如權(quán)利要求5所述的裝置,其特征在于, 所述第一單向?qū)щ娖骷镹溝道結(jié)型MOS管F1,F(xiàn)1的源極與所述音頻管腳相連,F(xiàn)l的柵極與所述管腳3相連;和/或 所述第二單向?qū)щ娖骷镹溝道結(jié)型MOS管F2,F(xiàn)2的源極與所述音頻管腳相連,F(xiàn)2的柵極與所述管腳4相連。
10.如權(quán)利要求5所述的裝置,其特征在于, 所述第一單向?qū)щ娖骷镻溝道結(jié)型MOS管F1,F(xiàn)1的柵極與所述音頻管腳相連,F(xiàn)l的源極與所述管腳3相連;和/或 所述第二單向?qū)щ娖骷镻溝道結(jié)型MOS管F2,F(xiàn)2的柵極與所述音頻管腳相連,F(xiàn)2的源極與所述管腳4相連。
11.如權(quán)利要求2所述的裝置,其特征在于, 所述第一信號處理模塊為以下一種:電阻,麥克風(fēng),變壓器,并聯(lián)的電阻和比較器,并聯(lián)的電阻和運算放大器; 所述第二信號處理模塊為以下一種:電阻,麥克風(fēng),變壓器,并聯(lián)的電阻和比較器,并聯(lián)的電阻和運算放大器。
12.如權(quán)利要求1所述的裝置,其特征在于, 所述音頻接口為耳機(jī)插口或耳機(jī)插孔。
13.如權(quán)利要求1所述的裝置,其特征在于,所述第一單向?qū)щ娖骷退龅诙蜗驅(qū)щ娖骷稍趩我恍酒小?br>
14.一種音頻信號接收設(shè)備,其特征在于,該設(shè)備包含:音頻接口適配裝置以及音頻信號接收單元,其中 所述音頻接口適配裝置包含:音頻接口,第一單向?qū)щ娖骷?,第二單向?qū)щ娖骷?,信號處理模塊;所述音頻接口包含管腳1,管腳2,管腳3和管腳4 ; 所述管腳I通過第一單向?qū)щ娖骷c所述管腳3相連,并通過第二單向?qū)щ娖骷c所述管腳4相連;所述管腳2通過第一單向?qū)щ娖骷c所述管腳3相連,并通過第二單向?qū)щ娖骷c所述管腳4相連;其中: 所述信號處理模塊包括第一信號處理模塊,所述管腳I依次通過所述第一信號處理模塊、第一單向?qū)щ娖骷c所述管腳3相連,并依次通過第一信號處理模塊、第二單向?qū)щ娖骷c所述管腳4相連;和/或 所述信號處理模塊包括第二信號處理模塊,所述管腳2依次通過所述第二信號處理模塊、第一單向?qū)щ娖骷c所述管腳3相連,并依次通過第二信號處理模塊、第二單向?qū)щ娖骷c所述管腳4相連; 所述管腳3和管腳4中的一個作為麥克管腳,另一個作為地線管腳; 所述第一單向?qū)щ娖骷膶?dǎo)電方向為所述音頻管腳至所述管腳3 ;所述第二單向?qū)щ娖骷膶?dǎo)電方向為所述音頻管腳至所述管腳4 ; 所述信號處理模塊為以下一種或兩種:變壓器,所述變壓器的次級線圈與音頻信號接收單元相連;并聯(lián)的電阻和比較器,所述比較器的輸出端與音頻信號接收單元相連;并聯(lián)的電阻和運算放大器,所述運算放大器的輸出端與音頻信號接收單元相連。
15.如權(quán)利要求14所述的設(shè)備,其特征在于, 所述音頻管腳包括:所述管腳I和管腳2 ; 所述信號處理模塊包括:第一信號處理模塊和第二信號處理模塊;所述管腳I依次通過所述第一信號處理模塊和所述第一單向?qū)щ娖骷c所述管腳3相連; 所述管腳2依次通過所述第二信號處理模塊和所述第二單向?qū)щ娖骷c所述管腳4相連。
16.如權(quán)利要求14或15所述的設(shè)備,其特征在于, 所述音頻接口適配裝置中還包含第一雙向?qū)щ娫? 所述第一雙向?qū)щ娫囊欢伺c所述管腳3和第一單向?qū)щ娖骷噙B,所述第一雙向?qū)щ娫牧硪欢伺c所述管腳4和第二單向?qū)щ娖骷噙B。
17.如權(quán)利要求16所述的設(shè)備,其特征在于, 所述第一雙向?qū)щ娯<殡娮琛?br>
18.如權(quán)利要求14或15所述的設(shè)備,其特征在于, 所述第一單向?qū)щ娖骷橐韵略械囊环N:二極管,三極管,MOS管; 所述第二單向?qū)щ娖骷橐韵略械囊环N:二極管,三極管,MOS管。
19.如權(quán)利要求18所述的設(shè)備,其特征在于, 所述第一單向?qū)щ娖?件為二極管D1,D1的正極與所述音頻管腳相連,Dl的負(fù)極與所述管腳3相連;和/或 所述第二單向?qū)щ娖骷槎O管D2,D2的正極與所述音頻管腳相連,D2的負(fù)極與所述管腳4相連。
20.如權(quán)利要求18所述的設(shè)備,其特征在于, 所述第一單向?qū)щ娖骷镻NP型三極管T1,T1的發(fā)射極與所述音頻管腳相連,Tl的基極與所述管腳3相連;和/或 所述第二單向?qū)щ娖骷镻NP型三極管Τ2,Τ2的發(fā)射極與所述音頻管腳相連,Τ2的基極與所述管腳4相連。
21.如權(quán)利要求18所述的設(shè)備,其特征在于, 所述第一單向?qū)щ娖骷镹PN型三極管Τ1,Τ1的基極與所述音頻管腳相連,Tl的發(fā)射極與所述管腳3相連;和/或 所述第二單向?qū)щ娖骷镹PN型三極管Τ2,Τ2的基極與所述音頻管腳相連,Τ2的發(fā)射極與所述管腳4相連。
22.如權(quán)利要求18所述的設(shè)備,其特征在于, 所述第一單向?qū)щ娖骷镹溝道結(jié)型MOS管F1,F(xiàn)1的源極與所述音頻管腳相連,F(xiàn)l的柵極與所述管腳3相連;和/或 所述第二單向?qū)щ娖骷镹溝道結(jié)型MOS管F2,F(xiàn)2的源極與所述音頻管腳相連,F(xiàn)2的柵極與所述管腳4相連。
23.如權(quán)利要求18所述的設(shè)備,其特征在于, 所述第一單向?qū)щ娖骷镻溝道結(jié)型MOS管F1,F(xiàn)1的柵極與所述音頻管腳相連,F(xiàn)l的源極與所述管腳3相連;和/或 所述第二單向?qū)щ娖骷镻溝道結(jié)型MOS管F2,F(xiàn)2的柵極與所述音頻管腳相連,F(xiàn)2的源極與所述管腳4相連。
24.如權(quán)利要求14所述的設(shè)備,其特征在于,所述音頻接口為耳機(jī)插口或耳機(jī)插孔。
25.如權(quán)利要求14所述的設(shè)備,其特征在于,所述第一單向?qū)щ娖骷退龅诙蜗驅(qū)щ娖骷稍趩我恍?片中。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種音頻接口適配裝置以及設(shè)置有上述適配裝置的音頻信號接收設(shè)備,其中,音頻接口適配裝置包含音頻接口,音頻接口包含管腳1,管腳2,管腳3和管腳4;音頻接口的音頻管腳通過第一單向?qū)щ娖骷c管腳3相連,并通過第二單向?qū)щ娖骷c管腳4相連;音頻管腳包括管腳1、和/或管腳2;管腳3和管腳4中的一個作為麥克管腳,另一個作為地線管腳;第一單向?qū)щ娖骷膶?dǎo)電方向為音頻管腳至管腳3;第二單向?qū)щ娖骷膶?dǎo)電方向為音頻管腳至管腳4。從而達(dá)到了當(dāng)音頻接口適配裝置與設(shè)置有任何類型的音頻接口的音頻信號發(fā)送設(shè)備連接時,都可以通過音頻接口的音頻管腳(左聲道管腳,和/或右聲道管腳)正常接收音頻信號的效果。
文檔編號H04R3/00GK103220598SQ20121001685
公開日2013年7月24日 申請日期2012年1月18日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月18日
發(fā)明者李東聲 申請人:天地融科技股份有限公司