分立件暗光控制開關(guān)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種分立件暗光控制開關(guān)，其特征包括：12V直流電源、感光電路、光信號放大電路、光信號功率放大電路、直流繼電器控制及保護(hù)電路。本發(fā)明所述的分立件暗光控制開關(guān)使用1只光敏電阻RG采集光信號，然后光信號通過2只NPN型晶體管進(jìn)行兩級放大，最后驅(qū)動直流繼電器開關(guān)觸點，用于照明、安防系統(tǒng)、計數(shù)器或遠(yuǎn)程控制等，它具有敏感高，光控反映速度快、工作可靠、造價低等特點。
【專利說明】分立件暗光控制開關(guān)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于電子與光控【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種分立件暗光控制開關(guān)。

【背景技術(shù)】
[0002]本發(fā)明所述的分立件暗光控制開關(guān)使用1只光敏電阻RG采集光信號，然后光信號通過2只NPN型晶體管進(jìn)行兩級放大，最后驅(qū)動直流繼電器的開關(guān)觸點，用于照明、安防系統(tǒng)、計數(shù)器或遠(yuǎn)程控制等，電路全部使用分立元器件，它具有敏感高，光控反映速度快、工作可靠、造價低等特點。
[0003]以下詳細(xì)說明本發(fā)明所述的分立件暗光控制開關(guān)的在實施過程中所涉及的關(guān)鍵性技術(shù)內(nèi)容。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]發(fā)明目的及有益效果:本發(fā)明所述的分立件暗光控制開關(guān)使用1只光敏電阻RG采集光信號，然后光信號通過2只NPN型晶體管進(jìn)行兩級放大，最后驅(qū)動直流繼電器開關(guān)觸點，用于照明、安防系統(tǒng)、計數(shù)器或遠(yuǎn)程控制等，它具有敏感高，光控反映速度快、工作可靠、造價低等特點。
[0005]電路工作原理:以光敏電阻為核心元件驅(qū)動直流繼電器控制輸出的光控開關(guān)電路有多種電路形式，本發(fā)明所述的分立件暗光控制開關(guān)，當(dāng)環(huán)境照度下降到設(shè)定值時，由于光敏電阻RG的阻值增大，使NPN型晶體管VT1獲得偏置而導(dǎo)通，再由NPN型晶體管VT2的激勵電流使直流繼電器J得電工作，直流繼電器J對應(yīng)的常開觸點閉合、常閉觸點斷開，實現(xiàn)對外部電路的自動控制。硅整流二極管D1為了保護(hù)NPN型晶體管VT2截止瞬間，旁路直流繼電器J線圈所產(chǎn)生的反向電動勢。
[0006]分立件暗光控制開關(guān)的輸入端接入1只光敏電阻RG和1只線性電位器RP組成一個分壓電路，當(dāng)光線照在光敏電阻RG上導(dǎo)致其電阻值變小，從而使整個分壓電路電壓分配發(fā)生變化，這些電壓變化將控制著NPN型晶體管VT1的導(dǎo)通或截止；線性電位器RP用于調(diào)整光敏電路的靈敏度，調(diào)整線性電位器RP以適應(yīng)于要求的光照條件。
[0007]技術(shù)方案:分立件暗光控制開關(guān)，它包括12V直流電源、感光電路、光信號放大電路、光信號功率放大電路、直流繼電器控制及保護(hù)電路，其特征在于:
[0008]感光電路:它由光敏電阻RG、電位器RP和電阻R1組成，光敏電阻RG—端和線性電位器RP —端及電阻R1 —端接NPN型晶體管VT1基極，線性電位器RP另一端及其活動端與電路正極VCC相連，光敏電阻RG另一端和電阻R1另一端接電路地GND ；
[0009]光信號放大電路:它由NPN型晶體管VT1和電阻R2組成，NPN型晶體管VT1集電極接電路正極VCC，NPN型晶體管VT1的發(fā)射極接電阻R2 —端，電阻R2另一端接電路地GND ；
[0010]光信號功率放大電路:它由NPN型晶體管VT2和電阻R3組成，NPN型晶體管VT2基極通過電阻R3接NPN型晶體管VT1發(fā)射極，NPN型晶體管VT2發(fā)射極接電路地GND，NPN型晶體管VT2集電極接直流繼電器控制及保護(hù)電路；
[0011]直流繼電器控制及保護(hù)電路:它由直流繼電器J和硅整流二極管D1組成，NPN型晶體管VT2集電極接直流繼電器J線圈一端和硅整流二極管D1正極，繼電器J線圈另一端和硅整流二極管D1負(fù)極接電路正極VCC ；
[0012]12V直流電源的正極與電路正極VCC相連，12V直流電源的負(fù)極與電路地GND相連。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0013]附圖1是本發(fā)明提供一個分立件暗光控制開關(guān)的實施例電路工作原理圖。

【具體實施方式】
[0014]按照附圖1所示的分立件暗光控制開關(guān)電路工作原理圖和【專利附圖】

【附圖說明】，并按照
【發(fā)明內(nèi)容】
所述的各部分電路中元器件之間連接關(guān)系，以及實施方式中所述的元器件技術(shù)參數(shù)要求和電路制作要點進(jìn)行實施即可實現(xiàn)本發(fā)明，以下結(jié)合實施例對本發(fā)明的相關(guān)技術(shù)作進(jìn)一步描述。
[0015]元器件的技術(shù)參數(shù)及選擇要求
[0016]VTUVT2為NPN型晶體管，選用的型號為2SC9013，要求放大倍數(shù)β彡160 ;
[0017]RP為線性電位器，其阻值是100ΚΩ ；
[0018]RG光敏電阻，選用的型號為MG45 ;
[0019]D1硅整流二極管，選用的型號為1Ν4001 ；
[0020]電阻全部選用1/8W金屬膜電阻，電阻R1的阻值為100ΚΩ，電阻R2的阻值為3ΚΩ，電阻R3的阻值為1ΚΩ ；
[0021]直流繼電器J選用的型號為JQX-13F，工作電壓為12V ;直流繼電器J共有5個腳，即:直流繼電器J的線圈2個腳，功率輸出為3個腳，3個腳分別組成常開觸點和常閉觸點；
[0022]直流電源DC的電壓為12V，要求12V直流電源最大輸出電流彡60mA，12V直流電源可以使用12V穩(wěn)壓電源或12V電池組。
[0023]電路制作要點與電路調(diào)試
[0024]因分立件暗光控制開關(guān)的電路結(jié)構(gòu)比較簡單，制作比較容易，一般情況下只要選用的電子元器件性能完好，并按照說明書附圖1中的元器件連接關(guān)系進(jìn)行焊接，物理連接線及焊接質(zhì)量經(jīng)過仔細(xì)檢查正確無誤后，本發(fā)明的電路只需要進(jìn)行簡單調(diào)試即可正常工作；
[0025]首選將線性電位器RP的阻值調(diào)節(jié)到最大值；其次是根據(jù)環(huán)境暗光的要求，緩慢調(diào)節(jié)線性電位器RP的阻值，并結(jié)合適當(dāng)改變電阻R1的阻值，使直流繼電器J觸點的吸合或釋放符合控制要求即可。
[0026]本發(fā)明的電路元器件布局、電路板設(shè)計、分立件暗光控制開關(guān)的外觀及幾何尺寸等不是本發(fā)明的關(guān)鍵性技術(shù)，也不是本發(fā)明要求保護(hù)的技術(shù)內(nèi)容，故在說明書中不作一一說明。
【權(quán)利要求】
1.一種分立件暗光控制開關(guān)，它包括12V直流電源、感光電路、光信號放大電路、光信號功率放大電路、直流繼電器控制及保護(hù)電路，其特征在于: 所述的感光電路由光敏電阻RG、電位器RP和電阻Rl組成，光敏電阻RG —端和線性電位器RP —端及電阻Rl —端接NPN型晶體管VTl基極，線性電位器RP另一端及其活動端與電路正極VCC相連，光敏電阻RG另一端和電阻Rl另一端接電路地GND ；所述的光信號放大電路由NPN型晶體管VTl和電阻R2組成，NPN型晶體管VTl集電極接電路正極VCC，NPN型晶體管VTl的發(fā)射極接電阻R2 —端，電阻R2另一端接電路地GND ；所述的光信號功率放大電路由NPN型晶體管VT2和電阻R3組成，NPN型晶體管VT2基極通過電阻R3接NPN型晶體管VTl發(fā)射極，NPN型晶體管VT2發(fā)射極接電路地GND，NPN型晶體管VT2集電極接直流繼電器控制及保護(hù)電路； 所述的直流繼電器控制及保護(hù)電路由直流繼電器J和硅整流二極管Dl組成，NPN型晶體管VT2集電極接直流繼電器J線圈一端和硅整流二極管Dl正極，繼電器J線圈另一端和硅整流二極管Dl負(fù)極接電路正極VCC ； 所述的12V直流電源的正極與電路正極VCC相連，12V直流電源的負(fù)極與電路地GND相連。
【文檔編號】H03K17/78GK104467780SQ201410802567
【公開日】2015年3月25日 申請日期:2014年12月22日 優(yōu)先權(quán)日:2014年12月22日
【發(fā)明者】王志 申請人:王志