一種帶有清除雜質(zhì)功能的抗輻照的串并轉(zhuǎn)換裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于串并轉(zhuǎn)換技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種帶有清除雜質(zhì)功能的抗輻照的串并轉(zhuǎn)換裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]串并轉(zhuǎn)換電子設(shè)備的電子系統(tǒng)更易受到瞬態(tài)干擾，因此在串并轉(zhuǎn)換電子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)過程中不僅要考慮輻射總劑量的影響同時(shí)也要研究高能粒子引起的單粒子現(xiàn)象，由此就引入了抗輻照的措施。在引入了抗輻照的措施下，必然會(huì)增加部件的設(shè)置，另外隨著集成度的提高，串轉(zhuǎn)并電路的小型化趨勢也越來越高，這樣不可避免的就會(huì)使得串轉(zhuǎn)并電路的溫度升高，從而影響設(shè)備的正常運(yùn)行，故而就需要讓串轉(zhuǎn)并電路周圍環(huán)境的空氣保持流動(dòng)，時(shí)時(shí)帶走串轉(zhuǎn)并電路的熱量，但是由于空氣中往往帶有大量的雜質(zhì)顆粒物，這些雜質(zhì)顆粒物往往會(huì)附著在串轉(zhuǎn)并電路中，這樣也會(huì)對(duì)串轉(zhuǎn)并電路的性能帶來不好的影響。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的提供一種帶有清除雜質(zhì)功能的抗輻照的串并轉(zhuǎn)換裝置，包括串并轉(zhuǎn)換電路，所述的串并轉(zhuǎn)換電路安放在清除雜質(zhì)設(shè)備中，所述的串并轉(zhuǎn)換電路的器件源區(qū)用環(huán)形柵包圍，另外所述的清除雜質(zhì)設(shè)備含有第一中空罩體與安裝在第一中空罩體中的第二中空罩體，所述的第一中空罩體中安裝有馬達(dá)，所述的馬達(dá)的馬達(dá)軸上安裝著第一進(jìn)氣扇，所述的第一中空罩體的一頭是入風(fēng)口，所述的第一中空罩體的另一頭是顆粒雜質(zhì)導(dǎo)出口，所述的顆粒雜質(zhì)導(dǎo)出口上罩著帶有網(wǎng)孔的蓋體，這樣的結(jié)構(gòu)避免了現(xiàn)有技術(shù)的雜質(zhì)顆粒物往往會(huì)附著在串轉(zhuǎn)并電路中而會(huì)對(duì)串轉(zhuǎn)并電路的性能帶來不好的影響的缺陷。
[0004]為了克服現(xiàn)有技術(shù)中的不足，本發(fā)明提供了一種帶有清除雜質(zhì)功能的抗輻照的串并轉(zhuǎn)換裝置的解決方案，具體如下:
一種帶有清除雜質(zhì)功能的抗輻照的串并轉(zhuǎn)換裝置，包括串并轉(zhuǎn)換電路，所述的串并轉(zhuǎn)換電路安放在清除雜質(zhì)設(shè)備中，所述的串并轉(zhuǎn)換電路的器件源區(qū)用環(huán)形柵包圍，另外所述的清除雜質(zhì)設(shè)備含有第一中空罩體108與安裝在第一中空罩體108中的第二中空罩體109，所述的第一中空罩體108中安裝有馬達(dá)1010，所述的馬達(dá)1010的馬達(dá)軸上安裝著第一進(jìn)氣扇102，所述的第一中空罩體108的一頭是入風(fēng)口，所述的第一中空罩體108的另一頭是顆粒雜質(zhì)導(dǎo)出口，所述的顆粒雜質(zhì)導(dǎo)出口上罩著帶有網(wǎng)孔的蓋體106，所述的第二中空罩體109的一頭是入風(fēng)口，另外所述的第二中空罩體109的入風(fēng)口位置套繞著反滲透膜103，所述的第二中空罩體109上還設(shè)有出風(fēng)口，所述的出風(fēng)口透過所述的第一中空罩體108，另外所述的第二中空罩體109中安裝著為馬達(dá)1010啟動(dòng)的第二進(jìn)氣扇107，所述的第二進(jìn)氣扇107與反滲透膜103都安裝于馬達(dá)1010的馬達(dá)軸上，另外第二進(jìn)氣扇107設(shè)置在馬達(dá)102與反滲透膜103間，所述的串并轉(zhuǎn)換電路安裝在第二中空罩體109內(nèi)。
[0005]所述的環(huán)形柵能夠被Poly包源漏直柵代替。
[0006]所述的串并轉(zhuǎn)換電路包括TTL接口 101，所述的TTL接口 101帶有時(shí)鐘信號(hào)引腳、第一控制信號(hào)SEL引腳以及TTL信號(hào)的數(shù)據(jù)DATA的輸入引腳，所述的TTL接口 101同26bit的串行移位寄存器2相連接，所述的26bit的串行移位寄存器2同26bit的數(shù)據(jù)鎖存器3相連接，所述的26bit的串行移位寄存器2包括依次順序相連的2位移位寄存器4、第一 12位移位寄存器5和第二 12位移位寄存器6，而26bit的數(shù)據(jù)鎖存器3包括依次順序相連的2位數(shù)據(jù)鎖存器7、第一 12位數(shù)據(jù)鎖存器8和第二 12位數(shù)據(jù)鎖存器9，所述的26bit的串行移位寄存器2受第二控制信號(hào)DARY的控制，所述的2位移位寄存器4、第一 12位移位寄存器5和第二 12位移位寄存器6分別同2位數(shù)據(jù)鎖存器7、第一 12位數(shù)據(jù)鎖存器8和第二12位數(shù)據(jù)鎖存器9相連接，所述的、第一 12位數(shù)據(jù)鎖存器8和第二 12位數(shù)據(jù)鎖存器9還同12bit的2選I選擇器10相連接，所述的12bit的2選I選擇器10受第三控制信號(hào)T_R的控制，所述的12bit的2選I選擇器10還同差分驅(qū)動(dòng)器11相連接，另外所述的2位數(shù)據(jù)鎖存器7還通過與門12同差分驅(qū)動(dòng)器11相連接。
[0007]所述的串并轉(zhuǎn)換電路將輸入的0V~5V串行數(shù)據(jù)經(jīng)過TTL接口 101，轉(zhuǎn)換為并行數(shù)據(jù)，再通過差分驅(qū)動(dòng)器11電壓轉(zhuǎn)換，輸出0V~-5V的互補(bǔ)信號(hào)，具體說來如下:
第一控制信號(hào)SEL用于控制數(shù)據(jù)接收或者數(shù)據(jù)保持，即SEL為高電平時(shí)，電路處于數(shù)據(jù)保持狀態(tài)，不接收新的數(shù)據(jù)；SEL為低電平時(shí)，電路處于數(shù)據(jù)接收狀態(tài)，在時(shí)鐘信號(hào)CLK的下降沿接收TTL信號(hào)的數(shù)據(jù)DATA的輸入引腳的數(shù)據(jù)，串行移位寄存器進(jìn)行相應(yīng)的移位操作；在第二控制信號(hào)DARY的上升沿，將串行移位寄存器內(nèi)的數(shù)據(jù)加載到數(shù)據(jù)鎖存器中，電路輸出新的數(shù)據(jù)；
第三控制信號(hào)T_R用于選擇輸出發(fā)射和接收狀態(tài)的轉(zhuǎn)換控制信號(hào):T_R為高電平時(shí)，選擇輸出第一 12位數(shù)據(jù)鎖存器8中的A1~A12數(shù)據(jù)；T_R為低電平時(shí)，選擇輸出第二 12位數(shù)據(jù)鎖存器9中的B1~B12數(shù)據(jù)；輸出信號(hào)包括有S1~S12，rf_swl, rf_sw2，而S1~S12，rf_swl,rf_sw2都是經(jīng)過電壓轉(zhuǎn)換后的_5V~0V信號(hào)，每個(gè)輸出由一組互補(bǔ)信號(hào)組成，，即SI信號(hào)由SlM和SU-]組成…；其中S1~S12的[+]信號(hào)與C1~C12同相，S1-S12的[-]信號(hào)則是反相位，即Cl為高電平，則S1[+]=0V，S1[-]= -5V*"，rf_SWl是T_R信號(hào)對(duì)應(yīng)的互補(bǔ)信號(hào)輸出；rf_sw2是串行數(shù)據(jù)的第一位STO數(shù)據(jù)，第二位STl數(shù)據(jù)經(jīng)過與門后的互補(bǔ)信號(hào)輸出，STO和STl是對(duì)應(yīng)的串行輸入信號(hào)的第一位信號(hào)T0，第二位信號(hào)Tl的正常電壓驅(qū)動(dòng)輸出。
[0008]所述的串并轉(zhuǎn)換電路為正向設(shè)計(jì)，工藝上采用晶園1.2um SPDM N+襯底N-外延的P阱CMOS工藝，電路工作電壓為±5V，即采用晶園1.2um SPDM N-襯底的P阱CMOS工藝，串并轉(zhuǎn)換電路的PCM器件靜態(tài)耐壓為N_BVd=13V，P_BVd=14V，PMOS管的動(dòng)態(tài)耐壓到12V ；
外延層厚度的選取采用常規(guī)的N+襯底N-外；
而在版圖上對(duì)所有的MOS器件進(jìn)行了抗輻照的構(gòu)造，即所有MOS器件采用環(huán)形柵或者Poly包源漏直柵結(jié)構(gòu)，且由于采用環(huán)形柵，故內(nèi)部的所有MOS器件的W增大，L仍采用1.2um，典型尺寸設(shè)計(jì)如下:
NMOS典型尺寸為24u/l.2um，PMOS典型尺寸為50u/l.2um。
[0009]所述的馬達(dá)1010安裝于第一中空罩體108內(nèi)。
[0010]所述的第一中空罩體108與第二中空罩體109之間構(gòu)成顆粒雜質(zhì)通路105，所述的第一中空罩體108的反滲透膜103與出風(fēng)口間構(gòu)成干凈氣流通路104。
[0011]本發(fā)明第二進(jìn)氣扇107為馬達(dá)1010啟動(dòng)而轉(zhuǎn)動(dòng)，第二進(jìn)氣扇107在轉(zhuǎn)動(dòng)期間把帶有顆粒雜質(zhì)的氣流經(jīng)由反滲透膜103吸進(jìn)干凈氣流通路104內(nèi)，反滲透膜103把顆粒雜質(zhì)阻隔于干凈氣流通路104外部，顆粒雜質(zhì)于轉(zhuǎn)動(dòng)的反滲透膜103所產(chǎn)生的外向力所驅(qū)使而由反滲透膜103上分離，由此讓顆粒雜質(zhì)由反滲透膜103上分離，而于顆粒雜質(zhì)通路105中被導(dǎo)出清除雜質(zhì)設(shè)備的外部，無法混入干凈氣流通路104中，由此實(shí)現(xiàn)了清除顆粒雜質(zhì)的作用。
【附圖說明】
[0012]圖1為本發(fā)明的電路連接示意圖。
[0013]圖2為本發(fā)明的清除雜質(zhì)部件的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0014]下面結(jié)合附圖對(duì)
【發(fā)明內(nèi)容】
作進(jìn)一步說明:
參照?qǐng)D1、圖2所示，帶有清除雜質(zhì)功能的抗輻照的串并轉(zhuǎn)換裝置，包括串并轉(zhuǎn)換電路，所述的串并轉(zhuǎn)換電路安放在清除雜質(zhì)設(shè)備中，所述的串并轉(zhuǎn)換電路的器件源區(qū)用環(huán)形柵包圍，另外所述的清除雜質(zhì)設(shè)備含有第一中空罩體108與安裝在第一中空罩體108中的第二中空罩體109，所述的第一中空罩體108中安裝有馬達(dá)1010，所述的馬達(dá)1010的馬達(dá)軸上安裝著第一進(jìn)氣扇102，所述的第一中空罩體108的一頭是入風(fēng)口，所述的第一中空罩體108的另一頭是顆粒雜質(zhì)導(dǎo)出口，所述的顆粒雜質(zhì)導(dǎo)出口上罩著帶有網(wǎng)孔的蓋體106，所述的第二中空罩體109的一頭是入風(fēng)口，另外所述的第二中空罩體109的入風(fēng)口位置套繞著反滲透膜103，所述的第二中空罩體109上還設(shè)有出風(fēng)口，所述的出風(fēng)口透過所述的第一中空罩體108，另外所述的第二中空罩體109中安裝著為馬達(dá)1010啟動(dòng)的第二進(jìn)氣扇107，所述的第二進(jìn)氣扇107與反滲透膜103都安裝于馬達(dá)1010的馬達(dá)軸上，另外第二進(jìn)氣扇107設(shè)置在馬達(dá)102與反滲透膜103間，所述的串并轉(zhuǎn)換電路安裝在第二中空罩體109內(nèi)。
[0015]所述的第一中空罩體108與第二中空罩體109之間構(gòu)成顆粒雜質(zhì)通路105，所述的第一中空罩體108的反滲透膜103與出風(fēng)口間構(gòu)成干凈氣流通路104，所述的第二進(jìn)氣扇107為馬達(dá)1010啟動(dòng)而轉(zhuǎn)動(dòng)，第二進(jìn)氣扇107在轉(zhuǎn)動(dòng)期間把帶有顆粒雜質(zhì)的氣流經(jīng)由反滲透膜103吸進(jìn)干凈氣流通路104內(nèi)，反滲透膜103把顆粒雜質(zhì)阻隔于干凈氣流通路104外部，顆粒雜質(zhì)于轉(zhuǎn)動(dòng)的反滲透膜103所產(chǎn)生的外向力所驅(qū)使而由反滲透膜103上分離，由此讓顆粒雜質(zhì)由反滲透I旲103上分尚，而于顆粒雜質(zhì)通路105中被導(dǎo)出清除雜質(zhì)設(shè)備的外部，無法混入干凈氣流通路104中，由此實(shí)現(xiàn)了清除顆粒雜質(zhì)的作用。
[0016]所述的環(huán)形柵能夠被Poly包源漏直柵代替。
[0017]所述的串并轉(zhuǎn)換電路包括TTL接口 101，所述的TTL接口 101帶有時(shí)鐘信號(hào)引腳、第一控制信號(hào)SEL引腳以及TTL信號(hào)的數(shù)據(jù)DATA的輸入引腳，所述的TTL接口 101同26bit的串行移位寄存器2相連接，所述的26bit的串行移位寄存器2同26bit的數(shù)據(jù)鎖存器3相連接，所述的26bit的串行移位寄存器2包括依次順序相連的2位移位寄存器4、第一 12位移位寄存器5和第二 12位移位寄存器6，而26bit的數(shù)據(jù)鎖存器3包括依次順序相連的2位數(shù)據(jù)鎖存器7、第一 12位數(shù)據(jù)鎖存器8和第二 12位數(shù)據(jù)鎖存器9，所述的26bit的串行移位寄存器2受第二控制信號(hào)DARY的控制，所述的2位移位寄存器4、第一 12位移位寄存器5和第二 12位移位寄存器6分別同2位數(shù)據(jù)鎖存器7、第一 12位數(shù)據(jù)鎖存器8和第二12位數(shù)據(jù)鎖存器9相連接，所述的、第一 12位數(shù)據(jù)鎖存器8和第二 12位數(shù)據(jù)鎖存器9