一種靜電放電電路及功率放大器的制造方法
【專利摘要】本申請公開了一種靜電放電電路及功率放大器，所述靜電放電電路包括并聯(lián)的第一二極管組和第二二極管組；其中，所述第一二極管組的一端接于所述直流電壓輸入端，另一端接地，包括正向串接的多個(gè)二極管；所述第二二極管組的一端接于所述直流電壓輸入端，另一端接地，包括反向串接的至少一個(gè)二極管。組成所述第一二極管組的正向串接的多個(gè)二極管只需要滿足所述直流電壓即可，所述第二二極管組只需要一個(gè)或多個(gè)負(fù)向串接的二極管為負(fù)電靜電提供釋放通路即可，因此組成所述靜電放電電路的二極管數(shù)量較少，從而使得包括所述靜電放電電路的功率放大器所占芯片的面積較小，進(jìn)而降低所述功率放大器的成本。
【專利說明】
-種靜電放電電路及功率放大器
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ]本申請?jiān)O(shè)及無線通信技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說，設(shè)及一種靜電放電電路及功率放大 器。
【背景技術(shù)】
[0002] 功率放大器是各種無線通信設(shè)備中必不可少的關(guān)鍵部件，用于將收發(fā)信機(jī)輸出的 已調(diào)制射頻信號進(jìn)行功率放大，W滿足無線通信所需的射頻信號的功率要求。功率放大器 通常包括多級放大單元，所述放大單元的電路結(jié)構(gòu)如圖1或圖2所示，包括晶體管Q、去禪電 容C和扼流電感L，附圖1及附圖2中的標(biāo)號RFin表示所述放大單元信號輸入端，Vbias表示所 述放大單元的參考電壓輸入端，RFout表示所述放大單元的信號輸出端，Vcc表示所述放大 單元的直流電壓輸入端;其中，所述晶體管Q的柵極作為所述放大單元信號輸入端及參考電 壓輸入端;所述晶體管Q的集電極與所述扼流電感L的一端連接，并作為所述放大單元的信 號輸出端連接;所述晶體管Q的發(fā)射極接地;所述扼流電感L遠(yuǎn)離所述晶體管Q-端作為所述 放大單元的直流電壓輸入端;所述去禪電容C的一端接于所述扼流電感L的一端，另一端接 地。
[0003] 為了防止靜電對功率放大器的損傷，通常需要在功率放大器中設(shè)置靜電放電電 路，所述靜電放電電路通常與所述去禪電容C和晶體管Q集成于一塊忍片中，所述扼流電感L 通常通過片外實(shí)現(xiàn)?，F(xiàn)有技術(shù)中的靜電放電電路如圖3所示，一端接于所述扼流電感L與晶 體管Q漏極的連接線上，另一端接地;在運(yùn)種情況下，所述靜電放電電路中正向串接和反向 串接的二極管的數(shù)量必須要滿足加在靜電放電電路兩端的，經(jīng)過所述晶體管Q放大后的射 頻信號的電壓擺幅，在通常情況下，經(jīng)過所述晶體管Q放大后的射頻信號的電壓擺幅大約為 所述直流電壓輸入端輸入的直流電壓的3倍，那么所述靜電放電電路中正向串接和反向串 接的二極管的數(shù)量為3；：/，;'/' + |或^；^ + 2。^直流電壓￥(3(3為5￥為例，在運(yùn)種情況下，當(dāng) 二極管的導(dǎo)通壓降Von為0.7V時(shí)，靜電放電電路中正向串接和反向串接的二極管的數(shù)量均 為23或24個(gè)，當(dāng)二極管的導(dǎo)通壓降Von為1.4V時(shí)，靜電放電電路中正向串接和反向串接的二 極管的數(shù)量均為12或13個(gè)。較多的二極管會占用較大的集成忍片的面積，從而使得所述功 率放大器的成本較高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種靜電放電電路及功率放大器，W實(shí)現(xiàn)解 決由于靜電放電電路中二極管的數(shù)量較多導(dǎo)致的功率放大器所占忍片面積過大，而使得所 述功率放大器的成本較高的問題的目的。
[0005] 為實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)目的，本發(fā)明實(shí)施例提供了如下技術(shù)方案：
[0006] -種靜電放電電路，應(yīng)用于功率放大器，所述功率放大器包括多級放大單元，所述 放大單元包括直流電壓輸入端;所述靜電放電電路包括并聯(lián)的第一二極管組和第二二極管 組;其中，
[0007]所述第一二極管組的一端接于所述直流電壓輸入端，另一端接地，包括正向串接 的多個(gè)二極管；
[000引所述第二二極管組的一端接于所述直流電壓輸入端，另一端接地，包括反向串接 的至少一個(gè)二極管。
[0009]優(yōu)選的，所述第一二極管組的二極管數(shù)量為：
[0012] 其中，N代表所述第一二極管組的二極管數(shù)量，Vcc代表直流電壓輸入端輸入的直 流電壓，Von代表二極管的導(dǎo)通壓降。
[0013] 優(yōu)選的，所述第二二極管組的二極管數(shù)量為1個(gè)。
[0014] -種功率放大器，所述功率放大器包括多級放大單元及至少一個(gè)如上述實(shí)施例所 述的靜電放電電路；
[0015] 其中，各級所述放大單元包括晶體管、扼流電感和去禪電容;所述扼流電感的一端 作為所述放大單元的直流電壓輸入端；
[0016] 所述靜電放電電路的一端接于所述直流電壓輸入端，另一端接地。
[0017] 優(yōu)選的，所述晶體管為雙極晶體管或場效應(yīng)管。
[0018] 優(yōu)選的，所述晶體管為娃互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管或神化嫁雙極晶體管或歴 調(diào)制滲雜異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶體管。
[0019] 優(yōu)選的，所述晶體管、去禪電容和靜電放電電路基于集成電路工藝集成于忍片中；
[0020] 所述忍片與所述扼流電感設(shè)置于基板上，所述忍片與所述扼流電感電連接。
[0021] 優(yōu)選的，所述扼流電感包括第一綁定線、第二綁定線和第一走線;所述忍片包括第 一焊盤和第二焊盤；
[0022] 其中，所述第一走線的一端與所述第一綁定線一端連接，另一端與所述第二綁定 線一端連接;所述第一綁定線遠(yuǎn)離所述第一走線一端通過第一焊盤與所述晶體管的漏極連 接;所述第二綁定線遠(yuǎn)離所述第一走線一端通過第二焊盤同時(shí)與所述去禪電容的一端、靜 電放電電路的一端連接;所述去禪電容及靜電放電電路原理所述第二焊盤一端接地；
[0023] 所述直流電壓輸入端通過基板上的走線與第Ξ綁定線的一端連接，所述第Ξ綁定 線遠(yuǎn)離所述直流電壓輸入端一端與所述第二焊盤連接。
[0024] 優(yōu)選的，所述扼流電感包括第四綁定線、第五綁定線和螺旋電感;所述忍片包括第 一焊盤和第二焊盤；
[0025] 其中，所述螺旋電感的一端與所述第四綁定線的一端連接，另一端與所述第五綁 定線一端連接;所述第四綁定線遠(yuǎn)離所述螺旋電感一端通過第一焊盤與所述晶體管的漏極 連接;所述第五綁定線遠(yuǎn)離所述螺旋電感一端通過第二焊盤同時(shí)與所述去禪電容的一端、 靜電放電電路的一端連接;所述去禪電容及靜電放電電路原理所述第二焊盤一端接地；
[0026] 所述直流電壓輸入端通過基板上的走線與第六綁定線的一端連接，所述第六綁定 線遠(yuǎn)離所述直流電壓輸入端一端與所述第二焊盤連接。
[0027] 優(yōu)選的，所述扼流電感包括第屯綁定線、第八綁定線和貼片電感;所述忍片包括第 一焊盤和第二焊盤；
[0028] 其中，所述貼片電感的一端與所述第屯綁定線的一端連接，另一端與所述第八綁 定線一端連接;所述第屯綁定線遠(yuǎn)離所述貼片電感一端通過第一焊盤與所述晶體管的漏極 連接;所述第八綁定線遠(yuǎn)離所述貼片電感一端通過第二焊盤同時(shí)與所述去禪電容的一端、 靜電放電電路的一端連接;所述去禪電容及靜電放電電路原理所述第二焊盤一端接地；
[0029] 所述直流電壓輸入端通過基板上的走線與第九綁定線的一端連接，所述第九綁定 線遠(yuǎn)離所述直流電壓輸入端一端與所述第二焊盤連接。
[0030] 從上述技術(shù)方案可W看出，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種靜電放電電路及功率放大 器，其中，所述靜電放電電路包括并聯(lián)的第一二極管組和第二二極管組，所述第一二極管組 的一端接于所述直流電壓輸入端，所述第二二極管組的一端接于所述直流電壓輸入端。通 過運(yùn)種連接方式，所述靜電放電電路只需要滿足所述直流電壓輸入端輸入的正向直流電壓 即可。運(yùn)是因?yàn)樗龆罅麟姼芯哂型ㄖ绷鞲艚涣鞯淖饔?，?jīng)過所述晶體管放大后的射頻信 號經(jīng)過所述扼流電感的扼流作用之后不會加在所述靜電放電電路的兩端。因此組成所述第 一二極管組的正向串接的多個(gè)二極管只需要滿足所述直流電壓即可，所述第二二極管組只 需要一個(gè)或多個(gè)負(fù)向串接的二極管為負(fù)電靜電提供釋放通路即可，因此組成所述靜電放電 電路的二極管數(shù)量較少，從而使得包括所述靜電放電電路的功率放大器所占忍片的面積較 小，進(jìn)而降低所述功率放大器的成本。
【附圖說明】
[0031] 為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn) 有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本 發(fā)明的實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可W根據(jù) 提供的附圖獲得其他的附圖。
[0032] 圖1和圖2為現(xiàn)有技術(shù)中功率放大器的放大單元的電路結(jié)構(gòu)示意圖；
[0033] 圖3為現(xiàn)有技術(shù)中靜電放電電路的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0034] 圖4為本申請的一個(gè)實(shí)施例提供的一種靜電放電電路的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0035] 圖5為本申請的一個(gè)實(shí)施例提供的一種功率放大器的放大單元的電路結(jié)構(gòu)示意 圖；
[0036] 圖6為本申請的一個(gè)實(shí)施例提供的一種所述扼流電感片外實(shí)現(xiàn)的連接示意圖；
[0037] 圖7為本申請的另一個(gè)實(shí)施例提供的一種所述扼流電感片外實(shí)現(xiàn)的連接示意圖；
[0038] 圖8為本申請的又一個(gè)實(shí)施例提供的一種所述扼流電感片外實(shí)現(xiàn)的連接示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0039] 下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完 整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；?本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他 實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0040] 本申請實(shí)施例提供了一種靜電放電電路，應(yīng)用于功率放大器，所述功率放大器包 括多級放大單元，所述放大單元包括直流電壓輸入端;如圖4所示，所述靜電放電電路包括 并聯(lián)的第一二極管組100和第二二極管組200;其中，
[0041] 所述第一二極管組100的一端接于所述直流電壓輸入端，另一端接地，包括正向串 接的多個(gè)二極管；
[0042] 所述第二二極管組200的一端接于所述直流電壓輸入端，另一端接地，包括反向串 接的至少一個(gè)二極管。
[0043] 需要說明的是，在本實(shí)施例中，所述靜電放電電路只需要滿足所述直流電壓輸入 端輸入的正向直流電壓即可。運(yùn)是因?yàn)樗龆罅麟姼芯哂型ㄖ绷鞲艚涣鞯淖饔?，?jīng)過所述 晶體管放大后的射頻信號經(jīng)過所述扼流電感的扼流作用之后不會加在所述靜電放電電路 的兩端。因此組成所述第一二極管組100的正向串接的多個(gè)二極管只需要滿足所述直流電 壓即可，所述第二二極管組200只需要一個(gè)或多個(gè)負(fù)向串接的二極管為負(fù)電靜電提供釋放 通路即可，因此組成所述靜電放電電路的二極管數(shù)量較少，從而使得包括所述靜電放電電 路的功率放大器所占忍片的面積較小，進(jìn)而降低所述功率放大器的成本。
[0044] 在上述實(shí)施力的基礎(chǔ)上，在本申請的一個(gè)實(shí)施例中，所述第一二極管組100的二極 管數(shù)量為：
[0047]其中，N代表所述第一二極管組100的二極管數(shù)量，Vcc代表直流電壓輸入端輸入的 直流電壓，Von代表二極管的導(dǎo)通壓降。
[004引需要說明的是，在本實(shí)施例中，WVcc為5V為例，當(dāng)所述二極管的正向?qū)▔航礦on = 0.7V(例如基于神化嫁P皿MT工藝的二極管）時(shí)，所述第一二極管組100的二極管數(shù)量為9 個(gè)或10個(gè)。當(dāng)所述二極管的正向?qū)▔航礦on = 1.4V(例如基于神化嫁皿T工藝的二極管） 時(shí)，所述第一二極管組100的二極管數(shù)量為5個(gè)或6個(gè)。
[0049] 在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，在本申請的一個(gè)實(shí)施例中，所述第二二極管組200的二極 管數(shù)量為1個(gè)。
[0050] 需要說明的是，由于沒有交流的射頻信號輸入，因此所述靜電放電電路的第二二 極管組200只需要提供負(fù)電靜電的釋放通路W及預(yù)防其他交流信號對所述靜電放電電路的 影響即可。在本申請的其他實(shí)施例中，所述第二二極管組200的二極管數(shù)量還可W為2個(gè)或3 個(gè)。本申請對所述第二二極管組200的二極管數(shù)量并不做限定，具體視實(shí)際情況而定。
[0051] 相應(yīng)的，本申請實(shí)施例還提供了一種功率放大器，如圖5所示，所述功率放大器包 括多級放大單元及至少一個(gè)如上述任一實(shí)施例所述的靜電放電電路；
[0052] 其中，各級所述放大單元包括晶體管Q1、扼流電感L1和去禪電容C1;所述扼流電感 L1的一端作為所述放大單元的直流電壓輸入端；
[0053] 所述靜電放電電路的一端接于所述直流電壓輸入端，另一端接地。
[0054] 需要說明的是，在本實(shí)施例中，所述晶體管Q1的第一極作為所述放大單元信號輸 入端及參考電壓輸入端;所述晶體管Q1的第二極與所述扼流電感L1的一端連接，并作為所 述放大單元的信號輸出端連接;所述晶體管Q1的第Ξ級接地;所述扼流電感L1遠(yuǎn)離所述晶 體管Q1 -端作為所述放大單元的直流電壓輸入端;所述去禪電容C1的一端接于所述扼流電 感L1的一端，另一端接地。附圖4中的標(biāo)號RFin表示所述放大單元信號輸入端，Vbias表示所 述放大單元的參考電壓輸入端，RFout表示所述放大單元的信號輸出端，Vcc表示所述放大 單元的直流電壓輸入端。
[0055] 在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，在本申請的一個(gè)實(shí)施例中，所述晶體管Q1為雙極晶體管 或場效應(yīng)管。
[0056] 需要說明的是，當(dāng)所述晶體管Q1為雙極晶體管時(shí)，其第一極為基極，第二極為集電 極，第Ξ級為發(fā)射極;當(dāng)所述晶體管Q1為場效應(yīng)管時(shí)，其第一極為柵極、第二極為漏極，第Ξ 級為源極。
[0057] 在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，在本申請的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，所述晶體管Q1為娃互補(bǔ) 金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管或神化嫁雙極晶體管或歴調(diào)制滲雜異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶體管。本申請 對所述晶體管Q1的具體種類并不做限定，具體視實(shí)際情況而定。
[005引在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，在本申請的另一個(gè)實(shí)施例中，如圖6所示，所述扼流電感 L1包括第一綁定線100A、第二綁定線200A和第一走線30A;所述忍片包括第一焊盤10A和第 二焊盤20A;
[0059] 其中，所述第一走線30A的一端與所述第一綁定線100A-端連接，另一端與所述第 二綁定線200A-端連接;所述第一綁定線100A遠(yuǎn)離所述第一走線30A-端通過第一焊盤10A 與所述晶體管Q1的漏極連接;所述第二綁定線200A遠(yuǎn)離所述第一走線30A-端通過第二焊 盤20A同時(shí)與所述去禪電容C1的一端、靜電放電電路的一端連接;所述去禪電容C1及靜電放 電電路原理所述第二焊盤20A-端接地；
[0060] 所述直流電壓輸入端通過基板上的走線與第Ξ綁定線300A的一端連接，所述第Ξ 綁定線300A遠(yuǎn)離所述直流電壓輸入端一端與所述第二焊盤20A連接。
[0061] 在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，在本申請的又一個(gè)實(shí)施例中，如圖7所示，所述扼流電感 L1包括第四綁定線400A、第五綁定線500A和螺旋電感40A;所述忍片包括第一焊盤10A和第 二焊盤20A;
[0062] 其中，所述螺旋電感40A的一端與所述第四綁定線400A的一端連接，另一端與所述 第五綁定線500A-端連接;所述第四綁定線400A遠(yuǎn)離所述螺旋電感40A-端通過第一焊盤 10A與所述晶體管Q1的漏極連接;所述第五綁定線500A遠(yuǎn)離所述螺旋電感40A-端通過第二 焊盤20A同時(shí)與所述去禪電容C1的一端、靜電放電電路的一端連接;所述去禪電容C1及靜電 放電電路原理所述第二焊盤20A-端接地；
[0063] 所述直流電壓輸入端通過基板上的走線與第六綁定線600A的一端連接，所述第六 綁定線600A遠(yuǎn)離所述直流電壓輸入端一端與所述第二焊盤20A連接。
[0064] 在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，在本申請的再一個(gè)實(shí)施例中，如圖8所示，所述扼流電感 L1包括第屯綁定線700A、第八綁定線800A和貼片電感50A;所述忍片包括第一焊盤10A和第 二焊盤20A;
[0065] 其中，所述貼片電感50A的一端與所述第屯綁定線700A的一端連接，另一端與所述 第八綁定線800A-端連接;所述第屯綁定線700A遠(yuǎn)離所述貼片電感50A-端通過第一焊盤 10A與所述晶體管Q1的漏極連接;所述第八綁定線800A遠(yuǎn)離所述貼片電感50A-端通過第二 焊盤20A同時(shí)與所述去禪電容C1的一端、靜電放電電路的一端連接;所述去禪電容C1及靜電 放電電路原理所述第二焊盤20A-端接地；
[0066] 所述直流電壓輸入端通過基板上的走線與第九綁定線900A的一端連接，所述第九 綁定線900A遠(yuǎn)離所述直流電壓輸入端一端與所述第二焊盤20A連接。
[0067] 需要說明的是，所述扼流電感LI通常在片外實(shí)現(xiàn)，運(yùn)是因?yàn)槿绻麑⑺龆罅麟姼?L1集成與忍片中，所述扼流電感L1會占用較大的忍片面積，增加成本。在現(xiàn)有技術(shù)中，所述 直流電源輸出端通過基板走線與所述扼流電感L1直接連接，所述扼流電感L1通過綁定線與 放大單元的晶體管Q1連接。因此與所述晶體管Q1集成于一塊忍片中的靜電釋放電路只能接 于所述扼流電感L1原理所述直流電壓輸入端一側(cè)，從而使得所述靜電釋放電路需要滿足經(jīng) 過所述晶體管Q1放大后的射頻信號的擺幅（即大約從直流電源輸入端輸入的直流電壓的Ξ 倍），因此所述靜電釋放電路需要由較多的二極管組成，占用較大的忍片面積，進(jìn)而使得包 括所述靜電釋放電路的功率放大器的成本較高。
[0068] 在上述Ξ個(gè)實(shí)施例提供了 Ξ種應(yīng)用本申請實(shí)施例提供的靜電放電電路的功率放 大器的扼流電感L1的片外實(shí)現(xiàn)方式。通過上述片外實(shí)現(xiàn)方式不僅可W實(shí)現(xiàn)將扼流電感L1在 片外實(shí)現(xiàn)，還可W將所述靜電釋放電路與所述直流電壓輸入端直接連接，通過運(yùn)種連接方 式，所述靜電放電電路只需要滿足所述直流電壓輸入端輸入的正向直流電壓即可。
[0069] 綜上所述，本申請實(shí)施例提供了一種靜電放電電路及功率放大器，其中，所述靜電 放電電路包括并聯(lián)的第一二極管組100和第二二極管組200,所述第一二極管組100的一端 接于所述直流電壓輸入端，所述第二二極管組200的一端接于所述直流電壓輸入端。通過運(yùn) 種連接方式，所述靜電放電電路只需要滿足所述直流電壓輸入端輸入的正向直流電壓即 可。運(yùn)是因?yàn)樗龆罅麟姼蠰1具有通直流隔交流的作用，經(jīng)過所述晶體管Q1放大后的射頻 信號經(jīng)過所述扼流電感L1的扼流作用之后不會加在所述靜電放電電路的兩端。因此組成所 述第一二極管組100的正向串接的多個(gè)二極管只需要滿足所述直流電壓即可，所述第二二 極管組200只需要一個(gè)或多個(gè)負(fù)向串接的二極管為負(fù)電靜電提供釋放通路即可，因此組成 所述靜電放電電路的二極管數(shù)量較少，從而使得包括所述靜電放電電路的功率放大器所占 忍片的面積較小，進(jìn)而降低所述功率放大器的成本。
[0070] 本說明書中各個(gè)實(shí)施例采用遞進(jìn)的方式描述，每個(gè)實(shí)施例重點(diǎn)說明的都是與其他 實(shí)施例的不同之處，各個(gè)實(shí)施例之間相同相似部分互相參見即可。
[0071] 對所公開的實(shí)施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。 對運(yùn)些實(shí)施例的多種修改對本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的 一般原理可W在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本發(fā)明 將不會被限制于本文所示的運(yùn)些實(shí)施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點(diǎn)相一 致的最寬的范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種靜電放電電路，應(yīng)用于功率放大器，所述功率放大器包括多級放大單元，所述放 大單元包括直流電壓輸入端;其特征在于，所述靜電放電電路包括并聯(lián)的第一二極管組和 第二二極管組;其中， 所述第一二極管組的一端接于所述直流電壓輸入端，另一端接地，包括正向串接的多 個(gè)二極管； 所述第二二極管組的一端接于所述直流電壓輸入端，另一端接地，包括反向串接的至 少一個(gè)二極管。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電放電電路，其特征在于，所述第一二極管組的二極管數(shù)量 為： 或況=^· + 2 ; Von 5 其中，N代表所述第一二極管組的二極管數(shù)量，Vcc代表直流電壓輸入端輸入的直流電 壓，Von代表二極管的導(dǎo)通壓降。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電放電電路，其特征在于，所述第二二極管組的二極管數(shù)量 為1個(gè)。4. 一種功率放大器，其特征在于，所述功率放大器包括多級放大單元及至少一個(gè)如權(quán) 利要求1-3任一項(xiàng)所述的靜電放電電路； 其中，各級所述放大單元包括晶體管、扼流電感和去耦電容;所述扼流電感的一端作為 所述放大單元的直流電壓輸入端； 所述靜電放電電路的一端接于所述直流電壓輸入端，另一端接地。5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的功率放大器，其特征在于，所述晶體管為雙極晶體管或場效應(yīng) 管。6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的功率放大器，其特征在于，所述晶體管為硅互補(bǔ)金屬氧化物半 導(dǎo)體晶體管或砷化鎵雙極晶體管或贗調(diào)制摻雜異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶體管。7. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的功率放大器，其特征在于，所述晶體管、去耦電容和靜電放電 電路基于集成電路工藝集成于芯片中； 所述芯片與所述扼流電感設(shè)置于基板上，所述芯片與所述扼流電感電連接。8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的功率放大器，其特征在于，所述扼流電感包括第一綁定線、第 二綁定線和第一走線;所述芯片包括第一焊盤和第二焊盤； 其中，所述第一走線的一端與所述第一綁定線一端連接，另一端與所述第二綁定線一 端連接;所述第一綁定線遠(yuǎn)離所述第一走線一端通過第一焊盤與所述晶體管的漏極連接； 所述第二綁定線遠(yuǎn)離所述第一走線一端通過第二焊盤同時(shí)與所述去耦電容的一端、靜電放 電電路的一端連接;所述去耦電容及靜電放電電路原理所述第二焊盤一端接地； 所述直流電壓輸入端通過基板上的走線與第三綁定線的一端連接，所述第三綁定線遠(yuǎn) 離所述直流電壓輸入端一端與所述第二焊盤連接。9. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的功率放大器，其特征在于，所述扼流電感包括第四綁定線、第 五綁定線和螺旋電感;所述芯片包括第一焊盤和第二焊盤； 其中，所述螺旋電感的一端與所述第四綁定線的一端連接，另一端與所述第五綁定線 一端連接;所述第四綁定線遠(yuǎn)離所述螺旋電感一端通過第一焊盤與所述晶體管的漏極連 接;所述第五綁定線遠(yuǎn)離所述螺旋電感一端通過第二焊盤同時(shí)與所述去耦電容的一端、靜 電放電電路的一端連接;所述去耦電容及靜電放電電路原理所述第二焊盤一端接地； 所述直流電壓輸入端通過基板上的走線與第六綁定線的一端連接，所述第六綁定線遠(yuǎn) 離所述直流電壓輸入端一端與所述第二焊盤連接。10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的功率放大器，其特征在于，所述扼流電感包括第七綁定線、第 八綁定線和貼片電感;所述芯片包括第一焊盤和第二焊盤； 其中，所述貼片電感的一端與所述第七綁定線的一端連接，另一端與所述第八綁定線 一端連接;所述第七綁定線遠(yuǎn)離所述貼片電感一端通過第一焊盤與所述晶體管的漏極連 接;所述第八綁定線遠(yuǎn)離所述貼片電感一端通過第二焊盤同時(shí)與所述去耦電容的一端、靜 電放電電路的一端連接;所述去耦電容及靜電放電電路原理所述第二焊盤一端接地； 所述直流電壓輸入端通過基板上的走線與第九綁定線的一端連接，所述第九綁定線遠(yuǎn) 離所述直流電壓輸入端一端與所述第二焊盤連接。
【文檔編號】H03F3/24GK105871342SQ201610168524
【公開日】2016年8月17日
【申請日】2016年3月23日
【發(fā)明人】黃清華, 劉海玲, 陳高鵬
【申請人】宜確半導(dǎo)體（蘇州）有限公司