一種諧振電路的參數(shù)確定方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種諧振電路的參數(shù)確定方法，該方法包括：預(yù)先設(shè)置諧振條件；根據(jù)時鐘頻率需求，確定晶體的初始負(fù)載電容；根據(jù)初始負(fù)載電容以及所述諧振電路中寄生電容的經(jīng)驗值，調(diào)整晶體的負(fù)載電容、所述第一電容和所述第二電容的值，保證調(diào)整后所述諧振電路滿足所述諧振條件；將滿足所述諧振條件的所述諧振電路中晶體的負(fù)載電容、所述第一電容和所述第二電容的值作為選定的參數(shù)值；其中，所述諧振電路中寄生電容的經(jīng)驗值為5pF。根據(jù)本方案，可以進(jìn)一步提高參數(shù)選擇的準(zhǔn)確率，從而保證諧振電路中各個元器件的參數(shù)選擇更加合適。
【專利說明】
一種諧振電路的參數(shù)確定方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明涉及電子電路技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種諧振電路的參數(shù)確定方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 石英晶體可以構(gòu)成晶體諧振器，為與其相連的電路提供時鐘信號。諧振電路中各 個元器件的參數(shù)選擇關(guān)系到諧振電路的諧振效果。若參數(shù)的選擇不合適，會導(dǎo)致諧振電路 無法起振等問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 本發(fā)明實施例提供了一種諧振電路的參數(shù)確定方法，以為諧振電路中的各個元器 件選擇合適的參數(shù)。
[0004] 本發(fā)明實施例提供了一種諧振電路的參數(shù)確定方法，所述諧振電路包括:晶體、與 晶體的第一端相連的第一電容和與晶體的第二端相連的第二電容，其中，晶體的第一端和 第二端分別與外部電路的輸入端、輸出端連接;所述方法包括:預(yù)先設(shè)置諧振條件;所述方 法還包括：
[0005] 根據(jù)時鐘頻率需求，確定晶體的初始負(fù)載電容；
[0006] 根據(jù)初始負(fù)載電容以及所述諧振電路中寄生電容的經(jīng)驗值，調(diào)整晶體的負(fù)載電 容、所述第一電容和所述第二電容的值，保證調(diào)整后所述諧振電路滿足所述諧振條件；
[0007] 將滿足所述諧振條件的所述諧振電路中晶體的負(fù)載電容、所述第一電容和所述第 二電容的值作為選定的參數(shù)值；
[0008] 其中，所述諧振電路中寄生電容的經(jīng)驗值為5pF。
[0009] 優(yōu)選地，所述根據(jù)初始負(fù)載電容以及所述諧振電路中寄生電容的經(jīng)驗值，調(diào)整晶 體的負(fù)載電容、所述第一電容和所述第二電容的值，包括：
[0010] 利用下式，對晶體的負(fù)載電容、所述第一電容和所述第二電容的值進(jìn)行調(diào)整：
[0011]
[0012] 兵ψ衣世所還貝現(xiàn)電容的值，Cd和Cg分別用于表征所述第一電容的值和所 述第二電容的值，(^用于表征所述寄生電容的值。
[0013] 優(yōu)選地，調(diào)整后所述負(fù)載電容的值與所述初始負(fù)載電容之間的差值小于設(shè)定的第 一閾值。
[0014] 優(yōu)選地，所述諧振條件包括:頻率準(zhǔn)確度匹配子條件、起振可靠度子條件和功耗穩(wěn) 定性子條件中的至少一種。
[0015] 優(yōu)選地，所述頻率準(zhǔn)確度匹配子條件包括:所述諧振電路的諧振頻率與需求的所 述時鐘頻率之間的頻差小于設(shè)定的第二閾值。
[0016] 優(yōu)選地，所述起振可靠度子條件包括:在所述諧振電路中晶體與所述第二電容之 間串聯(lián)可調(diào)電阻，并將可調(diào)電阻從〇歐姆開始向大調(diào)整，在所述諧振電路停振時，計算晶體 等效串聯(lián)電阻的值，保證該晶體等效串聯(lián)電阻的值小于外部電路等效電阻的1/10。
[0017] 優(yōu)選地，所述計算晶體等效串聯(lián)電阻的值，包括:通過如下公式計算晶體等效串聯(lián) 電阻的值=
[0018]
[0019] 其中，ESR用于表征晶體等效串聯(lián)電阻，Rr用于表征諧振電阻，Co用于表征等效電路 靜態(tài)臂里的電容，α用于表征所述負(fù)載電容。
[0020] 優(yōu)選地，所述功耗穩(wěn)定性子條件包括:保證晶體激勵水平小于設(shè)定的晶體功耗閾 值。
[0021] 優(yōu)選地，通過下式計算所述晶體激勵水平：
[0022] DL = ESF^ X Ifms
[0023] 其中，DL用于表征所述晶體激勵水平，ESR用于表征負(fù)載電容，Irms用于表征電路停 振時的有效電流。
[0024] 本發(fā)明實施例提供了一種諧振電路的參數(shù)確定方法，首先根據(jù)時鐘頻率需求確定 晶體的初始負(fù)載電容，諧振電路中由于布線原因存在寄生電容，因此可以根據(jù)晶體的初始 負(fù)載電容和寄生電容對諧振電路中晶體的負(fù)載電容、第一電容和第二電容的值進(jìn)行調(diào)整， 以保證諧振電路滿足預(yù)先設(shè)置的諧振條件，將諧振電路中寄生電容的經(jīng)驗值選擇為5pF，可 以進(jìn)一步提高參數(shù)選擇的準(zhǔn)確率，從而保證諧振電路中各個元器件的參數(shù)選擇更加合適。
【附圖說明】
[0025] 為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn) 有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發(fā)明 的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù) 這些附圖獲得其他的附圖。
[0026] 圖1是本發(fā)明一個實施例提供的一種方法流程圖；
[0027] 圖2是本發(fā)明一個實施例提供的一種諧振電路示意圖；
[0028] 圖3是本發(fā)明一個實施例提供的另一種方法流程圖；
[0029] 圖4是本發(fā)明一個實施例提供的另一種諧振電路示意圖。
【具體實施方式】
[0030] 為使本發(fā)明實施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實施例 中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是 本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例，基于本發(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員 在沒有做出創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0031] 如圖1所示，本發(fā)明實施例提供了一種諧振電路的參數(shù)確定方法，所述諧振電路包 括:晶體、與晶體的第一端相連的第一電容和與晶體的第二端相連的第二電容，其中，晶體 的第一端和第二端分別與外部電路的輸入端、輸出端連接;該方法可以包括以下步驟： [0032]步驟101:預(yù)先設(shè)置諧振條件。
[0033] 步驟102:根據(jù)時鐘頻率需求，確定所述晶體的初始負(fù)載電容；
[0034] 步驟103:根據(jù)初始負(fù)載電容和所述諧振電路中寄生電容的經(jīng)驗值，調(diào)整晶體的負(fù) 載電容、所述第一電容和所述第二電容的值，以使調(diào)整后的所述諧振電路滿足所述諧振條 件；
[0035]步驟104:將滿足所述諧振條件的所述諧振電路中晶體的負(fù)載電容、所述第一電容 和所述第二電容的值作為選定的參數(shù)值；
[0036]其中，所述諧振電路的寄生電容的經(jīng)驗值為5pF。
[0037] 根據(jù)上述方案，首先根據(jù)時鐘頻率需求確定晶體的初始負(fù)載電容，諧振電路中由 于布線原因存在寄生電容，因此可以根據(jù)晶體的初始負(fù)載電容和寄生電容對諧振電路中晶 體的負(fù)載電容、第一電容和第二電容的值進(jìn)行調(diào)整，以保證諧振電路滿足預(yù)先設(shè)置的諧振 條件，將諧振電路中寄生電容的經(jīng)驗值選擇為5pF，可以進(jìn)一步提高參數(shù)選擇的準(zhǔn)確率，從 而保證諧振電路中各個元器件的參數(shù)選擇更加合適。
[0038] 在本發(fā)明一個實施例中，諧振電路中各元件參數(shù)的選擇通常要滿足諧振條件，該 諧振條件可以包括:頻率準(zhǔn)確度匹配子條件、起振可靠度子條件和功耗穩(wěn)定性子條件中的 至少一種，下面對這三種子條件分別進(jìn)行說明：
[0039] 1、頻率準(zhǔn)確度匹配子條件。
[0040] 該頻率準(zhǔn)確度匹配子條件可以包括:諧振電路的諧振頻率與需求的時鐘頻率之間 的頻差小于設(shè)定的閾值，例如，該閾值為lOppm。
[0041] 在諧振電路的實際工作中的諧振頻率與需求的時鐘頻率之間越接近，即頻差越 小，該諧振電路的準(zhǔn)確度要高，且諧振電路越穩(wěn)定。
[0042] 2、起振可靠度子條件。
[0043] 該起振可靠度子條件可以包括:在所述諧振電路中晶體與所述第二電容之間串聯(lián) 可調(diào)電阻，并將可調(diào)電阻從〇歐姆開始向大調(diào)整，在所述諧振電路停振時，計算晶體等效串 聯(lián)電阻的值，保證該晶體等效串聯(lián)電阻的值小于外部電路等效電阻的1/10。
[0044] 在各種應(yīng)用環(huán)境條件下諧振電路均可以起振，是諧振電路可靠工作的保證。
[0045] 3、功耗穩(wěn)定性子條件。
[0046] 該功耗穩(wěn)定性子條件可以包括:保證晶體激勵水平小于設(shè)定的晶體功耗閾值，例 如，該晶體功耗閾值為I OOuW。
[0047] 晶體激勵水平是實際工作中的功率消耗，這關(guān)乎到晶體工作的長期穩(wěn)定性以及使 用壽命等重要特性，通過保證晶體激勵水平小于設(shè)定的晶體功耗閾值，從而可以提高諧振 電路的穩(wěn)定性以及提尚晶體的使用壽命
[0048]若諧振電路可以同時滿足上述三個子條件，那么為該諧振電路中各個元件參數(shù)的 最優(yōu)選情況，下面以諧振電路為該最優(yōu)選情況為例，對本發(fā)明實施例提供的諧振電路的參 數(shù)確定方法進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0049] 請參考圖2,為典型的COMS pierce振蕩電路。在該振蕩電路中，晶體Yl的第一端與 第一電容Cd相連，晶體Yl的第二端與第二電容Cg相連。對于晶體Yl、電容Cd、電容仏的參數(shù)選 擇，請參考圖3,可以通過如下幾個步驟進(jìn)行確定：
[0050] 步驟301:根據(jù)時鐘頻率需求，確定晶體的初始負(fù)載電容Cl。
[0051] 在本實施例中，諧振電路是用來給外部電路提供時鐘信號的，不同晶體可以提供 的時鐘頻率不同，因此，需要確定時鐘頻率的需求，例如，25MHz，并根據(jù)該時鐘頻率需求，確 定晶體的初始負(fù)載電容α。
[0052]晶體生產(chǎn)廠商根據(jù)用戶對時鐘頻率的需求，可以提供給用戶多種不同負(fù)載電容的 晶體，供用戶選擇。例如，初始負(fù)載電容α的值為22pF。
[0053]步驟302:將5pF作為諧振電路中寄生電容的經(jīng)驗值，并根據(jù)下式（1)調(diào)整晶體的負(fù) 載電容α、電容Cd和電容Cg的值：
[0054]
( 1 )
[0055] 其中，α用于表征所述負(fù)載電容的值，是與晶體元件一起決定諧振頻率的有效外 界電容;CjPCg分別用于表征所述第一電容的值和所述第二電容的值;C s用于表征所述寄生 電容的值，是影響諧振頻率精確度的主要變化因素，在現(xiàn)有技術(shù)中，Cs的經(jīng)驗值為3pF，而本 實施例通過對諧振電路中各個元器件參數(shù)的選擇進(jìn)行大量的驗證，當(dāng)C s的經(jīng)驗值為5pF時， 根據(jù)該Cs所調(diào)整的電容CjPCg可以保證諧振電路滿足上述諧振條件。
[0056] 在本實施例中，對于負(fù)載電容α的調(diào)整，需要保證調(diào)整后的負(fù)載電容的值與初始 負(fù)載電容之間的差值小于設(shè)定的閾值，例如，該閾值為20pF，通過對負(fù)載電容進(jìn)行微調(diào)，從 而可以達(dá)到對諧振電路的諧振頻率進(jìn)行微調(diào)，從而可以保證諧振電路的諧振頻率滿足諧振 條件。
[0057]步驟303:保證諧振電路的諧振頻率滿足諧振條件中頻率準(zhǔn)確度匹配子條件。
[0058] 在本實施例中，通過在步驟302中對諧振電路中負(fù)載電容α、電容Cd、電容Cg的值進(jìn) 行調(diào)整，以保證諧振電路的諧振頻率與需求的所述時鐘頻率之間的頻差小于設(shè)定的閾值， 例如，該閾值為20ppm。
[0059] 其中，諧振電路的諧振頻率可以使用頻率計測量該諧振電路得到，例如，測量到的 諧振頻率為50MHz，而需求的時鐘頻率為25MHz，那么頻差可以通過如下公式(2)得到：
[0060]
(2)
[0061]其中，P。為諧振頻率與需求的時鐘頻率之間的頻差，Pl為諧振頻率，Pk為需求的時 鐘頻率。
[0062]根據(jù)上式(2)可以獲知，該頻差為2ppm，小于設(shè)定的閾值20ppm，因此諧振電路中各 個元件的參數(shù)選擇可以滿足頻率準(zhǔn)確度匹配子條件。
[0063] 步驟304:在諧振電路中晶體與電容Cg之間串聯(lián)可調(diào)電阻Rx，并將可調(diào)電阻Rx從0 歐姆開始向大調(diào)整，在諧振電路停振時，計算晶體等效串聯(lián)電阻的值，保證該晶體等效串聯(lián) 電阻的值小于外部電路等效電阻的1/10。
[0064] 請參考圖4,為在諧振電路中晶體與電容Cg之間串聯(lián)可調(diào)電阻Rx的電路圖。
[0065] 在本實施例中，可以通過如下公式(3)計算晶體等效串聯(lián)電阻：
[0066]
(3)
[0067] 其中，ESR用于表征晶體等效串聯(lián)電阻，Rr用于表征諧振電阻，Co用于表征等效電路 靜態(tài)臂里的電容，α用于表征負(fù)載電容。
[0068]步驟305:保證晶體激勵水平小于設(shè)定的晶體功耗閾值。
[0069] 在本實施例中，可以通過下式(4)計算晶體激勵水平：
[0070] DL = ESR X Ir2ms (4)
[0071] 其中，DL用于表征所述晶體激勵水平，ESR用于表征負(fù)載電容，Irms用于表征電路停 振時的有效電流，其中，該可以通過是抱起的電流探頭測得。
[0072]下面根據(jù)上述諧振條件，對已經(jīng)給出的兩組參數(shù)選擇進(jìn)行驗證，以及對選擇的參 數(shù)進(jìn)行調(diào)整：
[0073]第一組：
[0074]請參考如下內(nèi)容，為已經(jīng)給出的一組參數(shù)選擇方案，以及驗證結(jié)果：
[0075]參數(shù)選擇：CL = 20pf;Cd = 30pf;Cg = 30pf。
[0076] 頻差:2 · 5ppm。頻差小于設(shè)定的閾值20ppm。
[0077] ESR:外部電路的等效電阻為85歐姆，約為ESR的2倍，因此無法保證可靠起振。
[0078]激勵水平:252uW，大于設(shè)定的閾值100uW。因此，長期使用的穩(wěn)定性較差。
[0079]通過對上述參數(shù)進(jìn)行重新調(diào)整，以保證滿足諧振條件，調(diào)整結(jié)果如下：
[0080]參數(shù)選擇：CL = 8pf;Cd = 5.6pf;Cg = 6.8pf。
[0081 ] 頻差:-0 · 52ppm。頻差小于設(shè)定的閾值20ppm 〇
[0082] ESR:外部電路的等效電阻為490歐姆，約為ESR的12倍，因此可以保證可靠起振。
[0083] 激勵水平:80uW，大于設(shè)定的閾值100uW。因此，長期使用的穩(wěn)定性較強(qiáng)。
[0084] 第二組：
[0085] 參數(shù)選擇：CL = 22pf;Cd = 22pf;Cg = 22pf。
[0086] 頻差：17 · 05ppm。頻差小于設(shè)定的閾值20ppm。
[0087] ESR:外部電路的等效電阻為593歐姆，約為ESR的19.7倍，可以保證可靠起振。
[0088]激勵水平：132uW，大于設(shè)定的閾值IOOuW。因此，長期使用的穩(wěn)定性較差。
[0089]通過對上述參數(shù)進(jìn)行重新調(diào)整，以保證滿足諧振條件，調(diào)整結(jié)果如下：
[0090]參數(shù)選擇:CL = 9pf;Cd = 3.3pf;Cg = 4.7pf。
[0091 ] 頻差：1.6ppm。頻差小于設(shè)定的閾值20ppm。
[0092] ESR:外部電路的等效電阻為490歐姆，約為ESR的19倍，因此可以保證可靠起振。
[0093]激勵水平:85uW，大于設(shè)定的閾值I OOuW。因此，長期使用的穩(wěn)定性較強(qiáng)。
[0094] 通過以上兩塊主板應(yīng)用晶體匹配分析可以看出以下共同點。
[0095] 首先，因為半導(dǎo)體工藝特征尺寸的縮小和IC設(shè)計時對功耗帶來的發(fā)熱等因素的考 慮，市場新推出的IC在諧振電路的設(shè)計上越來越傾向使用低負(fù)載電容(小于IOpf)的晶體。 [0096]其次，結(jié)合兩塊主板的寄生電容分析結(jié)果，主板的寄生電容明顯比經(jīng)典理論值偏 大，可以使用5pf作為寄生電容的經(jīng)驗值，并利用該經(jīng)驗值對諧振電路的參數(shù)調(diào)整時可以更 加合理。
[0097]綜上所述，本發(fā)明實施例至少可以實現(xiàn)如下有益效果：1、在本發(fā)明實施例中，首先 根據(jù)時鐘頻率需求確定晶體的初始負(fù)載電容，諧振電路中由于布線原因存在寄生電容，因 此可以根據(jù)晶體的初始負(fù)載電容和寄生電容對諧振電路中晶體的負(fù)載電容、第一電容和第 二電容的值進(jìn)行調(diào)整，以保證諧振電路滿足預(yù)先設(shè)置的諧振條件，將諧振電路中寄生電容 的經(jīng)驗值選擇為5pF，可以進(jìn)一步提高參數(shù)選擇的準(zhǔn)確率，從而保證諧振電路中各個元器件 的參數(shù)選擇更加合適。
[0098] 2、在本發(fā)明實施例中，可以選擇低負(fù)載電容的諧振動電路，不僅可以降低諧振電 路的功耗，還可以降低成本。
[0099]需要說明的是，在本文中，諸如第一和第二之類的關(guān)系術(shù)語僅僅用來將一個實體 或者操作與另一個實體或操作區(qū)分開來，而不一定要求或者暗示這些實體或操作之間存在 任何這種實際的關(guān)系或者順序。而且，術(shù)語"包括"、"包含"或者其任何其他變體意在涵蓋非 排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過程、方法、物品或者設(shè)備不僅包括那些要素， 而且還包括沒有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過程、方法、物品或者設(shè)備所固 有的要素。在沒有更多限制的情況下，由語句"包括一個......"限定的要素，并不排 除在包括所述要素的過程、方法、物品或者設(shè)備中還存在另外的相同因素。
[0100]本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解:實現(xiàn)上述方法實施例的全部或部分步驟可以通過 程序指令相關(guān)的硬件來完成，前述的程序可以存儲在計算機(jī)可讀取的存儲介質(zhì)中，該程序 在執(zhí)行時，執(zhí)行包括上述方法實施例的步驟;而前述的存儲介質(zhì)包括:ROM、RAM、磁碟或者光 盤等各種可以存儲程序代碼的介質(zhì)中。
[0101]最后需要說明的是：以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例，僅用于說明本發(fā)明的技 術(shù)方案，并非用于限定本發(fā)明的保護(hù)范圍。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所做的任何修改、 等同替換、改進(jìn)等，均包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
【主權(quán)項】
1. 一種諧振電路的參數(shù)確定方法，其特征在于，所述諧振電路包括：晶體、與晶體的第 一端相連的第一電容和與晶體的第二端相連的第二電容，其中，晶體的第一端和第二端分 別與外部電路的輸入端、輸出端連接;所述方法包括:預(yù)先設(shè)置諧振條件;所述方法還包括： 根據(jù)時鐘頻率需求，確定晶體的初始負(fù)載電容； 根據(jù)初始負(fù)載電容W及所述諧振電路中寄生電容的經(jīng)驗值，調(diào)整晶體的負(fù)載電容、所 述第一電容和所述第二電容的值，保證調(diào)整后所述諧振電路滿足所述諧振條件. 將滿足所述諧振條件的所述諧振電路中晶體的負(fù)載電容、所述第一電容和所述第二電 容的值作為選定的參數(shù)值； 其中，所述諧振電路中寄生電容的經(jīng)驗值為5pF。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)初始負(fù)載電容W及所述諧振電路 中寄生電容的經(jīng)驗值，調(diào)整晶體的負(fù)載電容、所述第一電容和所述第二電容的值，包括： 利用下式，對晶體的負(fù)載電&日K未笠一由&新日K未笠二電容的值進(jìn)行調(diào)整：其中，Cl用于表征所述負(fù)載電容的值，Cd和Cg分別用于表征所述第一電容的值和所述第 二電容的值，Cs用于表征所述寄生電容的值。3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，調(diào)整后所述負(fù)載電容的值與所述初始負(fù)載 電容之間的差值小于設(shè)定的第一闊值。4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述諧振條件包括:頻率準(zhǔn)確度匹配子條 件、起振可靠度子條件和功耗穩(wěn)定性子條件中的至少一種。5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述頻率準(zhǔn)確度匹配子條件包括:所述諧 振電路的諧振頻率與需求的所述時鐘頻率之間的頻差小于設(shè)定的第二闊值。6. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述起振可靠度子條件包括:在所述諧振 電路中晶體與所述第二電容之間串聯(lián)可調(diào)電阻，并將可調(diào)電阻從O歐姆開始向大調(diào)整，在所 述諧振電路停振時，計算晶體等效串聯(lián)電阻的值，保證該晶體等效串聯(lián)電阻的值小于外部 電路等效電阻的1/10。7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述計算晶體等效串聯(lián)電阻的值，包括:通 過如下公式計算晶體等效串r* KH /A -其中，ESR用于表征晶體等效串聯(lián)電阻，Rr用于表征諧振電阻，Co用于表征等效電路靜態(tài) 臂里的電容，Cl用于表征所述負(fù)載電容。8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述功耗穩(wěn)定性子條件包括:保證晶體激 勵水平小于設(shè)定的晶體功耗闊值。9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法算所述晶體激勵水平： 其中，DL用于表征所述晶體激勵水平，ESR用于表征負(fù)載電容，Irms用于表征電路停振時 的有效電流。
【文檔編號】H03B5/32GK105915180SQ201610207056
【公開日】2016年8月31日
【申請日】2016年4月5日
【發(fā)明人】史國計
【申請人】浪潮電子信息產(chǎn)業(yè)股份有限公司