Led驅(qū)動器和led燈的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型實(shí)施例涉及電路領(lǐng)域，尤其涉及一種發(fā)光二極管(Light EmittingD1de，LED)驅(qū)動器和LED燈。
【背景技術(shù)】
[0002]傳統(tǒng)的用于交流-直流轉(zhuǎn)換(AlternatingCurrent-direct Current，AC-DC)(90-264Vac)的LED驅(qū)動器使用的功率單元為硅高壓金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, M0SFET),由于這種娃高壓M0SFET管的器件寄生參數(shù)大，導(dǎo)通電阻大，干擾大及開關(guān)速度較慢等問題，導(dǎo)致LED驅(qū)動器的工作效率較低。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]本實(shí)用新型實(shí)施例提供的LED驅(qū)動器和LED燈，用于解決由于這種硅高壓M0SFET管的器件寄生參數(shù)大，導(dǎo)通電阻大，干擾大及開關(guān)速度較慢等問題，導(dǎo)致LED驅(qū)動器的工作效率較低的問題。
[0004]本實(shí)用新型第一方面提供一種LED驅(qū)動器，包括:控制單元和功率單元；所述控制單元與所述功率單元采用電氣連接；所述功率單元采用氮化鎵場效應(yīng)管晶片；所述控制單元用于產(chǎn)生最小工作頻率大于250K赫茲的控制信號；所述功率單元用于在所述控制單元的控制下將輸入的交流電壓轉(zhuǎn)換成LED所需的直流電壓。
[0005]在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，所述LED驅(qū)動器還包括:封裝基板或者載片臺；所述控制單元和所述氮化鎵場效應(yīng)管晶片固定在所述封裝基板或者所述載片臺上；所述控制單元和所述氮化鎵場效應(yīng)管晶片需要外接的電氣點(diǎn)分別與所述封裝基板或者所述載片臺的引腳連接，并由塑封材料將所述控制單元和所述氮化鎵場效應(yīng)管晶片在所述封裝基板或者所述載片臺進(jìn)行封裝。
[0006]在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，所述電氣點(diǎn)包括所述氮化鎵場效應(yīng)管晶片的柵極、源極和漏極；所述氮化鎵場效應(yīng)管晶片的柵極與所述控制單元輸出控制信號的端口連接；所述氮化鎵場效應(yīng)管晶片的源極與接地；所述氮化鎵場效應(yīng)管晶片的漏極與待驅(qū)動的所述LED的正極連接。
[0007]在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，所述LED驅(qū)動器應(yīng)用于降壓斬波電路、升壓斬波電路、降壓-升壓雙向斬波電路、反激式直流轉(zhuǎn)換電路、允許輸出電壓大于、小于或者等于輸入電壓的直流轉(zhuǎn)換SEPIC電路、正激式直流轉(zhuǎn)換電路或者半橋電路。
[0008]本實(shí)用新型第二方面提供一種LED燈，包括:供電電路、驅(qū)動電路和至少一個發(fā)光二極管LED ;所述供電電路與所述驅(qū)動電路的輸入端連接；所述驅(qū)動電路的輸出端與所述至少一個LED連接；其中，所述驅(qū)動電路包括第一方面任一項(xiàng)所述的LED驅(qū)動器。
[0009]本實(shí)用新型提供的LED驅(qū)動器和LED燈，包括采用氮化鎵場效應(yīng)管晶片的功率單元和控制單元，功率單元在控制單元的控制下將輸入的交流電壓轉(zhuǎn)換成LED需要的直流電壓，通過采用氮化鎵MOSFET作為功率單元，在高頻工作狀態(tài)下，干擾、損耗較小及開關(guān)速度較快，有效提高該LED驅(qū)動器的工作效率。
【附圖說明】
[0010]為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作一簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0011]圖1為本實(shí)用新型LED驅(qū)動器實(shí)施例一的原理示意圖；
[0012]圖2為本實(shí)用新型LED驅(qū)動器應(yīng)用于降壓斬波電路的原理示意圖；
[0013]圖3為本實(shí)用新型LED驅(qū)動器應(yīng)用于降壓-升壓雙向斬波電路的原理示意圖；
[0014]圖4為本實(shí)用新型LED驅(qū)動器應(yīng)用于升壓斬波電路的原理示意圖；
[0015]圖5為本實(shí)用新型LED驅(qū)動器應(yīng)用于反激式直流轉(zhuǎn)換電路的原理示意圖；
[0016]圖6為本實(shí)用新型LED驅(qū)動器應(yīng)用于另一種反激式直流轉(zhuǎn)換電路的原理示意圖；
[0017]圖7為本實(shí)用新型LED燈的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0018]為使本實(shí)用新型實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0019]圖1為本實(shí)用新型LED驅(qū)動器實(shí)施例一的原理不意圖；如圖1所不，本實(shí)用新型提供的LED驅(qū)動器包括:控制單元11和功率單元12 ;所述控制單元11與所述功率單元12采用電氣連接；所述功率單元12采用氮化鎵場效應(yīng)管晶片；所述控制單元11用于產(chǎn)生最小工作頻率大于250K赫茲的控制信號；所述功率單元12用于在所述控制單元11的控制下將輸入的交流電壓轉(zhuǎn)換成LED所需的直流電壓。
[0020]在本實(shí)施例中，該所述LED驅(qū)動器除了控制單元11和功率單元12還包括:封裝基板13或者載片臺，該封裝基板13的作用可載片臺的作用類似，根據(jù)實(shí)際需求選擇一種即可；所述控制單元11和所述氮化鎵場效應(yīng)管晶片固定在所述封裝基板13或者所述載片臺上；所述控制單元11和所述氮化鎵場效應(yīng)管晶片需要外接的電氣點(diǎn)14分別與所述封裝基板13或者所述載片臺的引腳15連接，并由塑封材料16將所述控制單元11和所述氮化鎵場效應(yīng)管晶片在所述封裝基板13或者所述載片臺進(jìn)行封裝。
[0021]如圖1所示，示出了一種LED驅(qū)動器的集成電路(integrated circuit，1C)的結(jié)構(gòu)示意圖。該LED驅(qū)動器用于功率轉(zhuǎn)換，將交流電壓轉(zhuǎn)換為LED所需的直流電壓，該1C的所述控制單元11產(chǎn)生最小工作頻率大于250KHZ的開關(guān)控制信號，所述功率單元12為氮化鎵MOSFET晶片。所述控制單元11和氮化鎵MOSFET晶片分別固定在封裝基板13或帶引腳架芯片的載片臺上，控制單元11和氮化鎵MOSFET晶片的電氣點(diǎn)14通過金線、銅線、錫線或鋁線等導(dǎo)線連接，與封裝基板13或載片臺上的引腳也通過導(dǎo)線連接，并由塑封材料封裝成不同尺寸的集成電路，其中塑封材料16 —般采用樹脂。其中，電氣點(diǎn)包括控制單元11的連接點(diǎn)和氮化鎵MOSFET晶片的三個電極，分別為GATE端、SOURCE端、和DRAIN端，即柵極、源極和漏極，所述氮化鎵場效應(yīng)管晶片的柵極與所述控制單元輸出控制信號的端口連接；所述氮化鎵場效應(yīng)管晶片的源極與接地；所述氮化鎵場效應(yīng)管晶片的漏極與待驅(qū)動的所述LED的正極連接。GATE端提供驅(qū)動信號，同時控制單元檢測外部的反饋信號，來控制驅(qū)動信號的頻率和占空比，SOURCE端和DRAIN端與封裝基板或載片臺上的引腳通過導(dǎo)線連接，用于功率轉(zhuǎn)換。
[0022]本實(shí)施例提供的LED驅(qū)動器，包括采用氮化鎵場效應(yīng)管晶片的功率單元和控制單元，功率單元在控制單元的控制下將輸入的交流電壓轉(zhuǎn)換成LED需要的直流電壓，