檢測(cè)電阻轉(zhuǎn)換為數(shù)字的電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電路測(cè)量，具體地，涉及一種檢測(cè)電阻轉(zhuǎn)換為數(shù)字的電路。
【背景技術(shù)】
[0002]在很多的電路應(yīng)用中，需要在電路上電的初始時(shí)，給電路內(nèi)部的寄存器設(shè)定一個(gè)比較閾值。用這個(gè)比較閾值作為很多信號(hào)檢測(cè)電路的比較基準(zhǔn)，如果電路檢測(cè)到的信號(hào)超出了這個(gè)設(shè)定的閾值，則輸出中斷，警報(bào)或者使電路進(jìn)入新的狀態(tài)等。為了靈活的設(shè)置這個(gè)閾值有很多的辦法，比如采用寫寄存器、EEPROM(Electrically Erasable ProgrammableRead-Only Memory，帶電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器)、MTP(Multiple Time Programmable，多次可擦寫編程)以及檢測(cè)外接電阻、電容等多種方法實(shí)現(xiàn)。
[0003]簡(jiǎn)單，快速有效并低成本的初始化芯片的寄存器值在很多芯片應(yīng)用中都有需求。目前的電阻檢測(cè)方法中，電路復(fù)雜且為單電阻檢測(cè)，比如申請(qǐng)?zhí)枮镃N201320528726.3的專利申請(qǐng)，名稱為一種電阻檢測(cè)電路，使用了電流比較器，基準(zhǔn)源產(chǎn)生電路，延時(shí)電路等，不僅電路復(fù)雜，而檢測(cè)的僅僅是單個(gè)電阻。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中的缺陷，本發(fā)明的目的是提供一種檢測(cè)電阻轉(zhuǎn)換為數(shù)字的電路。
[0005]根據(jù)本發(fā)明提供的檢測(cè)電阻轉(zhuǎn)換為數(shù)字的電路，包括多個(gè)電流源、多個(gè)受控開關(guān)、開關(guān)S1、開關(guān)S2、電阻R1、電阻R2、開關(guān)S3、開關(guān)S4、開關(guān)S5、開關(guān)S6、比較器15、第一計(jì)數(shù)器、第二計(jì)數(shù)器以及解碼器；
[0006]其中，所述電流源的一端接地，另一端連接所述受控開關(guān)的一端，受控開關(guān)的另一端連接開關(guān)SI的一端、開關(guān)S2的一端;開關(guān)SI的另一端連接電阻Rl的一端，電阻Rl的另一端連接電源端口，開關(guān)S2的另一端連接電阻R2的一端，電阻R2的另一端連接電源端口；
[0007]開關(guān)S3的一端連接電阻Rl的一端，另一端連接比較器15的反相輸入端;所述比較器15的同相輸入端輸入電壓VR;當(dāng)比較器15的反相輸入端的輸入電壓小于電壓VR時(shí)，比較器15的輸出端向所述第一計(jì)數(shù)器或所述第二計(jì)數(shù)器輸出FLAG信號(hào)；當(dāng)所述第一計(jì)數(shù)器或所述第二計(jì)數(shù)器收到FLAG信號(hào)時(shí)，停止計(jì)數(shù)；
[0008]開關(guān)S5的一端、開關(guān)S6的一端連接時(shí)鐘信號(hào)源，開關(guān)S5的另一端連接所述第一計(jì)數(shù)器的信號(hào)輸入端，開關(guān)S6的另一端連接所述第二計(jì)數(shù)器的信號(hào)輸入端；
[0009]所述解碼器一方面用于將所述第一計(jì)數(shù)器和所述第二計(jì)數(shù)器輸入的計(jì)數(shù)信號(hào)進(jìn)行解碼生成比較閾值信號(hào)，并將所述比較閾值信號(hào)輸出至寄存器，另一方面用于控制受控開關(guān)、開關(guān)S1、開關(guān)S2、開關(guān)S3、開關(guān)S4、開關(guān)S5、開關(guān)S6的開閉。
[0010]優(yōu)選地，所述受控開關(guān)采用受控開關(guān)匪OS管;所述開關(guān)SI采用PMOS管M14，所述開關(guān)S2采用PMOS管Mll，所述開關(guān)S3采用PMOS管Ml2，所述開關(guān)S4采用PMOS管Ml3;
[0011]電流源NMOS管的S極連接電流源，D極連接PMOS管M14的S極、PMOS管Mll的S極;PMOS管M14的D極一方面連接電阻Rl的一端，另一方面連接PMOS管M12的S極;PMOS管Mll的D極一方面連接電阻R2的一端，另一方面連接PMOS管Ml 3的S極；
[0012]PMOS管Ml 2的D極、PMOS管Ml 3的D極連接比較器15的反相輸入端；
[0013]所述解碼器的第一選擇輸出端口連接PMOS管M14的G極、PMOS管M12的G極以及開關(guān)S5的控制端；
[0014]所述解碼器的第二選擇輸出端口連接PMOS管Mll的G極、PMOS管M13的G極以及開關(guān)S6的控制端；
[0015]所述解碼器的輸出口B3連接受控開關(guān)NMOS管的G極。
[0016]優(yōu)選地，還包括電阻R3、電阻R4、電阻R5、電阻R6、電阻R7、誤差運(yùn)放I21、PM0S管Ml以及NMOS管M2;
[0017]所述電流源采用電流源NMOS管；
[0018]電阻R3的一端連接電源端口，另一端連接電阻R4的一端，電阻R4的另一端接地，電阻R5的一端連接電源端口，另一端連接電阻R6的一端，電阻R6的另一端接地；
[0019]電阻R7的一端連接電源端口，另一端連接PMOS管Ml的D極，PMOS管Ml的S極連接匪OS管M2的D極，NMOS管M2的S極接地;誤差運(yùn)放121的反相輸入端連接電阻R7的另一端，同相輸入端連接電阻R3的另一端，輸出端連接PMOS管Ml的G極；
[0020]NMOS管M2的G極連接PMOS管Ml的S極、電流源NMOS管的G極。
[0021 ]優(yōu)選地，所述電流源、與所述受控開關(guān)一一對(duì)應(yīng)。
[0022]優(yōu)選地，所述電流源的數(shù)量為4個(gè)，分別為電流源匪OS管M3、電流源匪OS管M4、電流源NMOS管M5、電流源NMOS管M6 ；
[0023]所述受控開關(guān)匪OS管的數(shù)量為4個(gè)，分別為受控開關(guān)匪OS管M7、受控開關(guān)匪OS管M8、受控開關(guān)NMOS管M9、受控開關(guān)NMOS管Ml O ；
[0024]受控開關(guān)匪OS管M7的D極、受控開關(guān)匪OS管M8的D極、受控開關(guān)NMOS管M9的D極、受控開關(guān)NMOS管Ml O的D極連接PMOS管Ml 4的S極、PMOS管Ml I的S極；
[0025]受控開關(guān)匪OS管M7的S極連接電流源NMOS管M3的D極，受控開關(guān)匪OS管M8的S極連接電流源匪OS管M4的D極，受控開關(guān)匪OS管M9的S極連接電流源匪OS管M5的D極、受控開關(guān)NMOS管10的S極連接電流源NMOS管M6的D極；
[0026]受控開關(guān)匪OS管M7的G極、受控開關(guān)匪OS管M8的G極、受控開關(guān)NMOS管M9的G極、受控開關(guān)NMOS管Ml O的G極連接所述解碼器的輸出口 B3;
[0027]電流源匪OS管M3的S極、電流源匪OS管M4的S極、電流源匪OS管M5的S極、電流源NMOS管M6的S極接地；
[0028]電流源匪OS管M3的G極、電流源匪OS管M4的G極、電流源匪OS管M5的G極、電流源NMOS管M6的G極連接NMOS管M2的G極；
[0029]比較器15的同相輸入端連接電阻R5的另一端。
[0030]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有如下的有益效果:
[0031]1、本發(fā)明電路簡(jiǎn)單有效，布版圖的面積小，精度高，并且采用多電阻的組合，可以實(shí)現(xiàn)可擴(kuò)展的多個(gè)初始寄存器比較閾值；
[0032]2、本發(fā)明的電路可以工作在不同的電源電壓下而不影響最終結(jié)果；
[0033]3、本發(fā)明通過芯片外接的2個(gè)電阻的組合，可以快速有效的初始化芯片的寄存器值，這個(gè)寄存器值作為后續(xù)電路的比較閾值，由于是2個(gè)不同電阻的組合，可以實(shí)現(xiàn)多達(dá)幾十個(gè)不同的比較閾值。
【附圖說明】
[0034]通過閱讀參照以下附圖對(duì)非限制性實(shí)施例所作的詳細(xì)描述，本發(fā)明的其它特征、目的和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得更明顯:
[0035]圖1為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0036]圖2為本發(fā)明中模擬部分的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0037]下面結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明。以下實(shí)施例將有助于本領(lǐng)域的技術(shù)人員進(jìn)一步理解本發(fā)明，但不以任何形式限制本發(fā)明。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)。這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
[0038]在本實(shí)施例中，本發(fā)明提供的檢測(cè)電阻轉(zhuǎn)換為數(shù)字的電路，包括多個(gè)電流源、多個(gè)受控開關(guān)、開關(guān)S1、開關(guān)S2、電阻R1、電阻R2、開關(guān)S3、開關(guān)S4、開關(guān)S5、開關(guān)S6、比較器15、第一計(jì)數(shù)器、第二計(jì)數(shù)器以及解碼器；
[0039]其中，所述電流源的一端接地，另一端連接所述受控開關(guān)的一端，受控開關(guān)的另一端連接開關(guān)SI的一端、開關(guān)S2的一端;開關(guān)SI的另一端連接電阻Rl的一端，電阻Rl的另一端連接電源端口，開關(guān)S2的另一端連接電阻R2的一端，電阻R2的另一端連接電源端口；
[0040]開關(guān)S3的一端連接電阻Rl的一端，另一端連接比較器15的反相輸入端;所述比較器15的同相輸入端輸入電壓VR;當(dāng)比較器15的反相輸入端的輸入電壓小于電壓VR時(shí)，比較器15的輸出端向所述第一計(jì)數(shù)器或所述第二計(jì)數(shù)器輸出FLAG信號(hào)；當(dāng)所述第一計(jì)數(shù)器或所述第二計(jì)數(shù)器收到FLAG信號(hào)時(shí)，停止計(jì)數(shù)；
[0041]開關(guān)S5的一端、開關(guān)S6的一端連接時(shí)鐘信號(hào)源，開關(guān)S5的另一端連接所述第一計(jì)數(shù)器的信號(hào)輸入端，開關(guān)S6的另一端連接所述第二計(jì)數(shù)器的信號(hào)輸入端；
[0042]所述解碼器一方面用于將所述第一計(jì)數(shù)器和所述第二計(jì)數(shù)器輸入的計(jì)數(shù)信號(hào)進(jìn)行解碼生成比較閾值信號(hào)，并將所述比較閾值信號(hào)輸出至寄存器，另一方面用于控制受控開關(guān)、開關(guān)S1、開關(guān)S2、開關(guān)S3、開關(guān)S4、開關(guān)S5、開關(guān)S6的開閉。
[0043]所述受控開關(guān)采用受控開關(guān)NMOS管;所述開關(guān)SI采用PMOS管M14，所述開關(guān)S2采用PMOS管Mll，所述開關(guān)S3采用PMOS管Ml2，所述開關(guān)S4采用PMOS管Ml3;
[0044]電流源NMOS管的S極連接電流源，D極連接PMOS管Ml4的S極、PMOS管M11的S極;PMOS管M14的D極一方面連接電阻Rl的一端，另一方面連接PMOS管M12的S極;PMOS管Mll的D極一方面連接電阻R2的一端，另一方面連接PMOS管Ml 3的S極；
[0045 ] PMOS管M12的D極、PMOS管M13的D極連接比較器15的反相輸入端；
[0046]所述解碼器的第一選擇輸出端口連接PMOS管M14的G極、PMOS管M12的G極以及開關(guān)S5的控制端；
[0047]所述解碼器的第二選擇輸出端口連接PMOS管Ml I的G極、PMOS管Ml 3的G極以及開關(guān)S6的控制端；
[0048]所述解碼器的輸出口B3連接受控開關(guān)NMOS管的G極。
[0049]本發(fā)明提供的檢測(cè)電阻轉(zhuǎn)換為數(shù)字的電路，還包括電阻R3、電阻R4、電阻R5、電阻R6、電阻R7、誤差運(yùn)放121、PMOS管Ml以及NMOS管M2 ；
[0050]所述電流源采用電流源NMOS管；
[0051 ] 電阻R3的一端連接電源端口，另一端連接電阻R4的一端，電阻R4的另一端接地，電阻R5的一端連接電源端口，另一端連接電阻R6的一端，電阻R6的另一端接地；
[0052]電阻R7的一端連接電源端口，另一端連接PMO