多量程mems cmos靜電梳齒諧振器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種多量程MEMSCMOS靜電梳齒諧振器，其特征是：包括六個量程不同的靜電梳齒諧振器結(jié)構(gòu)，每個諧振器單元包括上下錨點、第一叉指電容、第二叉指電容、第三叉指電容、第四叉指電容、上下彈性梁、振子質(zhì)量塊和左右錨點，振子質(zhì)量塊包括左部質(zhì)量塊和右部質(zhì)量塊；在所述左部質(zhì)量塊的上部和下部的左側(cè)面上設有第一叉齒電容，在右部質(zhì)量塊的上部和下部的右側(cè)面上設有第二叉指電容；在所述左錨點上設有第三叉指電容，在右錨點上設有第四叉電容；所述第一叉指電容與第三叉指電容等距離交叉配置，第二叉指電容與第四叉指電容等距離交叉配置；每個諧振器單元的叉指電容大小不同。本發(fā)明提高了電容式壓力傳感器的靈敏度和測量范圍。
【專利說明】多量程MEMS CMOS靜電梳齒諧振器
【技術(shù)領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種多量程MEMS CMOS靜電梳齒諧振器，尤其是一種基于CMOS DPTM(Double Poly Triple Metal)混合信號工藝的多量程MEMS CMOS靜電梳齒諧振器，屬于MEMS器件設計制造【技術(shù)領域】。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著科技的發(fā)展，MEMS技術(shù)在軍民應用中越來越廣泛。微結(jié)構(gòu)的機械振動可以用很多方法來激勵，例如:壓電、熱膨脹、靜電力和靜磁力，而由于用靜電力激勵的方式簡單，工藝上又能與微機械加工技術(shù)兼容，所以靜電梳齒諧振器成為了 MEMS中一種重要的基礎功能單元。靜電梳齒諧振器具有能實現(xiàn)機械能和其他能量之間的轉(zhuǎn)換、可以產(chǎn)生較大的振動幅值、設計靈活等優(yōu)點，可廣泛用于微諧振器、微濾波器、微執(zhí)行器等微電子機械系統(tǒng)(MEMS)器件中，在射頻通信、國防軍工、消費電子等領域有著十分重要的作用。
[0003]基于制造方法，微機械器件可以被劃分為兩大類:體材料加工得到的微機械器件和表面薄膜加工得到的微機械器件。體微諧振器相比于表面薄膜微諧振器有較高的靈敏度和較低的噪聲。但是表面微機械技術(shù)的優(yōu)勢是相對低的制造成本，同時也能容易地實現(xiàn)MEMS和信號檢測電路的單片集成。通過對比一系列MEMS工藝，發(fā)現(xiàn)CMOS MEMS工藝最容易實現(xiàn)低成本和高性能的結(jié)合。這主要是因為CMOS MEMS工藝可以使用標準CMOS工藝線加工MEMS系統(tǒng)，從而實現(xiàn)了低成本。同時該工藝允許MEMS器件和檢測電路間采用金屬互連，而且這兩個模塊可以布置的很近，這大大減小了互連寄生參數(shù)，從而保證了高精度和低噪聲性能。
[0004]現(xiàn)有的諧振器結(jié)構(gòu)一般包括設有梳齒的質(zhì)量塊，梳齒與電極交叉設置，由于質(zhì)量塊上連接一排梳齒，質(zhì)量塊的結(jié)構(gòu)一般呈長條形；這種結(jié)構(gòu)導致質(zhì)量塊的兩端容易形成翹起，在實際使用時，影響到諧振器的正常工作?，F(xiàn)有的諧振器主要存在以下缺陷:(1)無法與CMOS工藝兼容，傳感器芯片的CMOS工藝集成化是傳感器研究和發(fā)展的趨勢；(2)單一的量程，只能針對某一特定的量程范圍進行測試，使其不能得到最大限度的使用，造成資源的浪費。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足，提供一種多量程MEMS CMOS靜電梳齒諧振器，提高了測量范圍，彌補了單個傳感器測量范圍的不足。
[0006]按照本發(fā)明提供的技術(shù)方案，所述多量程MEMS CMOS靜電梳齒諧振器，其特征是:包括連接在一起的第一諧振器單元、第二諧振器單元、第三諧振器單元、第四諧振器單元、第五諧振器單元和第六諧振器單元，第一諧振器單元、第二諧振器單元、第三諧振器單元、第四諧振器單元、第五諧振器單元和第六諧振器單元分別具有兩個輸出端，第一諧振器單元、第二諧振器單元、第三諧振器單元、第四諧振器單元、第五諧振器單元和第六諧振器單元的輸入端由金屬連線合并連接；所述第一諧振器單元、第二諧振器單元、第三諧振器單元、第四諧振器單元、第五諧振器單元和第六諧振器單元分別包括基底及基底上的結(jié)構(gòu)層，結(jié)構(gòu)層包括上錨點、下錨點、第一叉指電容、第二叉指電容、第三叉指電容、第四叉指電容、上彈性梁、下彈性梁、振子質(zhì)量塊、左錨點和右錨點；所述振子質(zhì)量塊包括左部質(zhì)量塊和右部質(zhì)量塊，左部質(zhì)量塊和右部質(zhì)量塊由連接梁連接；所述上彈性梁和下彈性梁分別包括四條折梁，上彈性梁的四條折梁分別連接上錨點和振子質(zhì)量塊，下彈性梁的四條折梁分別連接下錨點和振子質(zhì)量塊；在所述左部質(zhì)量塊的左側(cè)面上設有梳齒狀排列的第一叉齒電容，在右部質(zhì)量塊的右側(cè)面上設有梳齒狀排列的第二叉指電容；在所述左錨點靠近左部質(zhì)量塊的側(cè)面上設有梳齒狀排列的第三叉指電容，在右錨點靠近右部質(zhì)量塊的側(cè)面上設有梳齒狀排列的第四叉電容；所述第一叉指電容位于兩個第三叉指電容的空隙之間，且第一叉指電容與第三叉指電容呈等距離的交叉配置；所述第二叉指電容位于兩個第四叉指電容的空隙之間，且第二叉指電容與第四叉指電容呈等距離的交叉配置。
[0007]所述第一諧振器單元、第二諧振器單元、第三諧振器單元、第四諧振器單元、第五諧振器單元和第六諧振器單元的叉指電容的大小不同。
[0008]所述第一叉指電容、第二叉指電容、第三叉指電容、第四叉指電容、上彈性梁、下彈性梁、振子質(zhì)量塊和連接梁的結(jié)構(gòu)為垂直沉積疊加結(jié)構(gòu)，該垂直沉積疊加結(jié)構(gòu)自底層向上依次為第一介質(zhì)層、第一金屬鋁圖層、第二介質(zhì)層、第二金屬鋁圖層、第三介質(zhì)層、第三金屬鋁圖層和鈍化層，第一金屬鋁圖層和第二金屬鋁圖層由設置在第二介質(zhì)層中的第一鎢塞連接，第二金屬鋁圖層和第三金屬鋁圖層由設置在第三介質(zhì)層中的第二鎢塞連接；在該垂直沉積疊加結(jié)構(gòu)上設置多個垂直于基底的側(cè)墻，側(cè)墻由鈍化層的上表面延伸至基底的上表面，在該垂直沉積疊加結(jié)構(gòu)下部的基底上設置懸空結(jié)構(gòu)。
[0009]所述懸空結(jié)構(gòu)在寬度方向上由基底的一側(cè)向基底的另一側(cè)延伸，且懸空結(jié)構(gòu)的寬度小于基底的寬度；所述懸空結(jié)構(gòu)在高度方向上由基底的上表面向基底的下表面延伸，且懸空結(jié)構(gòu)的高度小于基底的高度。
[0010]所述上錨點、下錨點、左錨點和右錨點包括凹陷部和凸出部；所述凸出部的結(jié)構(gòu)自底層向上依次為第一介質(zhì)層、第一金屬鋁圖層、第二介質(zhì)層、第二金屬鋁圖層、第三介質(zhì)層、第三金屬鋁圖層和鈍化層，第一金屬鋁圖層和第二金屬鋁圖層由設置在第二介質(zhì)層中的第一鎢塞連接，第二金屬鋁圖層和第三金屬鋁圖層由設置在第三介質(zhì)層中的第二鎢塞連接；所述凹陷部的結(jié)構(gòu)自底層向上依次為第一介質(zhì)層、第一金屬鋁圖層、第二介質(zhì)層、第二金屬鋁圖層和第三介質(zhì)層，第一金屬鋁圖層和第二金屬鋁圖層由設置在第二介質(zhì)層中的第一鎢塞連接。
[0011]所述第一諧振器單元、第二諧振器單元、第三諧振器單元、第四諧振器單元、第五諧振器單元和第六諧振器單元的輸出端由第三金屬鋁圖層引出，第一諧振器單元、第二諧振器單元、第三諧振器單元、第四諧振器單元、第五諧振器單元和第六諧振器單元的輸入端由第二金屬鋁圖層引入。
[0012]所述左部質(zhì)量塊左側(cè)的中部設置向左部質(zhì)量塊內(nèi)側(cè)凹進的左部槽體，右部質(zhì)量塊右側(cè)的中部設置向右部質(zhì)量塊內(nèi)側(cè)凹進的右部槽體。
[0013]所述左錨點和右錨點均呈長方塊狀，上錨點和下錨點呈方塊狀。
[0014]所述基底為硅基底。
[0015]本發(fā)明具有以下優(yōu)點:(1)本發(fā)明可以在測量范圍和靈敏度之間選擇，實現(xiàn)了傳感器的智能化；(2)本發(fā)明采用不同量程的六個靜電梳齒諧振器進行分段靜電梳齒諧振器測量的方式，從而通過一個傳感器陣列來提高測量范圍，彌補了單個傳感器測量范圍的不足，提高了電容式靜電梳齒諧振器的靈敏度和測量范圍。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0016]圖1為本發(fā)明所述諧振器的俯視圖。
[0017]圖2為本發(fā)明所述諧振器單元的俯視圖。
[0018]圖3為所述第一叉指電容、第二叉指電容、第三叉指電容、第四叉指電容、上彈性梁、下彈性梁、振子質(zhì)量塊和連接梁的剖視圖。
[0019]圖4為所述錨點、右錨點、上錨點和下錨點的剖視圖。
[0020]圖中的序號為:上錨點1-1、下錨點1-2、第一叉指電容2-1、第二叉指電容2-2、第三叉指電容2-3、第四叉指電容2-4、上彈性梁3-1、下彈性梁3-2、左部質(zhì)量塊4_1、左部槽體4-11、右部質(zhì)量塊4-2、右部槽體4-21、連接梁5、左錨點6_1、右錨點6_2、基底7、第一介質(zhì)層8、第一金屬鋁圖層9、第二介質(zhì)層10、第一鎢塞11、第二金屬鋁圖層12、第三介質(zhì)層13、第二鎢塞14、第三金屬鋁圖層15、鈍化層16、側(cè)墻17、懸空結(jié)構(gòu)18、凹陷部19、凸出部20、第一諧振器單元100、第二諧振器單元200、第三諧振器單元300、第四諧振器單元400、第五諧振器單元500、第六諧振器單元600。
【具體實施方式】
[0021]下面結(jié)合具體附圖對本發(fā)明作進一步說明。
[0022]如圖1所示:所述多量程MEMS CMOS靜電梳齒諧振器包括連接在一起的第一諧振器單元100、第二諧振器單元200、第三諧振器單元300、第四諧振器單元400、第五諧振器單元500和第六諧振器單元600，第一諧振器單元100、第二諧振器單元200、第三諧振器單元300、第四諧振器單元400、第五諧振器單元500和第六諧振器單元600分別具有兩個輸出端(如圖1所示，第一諧振器單元100的輸入端為110、120，第二諧振器單元200的輸入端為210、220，第三諧振器單元300的輸入端為310、320，第四諧振器單元400的輸入端為410、420，第五諧振器單元500的輸入端為510、520，第六諧振器單元600的輸入端為610、620)，第一諧振器單元100、第二諧振器單元200、第三諧振器單元300、第四諧振器單元400、第五諧振器單元500和第六諧振器單元600的輸入端由金屬連線合并連接后匯入總的輸出端01,02 ；
如圖2所示，所述第一諧振器單元100、第二諧振器單元200、第三諧振器單元300、第四諧振器單元400、第五諧振器單元500和第六諧振器單元600分別包括基底7及基底7上的結(jié)構(gòu)層，結(jié)構(gòu)層包括上錨點1-1、下錨點1-2、第一叉指電容2-1、第二叉指電容2-2、第三叉指電容2-3、第四叉指電容2-4、上彈性梁3-1、下彈性梁3-2、振子質(zhì)量塊、左錨點6_1和右錨點6-2，左錨點6-1和右錨點6-2均呈長方塊狀，上錨點1-1和下錨點1-2呈方塊狀；所述振子質(zhì)量塊包括左部質(zhì)量塊4-1和右部質(zhì)量塊4-2,左部質(zhì)量塊4-1和右部質(zhì)量塊4-2由連接梁5連接；所述上彈性梁3-1和下彈性梁3-1分別包括四條折梁，上彈性梁3-1的四條折梁分別連接上錨點1-1和振子質(zhì)量塊，下彈性梁3-2的四條折梁分別連接下錨點1-2和振子質(zhì)量塊；所述左部質(zhì)量塊4-1左側(cè)的中部設置向左部質(zhì)量塊4-1內(nèi)側(cè)凹進的左部槽體4-11，右部質(zhì)量塊4-2右側(cè)的中部設置向右部質(zhì)量塊4-2內(nèi)側(cè)凹進的右部槽體4-21 ;在所述左部質(zhì)量塊4-1上部和下部(除了左部槽體4-11的部分)的左側(cè)面上設有梳齒狀排列的第一叉齒電容2-1，在右部質(zhì)量塊4-2上部和下部(除了右部槽體4-21的部分)的右側(cè)面上設有梳齒狀排列的第二叉指電容2-2 ;在所述左錨點6-1靠近左部質(zhì)量塊4-1的側(cè)面上設有梳齒狀排列的第三叉指電容2-3，在右錨點6-2靠近右部質(zhì)量塊4-2的側(cè)面上設有梳齒狀排列的第四叉電容2-4 ;所述第一叉指電容2-1位于兩個第三叉指電容2-3的空隙之間，且第一叉指電容2-1與第三叉指電容2-3呈等距離的交叉配置；所述第二叉指電容2-2位于兩個第四叉指電容2-4的空隙之間，且第二叉指電容2-2與第四叉指電容2-4呈等距離的交叉配置；工作的時候振子質(zhì)量塊連接的第一叉指電容結(jié)構(gòu)2-1和第二叉指電容2-2和左錨點4-1連接的第三叉指電容結(jié)構(gòu)2-3、右錨點4-2連接的第四叉指電容2-4在上彈性梁
3-1、下彈性梁3-2的彈力下相互作用，改變總電容量；
所述第一諧振器單元100、第二諧振器單元200、第三諧振器單元300、第四諧振器單元400、第五諧振器單元500和第六諧振器單元600的叉指電容的大小不同；
其中，所述的基底7為硅基底；
其中，所述第一叉指電容2-1、第二叉指電容2-2、第三叉指電容2-3、第四叉指電容2-4、上彈性梁3-1、下彈性梁3-2、振子質(zhì)量塊和連接梁5的結(jié)構(gòu)為垂直沉積疊加結(jié)構(gòu)，如圖3所示，該垂直沉積疊加結(jié)構(gòu)自底層向上依次為第一介質(zhì)層8、第一金屬鋁圖層9、第二介質(zhì)層10、第二金屬鋁圖層12、第三介質(zhì)層13、第三金屬鋁圖層15和鈍化層16，第一金屬鋁圖層9和第二金屬鋁圖層12由設置在第二介質(zhì)層10中的第一鎢塞11連接，第二金屬鋁圖層12和第三金屬鋁圖層15由設置在第三介質(zhì)層13中的第二鎢塞14連接；在該垂直沉積疊加結(jié)構(gòu)上設置多個垂直于基底7的側(cè)墻17，側(cè)墻17由鈍化層16的上表面延伸至基底7的上表面，在該垂直沉積疊加結(jié)構(gòu)下部的基底7上設置懸空結(jié)構(gòu)18 ;所述懸空結(jié)構(gòu)18在寬度方向上由基底7的一側(cè)向基底7的另一側(cè)延伸，且懸空結(jié)構(gòu)18的寬度小于基底7的寬度；所述懸空結(jié)構(gòu)18在高度方向上由基底7的上表面向基底7的下表面延伸，且懸空結(jié)構(gòu)18的高度小于基底7的高度；所述第一叉指電容2-1、第二叉指電容2-2、第三叉指電容2-3和第四叉指電容2-4主要由第一金屬鋁圖層9、第二金屬鋁圖層12和第三金屬鋁圖層15通過第二介質(zhì)層10和第三介質(zhì)層13上的第一鎢塞11和第二鎢塞14相連接處于等電勢，構(gòu)成極板；
如圖4所示,所述上錨點1-1、下錨點1-2、左錨點6-1和右錨點6-2包括凹陷部19和凸出部20 ;所述凸出部20的結(jié)構(gòu)自底層向上依次為第一介質(zhì)層8、第一金屬鋁圖層9、第二介質(zhì)層10、第二金屬鋁圖層12、第三介質(zhì)層13、第三金屬鋁圖層15和鈍化層16，第一金屬鋁圖層9和第二金屬鋁圖層12由設置在第二介質(zhì)層10中的第一鎢塞11連接，第二金屬鋁圖層12和第三金屬鋁圖層15由設置在第三介質(zhì)層13中的第二鎢塞14連接；所述凹陷部19的結(jié)構(gòu)自底層向上依次為第一介質(zhì)層8、第一金屬招圖層9、第二介質(zhì)層10、第二金屬招圖層12和第三介質(zhì)層13，第一金屬鋁圖層9和第二金屬鋁圖層12由設置在第二介質(zhì)層10中的弟一鶴塞11連接；
所述第一諧振器單元100、第二諧振器單元200、第三諧振器單元300、第四諧振器單元400、第五諧振器單兀500和第六諧振器單兀600的輸出端由第三金屬招圖層15引出，第一諧振器單元100、第二諧振器單元200、第三諧振器單元300、第四諧振器單元400、第五諧振器單元500和第六諧振器單元600的輸入端由第二金屬鋁圖層12引入。
[0023]本發(fā)明所述多量程MEMS CMOS靜電梳齒諧振器包括五個不同量程大小的靜電梳齒諧振器單元(第一諧振器單元100、第二諧振器單元200、第三諧振器單元300、第五諧振器單元500、第六諧振器單元600)和一個不隨加速度變化的參考電容單元(第四諧振器單元400)，每個諧振器單元依據(jù)叉指電容大小不同，分別用于不同范圍的測量。在工作時，在某一靜電梳齒諧振器情況下，第一諧振器單元100和第二諧振器單元200已經(jīng)飽和，而第五諧振器單元500和第六諧振器單元600在此靜電梳齒諧振器情況下變形很小，這時就可以選擇第三諧振器單元300作為測量單元，其中第四諧振器單元400作為參考單元。采用這種方法設計的傳感器可以在測量范圍和靈敏度之間選擇，實現(xiàn)了傳感器的智能化。提高了電容式靜電梳齒諧振器的靈敏度和測量范圍，采用了不同量程的六個靜電梳齒諧振器進行分段靜電梳齒諧振器測量的方式，從而通過一個傳感器陣列來提高測量范圍，彌補了單個傳感器測量范圍的不足。
【權(quán)利要求】
1.一種多量程MEMS CMOS靜電梳齒諧振器，其特征是:包括連接在一起的第一諧振器單元(100)、第二諧振器單元(200)、第三諧振器單元(300)、第四諧振器單元(400)、第五諧振器單元(500)和第六諧振器單元(600)，第一諧振器單元(100)、第二諧振器單元(200)、第三諧振器單元(300)、第四諧振器單元(400)、第五諧振器單元(500)和第六諧振器單元(600)分別具有兩個輸出端，第一諧振器單元(100)、第二諧振器單元(200)、第三諧振器單元(300)、第四諧振器單元(400)、第五諧振器單元(500)和第六諧振器單元(600)的輸入端由金屬連線合并連接；所述第一諧振器單元(100)、第二諧振器單元(200)、第三諧振器單元(300)、第四諧振器單元(400)、第五諧振器單元(500)和第六諧振器單元(600)分別包括基底(7)及基底(7)上的結(jié)構(gòu)層，結(jié)構(gòu)層包括上錨點(1-1)、下錨點(1-2)、第一叉指電容(2-1)、第二叉指電容(2-2)、第三叉指電容(2-3)、第四叉指電容(2-4)、上彈性梁(3-1)、下彈性梁(3-2)、振子質(zhì)量塊、左錨點(6-1)和右錨點(6-2);所述振子質(zhì)量塊包括左部質(zhì)量塊(4-1)和右部質(zhì)量塊(4-2)，左部質(zhì)量塊(4-1)和右部質(zhì)量塊(4-2)由連接梁(5)連接；所述上彈性梁(3-1)和下彈性梁(3-1)分別包括四條折梁，上彈性梁(3-1)的四條折梁分別連接上錨點(1-1)和振子質(zhì)量塊，下彈性梁(3-2)的四條折梁分別連接下錨點(1-2)和振子質(zhì)量塊；在所述左部質(zhì)量塊(4-1)的左側(cè)面上設有梳齒狀排列的第一叉齒電容(2-1)，在右部質(zhì)量塊(4-2)的右側(cè)面上設有梳齒狀排列的第二叉指電容(2-2);在所述左錨點(6-1)靠近左部質(zhì)量塊(4-1)的側(cè)面上設有梳齒狀排列的第三叉指電容(2-3 )，在右錨點(6-2 )靠近右部質(zhì)量塊(4-2)的側(cè)面上設有梳齒狀排列的第四叉電容(2-4);所述第一叉指電容(2-1)位于兩個第三叉指電容(2-3 )的空隙之間，且第一叉指電容(2-1)與第三叉指電容(2-3 )呈等距離的交叉配置；所述第二叉指電容(2-2)位于兩個第四叉指電容(2-4)的空隙之間，且第二叉指電容(2-2)與第四叉指電容(2-4)呈等距離的交叉配置。
2.如權(quán)利要求1所述的多量程MEMSCMOS靜電梳齒諧振器，其特征是:所述第一諧振器單元(100)、第二諧振器單元(200)、第三諧振器單元(300)、第四諧振器單元(400)、第五諧振器單元(500)和第六諧振器單元(600)的叉指電容的大小不同。
3.如權(quán)利要求1所述的多量程MEMSCMOS靜電梳齒諧振器，其特征是:所述第一叉指電容(2-1)、第二叉指電容(2-2)、第三叉指電容(2-3)、第四叉指電容(2-4)、上彈性梁(3-1)、下彈性梁(3-2)、振子質(zhì)量塊和連接梁(5)的結(jié)構(gòu)為垂直沉積疊加結(jié)構(gòu)，該垂直沉積疊加結(jié)構(gòu)自底層向上依次為第一介質(zhì)層(8)、第一金屬招圖層(9)、第二介質(zhì)層(10)、第二金屬招圖層(12)、第三介質(zhì)層(13)、第三金屬鋁圖層(15)和鈍化層(16)，第一金屬鋁圖層(9)和第二金屬鋁圖層(12)由設置在第二介質(zhì)層(10)中的第一鎢塞(11)連接，第二金屬鋁圖層(12)和第三金屬鋁圖層(15)由設置在第三介質(zhì)層(13)中的第二鎢塞(14)連接；在該垂直沉積疊加結(jié)構(gòu)上設置多個垂直于基底(7)的側(cè)墻(17)，側(cè)墻(17)由鈍化層(16)的上表面延伸至基底(7)的上表面，在該垂直沉積疊加結(jié)構(gòu)下部的基底(7)上設置懸空結(jié)構(gòu)(18)。
4.如權(quán)利要求3所述的多量程MEMSCMOS靜電梳齒諧振器，其特征是:所述懸空結(jié)構(gòu)(18)在寬度方向上由基底(7)的一側(cè)向基底(7)的另一側(cè)延伸，且懸空結(jié)構(gòu)(18)的寬度小于基底(7)的寬度；所述懸空結(jié)構(gòu)(18)在高度方向上由基底(7)的上表面向基底(7)的下表面延伸，且懸空結(jié)構(gòu)(18)的高度小于基底(7)的高度。
5.如權(quán)利要求1所述的多量程MEMSCMOS靜電梳齒諧振器，其特征是:所述上錨點(1-1)、下錨點(1-2)、左錨點(6-1)和右錨點(6-2)包括凹陷部(19)和凸出部(20);所述凸出部(20)的結(jié)構(gòu)自底層向上依次為第一介質(zhì)層(8)、第一金屬鋁圖層(9)、第二介質(zhì)層(10)、第二金屬鋁圖層(12)、第三介質(zhì)層(13)、第三金屬鋁圖層(15)和鈍化層(16)，第一金屬鋁圖層(9)和第二金屬鋁圖層(12)由設置在第二介質(zhì)層(10)中的第一鎢塞(11)連接，第二金屬鋁圖層(12)和第三金屬鋁圖層(15)由設置在第三介質(zhì)層(13)中的第二鎢塞(14)連接；所述凹陷部(19)的結(jié)構(gòu)自底層向上依次為第一介質(zhì)層(8)、第一金屬鋁圖層(9)、第二介質(zhì)層(10)、第二金屬鋁圖層(12)和第三介質(zhì)層(13)，第一金屬鋁圖層(9)和第二金屬鋁圖層(12)由設置在第二介質(zhì)層(10)中的第一鎢塞(11)連接。
6.如權(quán)利要求3所述的多量程MEMSCMOS靜電梳齒諧振器，其特征是:所述第一諧振器單元(100)、第二諧振器單元(200)、第三諧振器單元(300)、第四諧振器單元(400)、第五諧振器單元(500)和第六諧振器單元(600)的輸出端由第三金屬鋁圖層(15)引出，第一諧振器單元(100)、第二諧振器單元(200)、第三諧振器單元(300)、第四諧振器單元(400)、第五諧振器單元(500)和第六諧振器單元(600)的輸入端由第二金屬鋁圖層(12)引入。
7.如權(quán)利要求1所述的多量程MEMSCMOS靜電梳齒諧振器，其特征是:所述左部質(zhì)量塊(4-1)左側(cè)的中部設置向左部質(zhì)量塊(4-1)內(nèi)側(cè)凹進的左部槽體(4-11)，右部質(zhì)量塊(4-2)右側(cè)的中部設置向右部質(zhì)量塊(4-2)內(nèi)側(cè)凹進的右部槽體(4-21)。
8.如權(quán)利要求1所述的多量程MEMSCMOS靜電梳齒諧振器，其特征是:所述左錨點(6-1)和右錨點(6-2)均呈長方塊狀，上錨點(1-1)和下錨點(1-2)呈方塊狀。
9.如權(quán)利要求1所述的多量程MEMSCMOS靜電梳齒諧振器，其特征是:所述基底(7)為硅基底。
【文檔編號】H03H9/24GK103647521SQ201310676737
【公開日】2014年3月19日 申請日期:2013年12月11日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月11日
【發(fā)明者】薛惠瓊, 王瑋冰, 田龍坤 申請人:江蘇物聯(lián)網(wǎng)研究發(fā)展中心