本發(fā)明涉及振蕩電路技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及基于延遲時(shí)間以實(shí)現(xiàn)電路ZVS的方法及系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

單管感應(yīng)加熱是電磁爐中最常見的拓?fù)渲?。通常，單管感?yīng)加熱電路拓?fù)涑２捎糜?個(gè)集電極開路輸出的比較器和若干電容電阻組成的自激振蕩電路進(jìn)行峰值電流控制，如圖1所示。控制器只需給出一定占空比的脈沖，就能使得電路振蕩工作起來。因此，從控制上來看，其控制方式也相對(duì)簡(jiǎn)單。但是，其無法保證電路能工作在零電壓開通(Zero Voltage Switch，ZVS)，從而導(dǎo)致電容脈沖爬升速率(du/dt)大，IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管)損耗增大陷。在有些應(yīng)用中，采用軟件同步來替代該振蕩電路，但是該方法會(huì)占用更多的處理器資源，存在處理器跑飛時(shí)，可能導(dǎo)致IGBT燒毀等問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提供基于延遲時(shí)間以實(shí)現(xiàn)電路ZVS的方法及系統(tǒng)，以增加單管感應(yīng)加熱自激振蕩電路的ZVS實(shí)現(xiàn)范圍，同時(shí)降低了成本。

第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種基于延遲時(shí)間以實(shí)現(xiàn)電路ZVS的方法，包括：

對(duì)單管感應(yīng)加熱主電路和單管感應(yīng)加熱自激振蕩電路進(jìn)行分析，使所述單管感應(yīng)加熱自激振蕩電路在開通點(diǎn)增加固定延遲時(shí)間；

當(dāng)所述延遲時(shí)間滿足第一預(yù)設(shè)條件時(shí)，根據(jù)所述第一預(yù)設(shè)條件和絕緣柵雙極型晶體管IGBT的開通條件，使所述延遲時(shí)間滿足第二預(yù)設(shè)條件，其中，所述第一預(yù)設(shè)條件包括第一閾值時(shí)間Δt和第二閾值時(shí)間t_m；

根據(jù)所述第一閾值時(shí)間Δt和所述第二閾值時(shí)間t_m獲得最小極值Δt₀和最大極值t_m0；

根據(jù)所述最小極值Δt₀和所述最大極值t_m0，使所述延遲時(shí)間在全范圍滿足第三預(yù)設(shè)條件，從而使所述單管感應(yīng)加熱自激振蕩電路在零點(diǎn)電壓開通。

結(jié)合第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了第一方面的第一種可能的實(shí)施方式，其中，所述第一預(yù)設(shè)條件為所述延遲時(shí)間大于所述第一閾值時(shí)間Δt，所述第二預(yù)設(shè)條件為所述延遲時(shí)間小于所述第二閾值時(shí)間t_m，所述當(dāng)所述延遲時(shí)間滿足第一預(yù)設(shè)條件時(shí)，根據(jù)所述第一預(yù)設(shè)條件和絕緣柵雙極型晶體管IGBT的開通條件，使所述延遲時(shí)間滿足第二預(yù)設(shè)條件包括：

當(dāng)所述延遲時(shí)間大于所述第一閾值時(shí)間Δt時(shí)，根據(jù)所述延遲時(shí)間大于所述第一閾值時(shí)間Δt和所述IGBT的開通條件，使所述延遲時(shí)間小于所述第二閾值時(shí)間t_m；

其中，所述第一閾值時(shí)間Δt在第一時(shí)間段根據(jù)特定相位和角頻率ω獲取，所述第二閾值時(shí)間t_m在所述第一時(shí)間段根據(jù)第二時(shí)刻感應(yīng)電流i_L(t₂)獲取。

結(jié)合第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了第一方面的第二種可能的實(shí)施方式，其中，所述第三預(yù)設(shè)條件為所述延遲時(shí)間不小于所述最小極值Δt₀且不大于所述最大極值t_m0，所述根據(jù)所述最小極值Δt₀和所述最大極值t_m0，使所述延遲時(shí)間在全范圍滿足第三預(yù)設(shè)條件，從而實(shí)現(xiàn)電路在零點(diǎn)電壓開通包括：

根據(jù)所述最小極值Δt₀和所述最大極值t_m0，使所述延遲時(shí)間不小于所述最小極值Δt₀且不大于所述最大極值t_m0，從而使所述電路在所述零點(diǎn)電壓開通。

結(jié)合第一方面的第二種可能的實(shí)施方式，本發(fā)明實(shí)施例提供了第一方面的第三種可能的實(shí)施方式，其中，所述第一閾值時(shí)間Δt在第一時(shí)間段根據(jù)特定相位和角頻率ω獲取包括：

對(duì)第一時(shí)刻電感電流i_L(t₅)進(jìn)行分析，得到所述第一時(shí)刻電感電流i_L(t₅)與峰值電流I_pk成第一正比例關(guān)系；

通過對(duì)所述單管感應(yīng)加熱主電路進(jìn)行分析，獲得所述第一時(shí)間段內(nèi)的特定相位

根據(jù)所述第一正比例關(guān)系和所述特定相位得到所述第一閾值時(shí)間Δt，其中，所述第一閾值時(shí)間Δt與所述峰值電流I_pk成反比例關(guān)系。

結(jié)合第一方面的第三種可能的實(shí)施方式，本發(fā)明實(shí)施例提供了第一方面的第四種可能的實(shí)施方式，其中，所述通過對(duì)所述單管感應(yīng)加熱主電路進(jìn)行分析，獲得所述第一時(shí)間段內(nèi)的特定相位包括：

根據(jù)下式計(jì)算所述特定相位：

其中，為所述特定相位，C₁為諧振電容，U為直流電壓，I為電感電流，ω為所述角頻率。

結(jié)合第一方面的第三種可能的實(shí)施方式，本發(fā)明實(shí)施例提供了第一方面的第五種可能的實(shí)施方式，其中，所述第一閾值時(shí)間Δt包括：

其中，Δt為所述第一閾值時(shí)間，為所述特定相位，ω為所述角頻率。

結(jié)合第一方面的第三種可能的實(shí)施方式，本發(fā)明實(shí)施例提供了第一方面的第六種可能的實(shí)施方式，其中，所述第二閾值時(shí)間t_m在所述第一時(shí)間段根據(jù)第二時(shí)刻感應(yīng)電流I₁獲取包括：

獲取第二時(shí)刻電感電流I₁；

根據(jù)所述第二時(shí)刻電感電流I₁在實(shí)現(xiàn)電路ZVS的條件下，獲得所述第二閾值時(shí)間t_m；

對(duì)所述第二閾值時(shí)間t_m進(jìn)行求導(dǎo)和縮放，獲得所述第二閾值時(shí)間t_m與所述峰值電流I_pk成第二正比例關(guān)系。

結(jié)合第一方面的第六種可能的實(shí)施方式，本發(fā)明實(shí)施例提供了第一方面的第七種可能的實(shí)施方式，其中，所述實(shí)現(xiàn)電路ZVS的條件包括：

I²＞C_IU²/L₁

其中，I為所述電感電流，C₁為諧振電容，U為直流電壓，L₁為電感。

結(jié)合第一方面的第七種可能的實(shí)施方式，本發(fā)明實(shí)施例提供了第一方面的第八種可能的實(shí)施方式，其中，所述根據(jù)所述第二時(shí)刻電感電流I₁在實(shí)現(xiàn)電路ZVS的條件下，獲得所述第二閾值時(shí)間t_m包括：

其中，t_m為所述第二閾值時(shí)間，C₁為所述諧振電容，U為所述直流電壓，L₁為所述電感，ω為角頻率，I為所述電感電流。

第二方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供一種基于延遲時(shí)間以實(shí)現(xiàn)電路ZVS的系統(tǒng)，包括：

延遲時(shí)間增加器，用于對(duì)單管感應(yīng)加熱主電路和單管感應(yīng)加熱自激振蕩電路進(jìn)行分析，使所述單管感應(yīng)加熱自激振蕩電路在開通點(diǎn)增加固定延遲時(shí)間；

閾值時(shí)間獲取器，用于當(dāng)所述延遲時(shí)間滿足第一預(yù)設(shè)條件時(shí)，根據(jù)所述第一預(yù)設(shè)條件和絕緣柵雙極型晶體管IGBT的開通條件，使所述延遲時(shí)間滿足第二預(yù)設(shè)條件，其中，所述第一預(yù)設(shè)條件包括第一閾值時(shí)間Δt和第二閾值時(shí)間t_m；

極值獲取器，用于根據(jù)所述第一閾值時(shí)間Δt和所述第二閾值時(shí)間t_m獲得最小極值Δt₀和最大極值t_m0；

ZVS實(shí)現(xiàn)器，用于根據(jù)所述最小極值Δt₀和所述最大極值t_m0，使所述延遲時(shí)間在全范圍滿足第三預(yù)設(shè)條件，從而使所述單管感應(yīng)加熱自激振蕩電路在零點(diǎn)電壓開通。

本發(fā)明提供的基于延遲時(shí)間以實(shí)現(xiàn)電路ZVS的方法及系統(tǒng)，包括：對(duì)單管感應(yīng)加熱主電路和單管感應(yīng)加熱自激振蕩電路進(jìn)行分析，使單管感應(yīng)加熱自激振蕩電路在開通點(diǎn)增加延遲時(shí)間，當(dāng)延遲時(shí)間滿足第一預(yù)設(shè)條件時(shí)，根據(jù)第一預(yù)設(shè)條件和絕緣柵雙極型晶體管IGBT的開通條件，使延遲時(shí)間滿足第二預(yù)設(shè)條件，其中，第一預(yù)設(shè)條件包括第一閾值時(shí)間Δt和第二閾值時(shí)間t_m；根據(jù)第一閾值時(shí)間Δt和第二閾值時(shí)間t_m獲得最小極值Δt₀和最大極值t_m0；根據(jù)最小極值Δt₀和最大極值t_m0，使延遲時(shí)間在全范圍滿足第三預(yù)設(shè)條件，從而使單管感應(yīng)加熱自激振蕩電路在零點(diǎn)電壓開通。本發(fā)明能夠增加單管感應(yīng)加熱自激振蕩電路的ZVS實(shí)現(xiàn)范圍，降低成本。

本發(fā)明的其他特征和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的說明書中闡述，并且，部分地從說明書中變得顯而易見，或者通過實(shí)施本發(fā)明而了解。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點(diǎn)在說明書、權(quán)利要求書以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)和獲得。

為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉較佳實(shí)施例，并配合所附附圖，作詳細(xì)說明如下。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明具體實(shí)施方式或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)具體實(shí)施方式或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實(shí)施方式，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為現(xiàn)有技術(shù)所提供的單管感應(yīng)加熱自激振蕩電路的電路圖；

圖2為現(xiàn)有技術(shù)所提供的單管感應(yīng)加熱主電路的電路圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例一提供的基于延遲時(shí)間以實(shí)現(xiàn)電路ZVS的方法流程圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例一提供的獲取第一閾值時(shí)間的方法流程圖；

圖5為本發(fā)明實(shí)施例一提供的獲取第二閾值時(shí)間的方法流程圖；

圖6為本發(fā)明實(shí)施例二提供的基于延遲時(shí)間以實(shí)現(xiàn)電路ZVS的系統(tǒng)示意圖。

圖標(biāo)：100-延遲時(shí)間增加器；200-閾值時(shí)間獲取器；300-極值獲取器；400-ZVS實(shí)現(xiàn)器。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

目前通過對(duì)單管感應(yīng)加熱主電路和單管感應(yīng)加熱自激振蕩電路進(jìn)行分析，參照?qǐng)D2，單管感應(yīng)加熱主電路中絕緣柵雙極型晶體管Q1的柵極連接來自驅(qū)動(dòng)的脈沖信號(hào)(PWM_FROM_DRIVER)，可以得到在一個(gè)工作周期內(nèi)，單管感應(yīng)加熱主電路的工作狀態(tài)可分為3個(gè)階段：第一階段為[0,t₁]電感充電階段、第二階段[t₁,t₂]諧振階段和第三階段[t₂,t₃]電感放電階段。其中在在第三階段時(shí)，單管感應(yīng)加熱主電路可以實(shí)現(xiàn)零電壓開通，即在二極管開通期間，使得IGBT導(dǎo)通。對(duì)三個(gè)工作狀態(tài)下的單管感應(yīng)加熱自激振蕩電路進(jìn)行分析，在一個(gè)周期內(nèi)有兩個(gè)時(shí)刻滿足電感電壓與直流電壓相等的情況，即u_CE(t)＝U，可以設(shè)這兩個(gè)時(shí)刻為t₄和t₅，且t₄＜t₅。

一般地有，當(dāng)此時(shí)，比較器U1A輸出高電平，節(jié)點(diǎn)4的電壓為u₄＝4V，節(jié)點(diǎn)3的電壓為u₃＝3.3V。當(dāng)時(shí)，比較器U1A輸出低電平，則u₃＝0V，u₄＝0.7V。由控制器產(chǎn)生的PWM信號(hào)在節(jié)點(diǎn)5形成了一個(gè)穩(wěn)定的電平u₅，此時(shí)有u₅>u₄，則U1B輸出高電平，該信號(hào)輸入到驅(qū)動(dòng)芯片，從而IGBT導(dǎo)通。+15V電壓通過R7給電容C2充電，u₄的電位上升，當(dāng)u₅<u₄時(shí)，比較器U1B輸出低電平，IGBT關(guān)斷，電容電感進(jìn)入自由諧振階段。當(dāng)u_CE(t)＝U時(shí)，比較器U1A輸出高阻態(tài)，由于二極管D1的鉗位，u₄＝4V，電容C2放電，直至u₃＝3.3V，如此周而復(fù)始。

從以上分析發(fā)現(xiàn)，通過該單管感應(yīng)加熱自激振蕩電路，使得IGBT的源極和漏極之間的電壓u_CE(t)＝U時(shí)就開通了，從而IGBT無法零電壓開通。接下來通過實(shí)施例一介紹，如果單管感應(yīng)加熱自激振蕩電路在開通點(diǎn)增加一定的延遲，將會(huì)使得單管感應(yīng)加熱主電路零電壓開通這一特性得以實(shí)現(xiàn)。

實(shí)施例一：

圖3為本發(fā)明實(shí)施例一提供的基于延遲時(shí)間以實(shí)現(xiàn)電路ZVS的方法流程圖。

參照?qǐng)D3，基于延遲時(shí)間以實(shí)現(xiàn)電路ZVS的方法包括：

步驟S110，對(duì)單管感應(yīng)加熱主電路和單管感應(yīng)加熱自激振蕩電路進(jìn)行分析，使單管感應(yīng)加熱自激振蕩電路在開通點(diǎn)增加延遲時(shí)間；

具體的，通過以上分析可知，增加固定的延遲時(shí)間可以實(shí)現(xiàn)全范圍負(fù)載ZVS。

步驟S120，當(dāng)延遲時(shí)間滿足第一預(yù)設(shè)條件時(shí)，根據(jù)第一預(yù)設(shè)條件和絕緣柵雙極型晶體管IGBT的開通條件，使延遲時(shí)間滿足第二預(yù)設(shè)條件，其中，第一預(yù)設(shè)條件包括第一閾值時(shí)間Δt和第二閾值時(shí)間t_m；

具體的，第一預(yù)設(shè)條件為延遲時(shí)間大于第一閾值時(shí)間，如公式(1)所示：

t_d≥Δt＝t₂-t₅ (1)

其中，t_d為延遲時(shí)間，Δt為第一閾值時(shí)間，t₂為諧振階段與電感放電階段的交界時(shí)刻，t₅為滿足電感電壓與直流電壓相等的時(shí)刻。

第二預(yù)設(shè)條件為延遲時(shí)間小于第二閾值時(shí)間，如公式(2)所示：

t_d≤t_m＝Δt+t_don (2)

其中，t_m為第二閾值時(shí)間，t_don為二極管導(dǎo)通時(shí)間。

步驟S130，根據(jù)第一閾值時(shí)間Δt和第二閾值時(shí)間t_m獲得最小極值Δt₀和最大極值t_m0；

步驟S140，根據(jù)最小極值Δt₀和最大極值t_m0，使延遲時(shí)間在全范圍滿足第三預(yù)設(shè)條件，從而使單管感應(yīng)加熱自激振蕩電路在零點(diǎn)電壓開通。

具體的，第三預(yù)設(shè)條件為延遲時(shí)間不小于最小極值Δt₀且不大于最大極值t_m0，如公式(3)所示：

Δt₀≤t_d≤t_m0 (3)

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，參照?qǐng)D4，獲取第一閾值時(shí)間Δt的方法包括：

步驟S210，對(duì)第一時(shí)刻電感電流i_L(t₅)進(jìn)行分析，得到第一時(shí)刻電感電流i_L(t₅)與峰值電流I_pk成第一正比例關(guān)系；

步驟S220，通過對(duì)單管感應(yīng)加熱主電路進(jìn)行分析，獲得第一時(shí)間段內(nèi)的特定相位

步驟S230，根據(jù)第一正比例關(guān)系和特定相位得到第一閾值時(shí)間Δt，其中，第一閾值時(shí)間Δt與峰值電流I_pk成反比例關(guān)系。

具體的，選取滿足電感電壓與直流電壓相等的時(shí)刻，即當(dāng)t＝t₅時(shí)，有第一時(shí)刻電感電流，如公式(4)所示：：

其中，i_L(t₅)為第一時(shí)刻電感電流，ω₀為初角頻率，如公式(5)所示：

δ為衰減系數(shù)，如公式(6)所示：

ω為角頻率，如公式(7)所示：

β為初相位，如公式(8)所示：

為相位，如公式(9)所示：

A為系數(shù)，如公式(10)所示：

還可以根據(jù)以上內(nèi)容得到峰值電流，如公式(11)所示：

I_pk為峰值電流，如公式(9)所示：

可以判別出I_pk越大I越大，第一時(shí)刻電感電流i_L(t₅)與峰值電流I_pk成第一正比例關(guān)系。一般的，等效電阻R1比較小，從而衰減系數(shù)δ也比較小，在考慮時(shí)可以忽略電阻R1的影響，在第一時(shí)間段[t₅,t₂]對(duì)應(yīng)的特定相位如公式(12)所示：

其中，為特定相位，C₁為諧振電容，U為直流電壓，I為電感電流，ω為角頻率。

則有第一閾值時(shí)間Δt，如公式(13)所示：

其中，Δt為第一閾值時(shí)間，為特定相位，ω為角頻率。

可以看出，Δt是隨I_pk的增加而減小的。即I_pk越小，為了實(shí)現(xiàn)ZVS所需的最小延遲時(shí)間就越長(zhǎng)。因此，若給定一個(gè)大于最小I_pk對(duì)應(yīng)的所需延遲時(shí)間的延遲時(shí)間，就可以使得IGBT在其反并聯(lián)二極管導(dǎo)通之后才開始導(dǎo)通。但這并不意味著一定能實(shí)現(xiàn)零電壓開通，如果延遲時(shí)間太長(zhǎng)，將有可能導(dǎo)致IGBT在其反并聯(lián)二極管已經(jīng)截止了才開通，這將使單管感應(yīng)加熱主電路重新開始自由振蕩，從而失去了ZVS。因此，必須確保延遲時(shí)間t_d＜t_m＝Δt+t_don,其中t_don是二極管導(dǎo)通時(shí)間。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，參照?qǐng)D5，獲取第二閾值時(shí)間t_m的方法包括：

步驟S310，獲取第二時(shí)刻電感電流I₁；

步驟S320，根據(jù)第二時(shí)刻電感電流I₁在實(shí)現(xiàn)電路ZVS的條件下，獲得第二閾值時(shí)間t_m；

步驟S330，對(duì)第二閾值時(shí)間t_m進(jìn)行求導(dǎo)和縮放，獲得第二閾值時(shí)間t_m與峰值電流I_pk成第二正比例關(guān)系。

具體的，第二時(shí)刻電感電流如公示(14)所示：

從時(shí)刻t₅到時(shí)刻t₂由能量守恒可得：

由公式(8)可知，為了能實(shí)現(xiàn)ZVS必須滿足：

I²＞C₁U²/L₁ (15)

則根據(jù)第二時(shí)刻電感電流I₁在實(shí)現(xiàn)電路ZVS的條件下，獲得第二閾值時(shí)間t_m，如公式(16)所示：

其中，t_m為第二閾值時(shí)間，C₁為諧振電容，U為直流電壓，L₁為電感，ω為角頻率，I為電感電流。

對(duì)公式(16)進(jìn)行求導(dǎo)得，

對(duì)公式(17)進(jìn)行縮放有，

即有t_m隨I的增加而增加，因此t_m隨I_pk的增加而增加。

設(shè)定最小的峰值電流I_pk，根據(jù)第一閾值時(shí)間Δt與峰值電流I_pk成反比例關(guān)系，獲得最大的第一閾值時(shí)間，也就是延遲時(shí)間t_d的最小極值Δt₀；根據(jù)第二閾值時(shí)間t_m與所述峰值電流I_pk成第二正比例關(guān)系，獲得最小的第二閾值時(shí)間，也就是延遲時(shí)間t_d的最大極值t_m0。設(shè)最小的峰值電流I_pk對(duì)應(yīng)的Δt和t_m分別為Δt₀和t_m0，若給定固定的延遲時(shí)間，應(yīng)滿足公式(3)：

Δt₀≤t_d≤t_m0 (3)

則能確保IGBT在反并聯(lián)二極管開通后再開通，同時(shí)又保證在二極管截止前導(dǎo)通，即實(shí)現(xiàn)了零電壓開通。當(dāng)峰值電流最小時(shí)，對(duì)應(yīng)最小的I_pk，因此對(duì)于固定的延遲時(shí)間可由能實(shí)現(xiàn)ZVS的最小峰值電流對(duì)應(yīng)的時(shí)間Δt₀和t_m0來確定。

本發(fā)明實(shí)施例提供的基于延遲時(shí)間以實(shí)現(xiàn)電路ZVS的方法，通過對(duì)單管感應(yīng)加熱主電路和單管感應(yīng)加熱自激振蕩電路進(jìn)行分析，使單管感應(yīng)加熱自激振蕩電路在開通點(diǎn)增加延遲時(shí)間，當(dāng)延遲時(shí)間滿足第一預(yù)設(shè)條件時(shí)，根據(jù)第一預(yù)設(shè)條件和絕緣柵雙極型晶體管IGBT的開通條件，使延遲時(shí)間滿足第二預(yù)設(shè)條件，其中，第一預(yù)設(shè)條件包括第一閾值時(shí)間Δt和第二閾值時(shí)間t_m；根據(jù)第一閾值時(shí)間Δt和第二閾值時(shí)間t_m獲得最小極值Δt₀和最大極值t_m0；根據(jù)最小極值Δt₀和最大極值t_m0，使延遲時(shí)間在全范圍滿足第三預(yù)設(shè)條件，從而使單管感應(yīng)加熱自激振蕩電路在零點(diǎn)電壓開通。本發(fā)明增加了單管感應(yīng)加熱自激振蕩電路的ZVS實(shí)現(xiàn)范圍，降低了成本。

實(shí)施例二：

圖6為本發(fā)明實(shí)施例二提供的基于延遲時(shí)間以實(shí)現(xiàn)電路ZVS的系統(tǒng)示意圖。

參照?qǐng)D6，基于延遲時(shí)間以實(shí)現(xiàn)電路ZVS的系統(tǒng)包括：

延遲時(shí)間增加器100，用于對(duì)單管感應(yīng)加熱主電路和單管感應(yīng)加熱自激振蕩電路進(jìn)行分析，使單管感應(yīng)加熱自激振蕩電路在開通點(diǎn)增加固定延遲時(shí)間；

閾值時(shí)間獲取器200，用于當(dāng)延遲時(shí)間滿足第一預(yù)設(shè)條件時(shí)，根據(jù)第一預(yù)設(shè)條件和絕緣柵雙極型晶體管IGBT的開通條件，使延遲時(shí)間滿足第二預(yù)設(shè)條件，其中，第一預(yù)設(shè)條件包括第一閾值時(shí)間Δt和第二閾值時(shí)間t_m；

極值獲取器300，用于根據(jù)第一閾值時(shí)間Δt和第二閾值時(shí)間t_m獲得最小極值Δt₀和最大極值t_m0；

ZVS實(shí)現(xiàn)器400，用于根據(jù)最小極值Δt₀和最大極值t_m0，使延遲時(shí)間在全范圍滿足第三預(yù)設(shè)條件，從而使單管感應(yīng)加熱自激振蕩電路在零點(diǎn)電壓開通。

本發(fā)明實(shí)施例提供的基于延遲時(shí)間以實(shí)現(xiàn)電路ZVS的系統(tǒng)，包括延遲時(shí)間增加器、閾值時(shí)間獲取器、極值獲取器和ZVS實(shí)現(xiàn)器，通過對(duì)單管感應(yīng)加熱主電路和單管感應(yīng)加熱自激振蕩電路進(jìn)行分析，使單管感應(yīng)加熱自激振蕩電路在開通點(diǎn)增加延遲時(shí)間，當(dāng)延遲時(shí)間滿足第一預(yù)設(shè)條件時(shí)，根據(jù)第一預(yù)設(shè)條件和絕緣柵雙極型晶體管IGBT的開通條件，使延遲時(shí)間滿足第二預(yù)設(shè)條件，其中，第一預(yù)設(shè)條件包括第一閾值時(shí)間Δt和第二閾值時(shí)間t_m；根據(jù)第一閾值時(shí)間Δt和第二閾值時(shí)間t_m獲得最小極值Δt₀和最大極值t_m0；根據(jù)最小極值Δt₀和最大極值t_m0，使延遲時(shí)間在全范圍滿足第三預(yù)設(shè)條件，從而使單管感應(yīng)加熱自激振蕩電路在零點(diǎn)電壓開通。本發(fā)明增加了單管感應(yīng)加熱自激振蕩電路的ZVS實(shí)現(xiàn)范圍，降低了成本。

所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員可以清楚地了解到，為描述的方便和簡(jiǎn)潔，上述描述的系統(tǒng)和裝置的具體工作過程，可以參考前述方法實(shí)施例中的對(duì)應(yīng)過程，在此不再贅述。

另外，在本發(fā)明實(shí)施例的描述中，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語“安裝”、“相連”、“連接”應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機(jī)械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個(gè)元件內(nèi)部的連通。對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以具體情況理解上述術(shù)語在本發(fā)明中的具體含義。

所述功能如果以軟件功能單元的形式實(shí)現(xiàn)并作為獨(dú)立的產(chǎn)品銷售或使用時(shí)，可以存儲(chǔ)在一個(gè)計(jì)算機(jī)可讀取存儲(chǔ)介質(zhì)中?；谶@樣的理解，本發(fā)明的技術(shù)方案本質(zhì)上或者說對(duì)現(xiàn)有技術(shù)做出貢獻(xiàn)的部分或者該技術(shù)方案的部分可以以軟件產(chǎn)品的形式體現(xiàn)出來，該計(jì)算機(jī)軟件產(chǎn)品存儲(chǔ)在一個(gè)存儲(chǔ)介質(zhì)中，包括若干指令用以使得一臺(tái)計(jì)算機(jī)設(shè)備(可以是個(gè)人計(jì)算機(jī)，服務(wù)器，或者網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等)執(zhí)行本發(fā)明各個(gè)實(shí)施例所述方法的全部或部分步驟。而前述的存儲(chǔ)介質(zhì)包括：U盤、移動(dòng)硬盤、只讀存儲(chǔ)器(ROM，Read-Only Memory)、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM，Random Access Memory)、磁碟或者光盤等各種可以存儲(chǔ)程序代碼的介質(zhì)。

在本發(fā)明的描述中，需要說明的是，術(shù)語“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“內(nèi)”、“外”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡(jiǎn)化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。此外，術(shù)語“第一”、“第二”、“第三”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對(duì)重要性。

最后應(yīng)說明的是：以上所述實(shí)施例，僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式，用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對(duì)其限制，本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，盡管參照前述實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解：任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，其依然可以對(duì)前述實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改或可輕易想到變化，或者對(duì)其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改、變化或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明實(shí)施例技術(shù)方案的精神和范圍，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)所述以權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。