本發(fā)明涉及量子干涉裝置、原子振蕩器、電子設(shè)備以及移動(dòng)體。

背景技術(shù)：

一直以來(lái)，公知例如基于銣、銫等堿金屬的原子的能量轉(zhuǎn)變來(lái)進(jìn)行振蕩的振蕩器。

作為這樣的振蕩器，專(zhuān)利文獻(xiàn)1中公開(kāi)了如下的原子鐘表：具有vcsel(垂直共振器面發(fā)射激光器)、室以及光檢測(cè)器、和收納它們的封裝件。此外，專(zhuān)利文獻(xiàn)1的原子鐘表為了將vcsel的溫度保持恒定，具有向vcsel提供熱能的加熱模塊和包圍vcsel的等溫箱(isothermalcage)。

此外，專(zhuān)利文獻(xiàn)2中公開(kāi)了一種原子鐘表系統(tǒng)，該原子鐘表系統(tǒng)具有：具有vcsel、室、光電二極管以及加熱元件的器件、包圍器件的橋接框架、以及連接器件與橋接框架的系鏈。該專(zhuān)利文獻(xiàn)2的原子鐘表系統(tǒng)為了減少導(dǎo)熱引起的vcsel的溫度變化，利用導(dǎo)熱性低的材料構(gòu)成系鏈。此外，專(zhuān)利文獻(xiàn)2的原子鐘表系統(tǒng)為了使導(dǎo)熱或?qū)α鲗?dǎo)致的熱損耗成為最小限度，將器件、橋接框架以及系鏈?zhǔn)占{在真空器件內(nèi)。

專(zhuān)利文獻(xiàn)1：日本特許第5785380號(hào)公報(bào)

專(zhuān)利文獻(xiàn)2：日本特許第4972550號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

發(fā)明要解決的課題

但是，在專(zhuān)利文獻(xiàn)1的原子鐘表和專(zhuān)利文獻(xiàn)2的原子鐘表系統(tǒng)中，實(shí)現(xiàn)了減少導(dǎo)熱或?qū)α鲗?dǎo)致的vcsel的溫度變化，但對(duì)于輻射引起的vcsel的溫度變化，對(duì)策并不充分。因此，在這樣的現(xiàn)有振蕩器中，存在不能抑制由于vcsel的溫度變化而產(chǎn)生的激光的波長(zhǎng)變動(dòng)的問(wèn)題。

本發(fā)明的目的在于，提供能夠抑制光源的溫度變化并抑制從光源射出的光的波長(zhǎng)變動(dòng)的量子干涉裝置以及原子振蕩器，并且提供具有該量子干涉裝置的可靠性優(yōu)異的電子設(shè)備以及移動(dòng)體。

本發(fā)明是為了解決上述課題的至少一部分而完成的，能夠通過(guò)以下的本發(fā)明來(lái)實(shí)現(xiàn)。

本發(fā)明的量子干涉裝置的特征在于，其具有：原子室，其密封有堿金屬原子；光源，其射出激勵(lì)所述原子室內(nèi)的所述堿金屬原子的光；光檢測(cè)部，其檢測(cè)透過(guò)所述原子室的所述光；封裝件，其具有至少收納所述光源的內(nèi)部空間；以及反射部，其配置在所述封裝件的內(nèi)表面與所述光源之間，對(duì)于波長(zhǎng)4μm的電磁波的反射率為50％以上。

根據(jù)這樣的量子干涉裝置，能夠抑制封裝件與光源之間的輻射產(chǎn)生的熱傳遞。因此，能夠抑制光源的溫度變化，其結(jié)果是能夠抑制從光源射出的光的波長(zhǎng)的變動(dòng)。

本發(fā)明的量子干涉裝置中優(yōu)選為：所述反射部設(shè)置在所述光源的外表面。

由此，能夠有效地減少?gòu)墓庠聪蚍庋b件傳遞輻射熱。

本發(fā)明的量子干涉裝置中優(yōu)選為：所述反射部設(shè)置在所述封裝件的內(nèi)表面。

由此，能夠利用反射部使光源的輻射熱高效地反射，從而能夠減少光源的熱量向封裝件逃逸。因此，能夠有效抑制光源的溫度變化。

本發(fā)明的量子干涉裝置中優(yōu)選為：所述反射部相對(duì)于所述光源設(shè)置在射出所述光的一側(cè)。

由此，光源的射出光的部分尤其容易受到溫度變化的影響，因此，能夠更顯著地發(fā)揮抑制光源的溫度變化的效果，其結(jié)果是能夠更有效地抑制光的波長(zhǎng)變動(dòng)。

本發(fā)明的量子干涉裝置中優(yōu)選為：具有支承所述光源的支承部，所述反射部相對(duì)于所述支承部設(shè)置在所述光源側(cè)。

由此，能夠有效減少封裝件與光源之間的輻射產(chǎn)生的熱傳遞。

本發(fā)明的量子干涉裝置中優(yōu)選為：所述內(nèi)部空間被減壓至比大氣壓低。

由此，能夠減少內(nèi)部空間中的對(duì)流引起光源的溫度變化。

本發(fā)明的量子干涉裝置中優(yōu)選為：具有將所述原子室和所述光源一并支承于所述封裝件的支承部件，所述支承部件的導(dǎo)熱率為0.1w·m^-1·k^-1以上40.0w·m^-1·k^-1以下。

由此，能夠抑制經(jīng)由光源與封裝件之間的支承部件的導(dǎo)熱，從而能夠減少光源的溫度變化。

本發(fā)明的原子振蕩器的特征在于具有本發(fā)明的量子干涉裝置。

由此，能夠提供能夠抑制光源的溫度變化并抑制從光源射出的光的波長(zhǎng)變動(dòng)的原子振蕩器。

本發(fā)明的電子設(shè)備的特征在于具有本發(fā)明的量子干涉裝置。

由此，能夠提供具有優(yōu)異的可靠性的電子設(shè)備。

本發(fā)明的移動(dòng)體的特征在于具有本發(fā)明的量子干涉裝置。

由此，能夠提供具有優(yōu)異的可靠性的移動(dòng)體。

附圖說(shuō)明

圖1是示出具有本發(fā)明第1實(shí)施方式的量子干涉裝置的原子振蕩器的概要結(jié)構(gòu)圖。

圖2是示出圖1所示的原子振蕩器的概要結(jié)構(gòu)的剖視圖。

圖3是沿圖2所示的a-a線的剖視圖。

圖4是用于說(shuō)明圖2所示的原子室和連接部件的圖。

圖5是示出具有本發(fā)明第2實(shí)施方式的量子干涉裝置的原子振蕩器所具有的原子室單元的示意剖視圖。

圖6是示出具有本發(fā)明第3實(shí)施方式的量子干涉裝置的原子振蕩器的概要結(jié)構(gòu)的剖視圖。

圖7是示出具有本發(fā)明第4實(shí)施方式的量子干涉裝置的原子振蕩器的概要結(jié)構(gòu)的剖視圖。

圖8是示出具有本發(fā)明第5實(shí)施方式的量子干涉裝置的原子振蕩器的概要結(jié)構(gòu)的剖視圖。

圖9是示出在利用gps衛(wèi)星的定位系統(tǒng)中使用具有本發(fā)明的量子干涉裝置的原子振蕩器的情況下的概要結(jié)構(gòu)的圖。

圖10是示出具備具有本發(fā)明的量子干涉裝置的原子振蕩器的移動(dòng)體(汽車(chē))的結(jié)構(gòu)的立體圖。

標(biāo)號(hào)說(shuō)明

1：原子振蕩器；1a：原子振蕩器；1b：原子振蕩器；1c：原子振蕩器；1d：原子振蕩器；2：原子室單元；2b：原子室單元；2d：原子室單元；3：封裝件；5：支承部件；6：控制部；8：支承部件；10：封裝部；20：隔離件；21：原子室；22：光源；24：光檢測(cè)部；25：加熱器；26：溫度傳感器；27：線圈；28：基板；29：連接部件；30：粘接劑；31：基體；32：蓋體；34：端子；51：腳部；52：連結(jié)部；53：柱部；61：光源控制部；62：溫度控制部；63：磁場(chǎng)控制部；72：反射部；74：反射部；82：腳部；83：支承部件；85：等溫箱；100：定位系統(tǒng)；200：gps衛(wèi)星；201：基板；202：框架部；203：孔；211：主體部；212：透光部；213：透光部；214：貫通孔；222：發(fā)光部；231：光學(xué)部件；232：光學(xué)部件；240：連接部件；280：柱部；291：連接部件；292：連接部件；300：基站裝置；301：天線；302：接收裝置；303：天線；304：發(fā)送裝置；400：gps接收裝置；401：天線；402：衛(wèi)星接收部；403：天線；404：基站接收部；711：反射部；712：反射部；731：反射部；732：反射部；751：反射部；752：反射部；811：框體；812：片部件；813：片部件；831：腳部；851：開(kāi)口部；1500：移動(dòng)體；1501：車(chē)體；1502：車(chē)輪；ll：光；s：內(nèi)部空間；s1：內(nèi)部空間；s2：空間；s3：空間；a：光軸。

具體實(shí)施方式

下面，根據(jù)附圖所示的優(yōu)選實(shí)施方式，對(duì)本發(fā)明的量子干涉裝置、原子振蕩器、電子設(shè)備以及移動(dòng)體進(jìn)行詳細(xì)地說(shuō)明。

1.原子振蕩器

首先，對(duì)作為一種本發(fā)明的量子干涉裝置的原子振蕩器進(jìn)行說(shuō)明。另外，下面說(shuō)明將本發(fā)明的量子干涉裝置應(yīng)用于原子振蕩器的例子，但本發(fā)明的量子干涉裝置不限于此，除了原子振蕩器，也能夠適用于例如磁傳感器、量子存儲(chǔ)器等。

<第1實(shí)施方式>

圖1是示出具有本發(fā)明第1實(shí)施方式的量子干涉裝置的原子振蕩器的概要結(jié)構(gòu)圖。

圖1所示的原子振蕩器1是利用量子干涉效應(yīng)(cpt：coherentpopulationtrapping)的原子振蕩器，該量子干涉效應(yīng)是當(dāng)對(duì)堿金屬原子同時(shí)照射特定的不同波長(zhǎng)的兩個(gè)共振光時(shí)產(chǎn)生這兩個(gè)共振光不被堿金屬吸收而透過(guò)的現(xiàn)象。另外，該量子干涉效應(yīng)的現(xiàn)象也稱作電磁誘導(dǎo)透明(eit：electromagneticallyinducedtransparency)現(xiàn)象。

如圖1所示，該原子振蕩器1具有產(chǎn)生量子干涉效應(yīng)的封裝部10和控制封裝部10的控制部6。此處，封裝部10具有原子室21、光源22、光學(xué)部件231、232、光檢測(cè)部24、加熱器25、溫度傳感器26、以及線圈27。此外，控制部6具有光源控制部61、溫度控制部62、磁場(chǎng)控制部63。首先，以下說(shuō)明原子振蕩器1的概要。

在該原子振蕩器1中，光源22使光ll沿著光軸a經(jīng)由光學(xué)部件231、232向原子室21照射，光檢測(cè)部24檢測(cè)透過(guò)原子室21的光ll。

原子室21具有透光性，在原子室21內(nèi)封入了堿金屬(金屬原子)。堿金屬具有由彼此不同的兩個(gè)基態(tài)和激發(fā)態(tài)構(gòu)成的三能級(jí)系統(tǒng)的能級(jí)。此外，原子室21內(nèi)的堿金屬被加熱器25加熱，成為氣體狀態(tài)。此外，原子室21內(nèi)的堿金屬由線圈27施加期望方向的磁場(chǎng)，進(jìn)行塞曼分裂。

從光源22射出的光ll包含頻率不同的兩種光。在這兩種光成為頻率差與相當(dāng)于原子室21內(nèi)的堿金屬的兩個(gè)基態(tài)間的能量差的頻率一致的共振光對(duì)時(shí)，產(chǎn)生eit現(xiàn)象。

光源控制部61根據(jù)光檢測(cè)部24的檢測(cè)結(jié)果，以產(chǎn)生eit現(xiàn)象的方式控制從前述的光源22射出的光ll所包含的兩種光的頻率。此外，光源控制部61具有壓控型石英振蕩器(未圖示)，該壓控型石英振蕩器的振蕩頻率根據(jù)光檢測(cè)部24的檢測(cè)結(jié)果而受到控制。并且，該壓控型石英振蕩器(vcxo)的輸出信號(hào)作為原子振蕩器1的時(shí)鐘信號(hào)輸出。

此外，溫度控制部62根據(jù)檢測(cè)原子室21的溫度的溫度傳感器26的檢測(cè)結(jié)果，控制對(duì)加熱器25的通電，使得原子室21內(nèi)達(dá)到期望的溫度。此外，磁場(chǎng)控制部63控制對(duì)線圈27的通電，使得線圈27產(chǎn)生的磁場(chǎng)恒定。

這樣的控制部6設(shè)在ic芯片上，該ic芯片安裝在例如裝配封裝部10的基板上。另外，控制部6也可以設(shè)在封裝部10內(nèi)。

以上說(shuō)明了原子振蕩器1的概要。以下，對(duì)封裝部10進(jìn)行詳述。

以下對(duì)本實(shí)施方式的原子振蕩器1的各部的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明。

圖2是示出圖1所示的原子振蕩器的概要結(jié)構(gòu)的剖視圖。圖3是沿圖2所示的a-a線的剖視圖。圖4是用于說(shuō)明圖2所示的原子室和連接部件的圖。

另外，在圖2～圖4中，為了便于說(shuō)明，用箭頭示出彼此垂直的三個(gè)軸即x軸、y軸及z軸，將各箭頭的前端側(cè)設(shè)為“+(正)”、基端側(cè)設(shè)為“-(負(fù))”。此外，下面將與x軸平行的方向稱作“x軸方向”、與y軸平行的方向稱作“y軸方向”、與z軸平行的方向稱作“z軸方向”。此外，以下，為了便于說(shuō)明，將圖2及圖3中的上側(cè)稱為“上”、下側(cè)稱為“下”。

如圖2和圖3所示，原子振蕩器1具有：產(chǎn)生前述那樣的量子干涉效應(yīng)的原子室單元2；收納原子室單元2的封裝件3；收納在封裝件3內(nèi)并相對(duì)于封裝件3支承原子室單元2的支承部件5；以及設(shè)置在封裝件3的內(nèi)表面的反射部711、712。另外，在封裝件3的外側(cè)可以根據(jù)需要設(shè)置磁屏罩。以下，依次說(shuō)明封裝部10的各部。

<原子室單元>

原子室單元2包括：原子室21、光源22、光學(xué)部件231、232、光檢測(cè)部24、加熱器25、溫度傳感器26、作為支承部的基板28、以及連接部件29，它們被單元化。具體而言，在基板28的上表面(一面)裝配有光源22、加熱器25、溫度傳感器26以及連接部件29，原子室21和光學(xué)部件231、232由連接部件29保持，并且光檢測(cè)部24通過(guò)粘接劑30與連接部件29接合。

[原子室]

如圖2和圖3所示，原子室21具有：具有柱狀貫通孔214的主體部211、以及封閉該貫通孔214的兩側(cè)開(kāi)口的一對(duì)透光部212、213。由此，形成密封氣體狀的銣、銫、納等堿金屬的內(nèi)部空間s。另外，在內(nèi)部空間s內(nèi)，可以根據(jù)需要，與堿金屬氣體一同密封氬、氖等稀有氣體、氮等惰性氣體作為緩沖氣體。另外，貫通孔214的橫截面(與光軸a垂直的方向上的截面)即內(nèi)部空間s的橫截面形狀沒(méi)有特別限定，例如可舉出圓形、楕圓形、四邊形等多邊形等。

原子室21的各透光部212、213具有對(duì)于來(lái)自光源22的光ll的透射性。一個(gè)透光部212是向原子室21內(nèi)射入的激勵(lì)光ll透過(guò)的“入射側(cè)透光部”，另一個(gè)透光部213是從原子室21內(nèi)射出的激勵(lì)光ll透過(guò)的“出射側(cè)透光部”。

構(gòu)成該透光部212、213的材料如果具有前述的對(duì)于激勵(lì)光ll的透射性，則沒(méi)有特別限定，例如可舉出玻璃材料、石英等。此外，構(gòu)成主體部211的材料沒(méi)有特別限定，可以是硅材料、陶瓷材料、金屬材料、樹(shù)脂材料等，也可以與透光部212、213同樣地是玻璃材料、石英等。

并且，各透光部212、213與主體部211氣密地接合。由此，能夠使原子室21的內(nèi)部空間s成為氣密空間。原子室21的主體部211與透光部212、213的接合方法根據(jù)這些構(gòu)成材料而確定，沒(méi)有特別限定，例如可以采用使用粘接劑的接合方法、直接接合法、陽(yáng)極接合法等。

[光源]

光源22射出激勵(lì)原子室21中的堿金屬原子的光ll。光源22以射出光ll的發(fā)光部222朝向原子室21側(cè)的方式被基板28支承。

光源22具有射出能夠激勵(lì)原子室21中的堿金屬原子的光ll的功能。該光源22如果能夠射出包含前述的共振光對(duì)的光ll，則沒(méi)有特別限定，例如優(yōu)選使用垂直共振器面發(fā)射激光器(vcsel)等半導(dǎo)體激光器等的發(fā)光元件。

[光學(xué)部件]

多個(gè)光學(xué)部件231、232分別設(shè)在前述的光源22與原子室21之間的光ll的光路上。在本實(shí)施方式中，光學(xué)部件231、光學(xué)部件232從光源22側(cè)向原子室21側(cè)依次配置。

光學(xué)部件231為減光濾光器(nd濾光器)。由此，能夠調(diào)整(減少)射入原子室21的光ll的強(qiáng)度。因此，即使在光源22的輸出較大的情況下，也能夠使射入原子室21的光ll成為期望的光量。

光學(xué)部件232為1/4波長(zhǎng)板。由此，能夠?qū)?lái)自光源22的光ll從直線偏振轉(zhuǎn)換為圓偏振(右圓偏振或左圓偏振)。通過(guò)使用圓偏振的光ll，能夠使顯現(xiàn)期望的eit現(xiàn)象的原子數(shù)增大，增大期望的eit信號(hào)的強(qiáng)度。其結(jié)果是，能夠使原子振蕩器1的振蕩特性提高。

此外，本實(shí)施方式中，在光源22與原子室21之間除了波長(zhǎng)板和減光濾光器之外，還可以配置透鏡、偏振板等其他光學(xué)部件。此外，根據(jù)來(lái)自光源22的激勵(lì)光ll的強(qiáng)度的不同，能夠省略光學(xué)部件231。此外，光學(xué)部件231、232的排列順序不限于前述的順序，是任意的。

[光檢測(cè)部]

光檢測(cè)部24具有檢測(cè)透過(guò)原子室21內(nèi)的光ll的強(qiáng)度的功能。該光檢測(cè)部24使用粘接劑等與連接部件29接合。

光檢測(cè)部24如果能夠檢測(cè)上述的光ll，則沒(méi)有特別限定，例如能夠使用太陽(yáng)能電池、光電二極管等光檢測(cè)器(受光元件)。

[加熱器]

加熱器25具有通過(guò)通電來(lái)發(fā)熱的發(fā)熱電阻體(加熱部)。該加熱器25是調(diào)節(jié)原子室21的溫度的“溫度調(diào)節(jié)單元(溫度調(diào)節(jié)元件)”。由此，能夠使原子室單元2維持在期望的溫度，使原子振蕩器1的特性優(yōu)異。

在本實(shí)施方式中，如前所述，加熱器25設(shè)在基板28上。并且，來(lái)自加熱器25的熱量經(jīng)由基板28以及連接部件29傳遞至原子室21。由此，原子室21(更具體而言是原子室21中的堿金屬)被加熱，能夠使原子室21中的堿金屬維持為期望濃度的氣體狀。

此外，在本實(shí)施方式中，來(lái)自加熱器25的熱量經(jīng)由基板28還傳遞至光源22。由此，能夠高精度地進(jìn)行光源22的溫度控制。

該加熱器25與原子室21分離。由此，能夠抑制由于對(duì)加熱器25的通電而產(chǎn)生的無(wú)用磁場(chǎng)給原子室21內(nèi)的金屬原子帶來(lái)不利影響。

[溫度傳感器]

溫度傳感器26檢測(cè)光源22、加熱器25或原子室21的溫度。并且，根據(jù)該溫度傳感器26的檢測(cè)結(jié)果，控制加熱器25的發(fā)熱量。由此，能夠使原子室21內(nèi)的堿金屬原子維持在期望的溫度。

在本實(shí)施方式中，溫度傳感器26設(shè)在基板28上。因此，溫度傳感器26經(jīng)由基板28檢測(cè)光源22或加熱器25的溫度?；蛘?，溫度傳感器26經(jīng)由基板28以及連接部件29檢測(cè)原子室21的溫度。

另外，溫度傳感器26的設(shè)置位置不限于此，例如可以在連接部件29上，可以在加熱器25上，還可以在原子室21的外表面上。

溫度傳感器26沒(méi)有特別限定，能夠使用熱敏電阻、熱電偶等公知的各種溫度傳感器。

[線圈]

圖1所示的線圈27具有向原子室21內(nèi)的堿金屬施加磁場(chǎng)的功能。由此，通過(guò)塞曼分裂，擴(kuò)大原子室21內(nèi)的堿金屬原子退化的不同能級(jí)間的能隙，能夠提高分辨率。其結(jié)果是能夠提高原子振蕩器1的振蕩頻率的精度。

在本實(shí)施方式中，線圈27由以構(gòu)成螺線管型的方式卷繞地設(shè)置于原子室21的外周的線圈構(gòu)成。另外，線圈27也可以由以構(gòu)成亥姆霍茲型的方式隔著原子室21相對(duì)設(shè)置的一對(duì)線圈構(gòu)成。

此外，線圈27產(chǎn)生的磁場(chǎng)可以是直流磁場(chǎng)或交流磁場(chǎng)中的任意一種磁場(chǎng)，也可以是疊加直流磁場(chǎng)和交流磁場(chǎng)而成的磁場(chǎng)。

[連接部件]

如圖4所示，連接部件29由夾著原子室21設(shè)置的一對(duì)連接部件291、292構(gòu)成。如圖3所示，連接部件291、292分別與透光部212、213接觸。此外，連接部件291、292分別形成為避開(kāi)光ll的通過(guò)區(qū)域。另外，連接部件291、292的形狀如果能夠固定至少原子室21、光源22以及光檢測(cè)部24的相對(duì)位置關(guān)系，則不限于圖示的形狀。此外，連接部件291、292可以一體化，連接部件291、292也可以分別由多個(gè)部件構(gòu)成。

這樣，連接部件29分別對(duì)加熱器25與各透光部212、213進(jìn)行熱連接。由此，利用連接部件291、292的導(dǎo)熱將來(lái)自加熱器25的熱量傳遞至各透光部212、213，從而能夠加熱各透光部212、213。此外，能夠使加熱器25與原子室21分離。因此，能夠抑制由于對(duì)加熱器25的通電而產(chǎn)生的無(wú)用磁場(chǎng)給原子室21內(nèi)的堿金屬原子帶來(lái)不利影響。此外，由于能夠減少加熱器25的數(shù)量，例如減少用于對(duì)加熱器25通電的布線的數(shù)量，其結(jié)果是，能夠?qū)崿F(xiàn)原子振蕩器1的小型化。

這樣的連接部件29的構(gòu)成材料優(yōu)選使用導(dǎo)熱性優(yōu)異的材料例如金屬材料。此外，連接部件29的構(gòu)成材料優(yōu)選使用非磁性的材料，以不妨礙來(lái)自線圈27的磁場(chǎng)。

[基板]

如圖2和圖3所示，基板28具有支承前述的光源22、加熱器25、溫度傳感器26以及連接部件29等的功能。

此外，基板28對(duì)加熱器25與連接部件29進(jìn)行熱連接，具有將來(lái)自加熱器25的熱量向連接部件29傳遞的功能。由此，即使加熱器25與連接部件29分離，也能夠向連接部件29傳遞來(lái)自加熱器25的熱量。此外，光源22裝配在基板28上，由此能夠經(jīng)由基板28將來(lái)自加熱器25的熱量傳遞至光源22，高精度地進(jìn)行光源22的溫度控制。

此外，基板28具有與光源22、加熱器25、溫度傳感器26電連接的布線(未圖示)。該布線與設(shè)在基體31的上表面的多個(gè)內(nèi)部端子(未圖示)電連接。

這樣的基板28的構(gòu)成材料沒(méi)有特別限定，例如可舉出陶瓷材料、金屬材料等，能夠單獨(dú)使用它們中的一種或組合使用兩種以上。此外，在利用金屬材料構(gòu)成基板28的情況下，出于防止基板28具有的布線短路的目的，可以根據(jù)需要，在基板28的表面上設(shè)置例如由樹(shù)脂材料、金屬氧化物、金屬氮化物等構(gòu)成的絕緣層。

此外，與后述的封裝件3同樣地，連接部件28的構(gòu)成材料優(yōu)選使用非磁性的材料，以不妨礙來(lái)自線圈27的磁場(chǎng)。

另外，根據(jù)連接部件29的形狀、加熱器25的設(shè)置位置等，可以省略基板28。在該情況下，將加熱器25設(shè)置在與連接部件29接觸的位置即可。

<封裝件>

如圖2和圖3所示，封裝件3具有收納原子室單元2以及支承部件5的功能。另外，在封裝件3內(nèi)可以收納前述的部件以外的部件。

該封裝件3具有板狀的基體31(底座部)和有底筒狀的蓋體32(蓋部)，蓋體32的開(kāi)口被基體31封閉。由此，形成收納原子室單元2以及支承部件5的內(nèi)部空間s1。此處，蓋體32與原子室單元2以及支承部件5分離。即，在蓋體32與原子室單元2及支承部件5之間設(shè)有空間。由此，該空間作為隔熱層發(fā)揮功能，能夠減少原子室單元2與封裝件3的外部之間的熱干擾。

基體31經(jīng)由支承部件5支承原子室單元2。

此外，基體31例如是布線基板，在基體31的下表面設(shè)有多個(gè)外部端子34。這些多個(gè)外部端子34經(jīng)由未圖示的布線與設(shè)在基體31的上表面的多個(gè)內(nèi)部端子(未圖示)電連接。

該基體31的構(gòu)成材料沒(méi)有特別限定，例如能夠使用樹(shù)脂材料、陶瓷材料等，優(yōu)選使用陶瓷材料。由此，能夠?qū)崿F(xiàn)構(gòu)成布線基板的基體31，同時(shí)使內(nèi)部空間s1的氣密性優(yōu)異。

在這樣的基體31上接合有蓋體32?；w31與蓋體32的接合方法沒(méi)有特別限定，例如能夠使用釬焊、縫焊、能量束焊接(激光焊接、電子束焊接等)等。另外，在基體31與蓋體32之間可以?shī)A設(shè)用于接合它們的接合部件。

此外，基體31與蓋體32氣密地接合。即，內(nèi)部空間s1為氣密空間，被減壓至比大氣壓低。尤其是，在本實(shí)施方式中，內(nèi)部空間s1為真空。由此，能夠減少內(nèi)部空間s1的對(duì)流引起的原子室單元2尤其是光源22的溫度變化。此外，能夠減小加熱器25的功耗。

這樣的蓋體32的結(jié)構(gòu)材料沒(méi)有特別限定，例如能夠使用樹(shù)脂材料、陶瓷材料等。

<支承部件>

支承部件5收納在封裝件3內(nèi)，具有將原子室單元2支承于封裝件3的基體31的功能。

此外，支承部件5具有抑制原子室單元2與封裝件3的外部之間的熱傳遞的功能。由此，能夠減少原子室單元2的各部尤其是原子室21或光源22與封裝件3的熱傳遞，抑制原子室21或光源22與封裝件3的外部之間的熱干擾。因此，能夠高精度地進(jìn)行原子室21或光源22等的溫度控制。

如圖3所示，該支承部件5具有：豎立設(shè)置在基體31的上表面?zhèn)鹊亩鄠€(gè)腳部51、與多個(gè)腳部51的上端部連接并具有沿厚度方向貫通的多個(gè)孔的板狀的連結(jié)部52、以及豎立設(shè)置在連結(jié)部52的上表面?zhèn)炔⑴c基板28連接的多個(gè)柱部53。

在這樣構(gòu)成的支承部件5a中，來(lái)自原子室單元2的熱量依次通過(guò)柱部53、連結(jié)部52以及腳部51向基體31傳遞。由此，能夠延長(zhǎng)經(jīng)過(guò)支承部件5a的從原子室單元2向基體31的熱傳遞路徑。因此，能夠進(jìn)一步減少原子室單元2尤其是原子室21或光源22與封裝件3之間的熱傳遞。

此外，作為支承部件5的構(gòu)成材料，如果是導(dǎo)熱性比較低且能確保支承部件5支承原子室單元2的剛性的材料，則沒(méi)有特別限定，例如優(yōu)選使用樹(shù)脂材料、陶瓷材料等非金屬，進(jìn)一步優(yōu)選使用樹(shù)脂材料。在主要利用樹(shù)脂材料構(gòu)成支承部件5的情況下，能夠提高支承部件5的熱阻，而且，即使支承部件5的形狀復(fù)雜，也能夠使用例如注塑成型等公知的方法來(lái)容易制造支承部件5。尤其是，在主要利用樹(shù)脂材料構(gòu)成支承部件5的情況下，能夠容易形成由熱阻大的發(fā)泡體構(gòu)成的支承部件5。

此外，支承部件5的構(gòu)成材料優(yōu)選使用非磁性的材料，以不妨礙來(lái)自線圈27的磁場(chǎng)。

由此，支承部件5配置在原子室單元2與封裝件3之間，從而將原子室21和光源22一并支承于封裝件3的基體31。因此，能夠減少原子室21及光源22與封裝件3之間的熱傳遞。并且，支承部件5的從光源22側(cè)向封裝件3側(cè)的導(dǎo)熱率優(yōu)選為0.1w·m^-1·k^-1以上40.0w·m^-1·k^-1以下，進(jìn)一步優(yōu)選為0.1w·m^-1·k^-1以上0.5w·m^-1·k^-1以下。由此，能夠抑制經(jīng)由原子室21及光源22與封裝件3之間的支承部件5的導(dǎo)熱，從而能夠減少原子室21及光源22的溫度變化。

<反射部>

如圖2所示，反射部711、712是分別設(shè)在蓋體32的內(nèi)表面的膜狀的部件。該反射部711、712的對(duì)于波長(zhǎng)4μm的電磁波的反射率、即對(duì)于遠(yuǎn)紅外線的反射率(以下亦稱作“熱反射率”)為50％以上，能夠使光源22的輻射熱反射。因此，能夠抑制封裝件3與光源22之間的輻射產(chǎn)生的熱傳遞，從而能夠抑制光源22的溫度變化。

如圖2和圖3所示，反射部711設(shè)在蓋體32的內(nèi)表面的-x軸側(cè)的部分。另一方面，如圖2所示，反射部712設(shè)在蓋體32的內(nèi)表面的+x軸側(cè)的部分。

由此，反射部711、712分別設(shè)在蓋體32的內(nèi)表面的從光源22可見(jiàn)的部分。在本實(shí)施方式中，如上所述，連接部件291、292以?shī)A著原子室21的方式設(shè)置，連接部件291設(shè)在+y軸，連接部件292設(shè)在-y軸側(cè)。因此，在y軸方向上，在光源22與蓋體32之間設(shè)有連接部件29，與此相對(duì)，在x軸方向上，在光源22與蓋體32之間未設(shè)有連接部件29。由此，與不存在對(duì)光源22和封裝件3之間進(jìn)行遮擋的原子室單元2的構(gòu)成部件的位置對(duì)應(yīng)地，在蓋體32的內(nèi)表面設(shè)有反射部711、712。

此外，反射部711、712分別設(shè)在比光源22靠+z軸側(cè)。即，反射部711、712分別相對(duì)于光源22設(shè)在射出光的一側(cè)。

此外，如上所述，反射部711、712的熱反射率為50％以上，但熱反射率越高，則使光源22的輻射熱反射的效果越高，因此，反射部711、712的熱反射率優(yōu)選為75％以上，更優(yōu)選為90％以上，進(jìn)一步優(yōu)選為95％以上。

作為這樣的反射部711、712的結(jié)構(gòu)材料，如果熱反射率為50％以上，則沒(méi)有特別限定，優(yōu)選使用金屬材料。由此，能夠使反射部711、712的熱反射率提高，例如成為75％以上，從而能夠適當(dāng)?shù)匕l(fā)揮反射部711、712使光源22的輻射熱反射的功能。

在利用金屬材料構(gòu)成反射部711、712的情況下，該金屬材料沒(méi)有特別限定，例如能夠使用銅(熱反射率97.93％)、銀(熱反射率98.47％)、金(熱反射率98.62％)、鈦(熱反射率78.04％)、鉻(熱反射率93.77％)、鐵(熱反射率87.09％)、鈷(熱反射率87.75％)、鎳(熱反射率92.38％)、鋁(熱反射率99.03％)、銥(熱反射率98.73％)、鉛(熱反射率98.90％)等金屬或含有它們中的至少一種金屬的合金。基于熱反射率高的觀點(diǎn)，在它們中優(yōu)選使用銅、銀、金、鉻、鎳、鋁、銥、鉛。進(jìn)一步基于化學(xué)穩(wěn)定性優(yōu)異的觀點(diǎn)，優(yōu)選金。

此外，在利用金屬材料構(gòu)成反射部711、712的情況下，反射部711、712可以由一種金屬或合金構(gòu)成，也可以層疊兩種以上的金屬或合金來(lái)構(gòu)成。此外，反射部711、712的形成方法沒(méi)有特別限定，例如可舉出使用蒸鍍、濺射等氣相成膜法、或者接合另行準(zhǔn)備的金屬膜。由此，能夠獲得反射率的不均勻得到減輕的均勻的反射部711、712。

以上對(duì)封裝部10的結(jié)構(gòu)進(jìn)行了說(shuō)明。

以上說(shuō)明的作為一種本發(fā)明的量子干涉裝置的原子振蕩器1具有：密封有堿金屬原子的原子室21、射出激勵(lì)原子室21內(nèi)的堿金屬原子的光ll的光源22、檢測(cè)透過(guò)原子室21的光ll的光檢測(cè)部24、具有至少收納光源22的內(nèi)部空間s1的封裝件3、以及反射部711、712。并且，反射部711、712配置在封裝件3的內(nèi)表面與光源22之間，對(duì)于波長(zhǎng)4μm的電磁波的反射率為50％以上。根據(jù)這樣的原子振蕩器1，能夠抑制封裝件3與光源22之間的輻射產(chǎn)生的熱傳遞。因此，能夠抑制光源22的溫度變化，其結(jié)果是能夠抑制從光源22射出的光ll的波長(zhǎng)變動(dòng)。

此外，如上所述，反射部711、712分別設(shè)在封裝件3的內(nèi)表面。利用例如前述的形成方法，在封裝件3的內(nèi)表面上設(shè)置反射部711、712，由此，能夠容易且可靠地形成反射效率好的反射部711、712。由此，能夠利用反射部711、712使光源22的輻射熱高效地反射，從而能夠減少光源22的輻射熱向封裝件3逃逸。因此，能夠有效抑制光源22的溫度變化。

此外，如上所述，反射部711、712分別相對(duì)于光源22設(shè)在射出光ll的一側(cè)。此處，光源22的射出光ll的部分即發(fā)光部222尤其容易受到溫度變化的影響。因此，通過(guò)在光源22的射出光ll的一側(cè)設(shè)置反射部711、712，能夠更顯著地發(fā)揮抑制光源22的溫度變化的效果。其結(jié)果是能夠更有效地抑制從光源22射出的光ll的波長(zhǎng)變動(dòng)。

此外，如上所述，反射部711、712設(shè)置在不存在對(duì)光源22與封裝件3之間進(jìn)行遮擋的原子室單元2的構(gòu)成部件的位置。由此，能夠更有效地減少光源22的熱量向封裝件3逃逸。因此，能夠有效抑制光源22的溫度變化。

此外，如上所述，原子振蕩器1通過(guò)使內(nèi)部空間s1成為減壓至低于大氣壓的狀態(tài)，減少內(nèi)部空間s1的對(duì)流引起的光源22的溫度變化。并且，原子振蕩器1構(gòu)成為利用支承部件5將原子室單元2支承于封裝件3，由此，減少光源22與封裝件3之間的熱傳遞，從而減少光源22的溫度變化。并且，原子振蕩器1通過(guò)設(shè)置反射部711、712，抑制封裝件3與光源22之間的輻射產(chǎn)生的熱傳遞，從而減少光源22的溫度變化。因此，根據(jù)原子振蕩器1，能夠顯著發(fā)揮抑制從光源22射出的光ll的波長(zhǎng)變動(dòng)的效果。

<第2實(shí)施方式>

接下來(lái)，對(duì)本發(fā)明的第2實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。

圖5是示出具有本發(fā)明第2實(shí)施方式的量子干涉裝置的原子振蕩器所具有的原子室單元的示意剖視圖。

除了反射部的結(jié)構(gòu)不同以外，本實(shí)施方式的原子振蕩器與前述的第1實(shí)施方式相同。

另外，在以下的說(shuō)明中，關(guān)于第2實(shí)施方式，以與前述的實(shí)施方式的區(qū)別點(diǎn)為中心進(jìn)行說(shuō)明，對(duì)于同樣的事項(xiàng)，省略其說(shuō)明。此外，在圖5中，對(duì)于與前述的實(shí)施方式同樣的結(jié)構(gòu)，標(biāo)注同一標(biāo)號(hào)。

如圖5所示，本實(shí)施方式的原子振蕩器1a具有設(shè)在光源22的外表面的反射部72。在本實(shí)施方式中，設(shè)在光源22的與基板28接觸的面以及光源22的去除發(fā)光部222的側(cè)面、上表面這樣的外表面。即，以不妨礙從發(fā)光部222射出的光ll的方式將反射部72設(shè)置成覆蓋光源22的外表面，由此，能夠有效地減少?gòu)墓庠?2向封裝件3傳遞輻射熱。

另外，在如本實(shí)施方式那樣將反射部72設(shè)置在光源22的外表面的情況下，為了防止設(shè)在光源22上的未圖示的布線短路，在光源22與反射部72之間設(shè)置例如硅氧化膜、硅氮化膜等絕緣膜即可。

根據(jù)這樣的原子振蕩器1a，也能夠抑制光源22的溫度變化，抑制從光源22射出的光ll的波長(zhǎng)變動(dòng)。

<第3實(shí)施方式>

接下來(lái)，對(duì)本發(fā)明的第3實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。

圖6是示出具有本發(fā)明第3實(shí)施方式的量子干涉裝置的原子振蕩器的概要結(jié)構(gòu)的剖視圖。

除了原子室單元、支承部件以及反射部的結(jié)構(gòu)不同以外，本實(shí)施方式的原子振蕩器與前述的第1實(shí)施方式相同。

另外，在以下的說(shuō)明中，關(guān)于第3實(shí)施方式，以與前述的實(shí)施方式的區(qū)別點(diǎn)為中心進(jìn)行說(shuō)明，對(duì)于同樣的事項(xiàng)，省略其說(shuō)明。此外，在圖6中，對(duì)于與前述的實(shí)施方式同樣的結(jié)構(gòu)，標(biāo)注同一標(biāo)號(hào)。

如圖6所示，本實(shí)施方式的原子振蕩器1b具有封裝件3、原子室單元2b、將原子室單元2b支承于封裝件3的支承部件8、以及反射部731、732。

原子室單元2b包括：原子室21、光源22、光學(xué)部件231、232、光檢測(cè)部24、以及隔離件20，并且它們被單元化。另外，雖然未圖示，但在原子室單元2b的任意位置例如隔離件20上設(shè)有加熱器和溫度傳感器。

隔離件20具有：作為支承部的基板201、以及豎立設(shè)置在基板201的外周部的框架部202。此外，在框架部202的上端部設(shè)有光學(xué)部件231、232。由此，隔離件20的上方被光學(xué)部件231、232封閉，從而在基板201和框架部202的內(nèi)側(cè)形成空間s2。此外，在光學(xué)部件232上連接有原子室21，在原子室21的上表面通過(guò)粘接材料連接有光檢測(cè)部24。

此外，基板201在其中央部具有沿厚度方向貫通的孔203。在基板201的下表面以封堵孔203的下側(cè)的開(kāi)口的方式設(shè)有光源22。光源22以發(fā)光部222朝向基板201側(cè)的方式安裝在基板201上。由此，光ll通過(guò)孔203向原子室21射出。

此外，基板201具有與光源22電連接的布線(未圖示)。

支承部件8具有框體811、兩個(gè)片部件812、813、以及腳部82。該支承部件8具有將前述的原子室單元2b支承于封裝件3的基體31的功能。此外，支承部件8具有減少原子室單元2b與封裝件3之間的熱傳遞的功能。由此，能夠高精度地進(jìn)行原子室21或光源22等的溫度控制。

框體811在從z軸方向觀察時(shí)，與原子室單元2b分離地設(shè)置，包圍原子室單元2b的外周。框體811的構(gòu)成材料如果是導(dǎo)熱性比較低的材料，則沒(méi)有特別限定，例如優(yōu)選使用樹(shù)脂材料、陶瓷材料等非金屬，進(jìn)一步優(yōu)選使用樹(shù)脂材料。在主要利用樹(shù)脂材料構(gòu)成框體811的情況下，能夠降低框體811的導(dǎo)熱性，此外，即使框體811的形狀復(fù)雜，也能夠使用例如注塑成型等公知的方法來(lái)容易制造框體811。

片部件812、813分別為例如撓性布線基板。片部件812的中央部與光源22連接，外周部與框體811的下表面連接。另一方面，片部件813的中央部與光檢測(cè)部24連接，外周部與框體811的上表面連接。根據(jù)這樣的片部件812、813，由于面方向上的熱阻高，因此，能夠減少框體811與原子室單元2b之間的導(dǎo)熱。

此外，片部件812具有與光源22電連接的布線(未圖示)，片部件813具有與光檢測(cè)部24電連接的布線(未圖示)。該布線與封裝件3的內(nèi)部端子(未圖示)電連接。

此外，在框體811的下端部連接有多個(gè)腳部82。多個(gè)腳部82將框體811支承于基體31。該多個(gè)腳部82的構(gòu)成材料能夠使用與前述的框體811的構(gòu)成材料同樣的材料。此外，多個(gè)腳部82可以與框體811形成為一體。

如圖6所示，原子振蕩器1b具有作為支承光源22的支承部的基板201，反射部731、732設(shè)在封裝件3的內(nèi)表面的從光源22可見(jiàn)的部分。具體而言，反射部731設(shè)置在基體31的上表面上。另一方面，反射部732設(shè)在蓋體32的內(nèi)表面的下側(cè)，設(shè)在比光源22靠-z軸側(cè)。由此，反射部731、732相對(duì)于作為支承光源22的支承部的基板201設(shè)在光源22側(cè)。由此，能夠有效減少封裝件3與光源22之間的輻射產(chǎn)生的熱傳遞。

根據(jù)這樣的原子振蕩器1b，也能夠抑制光源22的溫度變化，抑制從光源22か射出的光ll的波長(zhǎng)變動(dòng)。

<第4實(shí)施方式>

接下來(lái)，對(duì)本發(fā)明的第4實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。

圖7是示出具有本發(fā)明第4實(shí)施方式的量子干涉裝置的原子振蕩器的概要結(jié)構(gòu)的剖視圖。

除了反射部的結(jié)構(gòu)不同以外，本實(shí)施方式的原子振蕩器與前述的第3實(shí)施方式相同。

另外，在以下的說(shuō)明中，關(guān)于第4實(shí)施方式，以與前述的實(shí)施方式的區(qū)別點(diǎn)為中心進(jìn)行說(shuō)明，對(duì)于同樣的事項(xiàng)，省略其說(shuō)明。此外，在圖7中，對(duì)于與前述的實(shí)施方式同樣的結(jié)構(gòu)，標(biāo)注同一標(biāo)號(hào)。

如圖7所示，本實(shí)施方式的原子振蕩器1c具有設(shè)在光源22的外表面的反射部74。具體而言，設(shè)在光源22的與基板201接觸的面以及光源22的去除發(fā)光部222的外表面。即，在本實(shí)施方式中，如圖所示，設(shè)在光源22的側(cè)面及下表面。由此，以覆蓋光源22的外表面的方式設(shè)置反射部74，從而能夠有效地減少?gòu)墓庠?2向封裝件3傳遞輻射熱。此外，反射部74相對(duì)于作為支承光源22的支承部的基板201設(shè)在光源22側(cè)，由此，能夠有效地減少封裝件3與光源22之間的輻射產(chǎn)生的熱傳遞。

根據(jù)這樣的原子振蕩器1c，也能夠抑制光源22的溫度變化，抑制從光源22射出的光ll的波長(zhǎng)變動(dòng)。

<第5實(shí)施方式>

接下來(lái)，對(duì)本發(fā)明的第5實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。

圖8是示出具有本發(fā)明第5實(shí)施方式的量子干涉裝置的原子振蕩器的概要結(jié)構(gòu)的剖視圖。

除了原子室單元、光檢測(cè)部、支承部件以及反射部的結(jié)構(gòu)不同以外，本實(shí)施方式的原子振蕩器與前述的第1實(shí)施方式相同。

另外，在以下的說(shuō)明中，關(guān)于第5實(shí)施方式，以與前述的實(shí)施方式的區(qū)別點(diǎn)為中心進(jìn)行說(shuō)明，對(duì)于同樣的事項(xiàng)，省略其說(shuō)明。此外，在圖8中，對(duì)于與前述的實(shí)施方式同樣的結(jié)構(gòu)，標(biāo)注同一標(biāo)號(hào)。

如圖8所示，本實(shí)施方式的原子振蕩器1d具有原子室單元2d、光檢測(cè)部24、封裝件3、以及支承部件83。此外，原子室單元2d包括原子室21、光源22、光學(xué)部件231、232、加熱器25、溫度傳感器26、等溫箱85、作為支承部的基板28、以及多個(gè)柱部280，并且它們被單元化。

原子室單元2d具有的多個(gè)柱部280分別豎立設(shè)置在基板28的外周部，其上端部與光學(xué)部件231連接。

圖8所示的等溫箱85呈箱狀，以具有包圍光源22、加熱器25以及溫度傳感器26的空間s3的方式設(shè)在基板28上。

此外，等溫箱85具有向上方開(kāi)口的開(kāi)口部851。光源22以使光ll通過(guò)該開(kāi)口部851的方式配置在等溫箱85內(nèi)。另外，也可以在開(kāi)口部851配置具有透光性的部件。

這樣的結(jié)構(gòu)的等溫箱85構(gòu)成為達(dá)到與加熱器25相同的溫度。由此，能夠減小光源22與加熱器25的溫度差，高精度地進(jìn)行光源22的溫度控制。

等溫箱85的結(jié)構(gòu)材料沒(méi)有特別限定，例如優(yōu)選使用金屬材料。由此，容易使等溫箱85與加熱器25成為相同的溫度，從而能夠進(jìn)一步減小光源22與加熱器25的溫度差。

此外，在設(shè)等溫箱85的外形的寬度為w1(未圖示)、加熱器25的外形的寬度為w2(未圖示)時(shí)，w1/w2優(yōu)選為2以上10以下，進(jìn)一步優(yōu)選為4以上8以下。此外，在設(shè)等溫箱85的外形的高度為t1(未圖示)、加熱器25的外形的高度為t2(未圖示)時(shí)，t1/t2優(yōu)選為2以上10以下，進(jìn)一步優(yōu)選為4以上8以下。由此，能夠充分確保在等溫箱85內(nèi)配置光源22、加熱器25以及溫度傳感器26的空間，并進(jìn)一步減小等溫箱85、光源22以及加熱器25的溫度差，從而能夠?qū)⒌葴叵?5、光源22以及加熱器25視為在熱學(xué)上相同。

光檢測(cè)部24通過(guò)多個(gè)呈柱狀的連接部件240支承于封裝件3的蓋體32。此外，光檢測(cè)部24經(jīng)由未圖示的布線與基體31的內(nèi)部端子(未圖示)或基板28電連接。

支承部件83由多個(gè)腳部831構(gòu)成。多個(gè)腳部831分別豎立設(shè)置在基體31上，其上端部與基板28連接。該多個(gè)腳部831將原子室單元2d支承于封裝件3的基體31。

如圖8所示，反射部751、752設(shè)在封裝件3的內(nèi)表面的從等溫箱85可見(jiàn)的部分。具體而言，反射部751設(shè)置在基體31的上表面上。另一方面，反射部752設(shè)在蓋體32的內(nèi)表面的下側(cè)。此處，由于能夠視為等溫箱85與光源22在熱學(xué)上相同，如上所述，反射部751、752設(shè)置在從等溫箱85可見(jiàn)的部分，由此，能夠使等溫箱85的輻射熱反射。其結(jié)果是，能夠更顯著地發(fā)揮抑制光源22的溫度變化的效果。

根據(jù)這樣的原子振蕩器1d，也能夠抑制光源22的溫度變化，抑制從光源22射出的光ll的波長(zhǎng)變動(dòng)。

2.電子設(shè)備

以上說(shuō)明的具有本發(fā)明的量子干涉裝置的原子振蕩器1、1a、1b、1c或1d能夠裝配在各種電子設(shè)備中。

以下，對(duì)具有具備本發(fā)明的量子干涉裝置的原子振蕩器的電子設(shè)備的一例進(jìn)行說(shuō)明。

圖9是示出在利用gps衛(wèi)星的定位系統(tǒng)中使用具有本發(fā)明的量子干涉裝置的原子振蕩器的情況下的概要結(jié)構(gòu)的圖。

圖9所示的定位系統(tǒng)100由gps衛(wèi)星200、基站裝置300、gps接收裝置400構(gòu)成。

gps衛(wèi)星200發(fā)送定位信息(gps信號(hào))。

基站裝置300具有：接收裝置302，其例如通過(guò)設(shè)置在電子基準(zhǔn)點(diǎn)(gps連續(xù)觀測(cè)站)的天線301高精度地接收來(lái)自gps衛(wèi)星200的定位信息；以及發(fā)送裝置304，其通過(guò)天線303發(fā)送該接收裝置302接收到的定位信息。

此處，接收裝置302是具有前述的本發(fā)明的原子振蕩器1、1a、1b、1c或1d作為其基準(zhǔn)頻率振蕩源的電子裝置。這樣的接收裝置302具有優(yōu)異的可靠性。此外，接收裝置302接收到的定位信息通過(guò)發(fā)送裝置304實(shí)時(shí)發(fā)送。

gps接收裝置400具有：衛(wèi)星接收部402，其通過(guò)天線401接收來(lái)自gps衛(wèi)星200的定位信息；以及基站接收部404，其通過(guò)天線403接收來(lái)自基站裝置300的定位信息。

作為這樣的電子設(shè)備中的一例的接收裝置302具有作為一種本發(fā)明的量子干涉裝置的原子振蕩器1、1a、1b、1c或1d，因此，能夠發(fā)揮優(yōu)異的可靠性。

另外，本發(fā)明的電子設(shè)備不限于前述的電子設(shè)備，例如能夠適用于智能手機(jī)、平板終端、鐘表、移動(dòng)電話、數(shù)字靜態(tài)相機(jī)、噴墨式噴射裝置(例如噴墨式打印機(jī))、個(gè)人計(jì)算機(jī)(移動(dòng)型個(gè)人計(jì)算機(jī)、膝上型個(gè)人計(jì)算機(jī))、電視機(jī)、攝像機(jī)、錄像機(jī)、車(chē)載導(dǎo)航裝置、尋呼機(jī)、電子記事本(也包括附帶通信功能)、電子辭典、計(jì)算器、電子游戲設(shè)備、文字處理器、工作站、視頻電話、防盜用電視監(jiān)視器、電子雙筒望遠(yuǎn)鏡、pos終端、醫(yī)療設(shè)備(例如電子體溫計(jì)、血壓計(jì)、血糖儀、心電圖測(cè)量裝置、超聲波診斷裝置、電子內(nèi)窺鏡)、魚(yú)群探測(cè)器、各種測(cè)定設(shè)備、計(jì)量?jī)x器類(lèi)(例如車(chē)輛、飛機(jī)、船舶的計(jì)量?jī)x器類(lèi))、飛行模擬器、地面數(shù)字廣播、移動(dòng)電話基站等。

3.移動(dòng)體

此外，前述的具有本發(fā)明的量子干涉裝置的原子振蕩器1、1a、1b、1c或1d能夠裝配在各種移動(dòng)體中。

以下，對(duì)本發(fā)明的移動(dòng)體的一例進(jìn)行說(shuō)明。

圖10是示出具備具有本發(fā)明的量子干涉裝置的原子振蕩器的移動(dòng)體(汽車(chē))的結(jié)構(gòu)的立體圖。

圖10所示的移動(dòng)體1500構(gòu)成為具有車(chē)體1501和4個(gè)車(chē)輪1502，通過(guò)設(shè)置于車(chē)體1501的未圖示的動(dòng)力源(發(fā)動(dòng)機(jī))使車(chē)輪1502旋轉(zhuǎn)。這樣的移動(dòng)體1500中內(nèi)置有原子振蕩器1、1a、1b、1c或1d。并且，例如，未圖示的控制部根據(jù)來(lái)自原子振蕩器1、1a、1b、1c或1d的振蕩信號(hào)來(lái)控制動(dòng)力源的驅(qū)動(dòng)。

這樣的移動(dòng)體具有作為一種本發(fā)明的量子干涉裝置的原子振蕩器1、1a、1b、1c或1d，因此，能夠發(fā)揮優(yōu)異的可靠性。

以上，根據(jù)圖示的實(shí)施方式，對(duì)本發(fā)明的量子干涉裝置、原子振蕩器、電子設(shè)備以及移動(dòng)體進(jìn)行了說(shuō)明，但本發(fā)明并不限于此，例如前述的實(shí)施方式的各部的結(jié)構(gòu)可以替換為發(fā)揮同樣功能的任意結(jié)構(gòu)，而且也可以增加任意結(jié)構(gòu)。

此外，在前述的實(shí)施方式中，本發(fā)明的量子干涉裝置以利用電磁誘導(dǎo)透明現(xiàn)象(eit)的原子振蕩器為例進(jìn)行了說(shuō)明，但本發(fā)明的量子干涉裝置不限于此，也能夠適用于例如使用雙重共振法的原子振蕩器、石英振蕩器以外的振蕩器等。