可控硅電流保護(hù)電路、調(diào)光電路及照明設(shè)備的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型實(shí)施例涉及電路領(lǐng)域，尤其涉及一種可控硅電流保護(hù)電路、調(diào)光電路及照明設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]可控硅是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件，亦稱為晶閘管。具有體積小、結(jié)構(gòu)相對簡單、功能強(qiáng)等特點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備和電子產(chǎn)品中，多用來作可控整流、逆變、變頻、調(diào)壓、無觸點(diǎn)開關(guān)等。
[0003]家用電器中的調(diào)光燈、調(diào)速風(fēng)扇、攝像機(jī)等及很多工業(yè)控制設(shè)備都大量使用了可控硅器件進(jìn)行整流和調(diào)壓等。以家用電器中的調(diào)光燈為例，由于LED具有發(fā)光效率高、使用壽命長、穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)，調(diào)光燈一般使用的是LED照明燈或者LED背光源進(jìn)行照明。用戶在使用LED照明燈或LED背光源時(shí)，經(jīng)常直接將LED照明電路接入現(xiàn)有的可控硅調(diào)光器，可控硅調(diào)光器中的可控硅器件對市電進(jìn)行斬波之后，輸入LED照明燈或者LED背光源的電壓變小，輸入電流有效值變大，導(dǎo)致LED照明燈或者LED背光源等負(fù)載被破壞。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]本實(shí)用新型實(shí)施例提供的可控硅電流保護(hù)電路、調(diào)光電路及照明設(shè)備，用于解決用戶直接將LED照明電路接入可控硅調(diào)光器，斬波之后的交流市電直接輸入LED照明電路，輸入電流有效值變大，造成LED照明燈或者LED背光源等負(fù)載被破壞的問題。
[0005]本實(shí)用新型第一方面提供一種可控硅電流保護(hù)電路，包括:可控硅檢測電路和保護(hù)電路；所述可控硅檢測電路的第一端與可控硅調(diào)節(jié)器輸出線路上設(shè)置的電流采樣點(diǎn)連接，所述可控硅檢測電路的第二端與功率轉(zhuǎn)換電路連接，所述可控硅檢測電路的第三端與保護(hù)電路的第一端連接；所述保護(hù)電路的第二端與功率轉(zhuǎn)換電路連接；
[0006]所述可控硅檢測電路用于在可控硅接入時(shí)，檢測電流采樣點(diǎn)的電流并將所述電流轉(zhuǎn)換成電壓輸出到所述保護(hù)電路；所述保護(hù)電路用于根據(jù)所述電流采樣點(diǎn)的電壓控制所述功率轉(zhuǎn)換電路的啟動或關(guān)閉。
[0007]在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，所述可控硅電流保護(hù)電路還包括:整流電路，所述整流電路連接在所述電流采樣點(diǎn)與所述可控硅調(diào)節(jié)器之間，用于將可控過調(diào)節(jié)器輸出的電流進(jìn)行整流再輸出到所述電流采樣點(diǎn)。
[0008]在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，所述可控硅檢測電路包括:電流電壓轉(zhuǎn)換電路和電壓峰值處理電路；所述電流電壓轉(zhuǎn)換電路的第一端與所述電流采樣點(diǎn)連接，所述電流電壓轉(zhuǎn)換電路的第二端與所述功率轉(zhuǎn)換電路連接，所述電流電壓轉(zhuǎn)換電路的第三端與所述電壓峰值處理電路的第一端連接；所述電壓峰值處理電路的第二端與所述保護(hù)電路的第一端連接;
[0009]所述電流電壓轉(zhuǎn)換電路用于在可控硅接入時(shí)，檢測所述電流采樣點(diǎn)通過的電流，并將所述電流轉(zhuǎn)換為電壓輸出到所述電壓峰值處理電路，所述電壓峰值處理電路將所述電壓進(jìn)行峰值處理后輸出到所述保護(hù)電路。
[0010]在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，所述保護(hù)電路包括電壓采樣電路和遲滯比較器，所述電壓采樣電路的第一端與所述電壓峰值處理電路的第二端連接，所述電壓采樣電路的第二端與所述遲滯比較器的第一輸入端連接；所述遲滯比較器的第二輸入端用于輸入?yún)⒖茧妷海凰鲞t滯比較器的輸出端與所述功率轉(zhuǎn)換電路連接；所述電壓采樣電路用于根據(jù)所述電壓峰值處理電路輸出的電壓進(jìn)行采樣計(jì)算獲取輸出電壓，所述遲滯比較器用于將所述輸出電壓與參考電壓進(jìn)行比較；
[0011]若所述遲滯比較器比較出所述輸出電壓大于參考電壓，則輸出低電平關(guān)閉所述功率轉(zhuǎn)換電路；若所述遲滯比較器比較出所述輸出電壓小于參考電壓，則輸出高電平啟動所述功率轉(zhuǎn)換電路。
[0012]在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，所述電流電壓轉(zhuǎn)換電路包括第一電阻和溫度采集模塊；所述第一電阻的一端與所述電流采樣點(diǎn)連接，所述第一電阻的另一端與所述功率轉(zhuǎn)換電路連接，所述溫度采集模塊設(shè)置在所述第一電阻上，所述溫度采集模塊與所述電壓峰值處理電路的第一端連接，所述溫度采集模塊用于在可控硅接入時(shí)，采集所述第一電阻的溫度，并根據(jù)所述第一電阻的溫度計(jì)算出所述第一電阻上的電壓，并將所述電壓輸出到所述電壓峰值處理電路。
[0013]在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，所述可控硅檢測電路包括電流傳感器和檢測電路，所述電流傳感器的第一端與所述電流采樣點(diǎn)連接，所述電流傳感器的第二端與所述功率轉(zhuǎn)換電路連接，所述電流傳感器第三端與所述檢測電路的第一端連接，所述檢測電路的第二端與所述保護(hù)電路的第一端連接，所述電流傳感器用于在可控硅接入時(shí)，檢測所述電流采樣點(diǎn)通過的電流，所述檢測電路用于將所述電流轉(zhuǎn)換成電壓并輸出到所述保護(hù)電路。
[0014]在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，所述保護(hù)電路包括電壓采樣電路和遲滯比較器，所述電壓采樣電路的第一端與所述檢測電路的第二端連接，所述電壓采樣電路的第二端與所述遲滯比較器的第一輸入端連接；所述遲滯比較器的第二輸入端用于輸入?yún)⒖茧妷?；所述遲滯比較器的輸出端與所述功率轉(zhuǎn)換電路連接；所述電壓采樣電路用于根據(jù)所述檢測電路輸出的電壓進(jìn)行采樣計(jì)算獲取輸出電壓，所述遲滯比較器用于將所述輸出電壓與參考電壓進(jìn)行比較；
[0015]若所述遲滯比較器比較出所述輸出電壓大于參考電壓，則輸出低電平關(guān)閉所述功率轉(zhuǎn)換電路；若所述遲滯比較器比較出所述輸出電壓小于參考電壓，則輸出高電平啟動所述功率轉(zhuǎn)換電路。
[0016]本實(shí)用新型第二方面提供一種調(diào)光電路，包括:供電電路、可控硅調(diào)光器、功率轉(zhuǎn)換電路和第一方面所述的任一種可控硅電流保護(hù)電路；所述供電電路與所述可控硅調(diào)節(jié)器的一端連接，所述可控硅調(diào)光器的另一端與所述可控硅電流保護(hù)電路的第一端連接；所述可控硅電流保護(hù)電路的第二端與所述功率轉(zhuǎn)換電路的第一輸入端連接；所述可控硅電流保護(hù)電路的第三端與所述功率轉(zhuǎn)換電路的第二輸入端連接，所述可控硅調(diào)光器包括可控硅。
[0017]本實(shí)用新型第三方面提供一種照明設(shè)備，包括:第三方面所述的調(diào)光電路以及與所述調(diào)光電路連接的照明器件。
[0018]本實(shí)用新型提供的可控硅電流保護(hù)電路、調(diào)光電路及照明設(shè)備，該可控硅電流保護(hù)電路包括可控硅檢測電路和保護(hù)電路，所述可控硅檢測電路串聯(lián)在可控硅調(diào)節(jié)器和功率轉(zhuǎn)換電路之間，在可控硅接入時(shí)，檢測通過可控硅調(diào)節(jié)器輸出線路上設(shè)置的電流采樣點(diǎn)的電流，并將該電流轉(zhuǎn)換成電壓輸出至保護(hù)電路，該保護(hù)電路與功率轉(zhuǎn)換電路連接，所述保護(hù)電路用于根據(jù)所述電流采樣點(diǎn)的電壓控制所述功率轉(zhuǎn)換電路的啟動或關(guān)閉，通過檢測在可控硅調(diào)節(jié)器與功率轉(zhuǎn)換電路線路通過的電流，邏輯控制功率轉(zhuǎn)換器的開關(guān)，保護(hù)負(fù)載和可控硅不會被突變的電壓破壞。
【附圖說明】
[0019]為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作一簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0020]圖1為本實(shí)用新型可控硅電流保護(hù)電路實(shí)施例一的原理示意圖；
[0021]圖2為本實(shí)用新型可控硅電流保護(hù)電路實(shí)施例二的原理示意圖；
[0022]圖3為本實(shí)用新型可控硅電流保護(hù)電路實(shí)施例三的原理示意圖；
[0023]圖4a為本實(shí)用新型可控硅電流保護(hù)電路實(shí)施例四的原理示意圖；
[0024]圖4b為本實(shí)用新型可控硅電流保護(hù)電路實(shí)施例四的溫度采集模塊El的一實(shí)例原理示意圖；
[0025]圖5a是接入可控硅之后電流采樣點(diǎn)A2點(diǎn)的電流波形圖；
[0026]圖5b是接入可控硅之后電流采樣點(diǎn)A2點(diǎn)的電壓波形圖；
[0027]圖5c是圖4a和圖4b所示Vctr3處的電壓波形圖；
[0028]圖6為本實(shí)用新型可控硅電流保護(hù)電路實(shí)施例五的原理示意圖；
[0029]圖7a是可控硅接入之后電流采樣點(diǎn)Al的電流波形圖；
[0030]圖7b是接入可控硅之后圖6中BI點(diǎn)的電壓波形圖；
[0031]圖7c是圖6所示Vctrl處的電壓波形圖；
[0032]圖8為本實(shí)用新型可控硅電流保護(hù)電路實(shí)施例六的原理示意圖；