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檢波用電路裝置及便攜式設(shè)備的制作方法

文檔序號(hào):7938225閱讀:229來(lái)源:國(guó)知局
專(zhuān)利名稱(chēng):檢波用電路裝置及便攜式設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種使用調(diào)整用電容器來(lái)調(diào)整構(gòu)成接收天線的線圈與諧 振電容器之間的諧振頻率的檢波用電路裝置,以及具備該檢波用電路裝置 的便攜式設(shè)備。
背景技術(shù)
近幾年,在便攜式電話等便攜式設(shè)備中使用裝載了與非接觸IC卡等
同樣的非接觸通訊方式的接收功能等的設(shè)備。由于便攜式設(shè)備內(nèi)置有電池
等電源,因此不需要像非接觸IC卡那樣接收功率傳送,只要作為接收功
能而具備檢波接收信號(hào)的功能即可。這樣的檢波裝置通過(guò)由該接收用線圈 與電容構(gòu)成的諧振電路和整流電路輸出在構(gòu)成接收天線的線圈中感應(yīng)的 接收信號(hào)。
作為現(xiàn)有的檢波裝置,公知有專(zhuān)利文獻(xiàn)l中記載的裝置。圖7是表示 專(zhuān)利文獻(xiàn)1中記載的現(xiàn)有的檢波裝置的構(gòu)成的電路圖。如以下說(shuō)明,在專(zhuān) 利文獻(xiàn)1中公開(kāi)了關(guān)于能量和數(shù)據(jù)的非接觸傳送系統(tǒng)的技術(shù)。
如圖7所示,現(xiàn)有的檢波裝置具有線圈101;與線圈101并聯(lián)的電 容102;與線圈101的一端及電容102的一個(gè)電極連接的第1端子103;
與線圈101的另一端及電容102的另一個(gè)電極連接的第2端子104;基準(zhǔn) 端子105; —個(gè)電極與第1端子103連接并相互并聯(lián)的調(diào)整用電容106a、 107a、…108a; —個(gè)電極與第2端子104連接并相互并聯(lián)的調(diào)整用電容 106b、 107b、…廳;分別設(shè)置在調(diào)整用電容106a、 107a、…108a與基準(zhǔn) 端子105之間的晶體管109a、 UOa、…111a;分別設(shè)置在調(diào)整用電容106b、 107b、…108b與基準(zhǔn)端子105之間的晶體管109b、 110b、…111b;向晶 體管109a、 110a、 llla、 10%、 110b、 11 lb的柵極端子輸入控制信號(hào)的控 制電路112;存儲(chǔ)控制電路112的控制信號(hào)的信息的非易失性存儲(chǔ)器113; 與第1端子103及第2端子104連接的橋式整流電路120;設(shè)置在輸出端子121與基準(zhǔn)端子105之間的平滑電容122。
晶體管109a、 109b的柵極端子彼此相互連接,調(diào)整用電容106a與調(diào) 整用電容106b相互具有相同的靜電電容量。調(diào)整用電容106a、 106b和晶 體管109a、 109b構(gòu)成一對(duì)調(diào)整元件。同樣地,晶體管110a、 110b的柵極 端子彼此相互連接,晶體管llla、 lllb的柵極端子彼此相互連接,調(diào)整 用電容107a、 107b相互具有相同的靜電電容量,調(diào)整用電容108a與108b 分別具有相同的靜電電容量。調(diào)整用電容107a、 107b、晶體管110a、 110b 構(gòu)成一對(duì)調(diào)整元件,調(diào)整用電容108a、 108b、晶體管llla、 lllb構(gòu)成一 對(duì)調(diào)整元件。
橋式整流電路120將基準(zhǔn)端子5作為整流電壓的負(fù)極,從輸出端子121 輸出來(lái)自橋式整流電路120的正極輸出。
在現(xiàn)有的非接觸傳送系統(tǒng)中,由橋式整流電路120整流基于線圈101 通過(guò)與檢波裝置的外部的發(fā)送用線圈之間的粗磁耦合來(lái)接收信號(hào)從而在 第1端子103與第2端子104之間產(chǎn)生的電壓,且作為檢波輸出從輸出端 子121輸出該電壓。這里,在第1端子103與第2端子104之間產(chǎn)生的接 收電壓在其傳送頻率相當(dāng)于線圈101與電容102之間的諧振頻率時(shí)成最大 振幅。為了調(diào)整該諧振頻率來(lái)最大化檢波輸出,從調(diào)整用電容106a、 107a、 108a、 106b、 107b、 108b之中選擇相互連接并構(gòu)成1個(gè)調(diào)整元件的電容對(duì)。 例如,設(shè)線圈101的電感為L(zhǎng)、電容102的靜電電容量為C2、調(diào)整用電容 106a、 106b的靜電電容量均為C6時(shí),由控制電路112選擇性地使晶體管 109a、 109b處于ON (導(dǎo)通)狀態(tài)時(shí),構(gòu)成諧振電路的電容的合成電容變 成(C2+C6/2)。這樣進(jìn)行諧振電容的靜電電容量的調(diào)整,使得能夠得到 最大振幅。另外,向電容102追加的電容對(duì)的組合,SP,導(dǎo)通晶體管109a lllb的哪一個(gè)的信息被存儲(chǔ)在非易失性存儲(chǔ)器113中。基于該存儲(chǔ)信息, 設(shè)備的啟動(dòng)過(guò)程時(shí)向控制電路112發(fā)送信號(hào),控制電路112基于該信息, 設(shè)定諧振電路的諧振頻率為適當(dāng)?shù)闹怠?br> 圖8是表示在圖7所示的檢波裝置中例如晶體管109a、 10%處于導(dǎo) 通狀態(tài)時(shí)的第1端子103與第2端子104中產(chǎn)生的理想電壓波形A、 B和 輸出端子121中產(chǎn)生的理想合成電壓波形C的圖。專(zhuān)利文獻(xiàn)1中記載的非 接觸傳送系統(tǒng)為了將電力傳送也作為目的,由平滑電容122平滑輸出端子121的電壓并使其作為直流電源電壓。另外,在這里為了不考慮電力傳送,表示平滑電容22不存在或靜電電容量小時(shí)的波形。
在圖8中,Al表示施加到第1端子103的電壓波形A的波高,Bl表示施加到第2端子104的電壓波形B的波高,T表示l周期。電壓波形A與電壓波形B具有相位相差180度的關(guān)系,電壓波形A與電壓波形B之中高的一方作為檢波輸出的合成電壓波形C而出現(xiàn)。電壓波形A、 B的振幅的理想值相互相等,并且分割了接收信號(hào)(波形A-波形B)的最大值的絕對(duì)值的一半。
專(zhuān)利文獻(xiàn)1:特開(kāi)第3071468號(hào)公報(bào)
但是,在現(xiàn)有的結(jié)構(gòu)中,由于調(diào)整用電容106a與106b的電容值的偏差等,在與第1端子103及第2端子104連接的靜電電容量上產(chǎn)生差值時(shí),有時(shí)檢波輸出波形會(huì)變形,且在輸出端子121中檢波的波形會(huì)成為讀取裝置的誤操作的原因。
圖9是從上依次表示現(xiàn)有的檢波裝置中在基于調(diào)整用電容的偏差等而在電容值上產(chǎn)生差值時(shí)的第1端子103、第2端子104及輸出端子121中的電壓變化的波形圖。即,圖中的lb表示第1端子103的電壓波形,2b表示第2端子104的電壓波形,3b表示從輸出端子121輸出的合成電壓波形。另外,A2表示電壓波形D的波高,B2表示電壓波形E的波高,A表示合成電壓波形F中的振幅的差分,T表示l周期。以下,利用圖7、圖8、圖9說(shuō)明產(chǎn)生振幅差的情況。
使用空芯線圈的非接觸傳送時(shí),線圈的電感是l 2uH。傳送頻率為十?dāng)?shù)MHz時(shí),作為電容102使用靜電電容量為100pF前后的電容。對(duì)此,使調(diào)整用電容106a 108a、 106b 1018b的靜電電容量比數(shù)pF小,并且通常晶體管109a llla、109a lllb—同形成在半導(dǎo)體集成電路內(nèi)。因此,調(diào)整用電容106a與調(diào)整用電容106b的靜電電容量的偏差也依賴(lài)于集成電路的生成過(guò)程,為±20%左右。由于在由線圈101與電容102構(gòu)成的諧振電路中產(chǎn)生并流過(guò)調(diào)整用電容106a與調(diào)整用電容106b的充放電電流相等,因此第1端子103的電壓波形D與第2端子104的電壓波形E的振幅及波高與各調(diào)整用電容的靜電電容量成反比。設(shè)調(diào)整用電容106a的靜電電容量為調(diào)整用電容106b的靜電電容量的0.8倍,則電壓波形D的波高
10A2成電壓波形E的波高B2的1.25倍。波高和振幅變變大了的電壓波形D 通過(guò)橋式整流電路120的負(fù)極側(cè)二極管的導(dǎo)通,其下限值被定為基準(zhǔn)端子 105的電位。此時(shí),電壓波形E變得幾乎與原來(lái)的接收信號(hào)相等,更加惡 化波形的變形。另外,也能使任一晶體管處于OFF (非導(dǎo)通).,此時(shí),與 第1端子103、第2端子104連接的電容會(huì)變成調(diào)整用電容與晶體管的寄 生電容之間的串聯(lián)電容,電壓的偏差會(huì)變得更大。
如上所述,調(diào)整用電容的靜電電容量差產(chǎn)生第1端子103、第2端子 104的電壓波形的振幅之差,使檢波輸出波形變形。這樣變形的檢波波形 有時(shí)會(huì)成為處理或輸入該波形的裝置的誤操作的原因。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明作為謀求所述現(xiàn)有技術(shù)的課題的解決的裝置,其目的在于,在使 用調(diào)整用電容來(lái)調(diào)整構(gòu)成接收天線的線圈與諧振電容之間的諧振頻率 的檢波裝置中抑制檢波輸出波形的變形,以及提供具備該檢波裝置的便 攜式設(shè)備。
為了達(dá)到所述目的,本發(fā)明的檢波用電路裝置用于由接收感應(yīng)器整流 第1端子與基準(zhǔn)端子之間或第2端子與所述基準(zhǔn)端子之間產(chǎn)生的電壓,具
備所述第l端子和所述第2端子;所述基準(zhǔn)端子;接收頻率調(diào)整部,具 有設(shè)置在所述第1端子與所述基準(zhǔn)端子之間的第1調(diào)整用電容、設(shè)置在所
述第2端子與所述基準(zhǔn)端子之間的第2調(diào)整用電容、在所述第1端子與所
述基準(zhǔn)端子之間與所述第1調(diào)整用電容串聯(lián)并使所述第1調(diào)整用電容與所
述基準(zhǔn)端子處于導(dǎo)通狀態(tài)或非導(dǎo)通狀態(tài)的第1開(kāi)關(guān)、在所述第2端子與所 述基準(zhǔn)端子之間與所述第2調(diào)整用電容串聯(lián)并使所述第2調(diào)整用電容與所
述基準(zhǔn)端子處于導(dǎo)通狀態(tài)或非導(dǎo)通狀態(tài)的第2開(kāi)關(guān);和控制電路部,具有
控制所述第1開(kāi)關(guān)的操作的第1控制電路、控制所述第2開(kāi)關(guān)的操作的第 2控制電路。
根據(jù)該結(jié)構(gòu),由于能夠單獨(dú)控制第1開(kāi)關(guān)與第2開(kāi)關(guān),因此即使在調(diào) 整用電容之間產(chǎn)生靜電電容量偏差時(shí),也會(huì)使第1調(diào)整用電容和第2調(diào)整 用電容處于適當(dāng)導(dǎo)通狀態(tài)或非導(dǎo)通狀態(tài),能夠精度很好地調(diào)節(jié)由接收感應(yīng) 器與電容構(gòu)成的諧振電路的諧振頻率。由此,能夠有效抑制檢波輸出波形
ii的變形的產(chǎn)生。因此通過(guò)在便攜式設(shè)備等中使用本發(fā)明的檢波用電路裝 置,能夠抑制非接觸傳送系統(tǒng)的讀取裝置的誤操作等。
特別是,構(gòu)成諧振電路的電容為2個(gè)串聯(lián)的第1電容與第2電容,且 這些電容間的節(jié)點(diǎn)與基準(zhǔn)端子連接時(shí),第1調(diào)整用電容與第1電容、第2
調(diào)整用電容與第2電容分別并聯(lián),能夠使第1調(diào)整用電容與第2調(diào)整用電
容之間的靜電電容量偏差的影響變得更小。
本發(fā)明的便攜式設(shè)備具備檢波電路裝置,其具有電波接收部、接收 頻率調(diào)整部、控制電路部、調(diào)整數(shù)據(jù)保存部以及檢波電路部,所述電波接 收部具有接收感應(yīng)器和電容,所述接收感應(yīng)器,接收信號(hào)并在兩端產(chǎn)生電 壓,所述電容的一個(gè)電極與所述接收感應(yīng)器的一端或另一端連接,所述接 收頻率調(diào)整部,用于將諧振頻率調(diào)整到所述信號(hào)的頻率,所述控制電路部, 控制所述接收頻率調(diào)整部的操作,所述調(diào)整數(shù)據(jù)保存部,存儲(chǔ)所述控制電 路部用于控制所述接收頻率調(diào)整部的信息,所述檢波電路部接收所述接收
頻率調(diào)整部的輸出;和第1端子、第2端子、以及基準(zhǔn)端子,用于在所述 電波接收部與所述接收頻率調(diào)整部之間進(jìn)行所述信號(hào)的接受。所述接收頻 率調(diào)整部具有第l調(diào)整用電容,設(shè)置在所述第1端子與所述基準(zhǔn)端子之 間;第2調(diào)整用電容,設(shè)置在所述第2端子與所述基準(zhǔn)端子之間;第l開(kāi)
關(guān),在所述第l端子與所述基準(zhǔn)端子之間與所述第l調(diào)整用電容串聯(lián),并
使所述第1調(diào)整用電容與所述基準(zhǔn)端子處于導(dǎo)通狀態(tài)或非導(dǎo)通狀態(tài);和第 2開(kāi)關(guān),在所述第2端子與所述基準(zhǔn)端子之間與所述第2調(diào)整用電容串聯(lián), 并使所述第2調(diào)整用電容與所述基準(zhǔn)端子處于導(dǎo)通狀態(tài)或非導(dǎo)通狀態(tài)。所 述控制電路部具有第1控制電路,控制所述第1開(kāi)關(guān)的操作;和第2控 制電路,控制所述第2開(kāi)關(guān)的操作。
根據(jù)該結(jié)構(gòu),由于能夠單獨(dú)控制第1開(kāi)關(guān)與第2開(kāi)關(guān),因此即使在調(diào) 整用電容之間產(chǎn)生靜電電容量偏差時(shí),也會(huì)使第1調(diào)整用電容和第2調(diào)整 用電容處于適當(dāng)導(dǎo)通狀態(tài)或非導(dǎo)通狀態(tài),能夠精度很好地調(diào)節(jié)由接收感應(yīng) 器與電容構(gòu)成的諧振電路的諧振頻率。由此,能夠有效抑制檢波輸出波形 的變形的產(chǎn)生。其結(jié)果,能夠抑制進(jìn)行非接觸傳送時(shí)的裝置的誤操作等的 產(chǎn)生,能夠比現(xiàn)有的便攜式設(shè)備更確切地進(jìn)行通訊。 (發(fā)明效果)根據(jù)如上所述的本發(fā)明,在使用調(diào)整用電容來(lái)調(diào)整構(gòu)成接收天線的線 圈與諧振電感之間的諧振頻率的檢波裝置(檢波用電路裝置)中,由于能 夠吸收調(diào)整用電容的偏差來(lái)抑制檢波輸出波形的變形,因此能夠有效地防 止檢波的讀取側(cè)裝置的誤操作。


圖l(a)是表示本發(fā)明的第1實(shí)施方式的檢波裝置的構(gòu)成的框圖,(b) 是表示該檢波裝置的具體構(gòu)成例的電路圖。
圖2是表示第1實(shí)施方式的檢波裝置的變形例的電路圖。 圖3是表示本發(fā)明的第2實(shí)施方式的檢波裝置的構(gòu)成的電路圖。 圖4是表示包括本發(fā)明的檢波裝置的主要構(gòu)成元件的半導(dǎo)體集成電路 的電路圖。
圖5是表示本發(fā)明的第3實(shí)施方式的檢波裝置的構(gòu)成的電路圖。 圖6是表示具備第4實(shí)施方式的檢波裝置的便攜式設(shè)備的框圖。 圖7是表示現(xiàn)有的檢波裝置的構(gòu)成的電路圖。
圖8是表示在具備諧振電路的檢波裝置中各端子上產(chǎn)生的理想的電壓 波形的圖。
圖9是表示在現(xiàn)有的檢波裝置中調(diào)整用電容的靜電電容量上產(chǎn)生差值 時(shí)的第l端子、第2端子以及輸出端子中的電壓變化的波形圖。
圖中l(wèi)一線圈;2—電容;2a —第1電容;2b —第2電容;3 —第1
端子;4一第2端子;5 —基準(zhǔn)端子;6a 8a、 6b 8b—調(diào)整用電容;9a lla、 9b llb—晶體管;12a—第l控制電路;12b—第2控制電路;13 — 非易失性存儲(chǔ)器;14一比較器;15 —變換器;16a、 16b—晶體管;17、 23a、 23b — 二極管;20—橋式整流電路;21、 21a—輸出端子;22—輸出電容; 24a、 24b—負(fù)極側(cè)二極管;30—檢波裝置;31 —電波接收部;32—接收頻 率調(diào)整部;33 —控制電路部;34—調(diào)整數(shù)據(jù)保存部;35—檢波電路部;36 一數(shù)據(jù)處理部;37 —基帶部;38 —存儲(chǔ)器;39—便攜式設(shè)備;40—第3端 子。
具體實(shí)施方式
(第1實(shí)施方式)
圖1 (a)是表示本發(fā)明的第1實(shí)施方式的檢波裝置(檢波用電路裝置) 的構(gòu)成的框圖,(b)是表示該檢波裝置的具體構(gòu)成例的電路圖。本實(shí)施 方式的檢波裝置用于利用磁力的非接觸傳送系統(tǒng)中,特別是優(yōu)選用于具備 電源的便攜式設(shè)備等。另外,非接觸傳送系統(tǒng)中也包括傳送數(shù)據(jù)的電路或 連接在其后段的評(píng)價(jià)電路,但是在這里僅說(shuō)明用于調(diào)整諧振電路的諧振頻 率的結(jié)構(gòu)。以下,詳細(xì)說(shuō)明本實(shí)施方式檢波裝置。
首先,如圖1 (a)所示,本實(shí)施方式的檢波裝置具備接收來(lái)自外部
設(shè)備等的信號(hào)的電波接收部31;用于將諧振頻率調(diào)整到接收信號(hào)的頻率的
接收頻率調(diào)整部32;控制接收頻率調(diào)整部32的控制電路部33;保持向控 制電路部33提供的控制信息的調(diào)整數(shù)據(jù)保存部34;和對(duì)接收頻率調(diào)整部 32的輸出進(jìn)行接收并輸出檢波結(jié)果的檢波電路部35。
如圖l (b)所示,電波接收部31具有線圈(接收感應(yīng)器)1; 一個(gè)
電極與線圈1的一端連接的第1電容2a; —個(gè)電極與線圈1的另一端連接 且另一個(gè)電極與第l電容2a連接的第2電容2b。另外,電波接收部31與 接收頻率調(diào)整部32之間設(shè)置有基準(zhǔn)端子5、用于進(jìn)行信號(hào)的接收的第1 端子3和第2端子4。第1端子3與線圈1的一端及第1電容2a的一個(gè)電 極連接,第2端子4與線圈1的另一端及第2電容2b的一個(gè)電極連接。 基準(zhǔn)端子5與第1電容2a的另一個(gè)電極及第2電容2b的另一個(gè)電極連接。 接收頻率調(diào)整部32具有分別設(shè)置在第1端子3與基準(zhǔn)端子5之間 且相互并聯(lián)的調(diào)整用電容6a、 7a、…8a;設(shè)置在第2端子4與基準(zhǔn)端子5 之間且相互并聯(lián)的調(diào)整用電容6a、 7a、…8a;分別設(shè)置在調(diào)整用電容6a、 7a、…8a與基準(zhǔn)端子5之間并且使調(diào)整用電容6a、 7a、…8a與基準(zhǔn)端子5 處于導(dǎo)通狀態(tài)或非導(dǎo)通狀態(tài)的晶體管(第l開(kāi)關(guān))9a、 10a、 lla;使調(diào)整 用電容6b、 7b、…8b與基準(zhǔn)端子5處于導(dǎo)通狀態(tài)或非導(dǎo)通狀態(tài)的晶體管 (第2開(kāi)關(guān))9b、 10b、 llb。與第1電容2a并聯(lián)調(diào)整用電容6a、 7a、… 8a,與第2電容2b并聯(lián)調(diào)整用電容6b、 7b、…8b。另外,由設(shè)置在第1 端子3與基準(zhǔn)端子5之間的調(diào)整用電容、設(shè)計(jì)成與該調(diào)整用電容具有相同 的靜電電容量且設(shè)置在第2端子4與基準(zhǔn)端子5之間的調(diào)整用電容構(gòu)成的 電容對(duì)的數(shù)量可以任意設(shè)定,無(wú)特別的限定。調(diào)整用電容6a與調(diào)整用電容6b、調(diào)整用電容7a與調(diào)整用電容7b、調(diào)整用電容8a、調(diào)整用電容8b
分別具有相同的靜電電容量。
控制電路部33具有單獨(dú)控制晶體管9a、 10a、 lla的操作的第l控 制電路12a;單獨(dú)控制晶體管9b、 10b、 11b的操作的第2控制電路12b。
調(diào)整數(shù)據(jù)保存部34具有存儲(chǔ)使晶體管9a lla、 9b llb中的任一晶 體管置于導(dǎo)通狀態(tài)的信息的非易失性存儲(chǔ)器13,向第1控制電路12a和第 2控制電路12b提供該信息。晶體管的控制信息可以是預(yù)先存儲(chǔ)的信息, 也可以是從檢波裝置的外部發(fā)送來(lái)的信息。作為非易失性存儲(chǔ)器13,例如 使用能夠在制造檢波電路之后寫(xiě)入的ROM、 FeRAM、 MRAM、 MONOS 等。另外,從檢波裝置的外部提供控制信息時(shí),也可以代替非易失性存儲(chǔ) 器13使用鎖存電路或DRAN等。
檢波電路部35具有輸出端子21、設(shè)置在基準(zhǔn)端子5與輸出端子21 之間的輸出電容22、設(shè)置在第1端子3以及第2端子4與輸出端子21之 間的橋式整流電路20。輸出端子21也構(gòu)成檢波裝置的輸出端子,是橋式 整流電壓的正極?;鶞?zhǔn)端子5成為整流電壓的負(fù)極。橋式整流電路20具 有陽(yáng)極與第1端子3連接、陰極與輸出端子21連接的第1 二極管;陽(yáng) 極與第2端子4連接、陰極與輸出端子21連接的第2二極管;陽(yáng)極與基 準(zhǔn)端子5連接、陰極與第1 二極管的陽(yáng)極及第1端子3連接的第3 二極管; 陽(yáng)極與基準(zhǔn)端子5連接、陰極與第2 二極管的陽(yáng)極及第2端子4連接的第 4二極管。輸出電容22用于平滑化檢波輸出,對(duì)于電路構(gòu)成而言有時(shí)也會(huì) 省略。
在圖1 (b)所示的例子中,在同一半導(dǎo)體基板(圖1 (b)所示的虛 線)上集成接收頻率調(diào)整部32、控制電路部33、調(diào)整數(shù)據(jù)保存部34、檢 波電路部35、第1端子3、第2端子4、基準(zhǔn)端子5、輸出端子21。但是, 也可以在與設(shè)置了接收頻率調(diào)整部32的半導(dǎo)體基板不同的基板上設(shè)置檢 波電路部35、調(diào)整數(shù)據(jù)保存部34等。
調(diào)整用電容6a、 7a、 8a、 6b、 7b、 8b的靜電電容量遠(yuǎn)比第1電容2a、 第2電容2b的電容小。
對(duì)構(gòu)成為以上結(jié)構(gòu)的檢波裝置,說(shuō)明其操作。
在本實(shí)施方式的檢波裝置中,基于線圈1通過(guò)與在檢波裝置的外部的發(fā)送用線圈之間的粗磁耦合接收信號(hào),從而在第1端子3與第2端子4之
間產(chǎn)生電壓。由橋式整流電路20整流在兩端子之間產(chǎn)生的電壓,并作為 檢波輸出從輸出端子21輸出該電壓。接收信號(hào)的頻率例如是13.56MHz 14MHz左右。在這里,接收信號(hào)的頻率相當(dāng)于包括線圈1、第l電容2a、 第2電容2b的諧振電路的諧振頻率時(shí),在第1端子3與第2端子4之間 產(chǎn)生的接收電壓成為最大振幅。為了調(diào)整該諧振頻率并最大化檢波輸出, 從調(diào)整用電容6a 8a、 6b 8b之中選擇與諧振電路連接的電容對(duì)。例如, 設(shè)線圈1的電感為L(zhǎng)、第1電容2a的電容與第2電容2b的靜電電容量分 別為C2、調(diào)整用電容6a、 6b的靜電電容量分別為C6時(shí),由第1控制電 路12a和第2控制電路12b使晶體管9a和9b處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí),分別并聯(lián) 調(diào)整用電容6a與第1電容2a、調(diào)整用電容6b與第2電容2b,且構(gòu)成諧 振電路的電容的合成電容變成(C2+C6) /2。這樣進(jìn)行諧振電容的靜電電 容量調(diào)整,使得能夠得到最大振幅。另外,追加到第l電容2a和第2電 容2b的電容的組合,g卩,導(dǎo)通晶體管9a lla、 9b 1 lb之中的任一個(gè)的 信息按照如上所述的方式被存儲(chǔ)在非易失性存儲(chǔ)器13中。調(diào)整數(shù)據(jù)保存 部34基于該存儲(chǔ)信息,在設(shè)備的啟動(dòng)過(guò)程時(shí)向第1控制電路12a、第2控 制電路12b發(fā)送信號(hào),設(shè)定諧振電路的諧振頻率為適當(dāng)?shù)闹怠?br> 在圖l (b)所示的本實(shí)施方式的檢波裝置中,第1端子3、第2端子 4、輸出端子21上產(chǎn)生的電壓波形與現(xiàn)有的檢波裝置相同,理想的波形如 圖8所示的波形A、 B、 C。即,第1端子3的電壓波形A與第2端子4 的電壓波形B是相位相差180度的同波高(A1=B1)的波形。作為輸出端 子21上產(chǎn)生的合成電壓波形C,出現(xiàn)電壓波形A與電壓波形B之中高的 一方。電壓波形A與B的振幅的理想值相互相等,并且分割了接收信號(hào) (波形A-波形B)的最大值的絕對(duì)值的一半。
下面,說(shuō)明調(diào)整用電容的靜電電容量產(chǎn)生偏差時(shí)各部中的波形。例如, 線圈1的電感為1 2uH、接收信號(hào)的傳送頻率為十?dāng)?shù)MHz時(shí),由于相 互串聯(lián)第1電容2a與第2電容2b,因此作為第1電容2a與第2電容2b, 分別使用靜電電容量為200pF前后的電容。相對(duì)于此,通常,調(diào)整用電容 6a 8a、 6b 8b的靜電電容量為數(shù)pF以下左右,并且與晶體管9a 1 la、 9b llb—同形成在半導(dǎo)體集成電路內(nèi)。因此,調(diào)整用電容的靜電電容量偏差也依賴(lài)于集成電路的生成工序,為±20%左右。例如,在頻率調(diào)整中,
設(shè)只有晶體管9a、 9b處于導(dǎo)通狀態(tài),第1電容2a、第2電容2b的靜電電 容量均為200pF,調(diào)整用電容6a的靜電電容量為4pF,調(diào)整用電容6b的 靜電電容量為5pF。此時(shí),變成在第1端子3與基準(zhǔn)端子5之間連接了第 1電容2a與調(diào)整用電容6a的并聯(lián)電容204pF、第2端子4與基準(zhǔn)端子5 之間連接了第2電容2b與調(diào)整用電容6b的并聯(lián)電容205pF,其靜電電容 量差比構(gòu)成諧振電路的靜電電容量小很多。在這里,單獨(dú)設(shè)置第1電容2a、 第2電容2b與集成電路,與調(diào)整用電容相比,能夠大幅抑制靜電電容量 的偏差。因此,在本實(shí)施方式的檢波裝置中,由于第l電容2a、第2電容 2b的靜電電容量遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于調(diào)整用電容的電容并處于支配地位,且第1電容 2a與第2電容2b的靜電電容量差極小,因此吸收調(diào)整用電容的偏差。其 結(jié)果,在第1端子3中的波形與在第2端子4中的波形的振幅差為振幅的 0.002%左右,在輸出端子21中的檢波波形上幾乎不產(chǎn)生變形。因此,在 本實(shí)施方式的檢波裝置的第1端子3、第2端子4、輸出端子21中的波形 大致成為圖8所示的理想的波形A、 B、 C。因此,在便攜式電話或PDA (Personal Digital Assistant)等便攜式設(shè)備中裝載本實(shí)施方式的檢波裝置 時(shí),不會(huì)引起信息的讀取裝置的誤操作等,能夠進(jìn)行期望的信息通訊。
另外,在本實(shí)施方式的檢波裝置中,晶體管9a lla與晶體管9b llb 構(gòu)成為能夠單獨(dú)設(shè)定導(dǎo)通狀態(tài)/非導(dǎo)通狀態(tài)的結(jié)構(gòu)。
根據(jù)該結(jié)構(gòu),也能調(diào)整第l電容2a與第2電容2b之間的靜電電容量 偏差。例如,第1電容2a的靜電電容量為200pF、第2電容2b的靜電電 容量為204pF時(shí),通過(guò)使晶體管9a處于導(dǎo)通狀態(tài)、使晶體管9b處于非導(dǎo) 通狀態(tài),從而變成第1端子3與第2端子4上均連接204pF的靜電電容量。 此時(shí),能夠由其它調(diào)整用電容進(jìn)行諧振頻率的調(diào)整,幾乎消除第1端子3 與第2端子4的振幅差,抑制檢波波形上產(chǎn)生的變形。
另外,根據(jù)本實(shí)施方式的檢波裝置,第1端子3與第2端子4上產(chǎn)生 的電壓變化變成相位反轉(zhuǎn)了 180°的振幅相等的波形。由于這些電壓波形的 最低點(diǎn)變成基準(zhǔn)端子5的電位以上,因此,在圖1所示的橋式整流電路20 之中,與基準(zhǔn)端子5連接的2個(gè)負(fù)極側(cè)二極管在穩(wěn)定工作時(shí)不會(huì)導(dǎo)通。因 此,也可以是圖2所示的結(jié)構(gòu)。圖2是表示本實(shí)施方式的檢波裝置的變形例的電路圖。在該變形例的 檢波裝置中,從圖1所示的橋式整流電路20 (參照?qǐng)D1 (b))省略具有
與基準(zhǔn)端子5連接的陽(yáng)極的2個(gè)二極管。
但是,在啟動(dòng)時(shí)或變化接收用線圈與發(fā)送用線圈之間的位置關(guān)系的過(guò)
渡狀態(tài)中,為了即使接收波形的振幅變動(dòng)也不會(huì)使第1端子3、第2端子 4的電壓變成負(fù)電位,優(yōu)選具備橋式整流電路20的結(jié)構(gòu)。
另外,在本實(shí)施方式的檢波裝置中,也能將第1電容2a、第2電容 2b與接收頻率調(diào)整部32或控制電路部33等集成在同一半導(dǎo)體基板上。此 時(shí),如上所述,第1電容2a與第2電容2b的靜電電容量偏差比單獨(dú)形成 兩個(gè)電容與集成電路時(shí)大,但是通過(guò)單獨(dú)控制晶體管9a、 10a、…11a與晶 體管9b、 10b、…11b,能夠降低靜電電容量的偏差。這樣,通過(guò)在集成電 路內(nèi)設(shè)置第1電容2a與第2電容2b,與在集成電路的外部設(shè)置兩個(gè)電容 時(shí)相比,能夠大幅縮小檢波裝置的安裝面積。
另外,在接收頻率調(diào)整部32中,設(shè)置多個(gè)與第1端子3連接的調(diào)整 用電容時(shí),各調(diào)整用電容的靜電電容量彼此可以相等,也可以適當(dāng)不同。 對(duì)于與第2端子4連接的調(diào)整用電容也相同。 (第2實(shí)施方式)
圖3是表示本發(fā)明的第2實(shí)施方式的檢波裝置的構(gòu)成的電路圖。 本實(shí)施方式的檢波裝置與圖1所示的第1實(shí)施方式的檢波裝置的不同 點(diǎn)是在檢波電路部的橋式整流電路20中追加了比較第1端子3與第2端 子4的電位的比較器14、反轉(zhuǎn)比較器14的輸出的變換器15、由比較器14 的輸出控制并使二極管23a的陽(yáng)極與陰極之間短路的晶體管16a、由變換 器15的輸出控制并使二極管23b的陽(yáng)極與陰極之間短路的晶體管16b。
艮P,本實(shí)施方式的檢波裝置的特征在于,僅在接收狀態(tài)變化的過(guò)渡時(shí) 導(dǎo)通,相對(duì)于穩(wěn)定工作時(shí)不會(huì)導(dǎo)通的負(fù)極側(cè)二極管24a、 24b,將正極側(cè)整 流電路作為同步整流電路的結(jié)構(gòu)。其它的結(jié)構(gòu)與第1實(shí)施方式的檢波裝置 相同。
在本實(shí)施方式的檢波裝置中,與二極管23a并聯(lián)的晶體管16a在第1 端子3的電壓比第2端子4的電壓高時(shí)導(dǎo)通,與二極管23b并聯(lián)的晶體管 16b在第2端子4的電壓比第1端子3的電壓高時(shí)導(dǎo)通。由于基于晶體管
18的導(dǎo)通電阻的電壓下降比基于二極管的電壓下降小,因此根據(jù)所述結(jié)構(gòu), 能抑制正極側(cè)整流電路的正向電壓下降,能增加檢波輸出的電平。
另外,在第1實(shí)施方式和第2實(shí)施方式的檢波裝置中,說(shuō)明了由于在
相同的半導(dǎo)體集成電路內(nèi)形成調(diào)整用電容與晶體管,因此會(huì)產(chǎn)生基于調(diào)整 用電容的偏差的靜電電容量差,但是本發(fā)明的檢波裝置并不限定于這些結(jié) 構(gòu)中。即使在集成電路外設(shè)置抑制偏差的調(diào)整用電容時(shí),也有在工作時(shí)偶 然地使所有的晶體管處于非導(dǎo)通狀態(tài)的可能性。此時(shí),與第1端子3 、第
2端子4連接的是調(diào)整用電容與晶體管的寄生電容的串聯(lián)電容,電容偏差
變大。因此,本發(fā)明的結(jié)構(gòu)是不隨調(diào)整用電容在集成電路的內(nèi)部還是外部 而起到檢波波形的變形抑制效果的結(jié)構(gòu),能夠有效地抑制在非接觸傳送系 統(tǒng)中的誤操作等的產(chǎn)生。
另外,通過(guò)在同一半導(dǎo)體基板上作為集成電路而形成本發(fā)明的檢波裝
置的主要構(gòu)成元件,提高其便利性。例如,如圖4所示,將圖l所示的檢 波裝置中的調(diào)整用電容6a 8a、 6b 8b、晶體管9a lla、 9b llb、第l 控制電路12a、第2控制電路12b、非易失性存儲(chǔ)器13作為一個(gè)半導(dǎo)體集 成電路,將第1端子3作為調(diào)整用電容6a 8a與電波接收部之間的連接 點(diǎn),將第2端子4作為調(diào)整用電容6b 8b與電波接收部之間的連接點(diǎn)。 另外,第3端子40是用于從外部接收晶體管的控制信息的端子。
另外,如之前所述,對(duì)調(diào)整用電容與對(duì)應(yīng)于此的晶體管的個(gè)數(shù)沒(méi)有限 定,通過(guò)增加該調(diào)整元件,能夠?qū)崿F(xiàn)靜電電容量的更廣泛的調(diào)節(jié)或微調(diào)整。 因此,例如,對(duì)應(yīng)于檢波裝置的接收狀態(tài)的變化或通訊頻率的切換等變得 容易。
(第3實(shí)施方式)
圖5是表示本發(fā)明的第3實(shí)施方式的檢波裝置的構(gòu)成的電路圖。第1 實(shí)施方式和第2實(shí)施方式的檢波裝置是所謂全波整流接收信號(hào)的檢波裝 置,但是本實(shí)施方式的檢波裝置是所謂進(jìn)行半波整流的檢波裝置。
在本實(shí)施方式的檢波裝置中,將第1端子3作為調(diào)整用電容6a 8a 與電波接收部之間的連接點(diǎn),將第2綿子4作為調(diào)整用電容6b 8b與電 波接收部之間的連接點(diǎn)。
具體而言,在本實(shí)施方式的檢波裝置中沒(méi)有分割與線圈1構(gòu)成諧振電路的電容2,第1端子3、第2端子4與線圈1的同一端(一個(gè)端子)和 電容2的同一電極(一個(gè)電極)連接。另外,基準(zhǔn)端子5與線圈1的另一 端及電容2的另一個(gè)電極連接。調(diào)整用電容6a、 6b設(shè)計(jì)為相互具有相同 的靜電電容量,且均與電容2并聯(lián)。另外,在調(diào)整用電容6a與基準(zhǔn)端子5 之間設(shè)置有晶體管9a,在調(diào)整用電容6b與基準(zhǔn)端子5之間設(shè)置有晶體管 9b。分別由第1控制電路12a與第2控制電路12b單獨(dú)控制晶體管9a與 晶體管9b的操作。二極管17的陽(yáng)極分別與線圈1、電容2、第1端子3、 第2端子4連接,陰極與輸出端子21a和輸出電容22連接。非易失性存 儲(chǔ)器13與第3端子40連接。
即使這樣的結(jié)構(gòu)也能單獨(dú)控制晶體管9a、 9b,因此能夠抑制調(diào)整用電 容6a、 6b的電容的偏差。
在本實(shí)施方式的檢波裝置中,也能通過(guò)在同一半導(dǎo)體基板上集成調(diào)整 用電容6a、 6b、晶體管9a、 9b、第1控制電路12a、第2控制電路12b、 非易失性存儲(chǔ)器等來(lái)謀求便利性的提高。
另外,在集成電路中,對(duì)與第1端子3連接的調(diào)整用電容的個(gè)數(shù)、與 第2端子4連接的調(diào)整用電容的個(gè)數(shù)沒(méi)有特別的限定。 (第4實(shí)施方式)
作為本發(fā)明的第4實(shí)施方式,說(shuō)明裝載了本發(fā)明的檢波裝置的便攜式 設(shè)備的構(gòu)成。圖6是表示具備第4實(shí)施方式的檢波裝置的便攜式設(shè)備的框 圖。在這里表示使用在第1實(shí)施方式中說(shuō)明的圖1 (a)所示的檢波裝置的 便攜式設(shè)備。
如圖6所示,本實(shí)施方式的便攜式設(shè)備39具備檢波裝置30、處理從 檢波裝置30輸出的信號(hào)的數(shù)據(jù)處理部36、在與數(shù)據(jù)處理部36的之間進(jìn)行 雙方向通訊的基帶部37、作為存儲(chǔ)裝置的存儲(chǔ)器38。
檢波裝置30具有電波接收部31、接收頻率調(diào)整部32、控制電路部33、 調(diào)整數(shù)據(jù)保存部34、檢波電路部35。
在圖6所示的便攜式設(shè)備中,來(lái)自調(diào)整數(shù)據(jù)保存部34的輸出信號(hào)輸 入到控制電路部33中,從控制電路部33輸出的控制信號(hào)輸入到接收頻率 調(diào)整部32中,從接收頻率調(diào)整部32輸出的信號(hào)輸入到電波接收部31中。 另外,來(lái)自電波接收部31的輸出信號(hào)通過(guò)接收頻率調(diào)整部32輸入到檢波電路部35中,檢波電路部35的輸出信號(hào)輸入到數(shù)據(jù)處理部36中。
電波接收部31相當(dāng)于圖1所示的接收用線圈1、第1電容2a、第2 電容2b,接收用線圈通過(guò)與外部發(fā)送用線圈之間的粗磁耦合接收信號(hào)。通 過(guò)接收頻率調(diào)整部32與檢波電路部35作為檢波輸出而輸出在電波接收部 31中產(chǎn)生的接收信號(hào)。
另外,接收頻率調(diào)整部32相當(dāng)于圖1所示的調(diào)整用電容6a 8a、 6b 8b、晶體管9a lla、 9b llb,檢波電路部35相當(dāng)于橋式整流電路20和 輸出電容22。來(lái)自檢波電路部35的檢波輸出輸入到數(shù)據(jù)處理部36中,并 向基帶部37發(fā)送在數(shù)據(jù)處理部36中被變換處理為邏輯信號(hào)的信號(hào)。在這 里,為了調(diào)整電波接收部31的諧振頻率并最大化檢波輸出,從基帶部37 向調(diào)整數(shù)據(jù)保存部34發(fā)送指示頻率調(diào)整的信號(hào)。調(diào)整數(shù)據(jù)保存部34中保 存的數(shù)據(jù)是關(guān)于控制電路部33在接收頻率調(diào)整部32中向電波接收部31 連接哪一個(gè)調(diào)整用電容的信息。即,控制電路部33相當(dāng)于圖1所示的第1 控制電路12a、第2控制電路12b,調(diào)整數(shù)據(jù)保存部34相當(dāng)于非易失性存 儲(chǔ)器13。但是,在本實(shí)施方式的便攜式設(shè)備中,為了通過(guò)第3端子40在 工作時(shí)從基帶部37寫(xiě)入控制信息,也可以由暫時(shí)存儲(chǔ)控制信息的鎖存電 路或DRAM等易失性存儲(chǔ)器構(gòu)成調(diào)整數(shù)據(jù)保存部34。此時(shí),與使用非易 失性存儲(chǔ)器時(shí)相比,容易集成化,能夠謀求制造成本的降低。
由接收頻率調(diào)整部32調(diào)整電波接收部31的諧振頻率,向數(shù)據(jù)處理部 36發(fā)送來(lái)自檢波電路部35的檢波輸出。數(shù)據(jù)處理部36向基帶部37發(fā)送 被處理為邏輯信號(hào)的數(shù)據(jù)。直到設(shè)定檢波輸出電平變?yōu)檫m當(dāng)?shù)念l率為止, 基帶部37向調(diào)整數(shù)據(jù)保存部34發(fā)送用于頻率調(diào)整的信號(hào),重復(fù)進(jìn)行如上 所述的頻率調(diào)整操作。
電波接收部31的諧振頻率變成適當(dāng)?shù)念l率時(shí),在調(diào)整數(shù)據(jù)保存部34 保存該調(diào)整數(shù)據(jù),調(diào)整數(shù)據(jù)保存部34基于該存儲(chǔ)信息,在便攜式設(shè)備39 的啟動(dòng)過(guò)程時(shí)向控制電路部33發(fā)送控制信息,每一啟動(dòng)過(guò)程中設(shè)定電波 接收部31的諧振頻率為適當(dāng)?shù)闹?。然后,通過(guò)存儲(chǔ)調(diào)整數(shù)據(jù)保存部34調(diào) 整了一次的值,以后不需要進(jìn)行在啟動(dòng)過(guò)程中的頻率調(diào)整操作。另外,由 鎖存電路等易失性存儲(chǔ)器構(gòu)成調(diào)整數(shù)據(jù)保存部34時(shí),也進(jìn)行與以上說(shuō)明 相同的操作。
=在本實(shí)施方式的便攜式設(shè)備中,通過(guò)使用吸收調(diào)整用電容的偏差來(lái)抑制檢波輸出波形的變形的檢波裝置,抑制通訊時(shí)的誤操作,能夠更加準(zhǔn)確地進(jìn)行非接觸數(shù)據(jù)通訊。
另外,本實(shí)施方式的檢波裝置也可以是具有在第1 第3實(shí)施方式中說(shuō)明的任一結(jié)構(gòu)的檢波裝置。(產(chǎn)業(yè)上的利用可能性)
本發(fā)明適用于裝載了非接觸通訊方式的接收功能的終端設(shè)備。
權(quán)利要求
1、一種檢波用電路裝置,用于由接收感應(yīng)器整流第1端子與基準(zhǔn)端子之間或第2端子與所述基準(zhǔn)端子之間產(chǎn)生的電壓,其特征在于,具備所述第1端子和所述第2端子;所述基準(zhǔn)端子;接收頻率調(diào)整部,具有第1調(diào)整用電容,設(shè)置在所述第1端子與所述基準(zhǔn)端子之間;第2調(diào)整用電容,設(shè)置在所述第2端子與所述基準(zhǔn)端子之間;第1開(kāi)關(guān),在所述第1端子與所述基準(zhǔn)端子之間與所述第1調(diào)整用電容串聯(lián),并使所述第1調(diào)整用電容與所述基準(zhǔn)端子處于導(dǎo)通狀態(tài)或非導(dǎo)通狀態(tài);第2開(kāi)關(guān),在所述第2端子與所述基準(zhǔn)端子之間與所述第2調(diào)整用電容串聯(lián),并使所述第2調(diào)整用電容與所述基準(zhǔn)端子處于導(dǎo)通狀態(tài)或非導(dǎo)通狀態(tài);和控制電路部,具有第1控制電路,控制所述第1開(kāi)關(guān)的操作;第2控制電路,控制所述第2開(kāi)關(guān)的操作。
2、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的檢波用電路裝置,其特征在于, 設(shè)置n個(gè)所述第l調(diào)整用電容,其中n為2以上的整數(shù),且相互并聯(lián)所述第l調(diào)整用電容,對(duì)應(yīng)所述第l調(diào)整用電容,分別設(shè)置n個(gè)所述第l開(kāi)關(guān),且相互并聯(lián)所述第1開(kāi)關(guān),所述第1控制電路單獨(dú)控制n個(gè)所述第1開(kāi)關(guān)的操作, 所述第2控制電路單獨(dú)控制n個(gè)所述第2開(kāi)關(guān)的操作。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的檢波用電路裝置,其特征在于, 還具備調(diào)整數(shù)據(jù)保存部,該調(diào)整數(shù)據(jù)保存部具有數(shù)據(jù)保存部,該數(shù)據(jù)保存部存儲(chǔ)使n個(gè)所述第1開(kāi)關(guān)之中的任一開(kāi)關(guān)處于導(dǎo)通狀態(tài)或非導(dǎo)通狀 態(tài)的第1信息和使n個(gè)所述第2開(kāi)關(guān)之中的任一開(kāi)關(guān)處于導(dǎo)通狀態(tài)或非導(dǎo) 通狀態(tài)的第2信息。
4、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的檢波用電路裝置,其特征在于, 所述數(shù)據(jù)保存部具有鎖存電路。
5、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的檢波用電路裝置,其特征在于, 所述數(shù)據(jù)保存部具有非易失性存儲(chǔ)器。
6、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的檢波用電路裝置,其特征在于,至少在同一半導(dǎo)體基板上集成所述第1調(diào)整用電容、所述第2調(diào)整用 電容、所述第1開(kāi)關(guān)、所述第2開(kāi)關(guān)、所述第1控制電路、以及所述第2 控制電路。
7、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的檢波用電路裝置,其特征在于,還具備電波接收部,該電波接收部具有所述接收感應(yīng)器,接收信號(hào)并在兩端產(chǎn)生電壓,且一端與所述第1端子、另一端與所述第2端子分別連接;第1電容,該第1電容的一個(gè)電極與所述接收感應(yīng)器的一端以及所述 第1端子連接,該第1電容的另一個(gè)的電極與所述基準(zhǔn)端子連接,并且該第1電容與所述第1調(diào)整用電容并聯(lián);第2電容,該第2電容的一個(gè)電極與所述接收感應(yīng)器的另一端以及所 述第2端子連接,該第2電容的另一個(gè)電極與所述基準(zhǔn)端子連接,并且該 第2電容與所述第2調(diào)整用電容并聯(lián)。
8、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的檢波用電路裝置,其特征在于,在設(shè)置了所述第1調(diào)整用電容以及所述第2調(diào)整用電容的基板的外部 設(shè)置所述第1電容和所述第2電容。
9、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的檢波用電路裝置,其特征在于,所述第1調(diào)整用電容以及所述第2調(diào)整用電容的靜電電容量比所述第 1電容以及所述第2電容的靜電電容量小。
10、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的檢波用電路裝置,其特征在于, 還具備檢波電路部,該檢波電路部具有輸出部;第1二極管,該第1二極管的陽(yáng)極與所述第1端子連接,該第1 二極 管的陰極與所述輸出部連接;第2二極管,該第2二極管的陽(yáng)極與所述第2端子連接,該第2二極 管的陰極與所述輸出部連接。
11、 根據(jù)權(quán)利要求10所述的檢波用電路裝置,其特征在于,所述檢波電路部具有第3二極管,該第3 二極管的陽(yáng)極與所述基準(zhǔn) 端子連接,該第3 二極管的陰極與所述第1 二極管的陽(yáng)極以及所述第1端 子連接;和第4二極管,該第4二極管的陽(yáng)極與所述基準(zhǔn)端子連接,該第4二極 管的陰極與所述第2 二極管的陽(yáng)極以及所述第2端子連接,所述第1 二極管、所述第2 二極管、所述第3 二極管、以及所述第4 二極管構(gòu)成橋式整流電路。
12、 根據(jù)權(quán)利要求ll所述的檢波用電路裝置,其特征在于, 所述檢波電路部還具有比較器,對(duì)所述第1端子的電位與所述第2端子的電位進(jìn)行比較;第3開(kāi)關(guān),由所述比較器的輸出來(lái)控制,并使所述第l二極管的陽(yáng)極 與陰極短路;和第4開(kāi)關(guān),由所述比較器的輸出的反轉(zhuǎn)信號(hào)來(lái)控制,并使所述第2二 極管的陽(yáng)極與陰極短路。
13、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的檢波用電路裝置,其特征在于, 還具備電波接收部,該電波接收部具有所述接收感應(yīng)器,接收信號(hào)并在兩端產(chǎn)生電壓,且一端與所述第1端 子以及所述第2端子連接,另一端與所述基準(zhǔn)端子連接;禾口電容,該電容的一個(gè)電極與所述接收感應(yīng)器的一端、所述第1端子、 以及所述第2端子連接,該電容的另一個(gè)電極與所述基準(zhǔn)端子以及所述接 收感應(yīng)器的另一端連接,并且該電容與所述第1調(diào)整用電容以及所述第2 調(diào)整用電容并聯(lián)。
14、 一種便攜式設(shè)備,具備檢波電路裝置,其具有電波接收部、接收頻率調(diào)整部、控制電路部、 調(diào)整數(shù)據(jù)保存部以及檢波電路部,所述電波接收部具有接收感應(yīng)器和電 容,所述接收感應(yīng)器,接收信號(hào)并在兩端產(chǎn)生電壓,所述電容的一個(gè)電極 與所述接收感應(yīng)器的一端或另一端連接,所述接收頻率調(diào)整部,用于將諧 振頻率調(diào)整到所述信號(hào)的頻率,所述控制電路部,控制所述接收頻率調(diào)整 部的操作,所述調(diào)整數(shù)據(jù)保存部,存儲(chǔ)所述控制電路部用于控制所述接收 頻率調(diào)整部的信息,所述檢波電路部接收所述接收頻率調(diào)整部的輸出;和第1端子、第2端子、以及基準(zhǔn)端子,用于在所述電波接收部與所述 接收頻率調(diào)整部之間進(jìn)行所述信號(hào)的接受, 所述接收頻率調(diào)整部具有第1調(diào)整用電容,設(shè)置在所述第1端子與所述基準(zhǔn)端子之間; 第2調(diào)整用電容,設(shè)置在所述第2端子與所述基準(zhǔn)端子之間; 第1開(kāi)關(guān),在所述第1端子與所述基準(zhǔn)端子之間與所述第1調(diào)整用電容串聯(lián),并使所述第1調(diào)整用電容與所述基準(zhǔn)端子處于導(dǎo)通狀態(tài)或非導(dǎo)通狀態(tài);和第2開(kāi)關(guān),在所述第2端子與所述基準(zhǔn)端子之間與所述第2調(diào)整用電 容串聯(lián),并使所述第2調(diào)整用電容與所述基準(zhǔn)端子處于導(dǎo)通狀態(tài)或非導(dǎo)通 狀態(tài),所述控制電路部具有第1控制電路,控制所述第l開(kāi)關(guān)的操作;和 第2控制電路,控制所述第2幵關(guān)的操作。
15、 根據(jù)權(quán)利要求14所述的便攜式設(shè)備,其特征在于, 設(shè)置n個(gè)所述第l調(diào)整用電容,其中n為2以上的整數(shù),且相互并聯(lián)所述第1調(diào)整用電容,對(duì)應(yīng)所述第l調(diào)整用電容,分別設(shè)置n個(gè)所述第1開(kāi)關(guān),且相互并聯(lián)所述第1開(kāi)關(guān),所述第1控制電路單獨(dú)控制n個(gè)所述第1開(kāi)關(guān)的操作, 所述第2控制電路單獨(dú)控制n個(gè)所述第2開(kāi)關(guān)的操作。
16、 根據(jù)權(quán)利要求15所述的便攜式設(shè)備,其特征在于, 所述調(diào)整數(shù)據(jù)保存部具有鎖存電路,該鎖存電路存儲(chǔ)使n個(gè)所述第1開(kāi)關(guān)之中的任一開(kāi)關(guān)處于導(dǎo)通狀態(tài)或非導(dǎo)通狀態(tài)的第1信息和使n個(gè)所述 第2開(kāi)關(guān)之中的任一開(kāi)關(guān)處于導(dǎo)通狀態(tài)或非導(dǎo)通狀態(tài)的第2信息。
17、 根據(jù)權(quán)利要求15所述的便攜式設(shè)備,其特征在于, 所述調(diào)整數(shù)據(jù)保存部具有非易失性存儲(chǔ)器,該非易失性存儲(chǔ)器存儲(chǔ)使n個(gè)所述第1開(kāi)關(guān)之中的任一開(kāi)關(guān)處于導(dǎo)通狀態(tài)或非導(dǎo)通狀態(tài)的第1信息 和使n個(gè)所述第2開(kāi)關(guān)之中的任一開(kāi)關(guān)處于導(dǎo)通狀態(tài)或非導(dǎo)通狀態(tài)的第2"(曰息。
18、 根據(jù)權(quán)利要求14所述的便攜式設(shè)備,其特征在于, 至少在同一半導(dǎo)體基板上集成所述第1調(diào)整用電容、所述第2調(diào)整用電容、所述第1開(kāi)關(guān)、所述第2開(kāi)關(guān)、所述第1控制電路、以及所述第2控制電路。
19、 根據(jù)權(quán)利要求14所述的便攜式設(shè)備,其特征在于,所述電容包括第1電容,該第1電容的一個(gè)電極與所述接收感應(yīng)器的一端以及所述 第1端子連接,該第1電容的另一個(gè)電極與所述基準(zhǔn)端子連接,并且該第1電容與所述第1調(diào)整用電容并聯(lián);第2電容,該第2電容的一個(gè)電極與所述接收感應(yīng)器的另一端以及所 述第2端子連接,該第2電容的另一個(gè)電極與所述基準(zhǔn)端子連接,并且該 第2電容與所述第2調(diào)整用電容并聯(lián)。
20、 根據(jù)權(quán)利要求14所述的便攜式設(shè)備,其特征在于, 所述檢波電路部具有輸出部;第1二極管,該第1二極管的陽(yáng)極與所述第1端子連接,該第1二極 管的陰極與所述輸出部連接;和第2二極管,該第2二極管的陽(yáng)極與所述第2端子連接,該第2二極 管的陰極與所述輸出部連接。
21、 根據(jù)權(quán)利要求20所述的便攜式設(shè)備,其特征在于, 所述檢波電路部具有第3二極管,該第3二極管的陽(yáng)極與所述基準(zhǔn)端子連接,該第3 二極管的陰極與所述第1二極管的陽(yáng)極以及所述第1端 子連接;和第4二極管,該第4二極管的陽(yáng)極與所述基準(zhǔn)端子連接,該第4二極 管的陰極與所述第2 二極管的陽(yáng)極以及所述第2端子連接,所述第1 二極管、所述第2 二極管、所述第3 二極管、以及所述第4 二極管構(gòu)成橋式整流電路。
22、 根據(jù)權(quán)利要求21所述的便攜式設(shè)備,其特征在于, 所述檢波電路部還具有比較器,對(duì)所述第1端子的電位與所述第2端子的電位進(jìn)行比較;第3開(kāi)關(guān),由所述比較器的輸出來(lái)控制,并使所述第1二極管的陽(yáng)極與陰極短路;和第4開(kāi)關(guān),由所述比較器的輸出的反轉(zhuǎn)信號(hào)來(lái)控制,并使所述第2二 極管的陽(yáng)極與陰極短路。
23、根據(jù)權(quán)利要求14所述的便攜式設(shè)備,其特征在于, 所述電容的一個(gè)電極與所述接收感應(yīng)器的一端、所述第1端子、以及 所述第2端子連接,所述電容的另一個(gè)電極與所述基準(zhǔn)端子以及所述接收 感應(yīng)器的另一端連接,并且所述電容與所述第1調(diào)整用電容以及所述第2 調(diào)整用電容并聯(lián)。
全文摘要
本發(fā)明提供一種檢波用電路裝置,具備第1端子(3);第2端子(4);基準(zhǔn)端子(5);接收頻率調(diào)整部,具有設(shè)置在第1端子(3)與基準(zhǔn)端子(5)之間的第1調(diào)整用電容(6a)、設(shè)置在第2端子(4)與基準(zhǔn)端子(5)之間的第2調(diào)整用電容(6b)、在第1端子(3)與基準(zhǔn)端子(5)之間與第1調(diào)整用電容(6a)串聯(lián)的第1開(kāi)關(guān)(9a)、在第2端子(4)與基準(zhǔn)端子(5)之間與第2調(diào)整用電容(6b)串聯(lián)的第2開(kāi)關(guān)(9b);和控制電路部,具有控制第1開(kāi)關(guān)(9a)的操作的第1控制電路(12a)、控制第2開(kāi)關(guān)(9b)的操作的第2控制電路(12b)。
文檔編號(hào)H04B5/02GK101682371SQ20088001783
公開(kāi)日2010年3月24日 申請(qǐng)日期2008年10月15日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月7日
發(fā)明者中島升, 倉(cāng)品憲一, 金久保圭秀 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社
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