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雙向可控硅零相位觸發(fā)開關(guān)的制作方法

文檔序號:7535575閱讀:437來源:國知局
專利名稱:雙向可控硅零相位觸發(fā)開關(guān)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本雙向可控硅零相位觸發(fā)開關(guān)實用新型屬于一種電子開關(guān)。
目前,以可控硅作控制開關(guān)的方案已經(jīng)很多。它們有的采用相移觸發(fā)方式,這種方案存在對其它電子設(shè)備干擾的缺點。也有的與現(xiàn)有機械開關(guān)互換時需要增加一條電線,互換比較麻煩。還有的可以與兩線開關(guān)互換方案是采用在橋式整流電路的直流輸出側(cè)用單向可控硅控制電路的通斷,橋式整流的二極管使開關(guān)導(dǎo)通電壓降、熱消耗和成本都增加了。
本實用新型的目的在于克服上述不足而提供一種具有低導(dǎo)通壓降、無波形失真、低成本的特點,而且還可以與兩引線開關(guān)方便互換的可控硅零相位觸發(fā)開關(guān)。
本實用新型由控制電路[1]、電源電路[2]、降壓電路[3]、雙相可控硅T、觸發(fā)控制三極管BG與降壓電阻R組成。電源電路[2]是給控制電路[1]和由觸發(fā)控制三極管BG經(jīng)限流電阻R觸發(fā)可控硅T的供電電路。當(dāng)可控硅處于截止?fàn)顟B(tài)時,交流電源一端B經(jīng)由電源電路[2]、通過降壓電路[3]經(jīng)過負(fù)載或者直接接到交流電源另一端A。當(dāng)可控硅處于導(dǎo)通狀態(tài)時,交流電源一端B經(jīng)由電源電路[2]、通過可控硅T經(jīng)過負(fù)載接到交流電源另一端A。這樣就保證了可控硅在截止和導(dǎo)通兩種狀態(tài)下電源電路[2]都能得到工作電流,從而保證了控制電路[1]和可控硅T觸發(fā)所需的工作電流。控制電路[1]可以是聲、光、電遙控或者手控的單穩(wěn)、雙穩(wěn)或即時電路來提供控制三極管BG的開關(guān)信號。
本實用新型由于開關(guān)可以和負(fù)載串聯(lián),這樣就可以只有兩條引線,與現(xiàn)有的兩線開關(guān)互換方便。采用了雙向可控硅零相位觸發(fā)電路,又較好地解決了可控硅導(dǎo)通和截止兩種狀態(tài)控制和觸發(fā)電路供電問題,避免了對其它電器的電磁干擾,降低了開通狀態(tài)壓降,減少了元件數(shù)量。


圖1是本實用新型的原理方框圖。
圖2至圖3是本實用新型的電源電路[2]兩種實施方案電路原理圖。
圖4至圖7是本實用新型的降壓電路[3]幾種實施方案電路原理圖。
下面結(jié)合方框圖和原理圖進(jìn)一步詳細(xì)說明。控制電路[1]的工作電源是在E、F點由電源電路[2]提供的,它控制三極管BG的導(dǎo)通和截止,三極管BG的導(dǎo)通和截止控制雙向可控硅T的導(dǎo)通和截止,雙向可控硅T的狀態(tài)決定該電子開關(guān)的開與關(guān)。圖1中降壓電路[3]可以是圖4到圖7的各種方案,電容C2是降壓元件,它不消耗有功功率、不產(chǎn)生熱量、又有利于提高電網(wǎng)功率因數(shù),圖5和圖6中的電阻R1是起吸收電容C1電荷作用,圖6和圖7中的電阻R2起緩沖作用。降壓電路[3]的一端接在電源電路[2]向控制電路[1]和雙向可控硅T觸發(fā)回路供電的結(jié)點E。降壓電路[3]的另一端可以接在負(fù)載RL和雙向可控硅T的第一極的結(jié)點G處,當(dāng)可控硅T截止時,由降壓電路[3]經(jīng)過負(fù)載RL向電源電路[2]供電,只要控制電路[1]耗電極小,則降壓元件C2就可以很小,從而使通過負(fù)載RL電流極小,而不影響負(fù)載RL的關(guān)斷狀態(tài),這種情況下,該開關(guān)可以和兩線開關(guān)互換。降壓電路[3]的另一端也可以和可控硅T一起接在交流電源一個輸入端A,無論可控硅T處于何種工作狀態(tài),降壓電路[3]都能向電源電路[2]供電,這種情況下,該開關(guān)比普通兩線開關(guān)多需要一條電源線。圖1中的電源電路[2]可以是圖2或圖3中的任意一種方案。E結(jié)點既是電源電路[2]的交流一個輸入端、還是電源電路[2]向控制電路[1]和可控硅T的控制極觸發(fā)回路供電的高電位端,F(xiàn)結(jié)點是電源電路[2]向控制電路[1]和可控硅T的控制極觸發(fā)回路中的三極管BG發(fā)射極供電的參考電位端,B端是電源電路[2]的交流電源另一個輸入端。當(dāng)交流電源E相對B為正時,圖2方案中電源由二極管組D3-Dn構(gòu)成回路,圖3方案中電源由二極管組D3-Dn到二極管D2構(gòu)成一個回路,控制電路[1]、可控硅T的第二極到控制極經(jīng)電阻R通過三極管BG的集電極到發(fā)射極、電容C1充電構(gòu)成另一回路,電壓由二極管組D3-Dn的個數(shù)決定;當(dāng)交流電源E相對B為負(fù)時,交流電源由二極管D1構(gòu)成回路,電容C1由于有二極管D2隔離只能向控制電路[1]和由三極管BG到電阻R向雙向可控硅T的控制極放電。這樣,電源電路[2]在交流兩個半波都能為交流提供通路,還能為控制電路[1]和雙向可控硅T的觸發(fā)回路提供直流工作電源。
權(quán)利要求1.一種雙向可控硅零相位觸發(fā)開關(guān),由雙向可控硅T、電阻R、三極管BG、控制電路[1]、電源電路[2]和降壓電路[3]組成,其特征是三極管BG的集電極經(jīng)過電阻R接到雙向可控硅T的控制極,三極管BG基極接到控制電路[1]的輸出端,三極管BG發(fā)射極與控制電路[1]的電源參考端都接到電源電路[2]的直流電源輸出參考端,電源電路[2]的直流電源輸出高電位端也是交流電源的一個輸入端與控制電路[1]的高電位端、雙向可控硅T的第二極、降壓電路[3]的輸出端相聯(lián),降壓電路[3]的另一端可以聯(lián)到負(fù)載電阻RL與雙向可控硅T第一極結(jié)點處、也可以和負(fù)載RL的另一端一起直接聯(lián)到交流電源的一端,交流電源的另一端聯(lián)到電源電路[2]的交流電源另一輸入端。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙向可控硅開關(guān),其特征在于電源電路[2]與雙向可控硅T第二極、控制電路[1]高電位端、降壓電路[3]輸出端的聯(lián)結(jié)點是由電解電容C1正極、二極管D1負(fù)極、二極管組D3-Dn中的D3正極組成,電源電路[2]與控制電路[1]的電源參考端、三極管BG發(fā)射極的聯(lián)結(jié)點是由電解電容C1負(fù)極與二極管D2正極組成或者是由電解電容C1負(fù)極、二極管D2正極與二極管組D3-Dn中Dn負(fù)極組成,二極管組D3-Dn可以由任意個同向串聯(lián)二極管組成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙向可控硅開關(guān),其特征在于降壓電路[3]的兩端是電容C2與電阻R1并聯(lián)后又與電阻R2串聯(lián)、或者是電容C2與電阻R1并聯(lián)、也可以是電容C2與電阻R2串聯(lián)、還可以只由電容C2組成。
專利摘要本實用新型屬于電子開關(guān)領(lǐng)域,公開了一種雙向可控硅零相位觸發(fā)開關(guān),它是由一只雙向可控硅1、一個電源電路2、一個降壓電路3、一個控制電路1和三極管BG、電阻R組成。該電子開關(guān)可以適用于與普通兩線開關(guān)的互換,具有對其它電子設(shè)備干擾小、導(dǎo)通壓降低的特點。
文檔編號H03K17/725GK2164150SQ9322153
公開日1994年5月4日 申請日期1993年8月10日 優(yōu)先權(quán)日1993年8月10日
發(fā)明者邵繼祥 申請人:邵繼祥
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