專利名稱：異音防止模塊與其擴(kuò)音裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種防止異音產(chǎn)生的電路，且特別是關(guān)于一種避免在電源 關(guān)閉時(shí)，因瞬間脈沖而產(chǎn)生異音的異音防止模塊與其擴(kuò)音裝置。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)的擴(kuò)音裝置，在電源關(guān)閉時(shí)，通常會(huì)產(chǎn)生異常的聲音，例如"彭"的異音。因?yàn)楫?dāng)AC電源關(guān)閉時(shí)，擴(kuò)音裝置中的聲音處理器會(huì)失去作用，無法 使擴(kuò)音喇。八維持靜音的狀態(tài)。電路在電源關(guān)閉時(shí)所產(chǎn)生類似突發(fā)的脈沖或噪 聲，會(huì)使喇叭產(chǎn)生異音，進(jìn)而對(duì)擴(kuò)音喇p八造成損傷。由于傳統(tǒng)的擴(kuò)音裝置并未針對(duì)電源關(guān)閉時(shí)，設(shè)計(jì)防止異音產(chǎn)生的電路。 因此，當(dāng)電源關(guān)閉時(shí)，噪聲所造成的異音會(huì)對(duì)擴(kuò)音喇叭造成損壞，降低擴(kuò)音 喇叭的使用壽命，并降低顧客對(duì)產(chǎn)品的評(píng)價(jià)與信任。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的其中之一是在提供一種異音防止模塊，用以防止擴(kuò)音裝置 在電源關(guān)閉時(shí)產(chǎn)生異音。利用聲音處理器與聲音放大器所接收到的工作電壓 的電壓差，判斷電源的供應(yīng)情況，并輸出相對(duì)應(yīng)的靜音控制信號(hào)，避免擴(kuò)音 喇叭產(chǎn)生異音。本發(fā)明的目的其中之一是在提供一種異音防止方法，用以防止擴(kuò)音裝置 在電源關(guān)閉時(shí)產(chǎn)生異音。利用電源關(guān)閉時(shí)，擴(kuò)音裝置內(nèi)工作電壓的電壓差變 化，輸出相對(duì)應(yīng)的靜音控制信號(hào)，避免擴(kuò)音喇叭產(chǎn)生異音。本發(fā)明的目的其中之一是在提供一種擴(kuò)音裝置，當(dāng)電源關(guān)閉時(shí)，利用聲 音處理器與聲音放大器之間的工作電壓變化，產(chǎn)生相對(duì)應(yīng)的靜音控制信號(hào)， 避免擴(kuò)音喇。八產(chǎn)生異音。為達(dá)成上述與其它目的，本發(fā)明提出一種異音防止模塊，用以防止擴(kuò)音 裝置在電源關(guān)閉時(shí)產(chǎn)生異音，擴(kuò)音裝置包括聲音處理器與聲音放大器，聲音 處理器耦接于第一工作電壓，聲音放大器耦接于第二工作電壓，上述的異音
防止模塊包括第一電阻與第二電阻串聯(lián)耦接于第一工作電壓與接地端之間。 第一晶體管的控制端耦接于第一電阻與第二電阻的共享節(jié)點(diǎn)，電容耦接于第 一晶體管與接地端之間。第二晶體管耦接于第三電阻，且第三電阻的另一端耦接于第二工作電壓，第二晶體管的另一端耦接于接地端。第四電阻耦接于 第一晶體管與第二晶體管的控制端之間，第五電阻耦接于第二工作電壓與第 一晶體管之間。其中，上述異音防止模塊經(jīng)由第二晶體管與第三電阻的共享節(jié)點(diǎn)，輸出 靜音控制信號(hào)至聲音放大器，若靜音控制信號(hào)致能，則聲音放大器的輸出為 靜音狀態(tài)。因此，上述的擴(kuò)音喇叭根據(jù)聲音放大器的輸出而處于靜音狀態(tài)， 進(jìn)而避免產(chǎn)生不必要的異音或雜音。為達(dá)成上述與其它目的，本發(fā)明提出一種異音防止方法，用以防止擴(kuò)音 裝置在電源關(guān)閉時(shí)產(chǎn)生異音。上述擴(kuò)音裝置包括聲音處理器與聲音放大器， 聲音處理器耦接于第一工作電壓，聲音放大器耦接于第二工作電壓，上述異音防止方法包括下列步驟首先，檢測(cè)第一工作電壓與第二工作電壓。然后， 根據(jù)第一工作電壓與第二工作電壓，輸出靜音控制信號(hào)至該聲音放大器。以 及，若第一工作電壓小于預(yù)設(shè)電壓，則致能該靜音控制信號(hào)，以使聲音放大 器的輸出為靜音狀態(tài)。若第一工作電壓大于預(yù)設(shè)電壓，則維持該靜音控制信 號(hào)的電壓電平。為維持上述與其它目的，本發(fā)明提出一種擴(kuò)音裝置，包括聲音處理器、 聲音放大器以及異音防止模塊。聲音處理器耦接于第一工作電壓，并根據(jù)音 效數(shù)據(jù)，輸出音頻信號(hào)。聲音放大器耦接于第二工作電壓，且聲音放大器的 輸入端耦接于聲音處理器，用以增益音頻信號(hào)，并輸出擴(kuò)音信號(hào)。異音防止 模塊耦接聲音放大器，并根據(jù)第一工作電壓與第二工作電壓，輸出靜音控制 信號(hào)至聲音放大器。其中，若第一工作電壓小于預(yù)設(shè)電壓，則異音防止模塊致能靜音控制信 號(hào)，以使聲音放大器的擴(kuò)音信號(hào)為靜音狀態(tài)。本發(fā)明因利用電源關(guān)閉時(shí)，擴(kuò)音裝置內(nèi)的工作電壓變化，產(chǎn)生相對(duì)應(yīng)的 靜音控制信號(hào)。避免在電源關(guān)閉時(shí)所產(chǎn)生的突波或脈沖使擴(kuò)音喇叭產(chǎn)生異音， 降低擴(kuò)音喇叭損壞的機(jī)率，并提高擴(kuò)音器使用上的品質(zhì)。為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉本 發(fā)明的較佳實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說明如下。


圖1為根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的擴(kuò)音裝置的方塊圖。 圖2為根據(jù)本實(shí)施例的異音防止模塊的電路圖。圖3為根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的異音防止模塊的電路圖。圖4為根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的異音防止模塊。圖5為根據(jù)上述圖2、 3實(shí)施例的信號(hào)波形圖。圖6為根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的異音防止方法的流程圖。[主要元件標(biāo)號(hào)說明]VCC1:第一工作電壓VCC2:第二工作電壓GND:接地端AUD:音效數(shù)據(jù)AUS:音頻信號(hào)AAS:擴(kuò)音信號(hào)而T:靜音控制信號(hào)FV:第一偏壓SV:第二偏壓R1 R8:電阻Cl、 C2:電容Ql: pnp雙極型結(jié)晶體管Q2:叩n雙極型結(jié)晶體管Ml: PM0S晶體管M2: NM0S晶體管100:擴(kuò)音裝置110、 300、 400:異音防止模塊 120:聲音處理器 130:聲音放大器 140:擴(kuò)音喇口八 410:比較器S610 S650:流程圖步驟
具體實(shí)施方式
請(qǐng)參閱圖1,圖1為根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的擴(kuò)音裝置的方塊圖。擴(kuò)音裝置100包括聲音處理器120、聲音放大器130、擴(kuò)音喇叭140以及異音防止才莫 塊IIO。聲音放大器130耦接于擴(kuò)音喇叭140與聲音處理器120之間。異音 防止模塊110耦接于聲音放大器130，用以輸出靜音控制信號(hào)MUT至聲音放 大器130。
聲音處理器120接收音效數(shù)據(jù)AUD(例如數(shù)字的音效數(shù)據(jù))，并將其轉(zhuǎn)換 為音頻信號(hào)AUS(例如模擬的音頻信號(hào))。音頻信號(hào)AUS經(jīng)由聲音放大器130 調(diào)整或增益后，輸出擴(kuò)音信號(hào)AAS，并通過擴(kuò)音喇叭140輸出。在正常供電 下，聲音處理器120耦接于第一工作電壓VCC1,而聲音放大器130耦接于第 二工作電壓VCC2。第一工作電壓VCC1 (例如12V的直流電壓)與第二工作電壓 VCC2(例如5V的直流電壓)皆由電源(例如110V或220V的交流電源)轉(zhuǎn)換而 得。因此，當(dāng)電源關(guān)閉或是斷電時(shí)，第一工作電壓VCC1與第二工作電壓VCC2 便會(huì)逐漸衰竭或降低。當(dāng)擴(kuò)音裝置IOO喪失電源時(shí)，其內(nèi)部信號(hào)(例如音效數(shù) 據(jù)AUD、音頻信號(hào)AUS以及擴(kuò)音信號(hào)AAS)便可能產(chǎn)生不可預(yù)期的脈沖或是噪 聲。當(dāng)突發(fā)的脈沖或是噪聲過大時(shí)，擴(kuò)音喇口八140便會(huì)產(chǎn)生異音(例如"彭")。
異音防止模塊110耦接于第一工作電壓VCC1與第二工作電壓VCC2，并 根據(jù)第一工作電壓VCC1與第二工作電壓VCC2的電壓差，輸出靜音控制信號(hào) 麗T至聲音放大器130。若第一工作電壓VCC1小于預(yù)設(shè)電壓，則異音防止模 塊110致能靜音控制信號(hào)MUT，以使聲音放大器130所輸出的擴(kuò)音信號(hào)AAD 為靜音狀態(tài)。換句話說，當(dāng)靜音控制信號(hào)MUT致能時(shí)，聲音放大器130使擴(kuò) 音喇叭140維持靜音狀態(tài)，避免產(chǎn)生異音。上述的預(yù)設(shè)電壓可依據(jù)不同的擴(kuò) 音裝置100而決定，使異音防止模塊IIO在噪聲產(chǎn)生之前，致能靜音控制信 號(hào)MUT。在本實(shí)施例中，預(yù)設(shè)電壓介于第一工作電壓VCC1與第二工作電壓VCC2 之間，且第一工作電壓VCC1大于第二工作電壓VCC2。異音防止模塊110利用第一工作電壓VCC1與第二工作電壓VCC2的電壓 變化，判斷電源是否關(guān)閉或斷電。若電源關(guān)閉或斷電，則在擴(kuò)音喇叭140產(chǎn) 生異音前，致能靜音控制信號(hào)固T,避免擴(kuò)音喇叭140產(chǎn)生異音，如"彭" 的聲響。換句話說，也就是使聲音放大器130所輸出的擴(kuò)音信號(hào)AAS為靜音 狀態(tài)。上述的靜音控制信號(hào)MUT在致能狀態(tài)下可為邏輯高電位或是邏輯低電
位，在本實(shí)施例中則以邏輯低電位為例說明本實(shí)施例主要的技術(shù)手段。接下來，進(jìn)一步說明異音防止模塊110的實(shí)施方式。請(qǐng)參閱圖2，圖2 為根據(jù)本實(shí)施例的異音防止模塊的電路圖。異音防止模塊110包括電阻R1 ~ R5、晶體管Q1、 Q2以及電容C1。上述的晶體管Q1、 Q2在本實(shí)施例中皆為雙 極型結(jié)晶體管(bipolar junction transistor,簡稱BJT),且晶體管Ql為 p叩雙極型結(jié)晶體管，晶體管Q2為叩n雙極型結(jié)晶體管。異音防止模塊110的電路架構(gòu)如圖2所示，電阻R1與電阻R2串聯(lián)耦接 于第一工作電壓VCC1與接地端GND之間。晶體管Ql的控制端(基極)耦接于 電阻R1與電阻R2的共享節(jié)點(diǎn)，電容C1耦接于晶體管Ql的射極與接地端GND 之間。電阻R3耦接于第二工作電壓VCC2與晶體管Q2的集極之間，晶體管 Q2的射極則耦接接地端GND。電阻R4，耦接于晶體管Ql的集極與晶體管Q2 的基極之間，電阻R5耦接于第二工作電壓VCC2與晶體管Ql的射極之間。其 中，異音防止模塊110經(jīng)由晶體管Q2的集極與電阻R3的共享節(jié)點(diǎn)，輸出靜 音控制信號(hào)而T。在電源正常供電時(shí)，也就是第一工作電壓VCC1與第二工作電壓VCC2維 持穩(wěn)定電壓的情況下。晶體管Q1、 Q2維持關(guān)閉狀態(tài)，靜音控制信號(hào)MUT為邏 輯高電位，也就是處于失能狀態(tài)。第二工作電壓VCC2經(jīng)由電阻R5對(duì)電容C1 充電，因此，在電源正常的情況下，電容C1的兩端的電壓差約略等于第二工 作電壓VCC2，在本實(shí)施例中為5V。第一工作電壓VCC1則經(jīng)由電阻R1、 R2的 分壓，決定晶體管Ql基極的控制電壓。當(dāng)電源關(guān)閉時(shí)，第一工作電壓VCC1 會(huì)隨之下降，晶體管Ql基極的電壓也會(huì)隨之下降，但其射極的電壓則因電容 Cl放電的關(guān)系，下降的速度較慢。所以，當(dāng)?shù)谝还ぷ麟妷篤CC1小于預(yù)設(shè)電 壓(預(yù)設(shè)電壓則可由電阻R1、 R2的比例而定)時(shí)，晶體管Q1便會(huì)導(dǎo)通，進(jìn)而 導(dǎo)通晶體管Q2。當(dāng)晶體管Q2導(dǎo)通時(shí)，靜音控制信號(hào)MUT則下降，隨即處于 致能狀態(tài)。進(jìn)而避免擴(kuò)音喇叭140產(chǎn)生異音。因此，異音防止模塊可通過電阻R1、 R2比例的調(diào)整，來控制靜音控制信 號(hào)MUT的反應(yīng)時(shí)間。當(dāng)電源關(guān)閉時(shí)，若電阻R2的比例較高，靜音控制信號(hào) MUT會(huì)較慢發(fā)生致能，若電阻R2的比例較低，靜音控制信號(hào)MUT會(huì)較快發(fā)生 致能。當(dāng)然，當(dāng)電源正常供電時(shí)，電阻Rl與R2的比例必須在可維持晶體管 Ql關(guān)閉的狀態(tài)下。例如使晶體管Ql的基極與集極之間的電壓差小于導(dǎo)通電 壓(如0.7V)。另一方面，亦可調(diào)整電阻R5與電容C1的元件值，來控制電容Cl的放電速度，進(jìn)而調(diào)整靜音控制信號(hào)MUT轉(zhuǎn)換為致能狀態(tài)的時(shí)間。而上述 電阻R1、 R2、 R5與電容C1的元件值通?？梢啦煌臄U(kuò)音裝置IOO作適當(dāng)?shù)?調(diào)整，以提高異音防止的效果。由于擴(kuò)音裝置100的種類繁多，本領(lǐng)域技術(shù) 人員，經(jīng)由本發(fā)明的揭露，應(yīng)可輕易推知適當(dāng)?shù)脑?shù)值，在此不加累述。圖3為根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的異音防止模塊的電路圖。圖3與圖2主 要的不同在于晶體管M1、 M2，其余電路架構(gòu)請(qǐng)參照?qǐng)D3與圖2的說明，在此 不加累述。在圖3實(shí)施例中，晶體管M1為PM0S晶體管(P channel metal oxide semiconductor transistor,簡稱PM0S)，晶體管M2為NMOS晶體管(N channel metal oxide semiconductor transistor, 簡稱NMOS)。 異音防止模塊300 利用電阻R1、 R2的分壓與電容C1的偏壓，控制晶體管Ml的導(dǎo)通時(shí)機(jī)。當(dāng)電 源關(guān)閉時(shí)，第一工作電壓VCC1便隨之下降。當(dāng)?shù)谝还ぷ麟妷篤CC1小于預(yù)設(shè) 電壓時(shí)，異音防止模塊300導(dǎo)通晶體管Ml，進(jìn)而導(dǎo)通晶體管M2。當(dāng)晶體管 M2導(dǎo)通時(shí)，靜音控制信號(hào)MUT便隨之下降而產(chǎn)生致能。圖3實(shí)施例的其余操 作細(xì)節(jié)皆與圖2實(shí)施例相似，本領(lǐng)域技術(shù)人員，經(jīng)由本發(fā)明的揭露，應(yīng)可輕 易推知，在此不加累述。在本發(fā)明另一實(shí)施例中，上述的晶體管M1、 M2亦可采用不同種類的晶體 管取代，例如場(chǎng)效應(yīng)晶體管(field effect transistor, FET)中的結(jié)型場(chǎng)效 應(yīng)晶體管(Junction field-effect transistor , JFET)。且其電路架構(gòu)并不 以上述圖2的架構(gòu)為限，只需可依據(jù)第一工作電壓VCC1與第二工作電壓VCC2 的電壓差，判斷供電狀態(tài)，并輸出相對(duì)應(yīng)的靜音控制信號(hào)MUT即可。以下， 以另 一種電路架構(gòu)說明本發(fā)明的技術(shù)手段。圖4為根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的異音防止模塊。異音防止模塊400包括 電阻R6 R8、電容C1以及比較器410。電阻R6、 R7串聯(lián)耦接于第一工作電 壓VCC1與接地端GND之間，并輸出第一分壓FV至比較器410的正輸入端。 電阻R8與電容C2耦接于第二工作電壓VCC2與接地端GND之間，并輸出第二 分壓SV至比較器410的負(fù)輸入端。比較器410根據(jù)第一分壓FV與第二分壓 SV,輸出靜音控制信號(hào)MUT至聲音放大器130。避免在電源關(guān)閉時(shí)，擴(kuò)音喇 叭140產(chǎn)生異音。第一分壓FV由電阻R6、 R7的比例所決定，第二分壓SV則為電容C1所 儲(chǔ)存的偏壓。在正常供電下，第一偏壓FV大于第二偏壓SV。當(dāng)電源關(guān)閉時(shí)， 第一分壓FV隨第一工作電壓VCC1下降而下降，當(dāng)?shù)谝环謮篎V小于第二分壓
SV時(shí)，比較器410便輸出邏輯低電位的靜音控制信號(hào)MUT。也就是致能靜音 控制信號(hào)，避免擴(kuò)音喇叭140產(chǎn)生異音。在上述實(shí)施例中，當(dāng)靜音控制信號(hào)MUT致能時(shí)，其為邏輯低電位。然， 本發(fā)明并不以此為限，在本發(fā)明另一實(shí)施例中，僅需在上述圖2~4的電路中 作適當(dāng)?shù)恼{(diào)整，例如在輸出端增加反相器。便可讓靜音控制信號(hào)MUT在致能 時(shí)為邏輯高電位。使上述實(shí)施例可適用于不同類型的擴(kuò)音裝置。本領(lǐng)域技術(shù) 人員，經(jīng)由本發(fā)明的揭露，應(yīng)可輕易推知，在此不加累述。圖5為根據(jù)上述圖2、 3實(shí)施例的信號(hào)波形圖。如圖5所示，在正常供電 下，第一工作電壓VCC1大于第二工作電壓VCC2,而靜音控制信號(hào)MUT則約 略等于第二工作電壓VCC2，這是由于電阻R3所致。當(dāng)電源關(guān)閉或是斷電時(shí)， 第一工作電壓VCC1下降至小于預(yù)設(shè)電壓PV時(shí)。異音防止模塊便致能靜音控 制信號(hào)固T(本實(shí)施例以邏輯低電位表示)，如期間T1所示。在期間T1之中， 第二工作電壓VCC2隨著電容C1放電而下降。在當(dāng)期間T1之后，第二工作電 壓VCC下降，并導(dǎo)致晶體管Q2或是晶體管M2關(guān)閉時(shí)。靜音控制信號(hào)畫T便 可能根據(jù)第一工作電壓VCC1而上升。但仍維持在邏輯低電位的狀態(tài)下，并使 擴(kuò)音喇叭140維持在靜音的狀態(tài)下。從另一個(gè)觀點(diǎn)來看，本發(fā)明另提出一種異音防止方法，請(qǐng)參閱圖6。以 下說明請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D1,圖6為根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的異音防止方法的流 程圖。本實(shí)施例的異音防止方法用以防止擴(kuò)音裝置IOO在電源關(guān)閉時(shí)產(chǎn)生異 音，擴(kuò)音裝置100包括聲音處理器12G與聲音放大器130,上述聲音處理器 耦接于第一工作電壓VCC1,聲音放大器130耦接于第二工作電壓VCC2。異音 防止模塊IIO根據(jù)第一工作電壓VCC1、第二工作電壓VCC2，輸出相對(duì)應(yīng)的靜 音控制信號(hào)MUT至聲音放大器130。本實(shí)施例的異音防止方法包括下列步驟首先，在步驟S610中，檢測(cè)第 一工作電壓VCC1與第二工作電壓VCC2。然后，在步驟S620中，根據(jù)第一工 作電壓VCC1與第二工作電壓VCC2,異音防止模塊IIO輸出靜音控制信號(hào)MUT 至聲音放大器130。在步驟S630中，若第一工作電壓VCC1小于預(yù)設(shè)電壓， 則進(jìn)入步驟S640,致能靜音控制信號(hào)固T。若第一工作電壓VCC1大于預(yù)設(shè)電 壓，則維持靜音控制信號(hào)MUT的電壓電平。其中，當(dāng)靜音控制信號(hào)畫T致能時(shí)，聲音放大器130所輸出的擴(kuò)音信號(hào) AAS為靜音狀態(tài)，避免擴(kuò)音裝置100中的擴(kuò)音喇。八140產(chǎn)生異音。上述異音 防止方法的其余操作細(xì)節(jié)，皆以詳述于上述圖1 5實(shí)施例的說明中，本領(lǐng)域 技術(shù)人員，經(jīng)由本發(fā)明的揭露，應(yīng)可輕易推知，在此不加累述。本發(fā)明利用擴(kuò)音裝置中不同工作電壓的變化，判斷電源的供電狀態(tài)，并 在電源關(guān)閉或是斷電時(shí)，使聲音放大器的輸出調(diào)整為靜音狀態(tài)，避免擴(kuò)音喇 。八產(chǎn)生不必要的異音。不僅降低擴(kuò)音喇叭損壞的機(jī)率，還提升了擴(kuò)音裝置的使用品質(zhì)。雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何 本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動(dòng)與潤 飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視所附的權(quán)利要求范圍所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種異音防止模塊，用以防止擴(kuò)音裝置在電源關(guān)閉時(shí)產(chǎn)生異音，該擴(kuò)音裝置包括聲音處理器與聲音放大器，該聲音處理器耦接于第一工作電壓，該聲音放大器耦接于第二工作電壓，該異音防止模塊包括第一電阻，與第二電阻串聯(lián)耦接于該第一工作電壓與接地端之間；第一晶體管，該第一晶體管的控制端耦接于該第一電阻與該第二電阻的共享節(jié)點(diǎn)；電容，耦接于該第一晶體管的第二端與該接地端之間；第二晶體管，該第二晶體管的第一端耦接于第三電阻，該第三電阻的另一端耦接于該第二工作電壓，該第二晶體管的第二端耦接于該接地端；第四電阻，耦接于該第一晶體管的第一端與該第二晶體管的控制端之間；以及第五電阻，耦接于該第二工作電壓與該第一晶體管的第二端之間；其中，該異音防止模塊經(jīng)由該第二晶體管的第一端與該第三電阻的共享節(jié)點(diǎn)，輸出該靜音控制信號(hào)至該聲音放大器，若該靜音控制信號(hào)致能，則該聲音放大器的輸出為靜音狀態(tài)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的擴(kuò)音裝置，其中該第一晶體管包括P叩雙極型 結(jié)晶體管，該第一晶體管的控制端為基極，該第一晶體管的第一端為集極， 該第一晶體管的第二端為射極。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的擴(kuò)音裝置，其中該第二晶體管包括叩n雙極型 結(jié)晶體管，該第二晶體管的控制端為基極，該第二晶體管的第一端為集極， 該第二晶體管的第二端為射極。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的擴(kuò)音裝置，其中該第一晶體管包括PMOS晶體 管，該第一晶體管的控制端為柵極，該第一晶體管的第一端為漏極，該第一 晶體管的第二端為源極。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的擴(kuò)音裝置，其中該第二晶體管包括NMOS晶體 管，該第二晶體管的控制端為柵極，該第二晶體管的第一端為漏極，該第二 晶體管的第二端為源極。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的擴(kuò)音裝置，其中還包括擴(kuò)音喇叭，耦接至該聲 音放大器，用以轉(zhuǎn)換并輸出并根據(jù)該聲音放大器所輸出的信號(hào)。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的擴(kuò)音裝置，其中該第一工作電壓大于該第二工 作電壓。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的擴(kuò)音裝置，其中若該靜音控制信號(hào)致能，則該聲音放大器的輸出為靜音狀態(tài)。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的擴(kuò)音裝置，其中若該靜音控制信號(hào)為邏輯低電位，則該靜音控制信號(hào)致能。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的擴(kuò)音裝置，其中若該靜音控制信號(hào)為邏輯高 電位，則該靜音控制信號(hào)致能。
11. 一種異音防止方法，用以防止擴(kuò)音裝置在電源關(guān)閉時(shí)產(chǎn)生異音，該 擴(kuò)音裝置包括聲音處理器與聲音放大器，該聲音處理器耦接于第一工作電壓， 該聲音放大器耦接于第二工作電壓，該異音防止方法包括下列步驟檢測(cè)該第一工作電壓與該第二工作電壓；根據(jù)該第一工作電壓與該第二工作電壓，輸出靜音控制信號(hào)至該聲音放 大器；以及若該第一工作電壓小于預(yù)設(shè)電壓，則致能該靜音控制信號(hào)，以使該聲音 放大器的輸出為靜音狀態(tài)。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的異音防止方法，其中該擴(kuò)音裝置還包括擴(kuò)音 喇叭，耦接至該聲音放大器，用以輸出該聲音放大器所輸出的擴(kuò)音信號(hào)。
13. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的異音防止方法，其中該第一工作電壓大于該 第二電壓，且該預(yù)設(shè)電壓小于該第一電壓，并大于該第二電壓。
14. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的異音防止方法，其中若該第一工作電壓大于 預(yù)設(shè)電壓，則維持該靜音控制信號(hào)的電壓電平。
15. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的異音防止方法，其中若該靜音控制信號(hào)致能， 則該聲音放大器的輸出為靜音狀態(tài)。
16. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的異音防止方法，其中若該靜音控制信號(hào)致能， 則該靜音控制信號(hào)為邏輯低電位。
17. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的異音防止方法，其中若該靜音控制信號(hào)致能， 則該靜音控制信號(hào)為邏輯高電位。
18. —種擴(kuò)音裝置，包括聲音處理器，耦接于第一工作電壓，并根據(jù)音效數(shù)據(jù)，輸出音頻信號(hào)； 聲音放大器，耦接于第二工作電壓，且該聲音放大器的輸入端耦接于該聲音處理器，用以增益該音頻信號(hào)，并輸出擴(kuò)音信號(hào)；以及異音防止模塊，耦接該聲音放大器，并根據(jù)該第一工作電壓與該第二工作電壓，輸出靜音控制信號(hào)至該聲音放大器；其中，若該第一工作電壓小于預(yù)設(shè)電壓，則該異音防止模塊致能該靜音 控制信號(hào)，以使該聲音放大器的該擴(kuò)音信號(hào)為靜音狀態(tài)。
19. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的擴(kuò)音裝置，其中還包括擴(kuò)音喇p八，耦接至該 聲音放大器，用以轉(zhuǎn)換并輸出該擴(kuò)音信號(hào)。
20. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的擴(kuò)音裝置，其中該第一工作電壓大于該第二 工作電壓。
21. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的異音防止方法，其中該預(yù)設(shè)電壓小于該第一 電壓，且該預(yù)設(shè)電壓大于該第二電壓。
22. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的擴(kuò)音裝置，其中該異音防止模塊包括 第一電阻，與第二電阻串聯(lián)耦接于該第一工作電壓與接地端之間； 第一晶體管，該第一晶體管的控制端耦接于該第一電阻與該第二電阻的共享節(jié)點(diǎn)；電容，耦接于該第一晶體管的第二端與該接地端之間； 第二晶體管，該第二晶體管的第一端耦接于第三電阻，該第三電阻的另 一端耦接于該第二工作電壓，該第二晶體管的第二端耦接于該接地端；第四電阻，耦接于該第一晶體管的第一端與該第二晶體管的控制端之間；以及第五電阻，耦接于該第二工作電壓與該第一晶體管的第二端之間； 其中，該異音防止模塊經(jīng)由該第二晶體管的第一端與該第三電阻的共享 節(jié)點(diǎn)，輸出該靜音控制信號(hào)。
23. 根據(jù)權(quán)利要求22所述的擴(kuò)音裝置，其中該第一晶體管包括pnp雙極型結(jié)晶體管，該第一晶體管的控制端為基極，該第一晶體管的第一端為集極， 該第一晶體管的第二端為射極。
24. 根據(jù)權(quán)利要求22所述的擴(kuò)音裝置，其中該第二晶體管包括叩n雙極 型結(jié)晶體管，該第二晶體管的控制端為基極，該第二晶體管的第一端為集極， 該第二晶體管的第二端為射極。
25. 根據(jù)權(quán)利要求22所述的擴(kuò)音裝置，其中該第一晶體管包括PMOS晶 體管，該第一晶體管的控制端為柵極，該第一晶體管的第一端為漏極，該第 一晶體管的第二端為源極。
26. 根據(jù)權(quán)利要求22所述的擴(kuò)音裝置，其中該第二晶體管包括麗OS晶 體管，該第二晶體管的控制端為柵極，該第二晶體管的第一端為漏極，該第 二晶體管的第二端為源極。
27. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的擴(kuò)音裝置，其中該異音防止模塊包括 第一電阻，與第二電阻串聯(lián)耦接于該第一工作電壓與接地端之間，且該第一電阻與該第二電阻的共享節(jié)點(diǎn)輸出第一分壓；第三電阻，與電容串聯(lián)耦接于該第二工作電壓與該接地端之間，且該第 三電阻與該電容的共享節(jié)點(diǎn)輸出第二分壓；以及比較器，根據(jù)該第一分壓與該第二分壓，輸出該靜音控制信號(hào)。
28. 根據(jù)權(quán)利要求27所述的擴(kuò)音裝置，其中該比較器的正輸入端耦接至 該第一電阻與該第二電阻的共享節(jié)點(diǎn)，該比較器的負(fù)輸入端耦接至該第三電 阻與該電容的共享節(jié)點(diǎn)。
29. 根據(jù)權(quán)利要求27所述的擴(kuò)音裝置，其中該比較器的負(fù)輸入端耦接至 該第一電阻與該第二電阻的共享節(jié)點(diǎn)，該比較器的正輸入端耦接至該第三電 阻與該電容的共享節(jié)點(diǎn)。
30. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的擴(kuò)音裝置，其中若該靜音控制信號(hào)致能，則 該聲音放大器將該擴(kuò)音信號(hào)調(diào)整為靜音。
31. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的擴(kuò)音裝置，其中若該靜音控制信號(hào)致能，則 該靜音控制信號(hào)為邏輯低電位。
32. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的擴(kuò)音裝置，其中若該靜音控制信號(hào)致能，則 該靜音控制信號(hào)為邏輯高電位。
全文摘要
一種異音防止模塊與其擴(kuò)音裝置，用以防止擴(kuò)音裝置在電源關(guān)閉時(shí)產(chǎn)生異音。上述擴(kuò)音裝置包括聲音放大器、聲音處理器、異音防止模塊以及擴(kuò)音喇叭。聲音處理器耦接至第一工作電壓，聲音放大器耦接至第二工作電壓。當(dāng)電源關(guān)閉時(shí)，異音防止模塊根據(jù)第一工作電壓與第二工作電壓之間的電壓差，輸出靜音控制信號(hào)至聲音放大器。而聲音放大器則根據(jù)靜音控制信號(hào)，避免擴(kuò)音喇叭產(chǎn)生異音。
文檔編號(hào)H04R3/00GK101111094SQ20061010345
公開日2008年1月23日 申請(qǐng)日期2006年7月21日 優(yōu)先權(quán)日2006年7月21日
發(fā)明者曾世華 申請(qǐng)人:大同股份有限公司