亚洲狠狠干,亚洲国产福利精品一区二区,国产八区,激情文学亚洲色图

一種基于自舉電路的柵極驅(qū)動器的制造方法

文檔序號:8626818閱讀:355來源:國知局
一種基于自舉電路的柵極驅(qū)動器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及一種LED驅(qū)動電路,具體是指一種基于自舉電路的柵極驅(qū)動器。
【背景技術(shù)】
[0002]目前,由于LED燈具有能耗低、使用壽命長以及安全環(huán)保等特點,其已經(jīng)成為了人們生活照明的主流產(chǎn)品之一。由于LED燈不同于傳統(tǒng)的白熾燈,因此其需要由專用的驅(qū)動電路來進(jìn)行驅(qū)動。然而,當(dāng)前人們廣泛使用的柵極驅(qū)動電路由于其設(shè)計結(jié)構(gòu)的不合理性,導(dǎo)致了目前柵極驅(qū)動電路存在能耗較高、電流噪音較大以及啟動時間較長等缺陷。
【實用新型內(nèi)容】
[0003]本實用新型的目的在于克服目前柵極驅(qū)動電路存在的能耗較高、電流噪音較大以及啟動時間較長的缺陷,提供一種結(jié)構(gòu)設(shè)計合理,能有效降低能耗和電流噪音,明顯縮短啟動時間的一種基于自舉電路的柵極驅(qū)動器。
[0004]本實用新型的目的通過下述技術(shù)方案實現(xiàn):一種基于自舉電路的柵極驅(qū)動器,主要由驅(qū)動芯片M,以及與驅(qū)動芯片M相連接的驅(qū)動電路組成。同時,還設(shè)有自舉電路,且該自舉電路由場效應(yīng)管MOS,一端與場效應(yīng)管MOS的源極相連接、另一端接地的電阻R5,正極與場效應(yīng)管MOS的源極相連接、負(fù)極與驅(qū)動芯片M的INP管腳相連接的極性電容C6,負(fù)極與場效應(yīng)管MOS的柵極相連接、正極經(jīng)電阻Rl后與場效應(yīng)管MOS的漏極相連接的極性電容Cl,與極性電容Cl相并聯(lián)的電阻R2,正極與極性電容Cl的正極相連接、負(fù)極與場效應(yīng)管MOS的源極相連接的極性電容C5,以及一端與極性電容C5的正極相連接、另一端接地的電阻R4組成;所述場效應(yīng)管MOS的漏極還與驅(qū)動芯片M的VCC管腳相連接。
[0005]所述驅(qū)動電路由變壓器T,串接于驅(qū)動芯片M的VCC管腳與BOOST管腳之間的二極管Dl,串接于驅(qū)動芯片M的BOOST管腳與TG管腳之間的電容C2,串接于驅(qū)動芯片M的TG管腳與TS管腳之間的電阻R3,以及基極與驅(qū)動芯片M的TG管腳相連接、集電極順次經(jīng)電容C3和電容C4后接地、而發(fā)射極接地的晶體管Ql組成;所述變壓器T的原邊線圈的同名端與電容C3和電容C4的連接點相連接,其非同名端則與晶體管Ql的發(fā)射極相連接后接地;同時,晶體管Ql的發(fā)射極還與驅(qū)動芯片M的TS管腳相連接,所述變壓器T的副邊線圈上設(shè)有抽頭Yl和抽頭Y2。
[0006]為確保使用效果,所述驅(qū)動芯片M優(yōu)先采用LTC4440A集成芯片來實現(xiàn)。
[0007]本實用新型較現(xiàn)有技術(shù)相比,具有以下優(yōu)點及有益效果:
[0008](I)本實用新型整體結(jié)構(gòu)非常簡單,其制作和使用非常方便。
[0009](2)本實用新型的啟動時間僅為傳統(tǒng)柵極驅(qū)動電路啟動時間的1/4,其啟動時間極短。
[0010](3)本實用新型采用自舉電路來為驅(qū)動芯片提供控制信號,因此具有很高的輸入阻抗,能確保整個電路的性能穩(wěn)定。
【附圖說明】
[0011]圖1為本實用新型的整體結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0012]下面結(jié)合實施例對本實用新型作進(jìn)一步地詳細(xì)說明,但本實用新型的實施方式不限于此。
[0013]實施例
[0014]如圖1所示,本實用新型所述的基于自舉電路的柵極驅(qū)動器,主要由驅(qū)動芯片M,與驅(qū)動芯片M相連接的驅(qū)動電路,以及與驅(qū)動芯片M相連接的自舉電路組成。
[0015]所述自舉電路由場效應(yīng)管MOS、極性電容Cl、極性電容C5、極性電容C6、電阻Rl、電阻R2、電阻R4和電阻R5組成。連接時,電阻R5的一端與場效應(yīng)管MOS的源極相連接,其另一端接地;極性電容C6的正極與場效應(yīng)管MOS的源極相連接,其負(fù)極與驅(qū)動芯片M的INP管腳相連接;極性電容Cl的負(fù)極與場效應(yīng)管MOS的柵極相連接,其正極經(jīng)電阻Rl后與場效應(yīng)管MOS的漏極相連接,而電阻R2則與極性電容Cl相并聯(lián)。
[0016]所述極性電容C5的正極與極性電容Cl的正極相連接,其負(fù)極與場效應(yīng)管MOS的源極相連接。而電阻R4的一端與極性電容C5的正極相連接,其另一端接地。
[0017]為確保場效應(yīng)管MOS和驅(qū)動芯片M的正常工作,因此該場效應(yīng)管MOS的漏極還與驅(qū)動芯片M的VCC管腳相連接,且該驅(qū)動芯片M的VCC管腳需要外接+12V的電源。
[0018]為確保使用效果,該驅(qū)動芯片M優(yōu)先采用凌力爾特公司生產(chǎn)的高頻率N溝道MOSFET柵極驅(qū)動芯片,即LTC4440A集成芯片來實現(xiàn)。該驅(qū)動芯片M的特點是能以高達(dá)80V的輸入電壓工作,且能在高達(dá)100V瞬態(tài)時可連續(xù)工作。
[0019]所述的驅(qū)動電路則由變壓器T、二極管D1、電容C2、電阻R3、電容C3、電容C4及晶體管Ql組成。連接時,二極管Dl的P極與驅(qū)動芯片M的VCC管腳相連接,其N極則與驅(qū)動芯片M的BOOST管腳相連接。電容C2的正極與驅(qū)動芯片M的BOOST管腳相連接,其負(fù)極則與驅(qū)動芯片M的TG管腳相連接。為確保驅(qū)動芯片M的正常運行,其VCC端需要外接+12V的電壓。
[0020]電阻R3為分壓電阻,其串接于驅(qū)動芯片M的TG管腳與TS管腳之間。而晶體管Ql的基極則與驅(qū)動芯片M的TG管腳相連接,其集電極順次經(jīng)電容C3和電容C4后接地,其發(fā)射極接地。同時,該晶體管Ql的集電極還需要外接+6V的直流電壓,以確保晶體管Ql擁有足夠的偏置電壓來驅(qū)動其自身導(dǎo)通。
[0021]為確保使用效果,所述電容C2、電容C3和電容C4均采用貼片電容來實現(xiàn)。所述變壓器T用于將外部的+6V直流電壓進(jìn)行變壓處理后輸出給外部的場效應(yīng)管。
[0022]該變壓器T的原邊線圈的同名端與電容C3和電容C4的連接點相連接,其非同名端則與晶體管Ql的發(fā)射極相連接后接地。同時,晶體管Ql的發(fā)射極還與驅(qū)動芯片M的TS管腳相連接,所述變壓器T的副邊線圈上設(shè)有抽頭Yl和抽頭Y2。
[0023]變壓器T的副邊線圈的同名端、抽頭Y1、抽頭Y2和副邊線圈的非同名端一起作為本實用新型的輸出端。根據(jù)實際的情況,用戶可以只選用這四個輸出端的任意一個或幾個端口使用即可。
[0024]如上所述,便可以很好的實現(xiàn)本實用新型。
【主權(quán)項】
1.一種基于自舉電路的柵極驅(qū)動器,主要由驅(qū)動芯片M,以及與驅(qū)動芯片M相連接的驅(qū)動電路組成,其特征在于,還設(shè)有自舉電路,且該自舉電路由場效應(yīng)管MOS,一端與場效應(yīng)管MOS的源極相連接、另一端接地的電阻R5,正極與場效應(yīng)管MOS的源極相連接、負(fù)極與驅(qū)動芯片M的INP管腳相連接的極性電容C6,負(fù)極與場效應(yīng)管MOS的柵極相連接、正極經(jīng)電阻Rl后與場效應(yīng)管MOS的漏極相連接的極性電容Cl,與極性電容Cl相并聯(lián)的電阻R2,正極與極性電容Cl的正極相連接、負(fù)極與場效應(yīng)管MOS的源極相連接的極性電容C5,以及一端與極性電容C5的正極相連接、另一端接地的電阻R4組成;所述場效應(yīng)管MOS的漏極還與驅(qū)動芯片M的VCC管腳相連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于自舉電路的柵極驅(qū)動器,其特征在于,所述驅(qū)動電路由變壓器T,串接于驅(qū)動芯片M的VCC管腳與BOOST管腳之間的二極管D1,串接于驅(qū)動芯片M的BOOST管腳與TG管腳之間的電容C2,串接于驅(qū)動芯片M的TG管腳與TS管腳之間的電阻R3,以及基極與驅(qū)動芯片M的TG管腳相連接、集電極順次經(jīng)電容C3和電容C4后接地、而發(fā)射極接地的晶體管Ql組成;所述變壓器T的原邊線圈的同名端與電容C3和電容C4的連接點相連接,其非同名端則與晶體管Ql的發(fā)射極相連接后接地;同時,晶體管Ql的發(fā)射極還與驅(qū)動芯片M的TS管腳相連接,所述變壓器T的副邊線圈上設(shè)有抽頭Yl和抽頭Y2。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種基于自舉電路的柵極驅(qū)動器,其特征在于,所述驅(qū)動芯片M為LTC4440A集成芯片。
【專利摘要】本實用新型公開了一種基于自舉電路的柵極驅(qū)動器,主要由驅(qū)動芯片M,以及與驅(qū)動芯片M相連接的驅(qū)動電路組成,其特征在于,還設(shè)有自舉電路,且該自舉電路由場效應(yīng)管MOS,一端與場效應(yīng)管MOS的源極相連接、另一端接地的電阻R5,正極與場效應(yīng)管MOS的源極相連接、負(fù)極與驅(qū)動芯片M的INP管腳相連接的極性電容C6,負(fù)極與場效應(yīng)管MOS的柵極相連接、正極經(jīng)電阻R1后與場效應(yīng)管MOS的漏極相連接的極性電容C1等組成。本實用新型整體結(jié)構(gòu)非常簡單,其制作和使用非常方便。同時,本實用新型的啟動時間僅為傳統(tǒng)柵極驅(qū)動電路啟動時間的1/4,其啟動時間極短。
【IPC分類】H05B37-02
【公開號】CN204335023
【申請?zhí)枴緾N201420707145
【發(fā)明人】黃家英, 杜琴
【申請人】成都智利達(dá)科技有限公司
【公開日】2015年5月13日
【申請日】2014年11月22日
網(wǎng)友詢問留言 已有0條留言
  • 還沒有人留言評論。精彩留言會獲得點贊!
1