用于緩沖線性化的設(shè)備和方法
【專利摘要】提供了一種用于緩沖線性化的設(shè)備和方法。在【具體實(shí)施方式】中，放大器包括緩沖器電路和增益電路。緩沖器電路包括緩沖晶體管對(duì)，用于緩沖差分輸入信號(hào)以產(chǎn)生差分緩沖信號(hào)。此外，增益電路包括增益晶體管對(duì)，其被配置成放大緩沖差分信號(hào)以產(chǎn)生放大的差分信號(hào)。緩沖器電路可包括線性化晶體管對(duì)，其被配置成降低緩沖器電路的輸出阻抗并提供降低了響應(yīng)于與增益晶體管對(duì)的CJC或CGD電容相關(guān)的位移電流而產(chǎn)生的差分緩沖信號(hào)電壓變化的反饋。
【專利說(shuō)明】用于緩沖線性化的設(shè)備和方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明的實(shí)施例涉及電子系統(tǒng)，更具體地說(shuō)涉及放大器。
【背景技術(shù)】
[0002]諸如混頻器、調(diào)制器和/或解調(diào)器之類的具體電子系統(tǒng)可包括用于放大相對(duì)弱的信號(hào)的放大器。例如，射頻(RF)系統(tǒng)可包括用于放大混頻器的輸出以產(chǎn)生放大信號(hào)的放大器。
[0003]存在對(duì)改進(jìn)的放大器的需求。而且，存在對(duì)具有高線性度和/或較寬帶寬的放大器的需求。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]在一個(gè)實(shí)施例中，一種設(shè)備包括增益電路和緩沖器電路。增益電路包括第一增益晶體管和第二增益晶體管。第一增益晶體管的發(fā)射極電連接至第二增益晶體管的發(fā)射極，第一和第二增益晶體管具有第一類型的器件極性。緩沖器電路包括第一緩沖晶體管、第二緩沖晶體管、第一線性化晶體管和第二線性化晶體管。第一緩沖晶體管包括與第一增益晶體管的基極電連接的發(fā)射極以及配置成接收第一輸入信號(hào)的基極。第二緩沖晶體管包括電連接第二增益晶體管的基極的發(fā)射極以及配置成接收第二輸入信號(hào)的基極。第一和第二緩沖晶體管具有與第一類型的器件極性相反的第二類型的器件極性。第一線性化晶體管包括與第一增益晶體管的基極電連接的集電極以及與第一緩沖晶體管的集電極電連接的基極。第二線性化晶體管包括與第二增益晶體管的基極電連接的集電極以及與第二緩沖晶體管的集電極電連接的基極。第一和第二線性化晶體管具有第一類型的器件極性。
[0005]在另一個(gè)實(shí)施例中，一種設(shè)備包括增益電路和緩沖器電路。增益電路包括第一增益晶體管和第二增益晶體管。第一增益晶體管的源極電連接至第二增益晶體管的源極，第一和第二增益晶體管具有第一類型的器件極性。緩沖器電路包括第一緩沖晶體管，其包括與第一增益晶體管的柵極電連接的源極以及配置成接收第一輸入信號(hào)的柵極。第二緩沖晶體管包括與第二增益晶體管的柵極電連接的源極以及配置成接收第二輸入信號(hào)的柵極。第一和第二緩沖晶體管具有與第一類型的器件極性相反的第二類型的器件極性。第一線性化晶體管包括與第一增益晶體管的柵極電連接的的漏極以及與第一緩沖晶體管的漏極電連接的柵極。第二線性化晶體管包括與第二增益晶體管的柵極電連接的漏極以及與第二緩沖晶體管的漏極電連接的柵極。第一和第二線性化晶體管具有第一類型的器件極性。
[0006]在另一個(gè)實(shí)施例中，提供了一種電子放大方法。該方法包括利用緩沖器電路緩沖差分輸入信號(hào)以產(chǎn)生差分緩沖信號(hào)，并利用增益電路放大差分緩沖信號(hào)以產(chǎn)生放大的差分信號(hào)。緩沖器電路包括第一緩沖晶體管、第二緩沖晶體管、第一線性化晶體管和第二線性化晶體管。在第一緩沖晶體管的基極和第二緩沖晶體管的基極之間接收差分輸入信號(hào)，在第一緩沖晶體管的發(fā)射極和第二緩沖晶體管的發(fā)射極之間產(chǎn)生差分緩沖信號(hào)。第一緩沖晶體管的發(fā)射極電連接至第一線性化晶體管的集電極，而且第二緩沖晶體管的發(fā)射極電連接至第二線性化晶體管的集電極。第一和第二線性化晶體管具有第一類型的器件極性，而且第一和第二緩沖晶體管具有與第一類型的器件極性相反的第二類型的器件極性。增益電路包括第一增益晶體管和第二增益晶體管，而且在第一增益晶體管的基極和第二增益晶體管的基極之間接收差分緩沖信號(hào)。在第一增益晶體管的集電極和第二增益晶體管的集電極之間產(chǎn)生放大的差分信號(hào)，而且第一和第二增益晶體管具有第一類極性。
[0007]在另一個(gè)實(shí)施例中，提供了一種電子放大方法。該方法包括利用緩沖器電路緩沖差分輸入信號(hào)以產(chǎn)生差分緩沖信號(hào)，并且利用增益電路放大差分緩沖信號(hào)以產(chǎn)生放大的差分信號(hào)。緩沖器電路包括第一緩沖晶體管、第二緩沖晶體管、第一線性化晶體管和第二線性化晶體管。在第一緩沖晶體管的柵極和第二緩沖晶體管的柵極之間接收差分輸入信號(hào)，在第一緩沖晶體管的源極和第二緩沖晶體管的源極之間產(chǎn)生差分緩沖信號(hào)。第一緩沖晶體管的源極電連接至第一線性化晶體管的漏極，第二緩沖晶體管的源極電連接至第二線性化晶體管的漏極。第一和第二線性化晶體管具有第一類型的器件極性，第一和第二緩沖晶體管具有與第一類型的器件極性相反的第二類型的器件極性。增益電路包括第一增益晶體管和第二增益晶體管。在第一增益晶體管的柵極和第二增益晶體管的柵極之間接收差分緩沖信號(hào)，在第一增益晶體管的漏極和第二增益晶體管的漏極之間產(chǎn)生放大的差分信號(hào)。第一和第二增益晶體管具有第一類極性。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0008]圖1是包括放大器的電子系統(tǒng)的一個(gè)實(shí)例的示意圖。
[0009]圖2是根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的放大器的示意圖。
[0010]圖3是根據(jù)另一實(shí)施例的放大器的示意圖。
[0011]圖4是根據(jù)另一實(shí)施例的放大器的示意圖。
[0012]圖5是三階交調(diào)失真(MD3)與頻率的對(duì)比的一個(gè)實(shí)例的示圖。
[0013]圖6是增益與頻率的對(duì)比的一個(gè)實(shí)例的示圖。
【具體實(shí)施方式】
[0014]以下對(duì)具體實(shí)施例的詳細(xì)描述代表了本發(fā)明特定實(shí)施例的各種說(shuō)明。但是，本發(fā)明可按照權(quán)利要求所限定和覆蓋的多種不同方式(例如，權(quán)利要求所定義和覆蓋的方式)來(lái)實(shí)現(xiàn)。在說(shuō)明書中，對(duì)附圖標(biāo)記了參考標(biāo)號(hào)，其中類似的參考標(biāo)號(hào)表示相同或者功能類似的元素。
[0015]差分放大器，例如相對(duì)大的電流進(jìn)行操作的差分放大器，可使用輸入緩沖器來(lái)改善放大器的帶寬。例如，放大器可包括緩沖器級(jí)和增益級(jí)，緩沖器級(jí)可緩沖差分輸入信號(hào)以產(chǎn)生用于增益級(jí)的緩沖信號(hào)。
[0016]增益級(jí)可包括輸入差分晶體管對(duì)，其可包括可產(chǎn)生位移電流的寄生電容。例如，當(dāng)增益級(jí)的差分晶體管對(duì)由雙極型晶體管時(shí)，雙極型晶體管的基極-至-集電極或結(jié)電容(Cjc)可產(chǎn)生與放大期間晶體管的基極-至-集電極電壓的變化相關(guān)的位移電流或C*dV/dt電流。類似地，當(dāng)增益級(jí)的差分晶體管對(duì)采用場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)實(shí)現(xiàn)時(shí)，F(xiàn)ET的柵極-至-漏極電容(CeD)可產(chǎn)生與放大期間晶體管的柵極-至-漏極電壓變化相關(guān)的位移電流。[0017]Cj?；?^位移電流可導(dǎo)致對(duì)增益級(jí)的差分晶體管對(duì)進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的緩沖器級(jí)的失真或非線性化。例如，Cje或Cra位移電流可操作來(lái)調(diào)制緩沖器級(jí)。此外，Cje或CeD位移電流本身可具有可在緩沖器的輸出產(chǎn)生非線性電壓的非線性分量。非線性電壓可達(dá)到差分晶體管對(duì)的輸入，并且可被增益級(jí)放大并有助于輸出非線性化。
[0018]為了降低非線性化或失真，緩沖器級(jí)的偏置電流可增大以降低緩沖器級(jí)的驅(qū)動(dòng)電阻。然而，增大緩沖器級(jí)的電流還會(huì)不期望地增大DC功耗。此外，增大緩沖器級(jí)的偏置電流還可能不會(huì)降低與非線性位移電流從增益級(jí)的輸出終端經(jīng)由差分晶體管對(duì)的Ck或(^電容器的流動(dòng)相關(guān)的輸出失真。
[0019]在此提供了用于緩沖線性化的設(shè)備和方法。在【具體實(shí)施方式】中，放大器包括緩沖器電路和增益電路。緩沖器電路包括用于緩沖差分輸入信號(hào)以產(chǎn)生差分緩沖信號(hào)的緩沖晶體管對(duì)。此外，增益電路包括增益晶體管對(duì)，其被配置成放大緩沖差分信號(hào)以產(chǎn)生放大的差分信號(hào)。緩沖器電路可包括線性化晶體管對(duì)，其被配置成降低緩沖器電路的輸出阻抗并降低響應(yīng)于與增益晶體管對(duì)的Cic或CeD電容相關(guān)的位移電流而產(chǎn)生的差分緩沖信號(hào)的電壓變化。而且，在【具體實(shí)施方式】中，電流循環(huán)晶體管對(duì)與增益晶體管對(duì)交叉耦接并且被用來(lái)使得Cjc或CeD位移電流循環(huán)回增益電路的輸出以降低輸出失真。
[0020]此處描述的放大器可具有改進(jìn)的線性度，例如改進(jìn)的交調(diào)失真(MD)和/或三階截取點(diǎn)(IP3)。而且，此處描述的放大器可具有較寬帶寬和/或相對(duì)低的DC功耗。
[0021 ] 包括放大器的電子系統(tǒng)的一個(gè)示例的概覽
[0022]圖1是電子系統(tǒng)10的一個(gè)實(shí)例的示意圖。電子系統(tǒng)10包括放大器4、局部振蕩器6和混頻器8。 [0023]局部振蕩器6可被用以產(chǎn)生具有特定頻率的差分時(shí)鐘信號(hào)L0+，L0_。例如，局部振蕩器6可控制差分時(shí)鐘信號(hào)L0+，L0_以具有適合于將射頻信號(hào)的頻率從載波頻率降頻轉(zhuǎn)換至中頻的降頻。
[0024]混頻器8被配置成從局部振蕩器6接收差分射頻(RF)信號(hào)RF+，RF_以及差分時(shí)鐘信號(hào)L0+，L0_。此外，混頻器8可對(duì)差分RF信號(hào)RF+，RF_和差分時(shí)鐘信號(hào)L0+，L0_進(jìn)行相乘或者混合以產(chǎn)生用于放大器4的差分輸入信號(hào)VIN+，VIN_。按照這樣的方式配置混頻器8可有助于使得差分RF信號(hào)RF+，RF_的頻率分量下移大約局部振蕩器6的頻率。
[0025]放大器4被配置成放大差分輸入信號(hào)VIN+, VIN_以產(chǎn)生差分輸出信號(hào)Vmjt+, VoUT_。所示的放大器4包括緩沖器級(jí)或電路I以及增益級(jí)或電路2。緩沖器電路I包括配置成接收差分輸入信號(hào)VIN+, VIN_的差分輸入以及配置成產(chǎn)生差分緩沖信號(hào)VBUF+, VBUF_的差分輸出。增益電路2包括配置成接收差分緩沖信號(hào)VBUF+，VBUF_的差分輸入以及配置成產(chǎn)生差分輸出信號(hào)Votjt+, Vout_的差分輸出。
[0026]在放大器4中引入緩沖器電路I可相對(duì)于其中省略了緩沖器電路I的配置增大放大器的帶寬。例如，增益級(jí)2可具有相對(duì)低的輸入阻抗，這會(huì)在其中混頻器8直接提供差分輸入信號(hào)VIN+，VIN_至增益級(jí)2的配置中影響放大器的帶寬。相反，緩沖器電路I可具有相對(duì)高的輸入阻抗和相對(duì)低的輸出阻抗，因此緩沖器電路I可在其連接在混頻器8和增益級(jí)2之間時(shí)增大放大器4的帶寬。
[0027]放大器4可被用來(lái)提升混頻器8產(chǎn)生的差分輸入信號(hào)的幅值以產(chǎn)生差分輸出信號(hào)V0UT+? V0UT_o放大器4可提供差分輸出信號(hào)Votjt+, Votjt-至電子系統(tǒng)10內(nèi)的其它組件和/或作為電子系統(tǒng)10的輸出。在【具體實(shí)施方式】中，放大器4是具有可控增益的可變?cè)鲆娣糯笃?VGA)。例如，在【具體實(shí)施方式】中放大器4的增益可由用戶進(jìn)行數(shù)字化控制。雖然圖1圖示了其中放大器4包括兩級(jí)的配置，但是放大器4可被調(diào)整為包括其它級(jí)。例如，放大器4可被調(diào)整為包括其它的增益級(jí)和/或輸出級(jí)。
[0028]雖然圖1圖示了其中使用放大器4的電子系統(tǒng)的一個(gè)實(shí)例，但是放大器4可用于其它配置和系統(tǒng)。
[0029]具有高線性度的放大器的示例的概覽
[0030]圖2是根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的放大器50的示意圖。放大器50包括緩沖器電路11、增益電路12和電流循環(huán)電路13。
[0031]緩沖器電路11被配置成接收差分輸入信號(hào)VIN+，VIN_并產(chǎn)生差分緩沖信號(hào)VBUF+，VBUF_。增益電路12被配置成接收差分緩沖信號(hào)VBUF+，VBUF_并產(chǎn)生差分輸出信號(hào)V_，VTOT_。差分輸入信號(hào)VIN+, Vin-可發(fā)出作為第一或非反向輸入信號(hào)Vin+與第二或反向輸入信號(hào)VIN_之差的信息。此外，差分緩沖信號(hào)VBUF+，VBUF_可發(fā)出作為第一或非反向緩沖信號(hào)Vbuf+與第二或反向緩沖信號(hào)VBUF_之差的信息。而且,差分輸出信號(hào)Vmjt+, Vmjt-可發(fā)出作為第一或非反向輸出信號(hào)Vott+與第二或反向輸出信號(hào)VTOT_之差的信息。
[0032]緩沖器電路11包括第一 PNP緩沖晶體管21、第二 PNP緩沖晶體管22、第一 NPN線性化晶體管23、第二 NPN線性化晶體管24、第一電流源31、第二電流源32、第三電流源33、第一偏置電阻器41、第二偏置電阻器42、第一穩(wěn)定電容器43和第二穩(wěn)定電容器44。增益電路12包括第一 NPN增益晶體管25、第二 NPN增益晶體管26、第四電流源34和負(fù)載電路45。電流循環(huán)電路13包括第一 NPN電流循環(huán)晶體管27、第二 NPN電流循環(huán)晶體管28和第五電流源35。
[0033]第一 PNP緩沖晶體管21包括配置成接收非反向輸入信號(hào)Vin+的基極、以及在配置成產(chǎn)生非反向緩沖信號(hào)Vbuf+的節(jié)點(diǎn)處與第一電流源31的第一終端、第一 NPN線性化晶體管23的集電極和第一 NPN增益晶體管25的基極電連接的發(fā)射極。第一 PNP緩沖晶體管21還包括集電極，其電連接至第一偏置電阻器41的第一端、第一穩(wěn)定電容器43的第一端、第一NPN線性化晶體管23的基極和第一 NPN電流循環(huán)晶體管27的基極。第一偏置電阻器41還包括第二端，其電連接至第一電源電壓V1，例如，接地或低電源。第一穩(wěn)定電容器43還包括第二端，其電連接至第一電源電壓％。第一電流源31還包括第二終端，其電連接至第二電源電壓V2,例如，高電源。第一 NPN線性化晶體管23還包括發(fā)射極，其電連接至第二 NPN線性化晶體管24的發(fā)射極和第三電流源33的第一終端。第三電流源33還包括與第一電源電壓V1電連接的第二終端。
[0034]第二 PNP緩沖晶體管22包括配置成接收反向輸入信號(hào)VIN_的基極、以及在配置成產(chǎn)生反向緩沖信號(hào)VBUF_的節(jié)點(diǎn)處與第二電流源32的第一終端、第二 NPN線性化晶體管24的集電極和第二 NPN增益晶體管26的基極電連接的發(fā)射極。第二 PNP緩沖晶體管22還包括集電極，其電連接至第二偏置電阻器42的第一端、第二穩(wěn)定電容器44的第二端、第二NPN線性化晶體管24的基極以及第二 NPN電流循環(huán)晶體管28的基極。第二偏置電阻器42還包括與第一電源電壓V1電連接的第二端。第二穩(wěn)定電容器44還包括與第一電源電壓V1電連接的第二端。
[0035]第一 NPN增益晶體管25還包括發(fā)射極，其電連接至第四電流源34的第一終端和第二 NPN增益晶體管26的發(fā)射極。第四電流源34還包括第二終端，其電連接至第一電源電壓V”第一 NPN增益晶體管25還包括集電極，其在配置成產(chǎn)生反向輸出信號(hào)VQUT_的節(jié)點(diǎn)處電連接至負(fù)載電路45的第一終端和第二 NPN電流循環(huán)晶體管28的集電極。第二 NPN增益晶體管26還包括集電極集電極，其在配置成產(chǎn)生非反向輸出信號(hào)Vtot+的節(jié)點(diǎn)處電連接至負(fù)載電路45的第二終端和第一 NPN電流循環(huán)晶體管27的集電極。第一 NPN電流循環(huán)晶體管27還包括發(fā)射極，其電連接至第二 NPN電流循環(huán)晶體管28的發(fā)射極和第五電流源35的第一終端。第五電流源35還包括電連接至第一電源電壓V1的第二終端。
[0036]當(dāng)放大器50在放大差分輸入信號(hào)VIN+，VIN_時(shí)，第一和第二 NPN增益晶體管25，26的基極-至-集電極電壓可隨時(shí)間變化。第一和第二 NPN增益晶體管25，26的基極-至-集電極電壓的變化可導(dǎo)致位移或C*dV/dt電流經(jīng)由第一和第二 NPN增益晶體管25，26的基極-至-集電極或結(jié)電容Cic的流動(dòng)。
[0037]第一和第二 NPN線性化晶體管23，24可用于降低緩沖器電路11的輸出阻抗，從而有助于減小差分緩沖信號(hào)VBUF+，VBUF_的電壓響應(yīng)于&位移電流從第一和第二 NPN增益晶體管25，26的流動(dòng)而產(chǎn)生的波動(dòng)或變化。例如，第一偏置電阻器41和第一 NPN線性化晶體管23可操作來(lái)放大流過(guò)第一 PNP緩沖晶體管21的電流。類似地，第二偏置電阻器42和第二NPN線性化晶體管24可操作來(lái)放大流過(guò)第二 PNP緩沖晶體管22的電流。與第一和第二偏置電阻器41，42的電阻和第一和第二 NPN線性化晶體管23，24的跨導(dǎo)相關(guān)的放大會(huì)導(dǎo)致緩沖器電路11的輸出阻抗相對(duì)于其中省略了第一和第二 NPN線性化晶體管23，24的配置的降低。
[0038]此外，該放大會(huì)導(dǎo)致第一和第二 NPN線性化晶體管23，24的集電極汲取或灌入與第一和第二 NPN增益晶體管25，26的結(jié)電容相關(guān)的位移電流的大部分。
[0039]此外，電流循環(huán)電路13可被用來(lái)使流經(jīng)第一和第二 NPN增益晶體管25，26的基極-至-集電極或結(jié)電容Cy的位移電流循環(huán)。例如，第一和第二 NPN電流循環(huán)晶體管27，28的基極分別電連接至第一和第二 NPN線性化晶體管23，24的基極，第一和第二 NPN電流循環(huán)晶體管27，28的集電極相對(duì)于第一和第二 NPN增益晶體管25，26的集電極交叉耦接。
[0040]因此，當(dāng)位移電流流經(jīng)第一 NPN增益晶體管25的基極-至-集電極電容并進(jìn)入第一 NPN線性化晶體管23的集電極時(shí)，第一 NPN電流循環(huán)晶體管27可鏡像Cjc位移電流并提供鏡像電流至第二 NPN增益晶體管26的集電極。這樣，電流循環(huán)電路13可通過(guò)產(chǎn)生來(lái)自第二 NPN增益晶體管26的集電極的相應(yīng)電流，補(bǔ)償&位移電流從第一 NPN增益晶體管25的集電極的流動(dòng)。由于放大器50不同地操作，使位移電流按照這樣的方式循環(huán)可降低輸出失真。
[0041]類似地，當(dāng)位移電流流經(jīng)第二 NPN增益晶體管26的基極-至-集電極電容Cjc并進(jìn)入第二 NPN線性化晶體管24的集電極時(shí)，第二 NPN電流循環(huán)晶體管28可鏡像Cjc位移電流并提供鏡像電流至第一 NPN增益晶體管25的集電極。因此，電流循環(huán)電路13還可通過(guò)產(chǎn)生來(lái)自第一 NPN增益晶體管25的集電極的相應(yīng)電流，補(bǔ)償位移電流從第二 NPN增益晶體管26的集電極的流動(dòng)。
[0042]圖1的放大器50圖示了其中其中差分發(fā)射極跟隨器級(jí)已經(jīng)被用來(lái)緩沖差分輸入信號(hào)VIN+，VIN_的方案。此外，通過(guò)差分發(fā)射極跟隨器級(jí)的電流被第一和第二偏置電阻器41，42感測(cè)，并且被第一和第二 NPN線性化晶體管23，24放大。通過(guò)按照這樣的方式配置放大器，放大器的緩沖器電路的輸出阻抗可減小，這將減小差分緩沖信號(hào)VBUF+，Vbuf-的電壓響應(yīng)于Cy位移電流從第一和第二 NPN增益晶體管25，26的流動(dòng)而產(chǎn)生的波動(dòng)。而且，所示的配置使用第一和第二 NPN電流循環(huán)晶體管27，28來(lái)將Ck位移電流循環(huán)回到放大器的輸出，從而降低了與非線性Ck位移電流的流動(dòng)相關(guān)的失真。
[0043]第一和第二偏置電阻器41，42可用來(lái)控制與第一和第二 NPN線性化晶體管23，24相關(guān)的反饋回路或控制回路的增益。例如，用來(lái)放大流經(jīng)第一 PNP緩沖晶體管21的電流的反饋回路的增益可基于第一偏置電阻器41的電阻和第一 NPN線性化晶體管23的跨導(dǎo)的乘積。類似地，用來(lái)放大流經(jīng)第二 PNP緩沖晶體管22的電流的反饋回路的增益可基于第二偏置電阻器42的電阻和第二 NPN線性化晶體管24的跨導(dǎo)的乘積。
[0044]在一個(gè)實(shí)施例中，第一和第二偏置電阻器41，42每一個(gè)具有選擇成介于大約600 Ω至大約IkQ的范圍內(nèi)的電阻。雖然已經(jīng)提供了第一和第二偏置電阻器41，42的電阻的一個(gè)不例，但是第一和第二偏置電阻器41,42可配置成具有其它電阻值,例如取決于應(yīng)用、工藝和/或操作限制的電阻。
[0045]第一和第二穩(wěn)定電容器43，44可被用來(lái)保持與第一和第二 NPN線性化晶體管23，24和第一和第二增益控制電阻器41，42相關(guān)的控制回路的穩(wěn)定性。例如，第一和第二穩(wěn)定電容器43，44可操作來(lái)限制控制回路的高頻增益。在一個(gè)實(shí)施例中，第一和第二穩(wěn)定電容器43，44每一個(gè)具有選擇成介于大約0，3pF至大約0.5pF的范圍內(nèi)的電容。然而，其它電容值是可行的，例如與特定放大器配置或應(yīng)用相關(guān)的電容值。例如，電容值可取決于放大器的工作頻率。
[0046]雖然圖2圖示了根據(jù)此處描述的緩沖線性化方案的放大器的一個(gè)實(shí)施方式，但是此處的指教可應(yīng)用至放大器的其它配置。例如，此處的指教可應(yīng)用至包括不同組件配置和/或更多或更少組件的放大器。例如，在一個(gè)實(shí)施例中，電流循環(huán)電路13被省略。而且，雖然圖2圖示了 PNP緩沖晶體管和NPN增益晶體管的情況的放大器，但是其它配置是可行的。例如，此處的指教可應(yīng)用至互補(bǔ)電路配置和/或采用其它類型的晶體管的配置。
[0047]圖3是根據(jù)另一實(shí)施例的放大器100的示意圖。
[0048]放大器100包括緩沖器電路61、增益電路62和電流循環(huán)電路63。緩沖器電路61包括第一至第三電流源31-33、第一和第二偏置電阻器41，42、和第一和第二穩(wěn)定電容器43，44，這可以與之前描述的一樣。此外，緩沖器電路61包括第一和第二 NPN緩沖晶體管71，72和第一和第二 PNP線性化晶體管73，74。增益電路62包括第四電流源34和負(fù)載電路45，這可以與之前描述的一樣。增益電路62還包括第一和第二 PNP增益晶體管75, 76。電流循環(huán)電路63包括第五電流源33，這可以與之前描述的一樣。電流循環(huán)電路63還包括第一和第二 PNP電流循環(huán)晶體管77，78。
[0049]圖3的放大器100類似于圖2的放大器50，不同之處在于圖3的放大器100圖示了通過(guò)利用具有相反極性類型的晶體管實(shí)現(xiàn)的互補(bǔ)配置。例如，雖然圖2的放大器50包括第一和第二 PNP緩沖晶體管21，22，但是圖3的放大器100包括第一和第二 NPN緩沖晶體管71，72。而且，雖然圖2的放大器50包括第一和第二 NPN線性化晶體管23，24、第一和第二NPN增益晶體管25，26和第一和第二 NPN電流循環(huán)晶體管27，28，但是圖3的放大器100包括第一和第二 PNP線性化晶體管73，74、第一和第二 PNP增益晶體管75，76、和第一和第二PNP電流循環(huán)晶體管77，78。放大器100的其它細(xì)節(jié)類似于之前描述的那樣。[0050]圖4是根據(jù)另一實(shí)施例的放大器150的示意圖。
[0051]放大器150包括緩沖器電路111、增益電路112和電流循環(huán)電路113。緩沖器電路111包括第一至第三電流源31-33、第一和第二偏置電阻器41，42和第一和第二穩(wěn)定電容器43，44，這可以與之前描述的一樣。此外，緩沖器電路111包括第一和第二 P型金屬氧化物半導(dǎo)體(PMOS)緩沖晶體管121，122和第一和第二 η型金屬氧化物半導(dǎo)體(NMOS)線性化晶體管123，124。增益電路112包括第四電流源34和負(fù)載電路45，這可以與之前描述的一樣。增益電路112還包括第一和第二 NMOS增益晶體管125，126。電流循環(huán)電路113包括第五電流源33，這可以與之前描述的一樣。電流循環(huán)電路113還包括第一和第二 NMOS電流循環(huán)晶體管 127，128。
[0052]對(duì)于此處的使用，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解的是，這些晶體管可具有由金屬之外的諸如多晶硅之類的材料制成的柵極，并且可具有二氧化硅之外的電介質(zhì)(例如高k電介質(zhì))制成的電介質(zhì)區(qū)域。
[0053]圖4的放大器150類似于圖2的放大器50，不同之處在于圖4的放大器150圖示了采用MOS晶體管而不是雙極型晶體管實(shí)現(xiàn)的配置。
[0054]例如，第一 PMOS緩沖晶體管121包括配置成接收非反向輸入信號(hào)VIN+的柵極、以及在配置成產(chǎn)生非反向緩沖信號(hào)Vbuf+的節(jié)點(diǎn)處與第一電流源31的第一終端、第一 NMOS線性化晶體管123的漏極、和第一 NMOS增益晶體管125的柵極電連接的源極。第一 PMOS緩沖晶體管121還包括與第一偏置電阻器41的第一端、第一穩(wěn)定電容器43的第一端、第一NMOS線性化晶體管123的柵極、和第一 NMOS電流循環(huán)晶體管127的柵極電連接的漏極。第一 NMOS線性化晶體管123還包括與第二 NMOS線性化晶體管124的源極和第三電流源33的第一終端電連接的源極。第二 PMOS緩沖晶體管122包括被配置成接收反向輸入信號(hào)VIN_的柵極以及在配置成產(chǎn)生反向緩沖信號(hào)VBUF_的節(jié)點(diǎn)處與第二電流源32的第一終端、第二 NMOS線性化晶體管124的漏極和第二 NMOS增益晶體管126的柵極電連接的源極。第二 PMOS緩沖晶體管122還包括漏極，其電連接至第二偏置電阻器42的第一端、第二穩(wěn)定電容器44的第一端、第二 NMOS線性化晶體管124的柵極以及第二 NMOS電流循環(huán)晶體管128的柵極。第一NMOS增益晶體管125還包括源極，其電連接至第四電流源34的第一終端和第二 NMOS增益晶體管126的源極。第一 NMOS增益晶體管125還包括漏極，其在配置成產(chǎn)生反向輸出信號(hào)V0UT_的節(jié)點(diǎn)處電連接至負(fù)載電路45的第一終端和第二 NMOS電流循環(huán)晶體管128的漏極。第二 NMOS增益晶體管126還包括漏極，其在配置成產(chǎn)生非反向輸出信號(hào)Vtot+的節(jié)點(diǎn)處電連接至負(fù)載電路45的第二終端和第一 NMOS電流循環(huán)晶體管127的漏極。第一 NMOS電流循環(huán)晶體管127還包括源極，其電連接至第二 NMOS電流循環(huán)晶體管128的源極和第五電流源35的第一終端。放大器150的其它細(xì)節(jié)類似于之前描述的那樣。
[0055]雖然圖4圖示了根據(jù)此處的指教的MOS放大器的一種實(shí)施方式，但是其它配置也是可行的。例如，此處的指教可應(yīng)用至具有相反極性類型的MOS晶體管(其中電流方向和電壓偏置相應(yīng)反轉(zhuǎn))的互補(bǔ)結(jié)構(gòu)。例如，在一個(gè)實(shí)施例中，第一和第二增益晶體管被實(shí)現(xiàn)為PMOS晶體管，第一和第二線性化晶體管被實(shí)現(xiàn)為PMOS晶體管，第一和第二緩沖晶體管被實(shí)現(xiàn)為NMOS晶體管。
[0056]圖5是三階交調(diào)失真(MD3)與頻率的對(duì)比的一個(gè)實(shí)例的示圖200。
[0057]示圖200包括第一至第四仿真結(jié)果201-204，其對(duì)應(yīng)于針對(duì)放大器的四個(gè)配置的IMD3與頻率對(duì)比的仿真。該仿真是采用190MHz調(diào)制信號(hào)和200MHz調(diào)制信號(hào)的雙調(diào)制交調(diào)仿真進(jìn)行的仿真。示圖200的左手邊的結(jié)果對(duì)應(yīng)于帶內(nèi)MD3，示圖200的右手邊的結(jié)果對(duì)應(yīng)于帶外MD3并對(duì)應(yīng)于三階諧波(HD3)。
[0058]第一仿真結(jié)果201 (由“O”標(biāo)示)對(duì)應(yīng)于與圖2的放大器50類似的放大器，不同之處在于該放大器省略了緩沖器電路11和電流循環(huán)電路13。第二仿真結(jié)果202(由“X”)對(duì)應(yīng)于與圖2的放大器50類似的放大器，不同之處在于該放大器省略了第一和第二 NPN線性化晶體管23, 24、第一和第二偏置電阻器41,42、第一和第二穩(wěn)定電容器43,44和電流循環(huán)電路13。第三仿真結(jié)果203 (由“□”標(biāo)示)對(duì)應(yīng)于與圖2的放大器50類似的放大器，不同之處在于該放大器省略了電流循環(huán)電路13。第四仿真結(jié)果204(由標(biāo)示)對(duì)應(yīng)于與圖2的放大器50類似的放大器。
[0059]與第三仿真結(jié)果203相關(guān)的放大器對(duì)應(yīng)于其中第一和第二偏置電阻器41，42每個(gè)都具有800 Ω電阻、而且第一和第二穩(wěn)定電容器43,44每個(gè)都具有0.3pF電容的實(shí)施方式。與第四仿真結(jié)果204相關(guān)的放大器對(duì)應(yīng)于其中第一和第二偏置電阻器41，42每個(gè)都具有800Ω電阻、而且第一和第二穩(wěn)定電容器43,44每個(gè)都具有0.5pF電容的實(shí)施方式。因此，相對(duì)于第三仿真結(jié)果203，第四仿真結(jié)果204是利用更高電容值針對(duì)第一和第二穩(wěn)定電容器43，44仿真出來(lái)的。當(dāng)包括電流循環(huán)電路13時(shí)，第一和第二穩(wěn)定電容器43，44的電容可增大以保持穩(wěn)定性。
[0060]如圖5的仿真結(jié)果所示，在緩沖器電路中包括線性化晶體管對(duì)，可有助于改善放大器的MD3特征。放大器的MD3可通過(guò)包括電流循環(huán)晶體管對(duì)而得到進(jìn)一步改善。
[0061]雖然圖5圖示了根據(jù)此處描述的【具體實(shí)施方式】的仿真結(jié)果的一個(gè)示例，但是其它配置也是可行的。例如，結(jié)果可根據(jù)分量值、晶體管模型和/或工作條件而變化。
[0062]圖6是增益與頻率的對(duì)比的一個(gè)實(shí)例的示圖220。
[0063]示圖220包括第一至第四曲線221-224，其對(duì)應(yīng)于針對(duì)大約60°C時(shí)仿真的放大器的四個(gè)配置的AC增益與頻率的對(duì)比的仿真。第一至第四曲線221-224分別對(duì)應(yīng)于針對(duì)之前針對(duì)圖5的第一至第四仿真結(jié)果201-204描述的放大器的增益與頻率的對(duì)比仿真。如圖6所示，在緩沖器電路中包括線性化晶體管對(duì)，可改進(jìn)帶寬。
[0064]應(yīng)用
[0065]這種方法、系統(tǒng)和/或設(shè)備可實(shí)施在各種電子裝置中。電子裝置的示例可包括但不限于消費(fèi)電子產(chǎn)品、消費(fèi)電子產(chǎn)品的一部分、電子測(cè)試設(shè)備等。消費(fèi)電子產(chǎn)品的一部分的示例可包括放大器、整流器、可編程濾波器、衰減器、變頻電路等。電子裝置的示例還可包括存儲(chǔ)芯片、存儲(chǔ)模塊、光網(wǎng)或其它通信網(wǎng)絡(luò)的電路以及硬盤驅(qū)動(dòng)電路。消費(fèi)電子產(chǎn)品可包括但不限于無(wú)線裝置、移動(dòng)電話(例如，智能電話)、蜂窩基站、電話、電視機(jī)、計(jì)算機(jī)監(jiān)視器、計(jì)算機(jī)、手持計(jì)算機(jī)、平板電腦、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、微波爐、冰箱、立體音箱系統(tǒng)、盒式記錄器或播放器、DVD播放器、⑶播放器、數(shù)字視頻記錄器(DVR)、VCR、MP3播放器、無(wú)線電裝置、攝像錄像機(jī)、相機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、便攜存儲(chǔ)芯片、清洗器、干燥器、清洗器/干燥器、復(fù)印機(jī)、傳真機(jī)、掃描器、多功能外圍設(shè)備、腕表、時(shí)鐘等。而且，電子裝置可包括未完工的產(chǎn)品。
[0066]除非上下文明確地給出相反要求，否則在說(shuō)明書和權(quán)利要求中，術(shù)語(yǔ)“包括”、“包含”、“具有”、“含有”等將被理解為包羅性含義，而不是排他性或窮盡性含義；也就是說(shuō)，意思是“包括但是不限于”。此處使用的術(shù)語(yǔ)“耦接”或“連接”指的是直接連接或者通過(guò)一種或多個(gè)中間元素連接的兩個(gè)或多個(gè)元素。此外，術(shù)語(yǔ)“此處”、“上”、“下”及類似意思的術(shù)語(yǔ)在用于本說(shuō)明書時(shí)指的是本申請(qǐng)作為整體，而不是本申請(qǐng)的任何具體部分。在上下文允許的情況下，使用單數(shù)或多數(shù)的具體描述的術(shù)語(yǔ)也可分別包括多個(gè)或單個(gè)。術(shù)語(yǔ)“或”指的是兩個(gè)或多個(gè)項(xiàng)目的列表，其覆蓋該術(shù)語(yǔ)的下屬解釋的全部:列表中的任意項(xiàng)目、列表中的所有項(xiàng)目、以及列表中的項(xiàng)目的任意組合。
[0067]而且，此處使用的條件性用語(yǔ)，例如“可”、“可以”、“可能”、“能夠”、“比如”、“例如”、
“諸如”等，除非明確做出相反陳述，否則在上下文的使用的理解中在總體上表示具體實(shí)施例包括，雖然其它實(shí)施例沒(méi)有包含，具體特征、元素和/或狀態(tài)。因此，這種條件性用語(yǔ)一般不表示特征、元素和/或狀態(tài)在任何方式下是一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例所需的，也不表示一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例必須包括用于決定(不管有沒(méi)有創(chuàng)造者輸入或提示)是否包括或在任意具體實(shí)施例中執(zhí)行這些特征、元素和/或狀態(tài)的邏輯。
[0068]此處提供的本發(fā)明的指教可應(yīng)用至其它系統(tǒng)，而并非必須是以上描述的系統(tǒng)。以上描述的各種實(shí)施例的元素和動(dòng)作可組合來(lái)提供其它實(shí)施例。
[0069]雖然已經(jīng)描述了本發(fā)明的具體實(shí)施例，但是這些實(shí)施例僅僅以示例的方式呈現(xiàn)，而不是用于限制本發(fā)明的范圍。實(shí)際上，此處公開的新方法和系統(tǒng)可按照多種其它形式實(shí)現(xiàn)。而且，可以在不脫離本發(fā)明的精神的情況下對(duì)此處描述的方法和系統(tǒng)的形式做出各種省略、替代和改變。所附權(quán)利要求及其等價(jià)形式旨在覆蓋落入本發(fā)明的范圍和精神內(nèi)的這些形式和變形。從而，本發(fā)明的范圍僅僅由所附權(quán)利要求所限定。
【權(quán)利要求】
1.一種設(shè)備，包括: 增益電路，其包括第一增益晶體管和第二增益晶體管，其中第一增益晶體管的發(fā)射極電連接至第二增益晶體管的發(fā)射極，而且其中第一和第二增益晶體管具有第一類型的器件極性；以及 緩沖器電路，其包括: 第一緩沖晶體管，其包括發(fā)與第一增益晶體管的基極電連接的射極以及配置成接收第一輸入信號(hào)的基極； 第二緩沖晶體管，其包括與第二增益晶體管的基極電連接的發(fā)射極以及配置成接收第二輸入信號(hào)的基極，其中第一和第二緩沖晶體管具有與第一類型的器件極性相反的第二類型的器件極性； 第一線性化晶體管，其包括與第一增益晶體管的基極電連接的集電極以及與第一緩沖晶體管的集電極電連接的基極；以及 第二線性化晶體管，其包括與第二增益晶體管的基極電連接的集電極以及與第二緩沖晶體管的集電極電連接的基極，其中第一和第二線性化晶體管具有第一類型的器件極性。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，進(jìn)一步包括: 第一偏置電阻器，其電連接在第一緩沖晶體管的集電極和第一電源電壓之間；以及 第二偏置電阻器，其電連接在第二緩沖晶體管的集電極和第一電源電壓之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的設(shè)備，進(jìn)一步包括: 第一穩(wěn)定電容器，其電連接在第一緩沖晶體管的集電極和第一電源電壓之間；以及 第二穩(wěn)定電容器，其電連接在第二緩沖晶體管的集電極和第一電源電壓之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，進(jìn)一步包括電流循環(huán)電路，其中電流循環(huán)電路包括: 第一電流循環(huán)晶體管，其包括與第一線性化晶體管的基極電連接的基極以及與第二增益晶體管的集電極電連接的集電極；以及 第二電流循環(huán)晶體管，其包括與第二線性化晶體管的基極電連接的基極以及與第一增益晶體管的集電極電連接的集電極，其中第一和第二電流循環(huán)晶體管具有第一類型的器件極性。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的設(shè)備，進(jìn)一步包括: 電連接在第二電源電壓與第一緩沖晶體管的發(fā)射極之間的第一電流源； 電連接在第二電源電壓與第二緩沖晶體管的發(fā)射極之間的第二電流源； 第三電流源，其包括電連接至第一電源電壓的第一終端以及與第一線性化晶體管的發(fā)射極和第二線性化晶體管的發(fā)射極電連接的第二終端； 第四電流源，其包括電連接至第一電源電壓的第一終端以及與第一增益晶體管的發(fā)射極和第二增益晶體管的發(fā)射極電連接的第二終端；以及 第五電流源，其包括電連接至第一電源電壓的第一終端以及與第一電流循環(huán)晶體管的發(fā)射極和第二電流循環(huán)晶體管的發(fā)射極電連接的第二終端。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中第一和第二增益晶體管包括NPN雙極型晶體管，其中第一和第二線性化晶體管包括NPN雙極型晶體管，而且其中第一和第二緩沖晶體管包括PNP雙極型晶體管。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中第一和第二增益晶體管包括PNP雙極型晶體管，其中第一和第二線性化晶體管包括PNP雙極型晶體管，而且其中第一和第二緩沖晶體管包括NPN雙極型晶體管。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，進(jìn)一步包括混頻器，其中混頻器被配置成調(diào)制差分局部振蕩器信號(hào)和差分射頻信號(hào)以產(chǎn)生第一和第二輸入信號(hào)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，進(jìn)一步包括: 負(fù)載電路，其電連接至第一增益晶體管的集電極以及第二增益晶體管的集電極，其中第二增益晶體管的集電極被配置成產(chǎn)生第一輸出信號(hào)，而且其中第二增益晶體管的集電極被配置成產(chǎn)生第二輸出信號(hào)。
10.一種設(shè)備，包括: 增益電路，其包括第一增益晶體管和第二增益晶體管，其中第一增益晶體管的源極電連接至第二增益晶體管的源極，而且其中第一和第二增益晶體管具有第一類型的器件極性；以及 緩沖器電路，其包括: 第一緩沖晶體管，其包括與第一增益晶體管的柵極電連接的源極以及配置成接收第一輸入信號(hào)的柵極； 第二緩沖晶體管，其包括與第二增益晶體管的柵極電連接的源極以及配置成接收第二輸入信號(hào)的柵極，其中第一和第二緩沖晶體管具有與第一類型的器件極性相反的第二類型的器件極性； 第一線性化晶體管，其包括與第一增益晶體管的柵極電連接的漏極以及與第一緩沖晶體管的漏極電連接的柵極；以及 第二線性化晶體管，其包括與第二增益晶體管的柵極電連接的漏極以及與第二緩沖晶體管的漏極電連接的柵極，其中第一和第二線性化晶體管具有第一類型的器件極性。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的設(shè)備，進(jìn)一步包括: 電連接在第一緩沖晶體管的漏極與第一電源電壓之間的第一偏置電阻器；以及 電連接在第二緩沖晶體管的漏極與第一電源電壓之間的第二偏置電阻器。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的設(shè)備，進(jìn)一步包括: 電連接在第一緩沖晶體管的漏極與第一電源電壓之間的第一穩(wěn)定電容器；以及 電連接在第二緩沖晶體管的漏極與第一電源電壓之間的第二穩(wěn)定電容器。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的設(shè)備，進(jìn)一步包括電流循環(huán)電路，其中電流循環(huán)電路包括: 第一電流循環(huán)晶體管，其包括與第一線性化晶體管的柵極電連接的柵極以及與第二增益晶體管的漏極電連接的漏極；以及 第二電流循環(huán)晶體管，其包括與第二線性化晶體管的柵極電連接的柵極以及與第一增益晶體管的漏極電連接的漏極，其中第一和第二電流循環(huán)晶體管具有第一類型的器件極性。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的設(shè)備，進(jìn)一步包括混頻器，其中混頻器被配置成調(diào)制差分局部振蕩器信號(hào)和差分射頻信號(hào)以產(chǎn)生第一和第二輸入信號(hào)。
15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的設(shè)備，其中第一和第二增益晶體管包括η型金屬氧化物半導(dǎo)體(NMOS)晶體管，其中第一和第二線性化晶體管包括NMOS晶體管，而且其中第一和第二緩沖晶體管包括P型金屬氧化物半導(dǎo)體(PMOS)晶體管。
16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的設(shè)備，其中第一和第二增益晶體管包括PMOS晶體管，其中第一和第二線性化晶體管包括PMOS晶體管，而且其中第一和第二緩沖晶體管包括NMOS晶體管。
17.—種電子放大方法，包括: 利用緩沖器電路對(duì)差分輸入信號(hào)進(jìn)行緩沖以產(chǎn)生差分緩沖信號(hào)，其中緩沖器電路包括第一緩沖晶體管、第二緩沖晶體管、第一線性化晶體管和第二線性化晶體管，其中在第一緩沖晶體管的基極和第二緩沖晶體管的基極之間接收差分輸入信號(hào)，其中在第一緩沖晶體管的發(fā)射極和第二緩沖晶體管的發(fā)射極之間產(chǎn)生差分緩沖信號(hào)，其中第一緩沖晶體管的發(fā)射極電連接至第一線性化晶體管的集電極，其中第二緩沖晶體管的發(fā)射極電連接至第二線性化晶體管的集電極，其中第一和第二線性化晶體管具有第一類型的器件極性，而且其中第一和第二緩沖晶體管具有與第一類型的器件極性相反的第二類型的器件極性；以及 利用增益電路放大差分緩沖信號(hào)以產(chǎn)生放大的差分信號(hào)，其中增益電路包括第一增益晶體管和第二增益晶體管，其中在第一增益晶體管的基極和第二增益晶體管的基極之間接收差分緩沖信號(hào)，其中在第一增益晶體管的集電極和第二增益晶體管的集電極之間產(chǎn)生放大的差分信號(hào)，而且其中第一和第二增益晶體管具有第一類極性。
18.根據(jù)權(quán)利 要求17所述的方法，進(jìn)一步包括: 利用第一電流循環(huán)晶體管將第一位移電流經(jīng)由第一增益晶體管的基極-至-集電極電容循環(huán)至第二增益晶體管的集電極，其中第一電流循環(huán)晶體管包括與第一線性化晶體管的基極電連接的基極以及與第二增益晶體管的集電極電連接的集電極，而且其中第一循環(huán)晶體管具有第一類型的器件極性；以及 利用第二電流循環(huán)晶體管將第二位移電流經(jīng)由第二增益晶體管的基極-至-集電極電容循環(huán)至第一增益晶體管的集電極，其中第二電流循環(huán)晶體管包括與第二線性化晶體管的基極電連接的基極以及與第一增益晶體管的集電極電連接的集電極，其中第二電流循環(huán)晶體管具有第一類型的器件極性。
19.一種電子放大方法,包括: 利用緩沖器電路緩沖差分輸入信號(hào)以產(chǎn)生差分緩沖信號(hào)，其中緩沖器電路包括第一緩沖晶體管、第二緩沖晶體管、第一線性化晶體管和第二線性化晶體管，其中在第一緩沖晶體管的柵極和第二緩沖晶體管的柵極之間接收差分輸入信號(hào)，其中在第一緩沖晶體管的源極和第二緩沖晶體管的源極之間產(chǎn)生差分緩沖信號(hào)，其中第一緩沖晶體管的源極電連接至第一線性化晶體管的漏極，其中第二緩沖晶體管的源極電連接至第二線性化晶體管的漏極，其中第一和第二線性化晶體管具有第一類型的器件極性，而且其中第一和第二緩沖晶體管具有與第一類型的器件極性相反的第二類型的器件極性；以及 利用增益電路放大差分緩沖信號(hào)以產(chǎn)生放大的差分信號(hào)，其中增益電路包括第一增益晶體管和第二增益晶體管，其中在第一增益晶體管的柵極和第二增益晶體管的柵極之間接收差分緩沖信號(hào)，其中在第一增益晶體管的漏極和第二增益晶體管的漏極之間產(chǎn)生放大的差分信號(hào)，而且其中第一和第二增益晶體管具有第一類極性。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，進(jìn)一步包括: 利用第一電流循環(huán)晶體管將第一位移電流經(jīng)由第一增益晶體管的柵極-至-漏極電容循環(huán)至第二增益晶體管的漏極，其中第一電流循環(huán)晶體管包括與第一線性化晶體管的柵極電連接的柵極以及與第二增益晶體管的漏極電連接的漏極，而且其中第一循環(huán)晶體管具有第一類型的器件極性；以及 利用第二電流循環(huán)晶體管將第二位移電流經(jīng)由第二增益晶體管的柵極-至-漏極電容循環(huán)至第一增益晶體管的漏極，其中第二電流循環(huán)晶體管包括與第二線性化晶體管的柵極電連接的柵極以及與第一增益晶體管的漏極電連接的漏極，其中第二電流循環(huán)晶體管具有第一類型的器 件極性。
【文檔編號(hào)】H03F1/32GK104038168SQ201410069637
【公開日】2014年9月10日 申請(qǐng)日期:2014年2月28日 優(yōu)先權(quán)日:2013年3月4日
【發(fā)明者】O·弗羅迪 申請(qǐng)人:美國(guó)亞德諾半導(dǎo)體公司