電感耦合等離子處理裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電感耦合等離子處理裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]電感耦合等離子處理裝置是執(zhí)行蒸鍍工序、蝕刻工序等基板處理的裝置，在形成密閉處理空間的腔室主體與腔室主體的頂部設(shè)置電介質(zhì)，在電介質(zhì)的上側(cè)設(shè)置高頻(RF)天線，并向天線施加電源而在處理空間形成感應(yīng)場，根據(jù)感應(yīng)場而使處理氣體等離子化，從而執(zhí)行基板處理。
[0003]這時，關(guān)于所述電感耦合等離子處理裝置的基板處理的對象，只要是需要蒸鍍、蝕刻等基板處理的對象，任何基板皆可，如AM0LED基板、LCD面板用基板、半導(dǎo)體晶片等。
[0004]同時，隨著對大型基板的需求增加，需處理更多數(shù)量的基板，為了響應(yīng)因此而出現(xiàn)的增加生產(chǎn)速度的要求，執(zhí)行基板處理的電感耦合等離子處理裝置也呈現(xiàn)大型化的趨勢。
[0005]并且，隨著電感耦合等離子處理裝置的大型化，所使用的電介質(zhì)因其制造上的局限及便利而被分成多個，且通過框架部件而支撐被分割的多個電介質(zhì)。
[0006]但是，根據(jù)以往的電感耦合等離子處理裝置，多個電介質(zhì)被金屬材質(zhì)的框架部件支撐，設(shè)置在上部的天線因其與框架部件的相互作用所導(dǎo)致的渦電流(Eddy current)等，對處理空間內(nèi)形成的感應(yīng)場產(chǎn)生直接的影響，電場根據(jù)天線的位置而變得不均勻，難以實(shí)現(xiàn)均勻的基板處理。
[0007]尤其，根據(jù)以往的電感耦合等離子處理裝置，因多個電介質(zhì)的大小相同，設(shè)置在其上部的天線部件與相鄰的天線部件之間的間隔因設(shè)置位置而變得不同，從而導(dǎo)致電場不均勻，難以實(shí)現(xiàn)均勻的基板處理。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008](要解決的技術(shù)問題)
[0009]本發(fā)明的目的在于，為了解決如所述的問題點(diǎn)，提供一種感應(yīng)場等離子處理裝置，將天線部件適當(dāng)?shù)夭贾玫奖婚L方形格子框架支撐的多個電介質(zhì)上，從而在處理空間形成均勻的磁場。
[0010](解決問題的手段)
[0011]本發(fā)明為了達(dá)成如所述的本發(fā)明的目的而提出，本發(fā)明公開一種感應(yīng)場等離子處理裝置，包括:腔室主體，其上側(cè)形成具有不同的幅度及寬度的長方形開口部；電介質(zhì)組裝體，設(shè)置成覆蓋所述長方形開口部，包括多個長方形電介質(zhì)及支撐所述多個電介質(zhì)的格子框架；基板支架，設(shè)置在所述腔室主體而支撐基板；氣體噴射部，向所述處理空間噴射氣體；天線部，設(shè)置在所述電介質(zhì)組裝體的上部，在所述處理空間形成感應(yīng)場，其中，所述格子框架，包括:最外廓框架，以所述長方形開口部為基準(zhǔn)而形成最外廓；一個以上的內(nèi)側(cè)框架，位于所述最外廓框架的內(nèi)側(cè)，從所述最外廓框架的內(nèi)側(cè)到寬度方向及幅度方向的距離相同；所述天線部，包括:最外廓天線部件，被布置成從所述最外廓框架的內(nèi)側(cè)到寬度方向及幅度方向的距離相同；一個以上的內(nèi)側(cè)天線部件，被布置成從所述內(nèi)側(cè)框架的內(nèi)側(cè)及外側(cè)到寬度方向及幅度方向的距離相同。
[0012]所述內(nèi)側(cè)天線部件，被布置成從所述內(nèi)側(cè)框架的內(nèi)側(cè)及外側(cè)中的一側(cè)到寬度方向及幅度方向的距離相同。
[0013]所述外側(cè)天線部件及所述內(nèi)側(cè)天線部件，被布置成平面上天線部件所占區(qū)域的中心線之間的寬度方向及幅度方向的距離相同。
[0014]所述外側(cè)天線部件及所述內(nèi)側(cè)天線部件，被布置成平面上天線部件所占區(qū)域中最近的多個邊緣處之間的寬度方向及幅度方向的距離相同。
[0015]所述多個電介質(zhì)中，位于所述腔室主體的開口部的頂點(diǎn)處的電介質(zhì)，其平面形狀優(yōu)選為正方形。
[0016]所述外側(cè)天線部件及所述內(nèi)側(cè)天線部件，包括至少一部分相互分岔后重新匯合的一個以上的分貧部。
[0017]關(guān)于所述格子框架，所述格子框架優(yōu)選具有nXm排列(η及m為3以上的自然數(shù))的長方形開口。
[0018](發(fā)明的效果)
[0019]根據(jù)本發(fā)明的感應(yīng)場等離子處理裝置，通過適當(dāng)?shù)夭贾锰炀€部及電介質(zhì)組裝體，使電介質(zhì)組裝體對根據(jù)天線部件形成的感應(yīng)場所造成的影響均勻化，從而能夠使處理空間內(nèi)形成的感應(yīng)場更加均勻。
[0020]具體地說，由從最外廓框架及最外廓框架的內(nèi)側(cè)到寬度方向及幅度方向的距離相同的一個以上的內(nèi)側(cè)框架構(gòu)成支撐電介質(zhì)的格子框架；由布置成從最外廓框架的內(nèi)側(cè)到寬度方向及幅度方向的距離相同的最外廓天線部件，及布置成從內(nèi)側(cè)框架的內(nèi)側(cè)及外側(cè)到寬度方向及幅度方向的距離相同的一個以上的內(nèi)側(cè)天線部件構(gòu)成天線部；從而固定天線部件與框架之間的干涉，能夠使處理空間內(nèi)形成的感應(yīng)場更加均勻。
[0021]S卩，若天線部件與框架的之間的干涉是固定的，通過控制根據(jù)基板平面位置的氣體供應(yīng)量、溫度等其他變數(shù)，能夠更容易地實(shí)現(xiàn)處理空間內(nèi)形成的感應(yīng)場的均勻性。
【附圖說明】
[0022]圖1是呈現(xiàn)根據(jù)本發(fā)明的感應(yīng)場等離子處理裝置的側(cè)剖面圖。
[0023]圖2是通過簡化圖1的感應(yīng)場等離子處理裝置的天線部及電介質(zhì)組裝體而顯示天線區(qū)域的概念圖。
[0024]圖3是呈現(xiàn)圖2的天線部及電介質(zhì)組裝體的一例的平面圖。
[0025]圖4是呈現(xiàn)圖2的天線部及電介質(zhì)組裝體的變形例的概念圖。
[0026]圖5是呈現(xiàn)圖2的天線部中天線區(qū)域的中心線之間的距離的概念圖。
[0027]符號說明
[0028]100:真空腔室 150:電介質(zhì)組裝體
[0029]200:天線部
【具體實(shí)施方式】
[0030]下面，參照附圖而說明根據(jù)本發(fā)明的感應(yīng)場等離子處理裝置。
[0031]根據(jù)本發(fā)明的電感耦合等離子處理裝置，如圖1及圖2所圖示，包括:腔室主體110，其上側(cè)形成具有不同的幅度及寬度的長方形開口部；電介質(zhì)組裝體150，設(shè)置成覆蓋開口部；氣體噴射部120，向處理空間S噴射氣體；基板支架130，設(shè)置在腔室主體110而支撐基板10 ;天線部200，設(shè)置在電介質(zhì)組裝體150的上部，在處理空間S形成感應(yīng)場。
[0032]所述腔室主體110是用于形成處理空間S的結(jié)構(gòu)，只要是能夠承受住執(zhí)行工序所需的既定真空壓的結(jié)構(gòu)，任何結(jié)構(gòu)皆可。
[0033]優(yōu)選地，所述腔室主體110的形狀對應(yīng)于被處理基板10的形狀，形成用于基板10入出的一個以上的門111，為了消除處理空間S內(nèi)的壓力控制及副產(chǎn)物，可連接到與真空栗(未圖不)相連的排氣管180。
[0034]并且，用于覆蓋天線部200的上部鉛條140可拆卸地結(jié)合到所述腔室的主體110，從而支撐天線部200，屏蔽天線部200形成的感應(yīng)場。
[0035]所述氣體噴射部120是為了執(zhí)行工序而與氣體供應(yīng)裝置連接，向處理空間S噴射氣體的結(jié)構(gòu)，可采用多種結(jié)構(gòu)。
[0036]所述氣體噴射部120，如圖1所圖示，設(shè)置在腔室主體110的側(cè)壁或電介質(zhì)組裝體150的下側(cè)，可采用多種設(shè)置方式。
[0037]尤其，所述氣體噴射部120與圖1不同，可設(shè)置在支撐電介質(zhì)151的格子框架152上。
[0038]所述基板支架130是用于安放基板10的結(jié)構(gòu)，只要是能夠支撐基板10的結(jié)構(gòu)，任何結(jié)構(gòu)皆可，可根據(jù)工序而被施加電源或接地，可設(shè)有用于冷卻或加熱的熱傳遞部件。
[0039]所述電介質(zhì)組裝體150，如圖1至4所圖示，設(shè)置成覆蓋長方形開口部，包括多個長方形電介質(zhì)151及支撐多個電介質(zhì)151的格子框架152。
[0040]所述電介質(zhì)151，是為通過天線部200在處理空間S形成感應(yīng)場而夾雜到處理空間S與天線部200之間的結(jié)構(gòu)，可具有多種結(jié)構(gòu)，其材質(zhì)可以是石英、陶瓷等。
[0041]同時，所述電介質(zhì)151的平面形狀為長方形形狀，從而能夠被設(shè)置在通過格子框架152形成的長方形開口上。
[0042]并且，所述電介質(zhì)151，其大小可根據(jù)外廓部及中心部的位置而改變。
[0043]尤其，所述多個電介質(zhì)151中，位于腔室主體110的開口部的頂點(diǎn)處的電介質(zhì)151，其平面形狀優(yōu)選為正方形形狀。
[0044]若位于所述腔室主體110的開口部的頂點(diǎn)處的電介質(zhì)151的平面形狀為正方形形狀，能夠容易使得針對最外廓框架310的內(nèi)側(cè)框架320的寬度方向與幅度方向的距離相同。
[0045]所述格子框架152，是支撐多個電介質(zhì)151的結(jié)構(gòu)，可由一個以上的框架部件構(gòu)成，具有根據(jù)格子結(jié)構(gòu)形成的長方形開口。
[0046]這時，優(yōu)選地，如圖1所圖示，構(gòu)成格子框架152的框架部件形成能夠穩(wěn)定支撐電介質(zhì)151的臺階。
[0047]尤其，與后述的天線部200的布置相組合而形成處理空間S中的均勻的感應(yīng)場，優(yōu)選地，所述格子框架152，在形成格子結(jié)構(gòu)時，如圖1至圖4所圖示，包括:最外廓框架310，以長方形開口部為基準(zhǔn)而形成最外廓；一個以上的內(nèi)側(cè)框架320，位于最外廓框架310的內(nèi)偵牝從最外廓框架310的內(nèi)側(cè)到寬度方向(圖2的X軸方向)及幅度方向(圖2的Y軸方向)的距離相同。
[0048]這時