本發(fā)明涉及一種表面搪瓷的預(yù)熱處理電加熱管組件的制作方法。

背景技術(shù)：

各個國家的電壓范圍不同(100V-440V)，電加熱管的功率范圍不同(100W-5000W)，使用環(huán)境不同，電加熱管的管徑不同等，這就要求產(chǎn)品的電阻絲設(shè)計要求和制造工藝越來越高。在電加熱管制作過程中，作為填充物的氧化鎂粉末其干燥程度將會影響之后的熱傳導(dǎo)，影響到電加熱管的功效，為此常常需要對其進行排潮處理，而現(xiàn)有技術(shù)中往往忽略氧化鎂水合物以及含結(jié)晶水的氧化鎂，致使排潮不徹底，而此類物質(zhì)同樣會影響電加熱管的轉(zhuǎn)換效率。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是，針對現(xiàn)有技術(shù)不足，提出一種進行預(yù)熱處理的電加熱管組件的制作方法。

本發(fā)明為了解決上述技術(shù)問題提出的技術(shù)方案是：一種表面搪瓷的預(yù)熱處理電加熱管組件的制作方法，該方法執(zhí)行如下步驟：

1）繞制一預(yù)設(shè)長度的電阻絲，該電阻絲固定于氧化鎂管基座上，然后將所述電阻絲的兩端分別固定套設(shè)在兩引線棒的上線位上，得到電阻絲組件；

2）把所述電阻絲組件設(shè)于一金屬管中，并使用加粉機向所述金屬管中加入氧化鎂粉，然后采用振粉機振粉，得到電加熱管組件的毛坯件；

3）使用縮管機對所述電加熱管組件按預(yù)設(shè)尺寸進行縮管，使得金屬管的內(nèi)壁與所述氧化鎂基座接觸；

4）對步驟3）中縮管后的電加熱管組件進行預(yù)啟動，使電加熱管組件溫度達到300℃—400℃，將該電加熱管組件關(guān)閉，對所述金屬管進行靜電吸附，在金屬管的外表面噴涂搪瓷層，使該噴涂搪瓷層全面覆蓋金屬管,之后對關(guān)閉的電加熱管組件進行高溫處理，所述高溫處理是對該電熱組件進行進行高溫光亮處理或高溫氮化處理或高溫氧化處理；

5）對步驟4）中的經(jīng)過高溫處理的電熱組件進行封閉處理，完成電加熱管的制作；

所述氧化鎂基座為長方體立柱，所述長方體立柱的側(cè)壁設(shè)有排線孔。

上述技術(shù)方案的改進是：所述的高溫光亮處理是將半成品在N2和H2混合氣體的氣氛下加熱至1040-1080℃(±10℃)進行的處理。

上述技術(shù)方案的改進是：所述的高溫氮化處理是以N2為保護氣氛，將半成品加熱至1040-1080℃(±10℃)進行的處理。

上述技術(shù)方案的改進是：在步驟5）封閉步驟包括滴硅油初封管口工序，即在高溫處理的電加熱管組件出爐后盡快在管口滴入若干硅油，使硅油滲入氧化鎂粉端部，充實粉粒間的空隙。

上述技術(shù)方案的改進是：步驟1）中將電阻絲固定于所述氧化鎂管基座時，沿所述氧化鎂管基座的長度方向自上而下縱向過孔，再將該電阻絲穿過其他長度方向上的排線孔直至滿足制作需要或是將所述氧化鎂管基座上的所有排線孔全部穿過。

本發(fā)明采用上述技術(shù)方案的有益效果是：通過預(yù)啟動電加熱管進行預(yù)熱處理，利用電阻絲自身產(chǎn)生的熱量使氧化鎂分鐘中水合物分解，在進行高溫處理，完全排除氧化鎂粉中的水，使得不會影響電加熱管的正常工作。

本發(fā)明在預(yù)熱之后在電加熱管采用靜電吸附的方式，在金屬管外表面噴涂搪瓷層，使該噴涂搪瓷層全面覆蓋金屬管的外表面；并利用高溫處理過程中的高溫對搪瓷進行燒結(jié)，使金屬管表面涂附的搪瓷涂料燒結(jié)成致密堅實的搪瓷保護層的工藝步驟簡單、效率高，所生產(chǎn)出來的電加熱管組件質(zhì)量可靠、使用壽命長，并同時排除了氧化鎂內(nèi)部的水份。

具體實施方式

實施例

本實施例的一種表面搪瓷的預(yù)熱處理電加熱管組件的制作方法，該方法執(zhí)行如下步驟：

1）繞制一預(yù)設(shè)長度的電阻絲，該電阻絲固定于氧化鎂管基座上，然后將電阻絲的兩端分別固定套設(shè)在兩引線棒的上線位上，得到電阻絲組件；

2）把電阻絲組件設(shè)于一金屬管中，并使用加粉機向金屬管中加入氧化鎂粉，然后采用振粉機振粉，得到電加熱管組件的毛坯件；

3）使用縮管機對電加熱管組件按預(yù)設(shè)尺寸進行縮管，使得金屬管的內(nèi)壁與氧化鎂基座接觸；

4）對步驟3）中縮管后的電加熱管組件進行預(yù)啟動，使電加熱管組件溫度達到300℃—400℃，將該電加熱管組件關(guān)閉，對所述金屬管進行靜電吸附，在金屬管的外表面噴涂搪瓷層，使該噴涂搪瓷層全面覆蓋金屬管,之后對關(guān)閉的電加熱管組件進行高溫處理，所述高溫處理是對該電熱組件進行進行高溫光亮處理或高溫氮化處理或高溫氧化處理；

5）對步驟4）中的經(jīng)過高溫處理的電熱組件進行封閉處理，完成電加熱管的制作；

氧化鎂基座為長方體立柱，長方體立柱的側(cè)壁設(shè)有排線孔。

本實施例的高溫光亮處理是將半成品在N2和H2混合氣體的氣氛下加熱至1040-1080℃(±10℃)進行的處理。

本實施例得高溫氮化處理是以N2為保護氣氛，將半成品加熱至1040-1080℃(±10℃)進行的處理。

本實施例在步驟5）封閉步驟包括滴硅油初封管口工序，即在高溫處理的電加熱管組件出爐后盡快在管口滴入若干硅油，使硅油滲入氧化鎂粉端部，充實粉粒間的空隙。

本實施例步驟1）中將電阻絲固定于氧化鎂管基座時，沿氧化鎂管基座的長度方向自上而下縱向過孔，再將該電阻絲穿過其他長度方向上的排線孔直至滿足制作需要或是將氧化鎂管基座上的所有排線孔全部穿過。

本發(fā)明不局限于上述實施例。凡采用等同替換形成的技術(shù)方案，均落在本發(fā)明要求的保護范圍。