專利名稱：硅電容麥克風(fēng)及制造硅電容麥克風(fēng)的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種硅電容麥克風(fēng)和制造硅電容麥克風(fēng)的方法。
背景技術(shù)：
隨著無線通訊的發(fā)展，全球移動(dòng)電話用戶越來越多，用戶對(duì)移動(dòng)電話的要求已不僅滿足于通話，而且要能夠提供高質(zhì)量的通話效果，尤其是目前移動(dòng)多媒體技術(shù)的發(fā)展，移 動(dòng)電話的通話質(zhì)量更顯重要，移動(dòng)電話的麥克風(fēng)作為移動(dòng)電話的語音拾取裝置，其設(shè)計(jì)好 壞直接影響通話質(zhì)量。而目前應(yīng)用較多且性能較好的麥克風(fēng)是微電機(jī)系統(tǒng)麥克風(fēng)(Micro-Electro-Mec hanical-System Microphone，簡(jiǎn)稱MEMS)，相關(guān)技術(shù)中，由于振膜的電極和背板的電極都 設(shè)置在同一背板上，且該背板是一個(gè)不分離的整體。這樣，如果背板電阻較低，可能會(huì)將背 板電極和振膜電極導(dǎo)通，或者產(chǎn)生較大的寄生電容，從而降低麥克風(fēng)性能，甚至使麥克風(fēng)失 效。因而有必要提供一種新型的硅電容麥克風(fēng)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明需解決的技術(shù)問題是提供一種能夠降低寄生電容，提供較大的絕緣電阻的 硅電容麥克風(fēng)及制造硅電容麥克風(fēng)的方法。根據(jù)上述需解決的技術(shù)問題，設(shè)計(jì)了一種硅電容麥克風(fēng)，其包括基底、與基底相連 的支撐層、振膜、與振膜相連的振膜電極、與振膜電極電導(dǎo)通的振膜焊盤、背板、與背板相連 的背板電極、與背板電極電導(dǎo)通的背板焊盤，其中振膜與背板通過支撐層相對(duì)設(shè)置，支撐層 包括相互獨(dú)立、互不連接的第一支撐層和第二支撐層，振膜焊盤與背板焊盤分別設(shè)置在第 一支撐層、第二支撐層上。優(yōu)選的，所述振膜設(shè)置在支撐層與基底之間，背板設(shè)置在支撐層上，背板焊盤設(shè)置 在第一支撐層上，振膜電極通過導(dǎo)電孔與振膜焊盤電導(dǎo)通且振膜焊盤設(shè)置在第二支撐層 上。優(yōu)選的，所述背板設(shè)置在支撐層與基底之間，振膜設(shè)置在支撐層上，振膜焊盤設(shè)置 在第一支撐層上，背板電極通過導(dǎo)電孔與背板焊盤電導(dǎo)通，且背板焊盤設(shè)置在第二支撐層 上。本發(fā)明還設(shè)計(jì)了一種硅電容麥克風(fēng)，包括基底、設(shè)置在基底上的振膜、與振膜相連 的振膜電極、與振膜電極電導(dǎo)通的振膜焊盤、設(shè)有缺口的支撐塊、與振膜通過支撐塊相對(duì)設(shè) 置的背板、與背板相連的背板電極、與背板電極電導(dǎo)通的背板焊盤，該硅電容麥克風(fēng)還包括 用于放置振膜焊盤的墊塊，該墊塊設(shè)有導(dǎo)電孔，且該導(dǎo)電孔與振膜電極相連，所述振膜電極 通過導(dǎo)電孔與振膜焊盤電連接，墊塊與支撐塊相互獨(dú)立、互不連接。優(yōu)選的，所述墊塊設(shè)置在支撐塊的缺口處，且該支撐塊設(shè)置在振膜的一個(gè)表面。本發(fā)明還設(shè)計(jì)了一種硅電容麥克風(fēng)，包括基底、設(shè)置在基底上的背板、與背板相連 的背板電極、與背板電極電導(dǎo)通的背板焊盤、設(shè)有缺口的支撐塊、與背板通過支撐塊相對(duì)設(shè)置的振膜、與振膜相連的振膜電極、與振膜電極電導(dǎo)通的振膜焊盤，該硅電容麥克風(fēng)還包括 用于放置背板焊盤的墊塊，該墊塊設(shè)有導(dǎo)電孔，且該導(dǎo)電孔與背板電極相連，所述背板電極 通過導(dǎo)電孔與背板焊盤電連接，墊塊與支撐塊相互獨(dú)立、互不連接。優(yōu)選的，所述墊塊設(shè)置在支撐塊的缺口處，且該支撐塊設(shè)置在背板的一個(gè)表面。本發(fā)明還提供了一種制造硅電容麥克風(fēng)的方法，該方法包括如下步驟步驟1 提供基底、支撐層、振膜、振膜電極、振膜焊盤、背板、背板電極、背板焊盤；步驟2 將振膜放置在支撐層與基底之間，背板與振膜通過支撐層相對(duì)設(shè)置，振膜 電極與振膜相連且與振膜焊盤電導(dǎo)通，背板電極與背板相連且與背板焊盤電導(dǎo)通，振膜焊 盤與背板焊盤分別設(shè)置在支撐層上；步驟3 將支撐層切割成兩個(gè)獨(dú)立的互不連接的部分，使得振膜焊盤與背板焊盤 分別位于兩個(gè)獨(dú)立的互不連接的部分。本發(fā)明還提供了一種制造硅電容麥克風(fēng)的方法，該方法包括如下步驟步驟1 提供基底、支撐層、振膜、振膜電極、振膜焊盤、背板、背板電極、背板焊盤；步驟2 將背板放置在支撐層與基底之間，振膜與背板通過支撐層相對(duì)設(shè)置，振膜 電極與振膜相連且與振膜焊盤電導(dǎo)通，背板電極與背板相連且與背板焊盤電導(dǎo)通，振膜焊 盤與背板焊盤分別設(shè)置在支撐層上；步驟3 將支撐層切割成兩個(gè)獨(dú)立的互不連接的部分，振膜焊盤與背板焊盤分別 位于該兩個(gè)獨(dú)立的互不連接的部分。本發(fā)明的有益效果在于由于背板焊盤和振膜焊盤分別位于兩個(gè)相互獨(dú)立互不連 接的部分，二者不會(huì)導(dǎo)通，所以可以得到足夠的絕緣電阻，降低寄生電容，有效防止硅電容 麥克風(fēng)失效或性能降低。


圖1是本發(fā)明提供的硅電容麥克風(fēng)一個(gè)實(shí)施例的立體圖；圖2是本發(fā)明提供的硅電容麥克風(fēng)的一個(gè)實(shí)施例的剖視圖；圖3是本發(fā)明提供的硅電容麥克風(fēng)一個(gè)實(shí)施例的立體分解圖；圖4是本發(fā)明提供的硅電容麥克風(fēng)第二個(gè)實(shí)施例的立體圖；圖5是本發(fā)明提供的硅電容麥克風(fēng)第二個(gè)實(shí)施例的剖視圖；圖6是本發(fā)明提供的硅電容麥克風(fēng)第二個(gè)實(shí)施例的立體分解圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖和實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說明。本發(fā)明提供的硅電容麥克風(fēng)主要用于手機(jī)等電子設(shè)備中，用于接收聲音。振膜用 于該硅電容麥克風(fēng)中。本發(fā)明提供的第一個(gè)實(shí)施例，參見圖1-3，硅電容麥克風(fēng)1，其包括基底11、與基底 11相連的支撐層12、振膜14、與振膜14相連的振膜電極141、與振膜電極141電導(dǎo)通的振膜 焊盤142、背板13、與背板13相連的背板電極131、與背板電極131電導(dǎo)通的背板焊盤132， 其中振膜14與背板13通過支撐層12相對(duì)設(shè)置，支撐層12包括相互獨(dú)立、互不連接的第一 支撐層121和第二支撐層122，振膜焊盤142與背板焊盤132分別設(shè)置在第一支撐層121、第二支撐層122上。第一支撐層121和第二支撐層122之間通過縫隙15分離成獨(dú)立的部分。從圖2中可以看到，振膜14在背板13和基底11之間。參見圖1_3，背板13設(shè)置 在支撐層12上，背板焊盤131設(shè)置在第一支撐層121上，振膜電極142 (參見圖3)通過導(dǎo) 電孔16與振膜焊盤142電導(dǎo)通且振膜焊盤142設(shè)置在第二支撐層122上。當(dāng)然，背板13也可以在振膜14和基底11之間(未圖示)。也就是說，振膜14和 背板13的位置是可以互換的。振膜14設(shè)置在支撐層12上，振膜焊盤142設(shè)置在第一支撐 層上121，背板電極131通過導(dǎo)電孔16與背板焊盤132電導(dǎo)通，且背板焊盤132設(shè)置在第二 支撐層122上。第一支撐層121和第二支撐層122之間通過縫隙15分離成獨(dú)立的部分。在本發(fā)明提供的第二個(gè)實(shí)施例中，參見圖4-6，本發(fā)明提供的硅電容麥克風(fēng)la，包 括基底11a、設(shè)置在基底Ila上的振膜14a、與振膜14a相連的振膜電極141a、與振膜電極 141a電導(dǎo)通的振膜焊盤142a、設(shè)有缺口 17a的支撐塊121a、與振膜14a通過支撐塊121a相 對(duì)設(shè)置的背板13a、與背板131a相連的背板電極131a、與背板電極131a電導(dǎo)通的背板焊盤 132a，該硅電容麥克風(fēng)Ia還包括用于放置振膜焊盤142a的墊塊122a，該墊塊122a設(shè)有導(dǎo) 電孔16a，且該導(dǎo)電孔16a與振膜電極141a相連，所述振膜電極141a通過導(dǎo)電孔16a與振 膜焊盤142a電連接，墊塊122a與支撐塊121a相互獨(dú)立、互不連接。墊塊122a設(shè)置在支撐塊121a的缺口 17a處，且該支撐塊17a設(shè)置在振膜14a的 一個(gè)表面。當(dāng)然，在第二個(gè)是實(shí)施例中，背板13a也可以在振膜14a和基底Ila之間(未圖 示)。也就是說，振膜14a和背板13a的位置是可以互換的。在這種結(jié)構(gòu)中，振膜焊盤142a 放置在支撐塊121a，該硅電容麥克風(fēng)Ia的墊塊122a用于放置背板焊盤132a，該墊塊122a 設(shè)有導(dǎo)電孔16a，且該導(dǎo)電孔16a與背板電極131a相連，背板電極131a通過導(dǎo)電孔16a與 背板焊盤132a電連接，墊塊122a與支撐塊121a相互獨(dú)立、互不連接。墊塊122a設(shè)置在支 撐塊121a的缺口 17a處，且該支撐塊17a設(shè)置在背板13a的一個(gè)表面。為得到以上所述的硅電容麥克風(fēng)，本發(fā)明還提供了一種制造硅麥克風(fēng)的方法。參 見圖1-3，本發(fā)明提供的方法包括如下步驟步驟1 提供基底11、支撐層12、振膜14、振膜電極141、振膜焊盤142、背板13、背 板電極131、背板焊盤132;步驟2 將振膜14放置在支撐層12與基底11之間，背板13與振膜14通過支撐層 12相對(duì)設(shè)置，振膜電極141與振膜14相連且與振膜焊盤142電導(dǎo)通，背板電極131與背板 13相連且與背板焊盤132電導(dǎo)通，振膜焊盤142與背板焊盤132分別設(shè)置在支撐層12上；步驟3 將支撐層12切割成兩個(gè)獨(dú)立的互不連接的部分121，122，使得振膜焊盤 142與背板焊盤132分別位于兩個(gè)獨(dú)立的互不連接的部分121，122。當(dāng)然，該方法也可以將背板13放置在振膜14與基底11之間，其他步驟不變。以上所述的僅是本發(fā)明的若干實(shí)施方式，在此應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù) 人員來說，在不脫離本發(fā)明創(chuàng)造構(gòu)思的前提下，還可以做出改進(jìn)，但這些均屬于本發(fā)明的保 護(hù)范圍。
權(quán)利要求
一種硅電容麥克風(fēng)，其包括基底、與基底相連的支撐層、振膜、與振膜相連的振膜電極、與振膜電極電導(dǎo)通的振膜焊盤、背板、與背板相連的背板電極、與背板電極電導(dǎo)通的背板焊盤，其中振膜與背板通過支撐層相對(duì)設(shè)置，其特征在于支撐層包括相互獨(dú)立、互不連接的第一支撐層和第二支撐層，振膜焊盤與背板焊盤分別設(shè)置在第一支撐層、第二支撐層上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅電容麥克風(fēng)，其特征在于所述振膜設(shè)置在支撐層與基底 之間，背板設(shè)置在支撐層上，背板焊盤設(shè)置在第一支撐層上，振膜電極通過導(dǎo)電孔與振膜焊 盤電導(dǎo)通且振膜焊盤設(shè)置在第二支撐層上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅電容麥克風(fēng)，其特征在于所述背板設(shè)置在支撐層與基底 之間，振膜設(shè)置在支撐層上，振膜焊盤設(shè)置在第一支撐層上，背板電極通過導(dǎo)電孔與背板焊 盤電導(dǎo)通，且背板焊盤設(shè)置在第二支撐層上。
4.一種硅電容麥克風(fēng)，包括基底、設(shè)置在基底上的振膜、與振膜相連的振膜電極、與振 膜電極電導(dǎo)通的振膜焊盤、設(shè)有缺口的支撐塊、與振膜通過支撐塊相對(duì)設(shè)置的背板、與背板 相連的背板電極、與背板電極電導(dǎo)通的背板焊盤，其特征在于該硅電容麥克風(fēng)還包括用于 放置振膜焊盤的墊塊，該墊塊設(shè)有導(dǎo)電孔，且該導(dǎo)電孔與振膜電極相連，所述振膜電極通過 導(dǎo)電孔與振膜焊盤電連接，墊塊與支撐塊相互獨(dú)立、互不連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的硅電容麥克風(fēng)，其特征在于所述墊塊設(shè)置在支撐塊的缺口 處，且該支撐塊設(shè)置在振膜的一個(gè)表面。
6.一種硅電容麥克風(fēng)，包括基底、設(shè)置在基底上的背板、與背板相連的背板電極、與背 板電極電導(dǎo)通的背板焊盤、設(shè)有缺口的支撐塊、與背板通過支撐塊相對(duì)設(shè)置的振膜、與振膜 相連的振膜電極、與振膜電極電導(dǎo)通的振膜焊盤，其特征在于該硅電容麥克風(fēng)還包括用于 放置背板焊盤的墊塊，該墊塊設(shè)有導(dǎo)電孔，且該導(dǎo)電孔與背板電極相連，所述背板電極通過 導(dǎo)電孔與背板焊盤電連接，墊塊與支撐塊相互獨(dú)立、互不連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的硅電容麥克風(fēng)，其特征在于所述墊塊設(shè)置在支撐塊的缺口 處，且該支撐塊設(shè)置在背板的一個(gè)表面。
8.—種制造硅電容麥克風(fēng)的方法，其特征在于該方法包括如下步驟步驟1 提供基底、支撐層、振膜、振膜電極、振膜焊盤、背板、背板電極、背板焊盤；步驟2 將振膜放置在支撐層與基底之間，背板與振膜通過支撐層相對(duì)設(shè)置，振膜電極 與振膜相連且與振膜焊盤電導(dǎo)通，背板電極與背板相連且與背板焊盤電導(dǎo)通，振膜焊盤與 背板焊盤分別設(shè)置在支撐層上；步驟3 將支撐層切割成兩個(gè)獨(dú)立的互不連接的部分，使得振膜焊盤與背板焊盤分別 位于兩個(gè)獨(dú)立的互不連接的部分。
9.一種制造硅電容麥克風(fēng)的方法，其特征在于該方法包括如下步驟步驟1 提供基底、支撐層、振膜、振膜電極、振膜焊盤、背板、背板電極、背板焊盤；步驟2 將背板放置在支撐層與基底之間，振膜與背板通過支撐層相對(duì)設(shè)置，振膜電極 與振膜相連且與振膜焊盤電導(dǎo)通，背板電極與背板相連且與背板焊盤電導(dǎo)通，振膜焊盤與 背板焊盤分別設(shè)置在支撐層上；步驟3 將支撐層切割成兩個(gè)獨(dú)立的互不連接的部分，振膜焊盤與背板焊盤分別位于 該兩個(gè)獨(dú)立的互不連接的部分。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種硅電容麥克風(fēng)，其包括基底、與基底相連的支撐層、振膜、與振膜相連的振膜電極、與振膜電極電導(dǎo)通的振膜焊盤、背板、與背板相連的背板電極、與背板電極電導(dǎo)通的背板焊盤，其中振膜與背板通過支撐層相對(duì)設(shè)置，支撐層包括相互獨(dú)立、互不連接的第一支撐層和第二支撐層，振膜焊盤與背板焊盤分別設(shè)置在第一支撐層、第二支撐層上?？梢越档图纳娙?，提高絕緣電阻。
文檔編號(hào)H04R31/00GK101808263SQ20101014491
公開日2010年8月18日 申請(qǐng)日期2010年4月6日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月6日
發(fā)明者張睿, 楊斌, 葛舟, 顏毅林 申請(qǐng)人:瑞聲聲學(xué)科技(深圳)有限公司;瑞聲微電子科技(常州)有限公司