本申請(qǐng)是申請(qǐng)?zhí)枮椤?01210596228.2”，申請(qǐng)日為“2012年12月31日”，發(fā)明名稱為“一種用于驅(qū)動(dòng)功率晶體管的驅(qū)動(dòng)電路”的發(fā)明專利申請(qǐng)的分案申請(qǐng)。

本發(fā)明一般地涉及電子電路，更特別地，涉及用于驅(qū)動(dòng)功率晶體管的驅(qū)動(dòng)電路。

背景技術(shù)：

電源電壓是通過(guò)電源電路提供給外部負(fù)載的。一般來(lái)說(shuō)，電源電路會(huì)包括串聯(lián)的高邊功率mos晶體管(highsidepowermostransistor)和低邊功率mos晶體管(lowsidepowermostransistor)。高邊功率mos晶體管可以耦接在用于接收電源電壓的電源端和用于向外部負(fù)載提供電源電壓的輸出端之間。低邊功率mos晶體管可以耦接在所述輸出端和用于接收參考電壓的參考端之間，其中參考電壓低于電源電壓。這兩種功率mos晶體管可以被開(kāi)啟或關(guān)閉，從而有選擇地將電源電壓提供給外部負(fù)載。

圖1所示為用于驅(qū)動(dòng)高邊功率pmos晶體管11的一種傳統(tǒng)驅(qū)動(dòng)電路10。如圖1所示，高邊功率pmos晶體管11耦接在電源端12和輸出端13之間，并且高邊功率pmos晶體管11的柵極耦接到控制端14用于接收操作信號(hào)vop。電阻15耦接在高邊功率pmos晶體管11的柵極和電源端12之間。當(dāng)操作信號(hào)vop在低電位的時(shí)候，高邊功率pmos晶體管11的柵-源電壓可以高于其閾值電壓，從而高邊功率pmos晶體管11被開(kāi)啟。然而，在電阻15上的大幅度壓降可能會(huì)產(chǎn)生流過(guò)電阻15的電流，這對(duì)于對(duì)高邊功率pmos晶體管11操作進(jìn)行控制的內(nèi)部控制電路將產(chǎn)生不良影響。

圖2所示為驅(qū)動(dòng)高邊功率pmos晶體管21的另一傳統(tǒng)驅(qū)動(dòng)電路20。如圖2所示，高邊功率pmos晶體管21耦接在電源端22和輸出端23之間。高邊功率pmos晶體管21的柵極耦接到控制端24用于接收操作信號(hào)vop。驅(qū)動(dòng)電路20還包括電流鏡25，該電流鏡25包括pmos晶體管25a和pmos晶體管25b。具體的，pmos晶體管25a和25b的柵極以及晶體管25a的漏極通過(guò)電阻26耦接到電源端22。pmos晶體管25a的漏極用于在開(kāi)關(guān)28的控制下從電流源27接收偏置電流，并且pmos晶體管25b的漏極耦接到高邊功率pmos晶體管21的柵極。電流鏡25可以基于來(lái)自電壓源27的偏置電流而產(chǎn)生一個(gè)鏡像電流并將該鏡像電流提供到高邊功率pmos晶體管21的柵極。

在操作中，當(dāng)開(kāi)關(guān)28開(kāi)啟的時(shí)候，所述偏置電流可以被提供到pmos晶體管25a的漏極，從而使得pmos晶體管25b被開(kāi)啟。因此，高邊功率pmos晶體管21的柵極可以被拉高到接近于電源電壓的電位，從而使得高邊功率pmos晶體管21被關(guān)閉。由上可知，驅(qū)動(dòng)電路20需要一個(gè)偏置電流以關(guān)閉高邊功率pmos晶體管21，這個(gè)偏置電流會(huì)顯著的增加驅(qū)動(dòng)電路20的關(guān)閉功耗。

當(dāng)開(kāi)關(guān)28被關(guān)閉的時(shí)候，pmos晶體管25b的柵極電位被升高到電源電壓從而導(dǎo)致pmos晶體管25b被關(guān)閉。在這樣的情況下，高邊功率pmos晶體管21的操作完全由操作信號(hào)vop決定。

圖3所示為另一種用于驅(qū)動(dòng)高邊功率pmos晶體管31的傳統(tǒng)驅(qū)動(dòng)電路30。如圖3所示，高邊功率pmos晶體管31耦接在電源端32和輸出端33之間。高邊功率pmos晶體管31的柵極耦接到控制端34用于接收操作信號(hào)vop。驅(qū)動(dòng)電路30包括耦接在電源端32和高邊功率pmos晶體管31的柵極之間的雙極晶體管35。電阻36耦接在雙極晶體管35的基極和集電極之間。雙極晶體管35的基極和電阻36的一端經(jīng)過(guò)開(kāi)關(guān)38耦接到電流源37。

在操作中，當(dāng)開(kāi)關(guān)38被開(kāi)啟的時(shí)候，電流源37向電阻36提供一個(gè)偏置電流，雙極晶體管35工作在準(zhǔn)基極-集電極相連的狀態(tài)，從而使得高邊功率pmos晶體管31的柵-源電壓被鉗位在低于雙極晶體管35的基極-發(fā)射極電壓的位置。因此，在這種情況下如果雙極晶體管35的閾值電壓低于高邊功率pmos晶體管31的閾值電壓，則高邊功率pmos晶體管31將被關(guān)閉。然而，雙極晶體管35的制造工藝可能會(huì)對(duì)高邊功率pmos晶體管31的關(guān)閉狀態(tài)產(chǎn)生不良影響。另外，當(dāng)高邊功率pmos晶體管31處于高溫條件下時(shí)，高邊功率pmos晶體管31可能會(huì)工作在亞閾值狀態(tài)。因此，由于高邊功率pmos晶體管31頗高的漏電流的存在，驅(qū)動(dòng)電路30的功耗可能被顯著提高。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

由于存在上述問(wèn)題，就需要一種用于驅(qū)動(dòng)功率晶體管的驅(qū)動(dòng)電路，這種驅(qū)動(dòng)電路有著較低的功耗，并且在工藝上的兼容性也有所提高，并且對(duì)于耦接到功率晶體管柵極并且用于控制該功率晶體管操作的內(nèi)部控制電路也不會(huì)產(chǎn)生影響。

根據(jù)本申請(qǐng)公開(kāi)了一種用于驅(qū)動(dòng)功率晶體管的驅(qū)動(dòng)電路，包括：轉(zhuǎn)換器，其包括串聯(lián)在電源端和參考端之間的第一晶體管和第二晶體管，用于接收第一信號(hào)并且根據(jù)該第一信號(hào)產(chǎn)生第二信號(hào)，從而基于所述第一晶體管的第一漏電流和所述第二晶體管的第二漏電流之比來(lái)利用所述第二信號(hào)有選擇地控制所述功率晶體管的狀態(tài)。

在一個(gè)實(shí)施例中，所述驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)一步包括與所述功率晶體管的柵極耦接的第一開(kāi)關(guān)，其中所述第一開(kāi)關(guān)由所述轉(zhuǎn)換器所產(chǎn)生的第二信號(hào)所控制。

在另一個(gè)實(shí)施例中，所述第一晶體管為pmos晶體管，其包括用于接收所述第一信號(hào)的第一柵極，與所述電源端耦接的第一源極，以及第一漏極；所述第二晶體管為nmos晶體管，其包括耦接到所述參考端的第二柵極和第二源極，以及耦接到所述第一晶體管的第一漏極的第二漏極，其中所述第二信號(hào)是在所述第二漏極處產(chǎn)生的。

在一個(gè)實(shí)施例中，所述第二晶體管為ndmos晶體管，并且所述第一漏電流是所述第一晶體管的漏-源漏電流，所述第二漏電流是所述第二晶體管的漏-襯底漏電流。

在另一個(gè)實(shí)施例中，所述第一晶體管的寬長(zhǎng)比(w/l)小于所述第二晶體管的寬長(zhǎng)比。

在一個(gè)實(shí)施例中，所述第一開(kāi)關(guān)是pmos晶體管，其包括第三柵極用于接收所述第二信號(hào)，與所述電源端耦接的第三源極，以及與所述功率晶體管柵極耦接的第三漏極。

在另一個(gè)實(shí)施例中，所述的驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)一步包括耦接在所述第一開(kāi)關(guān)的所述第三柵極和第三源極之間的鉗壓模塊。

在另一個(gè)實(shí)施例中，所述的驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)一步包括與所述轉(zhuǎn)換器耦接的信號(hào)發(fā)生器，用于接收控制信號(hào)并且根據(jù)所述控制信號(hào)產(chǎn)生所述第一信號(hào)。

在一個(gè)實(shí)施例中，所述信號(hào)發(fā)生器包括串聯(lián)的電流源，第二開(kāi)關(guān)和電阻，其中所述第二開(kāi)關(guān)耦接在所述電流源和所述電阻之間，所述電阻的一端與所述電源端耦接，所述電流源的一端與所述參考端耦接；并且所述第二開(kāi)關(guān)由所述控制信號(hào)所控制，并且所述第一信號(hào)在所述第二開(kāi)關(guān)與所述電阻相耦接的位置被輸出。

在另一個(gè)實(shí)施例中，所述第二開(kāi)關(guān)是nmos晶體管，其包括用于接收所述控制信號(hào)的第四柵極，與所述電阻耦接的第四漏極，以及與所述電流源耦接的第四源極。

通過(guò)使用本申請(qǐng)實(shí)施例中的驅(qū)動(dòng)電路，功率晶體管的漏電流以及柵-源電壓都被顯著降低，從而該功率晶體管可以被徹底關(guān)閉。與傳統(tǒng)的功率晶體管的驅(qū)動(dòng)電路相比，本申請(qǐng)公開(kāi)的驅(qū)動(dòng)電路具有更佳的效果。特別的，與圖1所示的傳統(tǒng)驅(qū)動(dòng)電路相比，本申請(qǐng)中的驅(qū)動(dòng)電路不會(huì)產(chǎn)生影響功率晶體管正常工作的電流；與圖2中所示的傳統(tǒng)晶體管相比，本申請(qǐng)中的驅(qū)動(dòng)電路不需要用于關(guān)閉功率晶體管的偏置電流，功耗因此而被降低；與圖3所示的驅(qū)動(dòng)電路相比，本申請(qǐng)中的驅(qū)動(dòng)電路不需要采用可能會(huì)影響功率管特性的另一種制造工藝。

上述內(nèi)容寬泛的對(duì)本申請(qǐng)進(jìn)行了勾勒。以下將對(duì)本申請(qǐng)的各項(xiàng)特征進(jìn)行介紹并構(gòu)成對(duì)本申請(qǐng)權(quán)利要求的主題。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)該理解，在此公開(kāi)的構(gòu)思和具體實(shí)施例可以作為改進(jìn)或設(shè)計(jì)其他結(jié)構(gòu)或過(guò)程的基礎(chǔ)并實(shí)現(xiàn)與本申請(qǐng)相同的目的。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)理解這樣的等同結(jié)構(gòu)并沒(méi)有偏離本申請(qǐng)權(quán)利要求的精神和范圍。

附圖說(shuō)明

為了對(duì)本申請(qǐng)及其優(yōu)點(diǎn)有更全面的理解，以下結(jié)合附圖進(jìn)行介紹，其中

圖1所示為一種用于驅(qū)動(dòng)高邊功率mos晶體管的傳統(tǒng)驅(qū)動(dòng)電路；

圖2所示為另一種用于驅(qū)動(dòng)高邊功率mos晶體管的傳統(tǒng)驅(qū)動(dòng)電路；

圖3所示為另一種用于驅(qū)動(dòng)高邊功率mos晶體管的傳統(tǒng)驅(qū)動(dòng)電路；

圖4所示為根據(jù)本申請(qǐng)一個(gè)實(shí)施例的用于驅(qū)動(dòng)功率晶體管的驅(qū)動(dòng)電路；

圖5為根據(jù)本申請(qǐng)另一個(gè)實(shí)施例的用于驅(qū)動(dòng)功率晶體管的驅(qū)動(dòng)電路；和

圖6為根據(jù)本申請(qǐng)另一個(gè)實(shí)施例的用于驅(qū)動(dòng)功率晶體管的驅(qū)動(dòng)電路。

具體實(shí)施方式

以下將對(duì)具體實(shí)施例的制造和使用進(jìn)行詳細(xì)介紹。但是應(yīng)該注意的是，本申請(qǐng)?zhí)峁┝撕芏嗫蓪?shí)施的并且有創(chuàng)造性的概念并且有著廣泛的體現(xiàn)方式。在此所討論的具體實(shí)施例僅僅是制造和使用本發(fā)明的具體方式的示范，而不應(yīng)該對(duì)本申請(qǐng)的范圍有所限制。

圖4所示為根據(jù)本申請(qǐng)的一個(gè)實(shí)施例用于驅(qū)動(dòng)功率晶體管的驅(qū)動(dòng)電路100。該驅(qū)動(dòng)電路100可以被用于驅(qū)動(dòng)功率晶體管101。在一個(gè)實(shí)施例中，功率晶體管101可以是高邊功率晶體管，并以串聯(lián)的方式與一個(gè)低邊功率晶體管耦接。所述高邊功率晶體管可以作為一個(gè)開(kāi)關(guān)來(lái)控制是否將電源電壓提供給外部負(fù)載。在另一個(gè)實(shí)施例中，功率晶體管101可以是低邊功率晶體管，則可以通過(guò)進(jìn)行適應(yīng)性變換來(lái)建立相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)電路而不偏離本申請(qǐng)的范圍。在實(shí)際應(yīng)用中，驅(qū)動(dòng)電路100可以被用于低壓差線性穩(wěn)壓器(lowdropoutregulator)，脈沖寬度調(diào)制電路(apulsewidthmodulationcircuit)，或者其他具有一個(gè)或多個(gè)功率晶體管的電路。

如圖4所示，驅(qū)動(dòng)電路100包括開(kāi)關(guān)103以及轉(zhuǎn)換器105。功率晶體管101耦接在電壓端107和輸出端109之間。電壓端107與電源，例如電池相耦接，用于接收電源電壓vs。輸出端109與外部負(fù)載(未示出)相耦接，用于有選擇地將電源電壓vs提供給該外部負(fù)載。在一個(gè)實(shí)施例中，所述電源是一個(gè)正電源，功率晶體管是pmos功率晶體管，其柵極耦接到電源端107，其漏極耦接到輸出端109。在其他實(shí)施例中，功率晶體管101可以是nmos功率晶體管，在這種情況下，可以對(duì)其他晶體管進(jìn)行適應(yīng)性的轉(zhuǎn)換以建立適用于nmos功率晶體管的驅(qū)動(dòng)電路。

開(kāi)關(guān)103可以與功率晶體管101的柵極耦接以控制功率晶體管101的狀態(tài)。在一個(gè)實(shí)施例中，開(kāi)關(guān)103可以是mos晶體管，例如pmos晶體管。開(kāi)關(guān)103的一端例如漏極耦接到功率晶體管101的柵極，開(kāi)關(guān)103的另一端例如源極耦接到電源端107。開(kāi)關(guān)103的狀態(tài)由其控制端111例如源極所接受到的信號(hào)所控制。在操作中，開(kāi)關(guān)103被開(kāi)啟的時(shí)候，功率晶體管101的柵極電壓被提升到電源電壓vs，因此該pmos功率晶體管101被關(guān)閉。當(dāng)開(kāi)關(guān)103被關(guān)閉的時(shí)候，功率晶體管101的柵極電壓僅僅由其所接收到的操作信號(hào)vop所控制。

在一個(gè)實(shí)施例中，轉(zhuǎn)換器105可以包括串聯(lián)的pmos晶體管113和nmos晶體管115。在一個(gè)實(shí)施例中，晶體管113的源極與電源端107相耦接，晶體管115的柵極和源極與參考端117耦接，參考端117接地或者用于接收一個(gè)低于電源電壓的電壓值。轉(zhuǎn)換器105用于在其輸入端119接收信號(hào)v1，并且相應(yīng)的在其輸出端121提供信號(hào)v2，輸出端121與開(kāi)關(guān)103的控制端111相耦接。轉(zhuǎn)換器105的輸入端119與晶體管113的柵極耦接。轉(zhuǎn)換器105的輸出端121與晶體管113和晶體管115的漏極耦接。

在一個(gè)實(shí)施例中，晶體管115可以使ndmos(n型雙擴(kuò)散晶體管，n-typedoublediffusedtransistor)。根據(jù)dmos的物理特性，由于n-阱或者漂移區(qū)的存在與p型襯底之間形成了類似于二極管的結(jié)構(gòu)，從而形成了可觀的漏極-襯底漏電流。在一個(gè)實(shí)施例中，晶體管115的漏極-襯底漏電流可以達(dá)到納安的數(shù)量級(jí)。相對(duì)的，晶體管113的漏極-源極漏電流遠(yuǎn)小于晶體管115的漏極-襯底漏電流，并且其數(shù)量級(jí)僅僅可以達(dá)到皮安的水平。這是因?yàn)?，晶體管113的漏極到源極的漏電流必須流經(jīng)漏極和源極之間的n型區(qū)。在一個(gè)實(shí)施例中，可以采用bcd(bipolar,cmos,dmos)工藝來(lái)制造驅(qū)動(dòng)電路100。

在操作中，信號(hào)v1可以處于第一電位以關(guān)閉晶體管113.晶體管115總是處于關(guān)閉狀態(tài)因?yàn)槠鋿艠O和源極是耦接在一起的。在這樣的情況下，在輸出端121產(chǎn)生的信號(hào)v2由晶體管113的漏極-源極漏電流和晶體管115的漏極-襯底漏電流來(lái)決定。具體的，如上所述，晶體管113的漏極-源極漏電流遠(yuǎn)小于晶體管115的漏極-襯底漏電流，這意味著上述兩個(gè)漏電流之比遠(yuǎn)小于1。因此，輸出端121的電壓可以被下拉到參考電壓例如地電壓。在這種情況下，開(kāi)關(guān)103可以被開(kāi)啟，而在功率晶體管101柵極的電壓則被上拉倒接近vs的電位從而導(dǎo)致功率晶體管101被關(guān)閉。

在一些實(shí)施例中，mos晶體管的寬長(zhǎng)比(width-to-lengthratio)對(duì)其漏電流有著重大影響，或者更具體的說(shuō)漏電流一般與晶體管的寬長(zhǎng)比成比例。因此，可以對(duì)晶體管113和晶體管115的寬長(zhǎng)比進(jìn)行調(diào)整以進(jìn)一步保證晶體管113的漏極-源極漏電流遠(yuǎn)小于晶體管115的漏極-襯底漏電流，從而開(kāi)關(guān)103可以被開(kāi)啟，功率晶體管101可以被徹底關(guān)閉。例如，晶體管113和晶體管115的可以如下所示：

另外，信號(hào)v1可以處于第二電位以開(kāi)啟晶體管113。信號(hào)v2可以被拉高到電源電壓vs。因此，開(kāi)關(guān)103被關(guān)閉，功率晶體管101的操作可以僅僅由信號(hào)vop所決定。

如上所述，當(dāng)功率晶體管101被關(guān)閉并停止向外部負(fù)載提供電源電壓的時(shí)候，轉(zhuǎn)換器105的晶體管113與晶體管115都處于關(guān)閉狀態(tài)，只有漏電流流經(jīng)晶體管113與晶體管115。因此，在功率管101關(guān)閉的狀態(tài)下，驅(qū)動(dòng)電路100的功耗遠(yuǎn)小于傳統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)電路。

圖5所示為根據(jù)本申請(qǐng)一個(gè)實(shí)施例的用于驅(qū)動(dòng)功率晶體管201的驅(qū)動(dòng)電路200。功率晶體管201可以是高邊功率晶體管，并可以與低邊功率晶體管以串聯(lián)方式耦接。

如圖5所示，驅(qū)動(dòng)電路200包括開(kāi)關(guān)203，轉(zhuǎn)換器205以及信號(hào)發(fā)生器206。轉(zhuǎn)換器205包括以串聯(lián)方式相耦接的pmos晶體管213和nmos晶體管215。除了在晶體管213柵極的信號(hào)v1由信號(hào)發(fā)生器206所產(chǎn)生以外，201，203，213以及215的特性和設(shè)置與圖4中的101，103，113和115基本相同。

信號(hào)發(fā)生器206用于接收控制信號(hào)vcon，并且根據(jù)vcon產(chǎn)生信號(hào)v1。在一個(gè)實(shí)施例中，信號(hào)發(fā)生器206包括以串聯(lián)方式耦接在電壓端207和參考端211之間的電流源208和電阻210。具體的，電阻210耦接到電源端207，電流源208耦接到參考端211。電流源208為電阻210提供偏置電流以在電阻210上產(chǎn)生壓降。信號(hào)發(fā)生器206還包括耦接在電流源208和電阻210之間的開(kāi)關(guān)212，用于在其控制端接收信號(hào)vcon，并據(jù)此在開(kāi)關(guān)212和電阻210的公共端214產(chǎn)生信號(hào)v1。在一個(gè)實(shí)施例中，開(kāi)關(guān)212可以是mos晶體管，例如nmos晶體管。

在操作中，當(dāng)開(kāi)關(guān)212被控制信號(hào)vcon關(guān)閉時(shí)，在公共端214的電壓被拉高到電源電壓vs，從而導(dǎo)致晶體管213被關(guān)閉。當(dāng)開(kāi)關(guān)212被控制信號(hào)vcon開(kāi)啟時(shí)，在公共端214的電壓被下拉到電源電壓vs減去電阻210上壓降的位置。通過(guò)對(duì)電阻210的阻值和偏置電流進(jìn)行具體設(shè)計(jì)，電阻210上的壓降可以被調(diào)整為接近電源電壓vs的水平，從而使得在公共端214的信號(hào)v1可以達(dá)到能夠開(kāi)啟晶體管213的低電位。晶體管215總是關(guān)閉的，因其柵極和源極是耦接在一起的。在這種情況下，晶體管213和晶體管215都是關(guān)閉的，因此在轉(zhuǎn)換器205的輸出端221可以基于晶體管213的漏極-源極漏電流和晶體管215的漏極-襯底漏電流之比而產(chǎn)生用于控制開(kāi)關(guān)203以關(guān)閉功率晶體管201的信號(hào)v2。

本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)該理解其他類型的信號(hào)發(fā)生器也可以在此被用于產(chǎn)生信號(hào)v1。

圖6所示為根據(jù)本申請(qǐng)一個(gè)實(shí)施例的用于驅(qū)動(dòng)功率晶體管301的驅(qū)動(dòng)電路300。如圖6所示，驅(qū)動(dòng)電路300包括開(kāi)關(guān)303其可以是例如pmos晶體管，包括以串聯(lián)方式耦接的pmos晶體管313和nmos晶體管315的轉(zhuǎn)換器305，信號(hào)發(fā)生器306，以及電壓鉗位模塊317。除了在晶體管313柵極接收的信號(hào)v1是由信號(hào)發(fā)生器306產(chǎn)生的，以及開(kāi)關(guān)303的柵極-源極電壓被電壓鉗位模塊317所鉗位以外，301，303，313和315的特性以及操作與圖1中的101，103，113和115基本相同。

在一個(gè)實(shí)施例中，信號(hào)發(fā)生器306包括以串聯(lián)方式耦接的電阻310，nmos晶體管312以及電流鏡316，其中電阻310的一端與電壓端307相耦接，電流鏡316的一端與參考端耦接，nmos晶體管312耦接在電阻310和電流鏡316之間。電流鏡316包括一對(duì)nmos晶體管318和320，這對(duì)nmos晶體管的柵極耦接在一起。晶體管318用于在其耦接在一起的漏極和柵極接收參考電流，晶體管320用于根據(jù)這兩個(gè)晶體管的寬長(zhǎng)比來(lái)提供與所述參考電流成比例的偏置電流。所述偏置電流被提供給電阻310以根據(jù)nmos晶體管312的狀態(tài)在電阻310上產(chǎn)生電壓變化。

在操作中，當(dāng)nmos晶體管312被其柵極所接收到的信號(hào)vcon所開(kāi)啟時(shí)，所述偏置電流會(huì)在電阻310上產(chǎn)生電壓變化。因此，通過(guò)具體地配置電阻310和偏置電流，在電阻310和nmos晶體管312的公共端314的電壓v1可以被下拉至可以是晶體管313開(kāi)啟的低電位?？蛇x的，nmos晶體管312可以被信號(hào)vcon關(guān)閉，在電阻310和nmos晶體管312的公共端314的電壓v1可以被上拉至電源電壓vs以關(guān)閉晶體管313。在這種情況下，開(kāi)關(guān)303的狀態(tài)可以基于晶體管313的漏極-源極漏電流和晶體管315的漏極-襯底漏電流之比而決定。

在一個(gè)實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)電路300還包括耦接在電源端307和開(kāi)關(guān)303柵極的電壓鉗位模塊317，用于對(duì)電壓端307和開(kāi)關(guān)303柵極之間的電壓進(jìn)行鉗位，使其低于預(yù)定水平。這樣的配置是為了在電源電壓vs出現(xiàn)意外峰值的時(shí)候?qū)mos晶體管303加以保護(hù)。在一些實(shí)施例中，電壓鉗位模塊317包括一個(gè)或多個(gè)串聯(lián)的齊納二極管或串聯(lián)的二極管形式連接的雙極晶體管或mos晶體管。

在一些實(shí)施例中，nmos晶體管315和312可以是dmos晶體管。由于dmos晶體管的漂移區(qū)可以承受很大的壓降，nmos晶體管315和312可以用于區(qū)分驅(qū)動(dòng)電路300的高壓和低壓部分。

本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)該理解在材料和方法可以在本是申請(qǐng)的范圍內(nèi)發(fā)生變化，本申請(qǐng)除了提供了示意性的具體實(shí)施例以外還提供了很多可實(shí)施的創(chuàng)造性概念。因此，上述過(guò)程，機(jī)器，物質(zhì)組分，手段，方法或步驟都被涵蓋在本申請(qǐng)權(quán)利要求的范圍內(nèi)。