專利名稱：可控硅延時控制器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種可延時開通和延時關(guān)斷的可控硅延時控制器。
現(xiàn)有采用可控硅作延時控制的一般都是進(jìn)行延時關(guān)斷，無法實(shí)現(xiàn)延時開通，如中國專利87209664和88201786.1都只實(shí)現(xiàn)了延時關(guān)斷，其使用范圍較窄，一般用于控制照明電路中。現(xiàn)具有延時開通功能的延時控制器的開關(guān)執(zhí)行機(jī)構(gòu)都是采用有觸點(diǎn)的開關(guān)，有的采用機(jī)械式，但其結(jié)構(gòu)復(fù)雜，性能不穩(wěn)定，有的采用電子式的，即繼電器。如中國專利86209850所述的“延遲自釋開關(guān)”，由延時電路、觸發(fā)電路、繼電器和被控電路構(gòu)成。其開關(guān)執(zhí)行機(jī)構(gòu)采用繼電器，相應(yīng)壽命短，觸點(diǎn)可靠性差，在強(qiáng)電流接觸時易產(chǎn)生火花。而要采用可控硅作開關(guān)執(zhí)行機(jī)構(gòu)一般易產(chǎn)生誤觸發(fā)現(xiàn)象。其原因是接通電源瞬間，將產(chǎn)生較強(qiáng)的脈沖信號，這一信號通過觸發(fā)電路觸發(fā)可控硅瞬間導(dǎo)通，而一般用電電器都具有自保功能，所以可控硅瞬間導(dǎo)通后無法再截止，產(chǎn)生不了延時作用，形成誤觸發(fā)。
本實(shí)用新型的目的在于克服上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種采用可控硅作開關(guān)執(zhí)行機(jī)構(gòu)，相應(yīng)設(shè)置誤觸發(fā)抑制電路，使控制器使用壽命長，可靠性高、無誤觸發(fā)的可控硅延時控制器。
本實(shí)用新型的解決辦法是采用可控硅作開關(guān)執(zhí)行機(jī)構(gòu)，觸發(fā)電路采用積分整形電路，在可控硅陰極串接有接地二極管，二極管通過積分電路反饋到觸發(fā)電路上，與觸發(fā)電路上的接地電阻構(gòu)成誤觸發(fā)抑制電路。延時開通時，延時開通接電瞬間將有一高電位脈沖信號進(jìn)入觸發(fā)電路，積分整形電路對脈沖觸發(fā)信號進(jìn)行整形后降低其幅值，整形后的小電流對可控硅觸發(fā)導(dǎo)通。在可控硅導(dǎo)通的同時，可控硅陰極上接地的二極管有一電位降，使陰極的電位高于零電位，而與可控硅控制極相連的觸發(fā)電路通過接地電阻接地，所以這時可控硅的陰極電位高于控制極電位，使控制極成為負(fù)偏壓，可控硅截止，誤觸發(fā)信號得到抑制。當(dāng)延時開通延時完成后，延時電路輸出正電位，其輸出信號為直流信號，積分整形電路對直流信號無影響，所以可控硅控制極的電位高于陰極電位，可控硅導(dǎo)通，控制被控電路中用電電器工作。其延時關(guān)斷與現(xiàn)有方式相同。
與現(xiàn)有技術(shù)相比本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)由于本實(shí)用新型的開關(guān)執(zhí)行機(jī)構(gòu)采用了可控硅，相應(yīng)設(shè)置了誤觸發(fā)抑制電路，所以本實(shí)用新型可安全、可靠的用于控制需延時開通和斷開的用電電器，不會產(chǎn)生誤觸發(fā)現(xiàn)象，而且比使用繼電器壽命提高10倍以上。
本實(shí)用新型可結(jié)合附圖進(jìn)一步說明。


圖1為本實(shí)用新型電路方框圖；圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例電路圖兼摘要附圖。
本實(shí)用新型實(shí)施例如圖2所示，可控硅延時控制器由延時電路、觸發(fā)電路、開關(guān)執(zhí)行機(jī)構(gòu)、誤觸發(fā)抑制電路和被控電路組成，其中延時電路包括電位器W、電阻R1、充放電電容C1、電阻R2和正端接電容C1，負(fù)端接電位器W、輸出與觸發(fā)電路相接的運(yùn)算放大器F；觸發(fā)電路包括電阻R3、電容C2構(gòu)成的第一級積分整形電路和電阻R5、電容C3構(gòu)成的第二級積分整形電路；開關(guān)執(zhí)行機(jī)構(gòu)采用可控硅SCR；可控硅SCR陰極串接二個接地二極管D1、D2，通過第二級積分整形電路R5、C3反饋到觸發(fā)電路上，與觸發(fā)電路的接地電阻R4構(gòu)成誤觸發(fā)抑制電路，電容C3接一放電二極管D3；被控電路由橋式整流器D4～D7和用電電器Z構(gòu)成。本實(shí)施例的工作過程是預(yù)先調(diào)整電位器，設(shè)定所需延時時間，接通電源瞬間，瞬間正脈沖信號通過第一級積分整形電路和第二極積分整形電路后，使電流降到很少，小電流使可控硅SCR導(dǎo)通的同時，可控硅SCR陰極產(chǎn)生電位，通過二極管D1、D2產(chǎn)生電位降接地，相應(yīng)可控硅SCR陰極電位為正電位，高于通過電阻R4接地的控制極電位，使控制極電位成為負(fù)偏壓，可控硅截止，誤觸發(fā)信號得到抑制?？煽毓鑃CR陰極串接兩個二極管，確保了陰極電位在接電瞬間遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于控制極電位。隨著對延時電路的電容C1充電到預(yù)定時間后，電容C1端的電位高于電位器W的電位，運(yùn)算放大器F輸出正電位，其輸出電流為直流電，積分整形電路對其無影響，觸發(fā)可控硅SCR導(dǎo)通，控制用電電器Z工作。
權(quán)利要求1.一種可控硅延時控制器，由延時電路、觸發(fā)電路、開關(guān)執(zhí)行機(jī)構(gòu)和被控電路構(gòu)成，其特征在于開關(guān)執(zhí)行機(jī)構(gòu)采用可控硅SCR，觸發(fā)電路采用積分整形電路，在可控硅SCR陰極串接有接地二極管，二極管通過積分整形電路反饋到觸發(fā)電路上，與觸發(fā)電路上的接地電阻構(gòu)成誤觸發(fā)抑制電路。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可控硅延時控制器，其特征在于觸發(fā)電路由兩級積分整形電路構(gòu)成，可控硅SCR陰極串接的二極管 通過第二級積分整形電路反饋到觸發(fā)電路上，與觸發(fā)電路上接地電阻R構(gòu)成誤觸發(fā)抑制電路。
專利摘要本實(shí)用新型是一種可延時開通和斷開的可控硅延時控制器。本實(shí)用新型的特點(diǎn)是在現(xiàn)有由延時電路、觸發(fā)電路、開關(guān)執(zhí)行機(jī)構(gòu)和被控電路構(gòu)成的延時控制器基礎(chǔ)上，采用可控硅作開關(guān)執(zhí)行機(jī)構(gòu)，觸發(fā)電路采用積分整形電路，并設(shè)置誤觸發(fā)抑制電路，從而抑制了開通瞬間的脈沖電流對開關(guān)執(zhí)行機(jī)構(gòu)的誤觸發(fā)，使延時控制器工作可靠，使用壽命長，無誤觸發(fā)產(chǎn)生。并且其延時時間可根據(jù)使用需要進(jìn)行調(diào)整。
文檔編號H03K17/28GK2141150SQ9222170
公開日1993年8月25日 申請日期1992年11月9日 優(yōu)先權(quán)日1992年11月9日
發(fā)明者吳讓虞, 趙建金 申請人:綿陽市華豐無線電配件廠