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多通道超高頻rfid天線開關(guān)切換器的制造方法

文檔序號(hào):9846334閱讀:964來源:國(guó)知局
多通道超高頻rfid天線開關(guān)切換器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及射頻識(shí)別技術(shù)領(lǐng)域,具體地說是一種多通道超高頻RFID天線開關(guān)切換器。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著物聯(lián)網(wǎng)行業(yè)的興起,作為數(shù)據(jù)采集讀寫器得到廣泛應(yīng)用,為了降低RFID系統(tǒng)應(yīng)用成本,減少讀寫器的使用數(shù)量,通過使用多通道RFID天線開關(guān)切換器,可以實(shí)現(xiàn)一臺(tái)讀寫器控制外圍多達(dá)64個(gè)天線(由于受到結(jié)構(gòu)布局,外圍控制邏輯局限,多通道暫定最多支持64通道),各天線間隨時(shí)任意切換,降低系統(tǒng)開發(fā)難度,提高系統(tǒng)開發(fā)效率。
[0003]但是現(xiàn)有技術(shù)還存在多種技術(shù)問題:I)插入損耗大,2)隔離度不達(dá)標(biāo),3)電路的阻抗不匹配。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足,本發(fā)明提供一種RFID多通道各天線端口間隔離度高,低插入損耗和各個(gè)通道任意切換的超高頻RFID天線開關(guān)切換器。
[0005]本發(fā)明的技術(shù)方案為:
[0006]多通道超高頻RFID天線開關(guān)切換器,包括輸入射頻信號(hào)連接接頭、低通濾波器單元、多路射頻通道單元、射頻通道匹配單元、控制邏輯單元和輸出射頻信號(hào)連接接頭;所述輸入射頻信號(hào)連接接頭連接低通濾波器單元輸入端,所述低通濾波器單元輸出端連接多路射頻通道單元輸入端,所述多路射頻通道單元設(shè)有射頻通道匹配單元和控制邏輯單元,所述多路射頻通道單元輸出端連接輸出射頻信號(hào)連接接頭。
[0007]所述低通濾波器單元包括第二高頻電感和第三隔直電容;所述多路射頻通道單元包括多個(gè)單通道單元;每個(gè)單通道單元均連接有控制邏輯單元;所述單通道單元包括第十PIN d1de管、第^^一PIN d1de管、第十二PIN d1de管和第十隔直電容,所述控制邏輯單元包括邏輯控制電平、第i^一隔直電容和第十高頻電感;
[0008]所述輸入射頻信號(hào)連接接頭分別連接第三隔直電容的正極和第二高頻電感的第一端,所述第三隔直電容的負(fù)極連接搭鐵,所述第二高頻電感的第二端連接第二隔直電容的正極,所述第二隔直電容的負(fù)極分別連接第十二PIN d1de管的負(fù)極和射頻通道匹配單元的輸入端,所述射頻通道匹配單元的輸出端連接搭鐵,所述第十二PIN d1de管的正極連接第i^一PIN d1de管的負(fù)極,所述第^^一PIN d1de管的正極連接第十PIN d1de管的負(fù)極,所述第十PIN d1de管的正極分別連接第十隔直電容的正極和第十高頻電感的第一端,所述第十高頻電感的第二端分別連接邏輯控制電平和第十一隔直電容的正極,所述第十隔直電容的負(fù)極連接輸出射頻信號(hào)連接接頭,所述第十一隔直電容的負(fù)極連接搭鐵。
[0009]進(jìn)一步地,多通道超高頻RFID天線開關(guān)切換器還包括第一高頻電感、第一隔直電容和第一限流負(fù)載電阻,所述第十二PIN d1de管的負(fù)極連接第一高頻電感的第一端,所述第一高頻電感的第二端連接第一限流負(fù)載電阻的第一端,所述第一限流負(fù)載電阻的第二端連接搭鐵,所述第一限流負(fù)載電阻并聯(lián)第一隔直電容;其作用是阻止低頻信號(hào)和直流信號(hào),通行高頻信號(hào)和交流信號(hào)。
[0010]進(jìn)一步地,所述射頻通道匹配單元為通道阻抗匹配電容。
[0011]進(jìn)一步地,所述輸出射頻信號(hào)連接接頭連接射頻輸出接口外接天線,所述射頻輸出接口外接天線連接搭鐵。
[0012]進(jìn)一步地,所述多路射頻通道單元包括2個(gè)、3個(gè)、4個(gè).......63個(gè)或64個(gè)單通道單元,多個(gè)單通道單元之間并聯(lián)設(shè)置,其作用是簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)并提高電路可靠性。
[0013]本發(fā)明的有益效果為:從PIN管在不同偏置電壓下的所呈現(xiàn)的開關(guān)特性入手,構(gòu)建了一款性能優(yōu)良的天線開關(guān)切換器,通過設(shè)置控制邏輯單元,實(shí)現(xiàn)通道端口在多副天線中的任意切換,通道的插入損耗均在I.5dB以內(nèi),隔離度則高達(dá)60dB。
【附圖說明】
[0014]圖1為本發(fā)明電路圖(由于畫幅較大,將其使用虛線框劃分為a、b、c三部分,并在圖2、3、4中放大顯示);
[0015]圖2為本發(fā)明a部分局部放大圖;
[0016]圖3為本發(fā)明b部分局部放大圖;
[0017]圖4為本發(fā)明c部分局部放大圖;
[0018]圖5為本發(fā)明原理框圖。
【具體實(shí)施方式】
[0019]下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】作進(jìn)一步說明:
[0020]實(shí)施例1(設(shè)有六個(gè)單通道單元)
[0021 ]如圖1-5所示,多通道超高頻RFID天線開關(guān)切換器,包括輸入射頻信號(hào)連接接頭RF-1N、低通濾波器單元、多路射頻通道單元、射頻通道匹配單元、控制邏輯單元和輸出射頻信號(hào)連接接頭;
[0022]所述低通濾波器單元包括第二高頻電感L2和第三隔直電容C3;所述多路射頻通道單元包括六個(gè)單通道單元;所述輸入射頻信號(hào)連接接頭分別連接第三隔直電容C3的正極和第二高頻電感L2的第一端,所述第三隔直電容C3的負(fù)極連接搭鐵,所述第二高頻電感L2的第二端連接第二隔直電容C2的正極,所述第二隔直電容C2的負(fù)極分別連接第十二PINd1de管D12的負(fù)極和射頻通道匹配單元的輸入端,所述射頻通道匹配單元的輸出端連接搭鐵,所述第十二PIN d1de管D12的正極連接第^^一PIN d1de管DlI的負(fù)極,所述第^^一PINd1de管DlI的正極連接第十PIN d1de管DlO的負(fù)極,所述第十PIN d1de管DlO的正極分別連接第十隔直電容ClO的正極和第十高頻電感LlO的第一端,所述第十高頻電感LlO的第二端分別連接第一邏輯控制電平CTRLl和第^^一隔直電容Cl I的正極,所述第十隔直電容ClO的負(fù)極連接第一輸出射頻信號(hào)連接接頭RF-OUTI,所述第^^一隔直電容C11的負(fù)極連接搭鐵;所述第一輸出射頻信號(hào)連接接頭RF-0UT1連接第一射頻輸出接口外接天線ANTl,所述第一射頻輸出接口外接天線ANTl連接搭鐵。
[0023]所述第二隔直電容C2的負(fù)極分別連接第二十二PINd1de管D22的負(fù)極,所述第二十二PIN d1de管D22的正極連接第二^^一PIN d1de管D21的負(fù)極,所述第二^^一PINd1de管D21的正極連接第二十PIN d1de管D20的負(fù)極,所述第二十PIN d1de管D20的正極分別連接第二十隔直電容C20的正極和第二十高頻電感L20的第一端,所述第二十高頻電感L20的第二端分別連接第二邏輯控制電平CTRL2和第二 ^^一隔直電容C21的正極,所述第二十隔直電容C20的負(fù)極連接第二輸出射頻信號(hào)連接接頭RF-0UT2,所述第二 ^^一隔直電容C21的負(fù)極連接搭鐵,所述第二輸出射頻信號(hào)連接接頭RF-0UT2連接第二射頻輸出接口外接天線ANT2,所述第二射頻輸出接口外接天線ANT2連接搭鐵。
[0024]所述第二隔直電容C2的負(fù)極分別連接第三十二PINd1de管D32的負(fù)極,所述第三十二PIN d1de管D32的正極連接第三^^一PIN d1de管D31的負(fù)極,所述第三^^一PINd1de管D31的正極連接第三十PIN d1de管D30的負(fù)極,所述第三十PIN d1de管D30的正極分別連接第三十隔直電容C30的正極和第三十高頻電感L30的第一端,所述第三十高頻電感L30的第二端分別連接第三邏輯控制電平CTRL3和第三^^一隔直電容C31的正極,所述第三十隔直電容C30的負(fù)極連接第三輸出射頻信號(hào)連接接頭RF-0UT3,所述第三^^一隔直電容C31的負(fù)極連接搭鐵,所述第三輸出射頻信號(hào)連接接頭RF-0UT3連接第三射頻輸出接口外接天線ANT3,所述第三射頻輸出接口外接天線ANT3連接搭鐵。
[0025]所述第二隔直電容C2的負(fù)極分別連接第四十二PINd1de管D42的負(fù)極,所述第四十二PIN d1de管D42的正極連接第四^^一PIN d1de管D41的負(fù)極,所述第四^^一PINd1de管D41的正極連接第四十PIN d1de管D41的負(fù)極,所述第四十PIN d1de管D41的正極分別連接第四十隔直電容C40的正極和第四十高頻電感L
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