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并聯(lián)電耦合的雙端口諧振器的制造方法

文檔序號:7541375閱讀:299來源:國知局
并聯(lián)電耦合的雙端口諧振器的制造方法
【專利摘要】用于寬帶濾波器設(shè)計的系統(tǒng)和方法,該寬帶濾波器設(shè)計包括并聯(lián)電耦合的雙端口壓電諧振器。諧振電路包括以第一配置形成的第一壓電諧振器以及以第二配置形成的第二壓電諧振器,以使得該第一和第二壓電諧振器的輸出對于同一輸入具有180度的相位差。該第一壓電諧振器與該第二壓電諧振器并聯(lián)電耦合。該第一和第二壓電諧振器具有分別由壓電諧振器的橫向尺寸控制的不同的諧振頻率。
【專利說明】并聯(lián)電耦合的雙端口諧振器
[0001]公開領(lǐng)域
[0002]所公開的實施例針對使用諧振器的寬帶濾波器。更具體而言,示例性實施例針對包括并聯(lián)電耦合的雙端口壓電諧振器的寬帶濾波器設(shè)計。
[0003]背景
[0004]壓電諧振器是本領(lǐng)域公知的,其用于將機械能轉(zhuǎn)換為電能,或反之。機械能可以壓電材料(諸如Α1Ν、Ζη0、ΡΖΤ等)中振動的形式來表現(xiàn)。該振動可以被轉(zhuǎn)換為期望頻率的電信號。壓電諧振器得到各種應用。例如,諧振器可用于生成集成電路中的時鐘脈沖。壓電諧振器還可被配置為在濾波器中使用以選擇性地過濾期望頻率的信號。
[0005]寬帶濾波器常用于選擇性地允許期望的頻率范圍/頻帶穿過該濾波器,而拒絕其他所有頻率。相應地,寬帶信號的頻率響應由在可允許頻率范圍/頻帶上的high/on (高/導通)狀態(tài)以及在剩余頻率上的low/off (低/關(guān)斷)狀態(tài)表征。期望頻率響應在可允許頻帶上為平滑直線,以使得該濾波器可在均勻放大和最小失真的情況下高效地使該可允許頻帶通過。
[0006]關(guān)于單個壓電諧振器的頻率響應,在該諧振器的特定諧振頻率處出現(xiàn)尖峰。參照圖1,解說了單個壓電諧振器的頻率響應。如所示,該頻率響應在900MHz的諧振頻率附近的頻率上逐漸降低。因此,一般而言,孤立的單個壓電諧振器只可以理想地適用于使該相應諧振頻率通過。
[0007]為了評估寬帶濾波器設(shè)計的品質(zhì),在本領(lǐng)域中通常使用某些參數(shù)。機電耦合系數(shù)(kt2)是用來表示壓電諧振器中的機械能和電能之間的能量轉(zhuǎn)換效率的數(shù)字度量的參數(shù)。另一個參數(shù)品質(zhì)因子(Q)被用來表征諧振器關(guān)于其諧振頻率的帶寬。一般而言,較高的Q指示較低的能量損耗率。換言之,高Q諧振器展現(xiàn)出諧振頻率附近的高幅度以及更好的穩(wěn)定性。
[0008]寬帶濾波器的常規(guī)設(shè)計可包括體聲波(BAW)諧振器。BAW濾波器可以通過將具有不同諧振頻率的兩個或更多個壓電BAW諧振器耦合來形成,從而平坦且寬的通帶可通過利用幾種諧振模式(諸如薄膜體聲波諧振器(FBAR)諧振模式)下的大機電耦合系數(shù)(kt2)值來形成。在本領(lǐng)域中公知的梯型濾波器拓撲常用于這種常規(guī)BAW濾波器設(shè)計。在這些拓撲中,大kt2的特性將寬帶濾波器的設(shè)計限制于少量的諧振模式,由此限制了工作頻率的范圍。為了在單個芯片上實現(xiàn)多個工作頻率,已經(jīng)探索了壓電等高線模式諧振器,但是這些設(shè)計限于小kt2的特性。然而,沒有對于特定諧振器技術(shù)呈現(xiàn)出小kt2的寬帶濾波器的BAW諧振器或濾波器拓撲的已知設(shè)計。
[0009]進一步,諧振器也基于所弓I發(fā)的振蕩相對于所生成的電脈沖方向的方向來表征?,F(xiàn)在參照圖2,解說了常規(guī)壓電諧振器一壓電諧振器200—的“ d31 ”諧振模式。d31諧振模式是指壓電諧振器200的一種激勵模式,其中在垂直(Z)方向上施加的電信號導致壓電諧振器200用于橫向(X)方向上信號生成的諧振振蕩。d31模式中的諧振頻率由壓電諧振器200在橫向方向上的尺寸“W”支配。相應地,橫斷壓電系數(shù)或即d31系數(shù)是與該諧振器的橫向尺寸W有關(guān)的頻率響應特性的度量。[0010]圖2中還關(guān)于壓電諧振器200解說的第二種諧振模式是“d33”諧振模式。d33諧振模式是指一種激勵模式,其中在垂直(Z)方向上施加的電信號導致同一方向(即,垂直(Z)方向)上的諧振振蕩。相應地,d33模式中的諧振頻率由壓電諧振器200的垂直尺寸“T”支配。相應地,d33系數(shù)是與該諧振器的垂直尺寸T有關(guān)的頻率響應特性的度量。
[0011]關(guān)于在d31模式中利用諸如AlN之類的材料的現(xiàn)有技術(shù)單個壓電諧振器,橫斷壓電系數(shù)d31較差,并且通常在相應的d33系數(shù)的值的1/3的量級上。相應地,使用AlN的具有橫斷振動的壓電諧振器呈現(xiàn)出差的機電耦合系數(shù)kt2。因此,盡管具有諸如高品質(zhì)因子Q等特征(這導致低運動電阻和低濾波器插入損耗),但d31模式諧振器不能理想地適用于寬帶濾波器應用。然而,d33模式諧振器也不是理想的,因為d33模式諧振器限于每次制造或每個晶片具有單個工作頻率。
[0012]關(guān)于在d31模式中利用諸如ZnO和PZT等材料的現(xiàn)有技術(shù)單個壓電諧振器,與如上所述的使用AlN的單個壓電諧振器相比,觀察到改善的橫斷壓電系數(shù)d31和機電耦合系數(shù)kt2。因此,諸如ZnO和PZT等材料可更適用于寬帶濾波器應用。然而,由ZnO和PZT形成的諧振器展現(xiàn)出低品質(zhì)因子Q以及相應的高運動電阻和高濾波器插入損耗。
[0013]另一已知諧振器設(shè)計涉及基板上覆壓電配置。壓電材料(諸如AIN、ZnO和PZT)形成在非壓電基板(諸如Si和鉆石)上。在基板上覆壓電配置中,壓電諧振器的主體主要是非壓電基板。因此,有效的機電耦合系數(shù)kt2非常低,并且相應地不利于寬帶濾波器應用。
[0014]又一種已知諧振器設(shè)計包括薄膜體聲波諧振器(FBAR),其例如是由諸如AIN、ZnO和 PZT 等材料形成的,如在 P.D.Bradley, et al.,IUS2002 (P.D.Bradley 等人,IUS2002)中所公開的,其通過引用納入于此。薄膜體聲波諧振器的缺點包括:諧振頻率由壓電薄膜的厚度決定,其導致每晶片(每芯片)有單個濾波器諧振頻率。如先前所討論的,針對不同頻帶的寬帶濾波器需要具有不同壓電層厚度的多個晶片/多次制造。相應地,F(xiàn)BAR不能適當?shù)赜糜谠趩蝹€芯片上需要多頻帶/多模式濾波器的器件中。
[0015]相應地,在現(xiàn)有技術(shù)中存在對克服了前述缺點的使用壓電諧振器的寬帶濾波器設(shè)計的需要。換言之,在現(xiàn)有技術(shù)中存在對具有單個芯片上的壓電諧振器的寬帶濾波器的需要,其能在多個工作頻率上配置,展現(xiàn)出低kt2,并且具有平滑且良好定義的通帶。
[0016]概述
[0017]本發(fā)明的示例性實施例針對用于包括并聯(lián)電耦合的雙端口壓電諧振器的寬帶濾波器設(shè)計的系統(tǒng)和方法。
[0018]例如,一不例性實施例針對一種諧振電路,包括:以第一配置形成的第一壓電諧振器;以及以第二配置形成的第二壓電諧振器,以使得第二壓電諧振器耦合到第一壓電諧振器,并且第一壓電諧振器和第二壓電諧振器的輸出對于同一輸入具有180度的相位差。
[0019]另一示例性實施例針對一種形成諧振電路的方法,包括:形成第一配置的第一壓電諧振器;形成第二配置的第二壓電諧振器,其中第一壓電諧振器和第二壓電諧振器的輸出對于同一輸入具有180度的相位差;以及將第一壓電諧振器耦合到第二壓電諧振器。
[0020]又一示例性實施例針對一種形成諧振電路的方法,包括:用于形成第一配置的第一壓電諧振器的步驟;用于形成第二配置的第二壓電諧振器的步驟,其中第一壓電諧振器和第二壓電諧振器的輸出對于同一輸入具有180度的相位差;以及用于將第一壓電諧振器耦合到第二壓電諧振器的步驟。[0021]另一示例性實施例涉及一種系統(tǒng),包括:以第一配置形成的第一諧振裝置;以及以第二配置形成的第二諧振裝置,以使得第二諧振裝置耦合到第一諧振裝置,并且第一諧振裝置和第二諧振裝置的輸出對于同一輸入具有180度的相位差。
[0022]附圖簡述
[0023]給出附圖以幫助對本發(fā)明實施例進行描述,且提供附圖僅用于解說實施例而非對其進行限定。
[0024]圖1解說單個壓電諧振器的頻率響應。
[0025]圖2解說常規(guī)壓電單端口諧振器中的d31和d33諧振模式。
[0026]圖3解說根據(jù)一示例性實施例的多指諧振器300。
[0027]圖4解說包括并聯(lián)耦合的交替的第一和第二配置的兩個或更多個多指雙端口諧振器的諧振電路400。
[0028]圖5A解說圖4的諧振電路400的有效頻率響應。
[0029]圖5B解說具有使通帶平坦的電感器匹配的諧振電路的頻率響應。
[0030]圖6解說包括并聯(lián)耦合的交替的第一和第二配置的兩個或更多個多指諧振器以及諸如電感器等附加電路元件的諧振電路600。
[0031]圖7解說包括兩個或更多個級聯(lián)諧振電路的諧振電路700。
[0032]圖8是根據(jù)示例性實施例的用于形成諧振電路的方法的流程圖解說。
[0033]圖9解說其中可有利地采用本公開的實施例的示例性無線通信系統(tǒng)900。
[0034]詳細描述
[0035]本發(fā)明的各方面在以下針對本發(fā)明具體實施例的描述和有關(guān)附圖中被公開??梢栽O(shè)計替換實施例而不會脫離本發(fā)明的范圍。另外,本發(fā)明中眾所周知的元素將不被詳細描述或?qū)⒈皇∪ヒ悦怃螞]本發(fā)明的相關(guān)細節(jié)。
[0036]措辭“示例性”在本文中用于表示“用作示例、實例或解說”。本文中描述為“示例性”的任何實施例不必被解釋為優(yōu)于或勝過其他實施例。同樣,術(shù)語“本發(fā)明的實施例”并不要求本發(fā)明的所有實施例都包括所討論的特征、優(yōu)點、或工作模式。
[0037]本文中所使用的術(shù)語僅出于描述特定實施例的目的,而并不旨在限定本發(fā)明的實施例。如本文所使用的,單數(shù)形式的“一”、“某”和“該”旨在也包括復數(shù)形式,除非上下文另有明確指示。還將理解,術(shù)語“包括”、“具有”、“包含”和/或“含有”在本文中使用時指明所陳述的特征、整數(shù)、步驟、操作、元素、和/或組件的存在,但并不排除一個或多個其他特征、整數(shù)、步驟、操作、元素、組件和/或其群組的存在或添加。
[0038]此外,許多實施例是按照將由例如計算設(shè)備的元件執(zhí)行的動作序列來描述的。將可認識到,本文中所描述的各種動作能由專用電路(例如,專用集成電路(ASIC))、由正被一個或多個處理器執(zhí)行的程序指令、或由這兩者的組合來執(zhí)行。另外,本文中所描述的這些動作序列可被認為是完全體現(xiàn)在任何形式的計算機可讀存儲介質(zhì)內(nèi),其內(nèi)存儲有一經(jīng)執(zhí)行就將使相關(guān)聯(lián)的處理器執(zhí)行本文所描述的功能性的相應計算機指令集。因此,本發(fā)明的各種方面可以用數(shù)種不同形式來體現(xiàn),所有這些形式都已被構(gòu)想落在所要求保護的主題內(nèi)容的范圍內(nèi)。另外,對于本文中所描述的每個實施例,任何此類實施例的對應形式可在本文被描述為例如“配置成執(zhí)行所描述的動作的邏輯”。
[0039]示例性實施例避免了與現(xiàn)有技術(shù)壓電諧振器相關(guān)聯(lián)的前述問題。示例性配置可包括使用具有橫向諧振的壓電諧振器的寬帶濾波器,其具有高Q、相對低的kt2、以及平滑且良好定義的通帶頻率響應的特性。
[0040]現(xiàn)在參照圖3,解說了單端口多指諧振器300。如同先前參照圖2描述的,壓電諧振器200的橫向尺寸W支配諧振頻率。多指諧振器300可包括兩個或更多個指、或個體壓電諧振元件,諸如302、304、306和308。通過將壓電諧振元件302-308集成在單個結(jié)構(gòu)中,多指諧振器300的寬度以及相應的諧振頻率可被調(diào)整。如所示,多指諧振器300可被配置有頂部和底部上的耦合到用于壓電諧振元件302-308的輸入和地的交替的端口。輸入“in”端子和地“gnd”端子組合以形成電端口,由此使得多指諧振器300成為單端口器件。在其他實施例中,通過將所選擇的端子配置為輸入端口,并將所選擇的其他電極配置為輸出端口,可以構(gòu)造雙端口諧振器。如以下關(guān)于輸入和輸出端口的配置所描述的,可以適當?shù)卣{(diào)整多指諧振器的相位。
[0041]具有不同端口配置的兩個或更多個多指雙端口諧振器可以并聯(lián)耦合以在寬帶濾波器應用中使用。配置可包括電路拓撲,其中輸出端口彼此異相(即,180度的相位差),而輸入端口一起耦合到同一端子。實施例可包括諧振電路,該諧振電路包括具有交替端口配置的多指雙端口諧振器,以便提供更平滑的有效寬帶頻率響應。而且,諸如用于提供電感器匹配的電感器等電路元件的添加可使寬帶濾波器拓撲的頻率響應的通帶平滑。
[0042]現(xiàn)在參照圖4,將描述具有兩種配置的壓電諧振元件的諧振電路400。這兩種配置的端口被調(diào)整以使得這兩種配置的輸出在同一輸入時具有180度的相位差。壓電諧振元件可由壓電材料(諸如Α1Ν、Ζη0、ΡΖΤ和鈮酸鋰(LiNbO3))形成。壓電諧振元件可以通過組合d31和d33兩種諧振模式來激勵,以使得諧振電路400的有效機電耦合kt2可被最大化。
[0043]繼續(xù)參照圖4,諧振電路400包括η個并聯(lián)耦合的雙端口多指諧振器402^402#這η個多指諧振器中的每一個多指諧振器可以由至少兩種雙端口配置(第一配置和第二配置)之一形成。第一和第二配置可被選擇為使得該第一和第二配置的輸出對同一輸入具有180度的相位差。在所解說的實施例中,第一配置包括多指諧振器的頂部(第一頂部)上的交替的輸入和輸出端口,并進一步包括該多指諧振器的耦合到地的底部(第一底部)。如圖4中所示,奇數(shù)編號的多指諧振器402i屬于第一配置,并具有諧振頻率f\。
[0044]相應地,第二配置可包括頂部(第二頂部)上的輸入端口和底部(第二底部)上的輸出端口。用于輸入和輸出端口的地連接可以分別源自該輸入和輸出端口的相對側(cè)。如圖4中所示,偶數(shù)編號的多指諧振器4022屬于第二配置,并具有諧振頻率f2。普通技術(shù)人員將認識到,Π和f2將具有180度的相位差。
[0045]再次參照圖4,η個多指諧振器可用交替的第一和第二配置并聯(lián)布置,以使得諧振電路400的有效頻率響應中的峰和谷可被歸一化。多指諧振器的各個諧振頻率可以通過控制η個多指諧振器的相應寬度W1-Wn來更改。相應地,按照以上關(guān)于圖4描述的方式配置的諧振電路400可生成具有如圖5Α中所示的頻率響應的寬帶濾波器。如圖5Α中所示,該頻率響應包括跨越頻率范圍fff;的通帶。盡管諧振電路400可具有改善的頻率響應特性,但是該頻率響應仍可包括小的峰和谷。
[0046]相應地,示例性實施例可包括生成平滑的頻率響應的附加電路元件。參照圖6,諧振電路600包括附加電路元件,諸如電感器602、604、606和608。諧振電路600可生成如圖5B中所解說的平滑的通帶頻率響應。還可適當?shù)匕娙萜饕杂绊戭l率響應。[0047]現(xiàn)在參照圖7,解說又一示例性實施例,其中由諸如諧振電路400或諧振電路600等諧振電路形成的m個諧振電路可被級聯(lián)以形成具有平滑頻率響應特性的寬帶濾波器。
[0048]相應地,示例性實施例可包括并聯(lián)的多指諧振器的布置。此外,實施例可包括以下布置:其中多指諧振器可由至少兩種雙端口配置之一形成。這種示例性實施例可避免與現(xiàn)有技術(shù)壓電諧振器相關(guān)聯(lián)的問題,并可用于具有平滑且良好定義的頻率響應特性的寬帶濾波器應用。盡管示例性實施例可提供具有低kt2雙端口諧振器的平滑寬帶濾波器響應,但一些實施例還可呈現(xiàn)出具有高kt2和高Q的改進性能。
[0049]將領(lǐng)會,各實施例包括用于執(zhí)行本文中所公開的過程、功能和/或算法的各種方法。例如,如圖8中所解說的,一實施例可包括一種用于形成諧振器的方法,其包括:從第一配置形成第一壓電諧振器(例如,圖4中以該第一配置的多指雙端口諧振器402i,其中第一底部耦合到地,而第一頂部耦合到交替的輸入和輸出端口)——框802 ;從第二配置形成第二壓電諧振器,其中該第一和第二壓電諧振器的輸出對于同一輸入具有180度的相位差(例如,圖4中以該第二配置的多指雙端口諧振器40 22,其中第二底部交替地耦合到地和輸出端口,第二頂部交替地耦合到輸入端口和地)——框804 ;并且將該第一壓電諧振器耦合到該第二壓電諧振器一框806。
[0050]本領(lǐng)域技術(shù)人員應領(lǐng)會,信息和信號可使用各種不同技術(shù)和技藝中的任何一種來表示。例如,貫穿以上描述始終可能被述及的數(shù)據(jù)、指令、命令、信息、信號、位、碼元、和碼片可由電壓、電流、電磁波、磁場或磁粒子、光場或光粒子、或其任何組合來表示。
[0051]此外,本領(lǐng)域技術(shù)人員將領(lǐng)會,結(jié)合本文中公開的實施例描述的各種解說性邏輯塊、模塊、電路、和算法步驟可被實現(xiàn)為電子硬件、計算機軟件、或兩者的組合。為清楚地解說硬件與軟件的這一可互換性,各種解說性組件、塊、模塊、電路、和步驟在以上是以其功能性的形式作一般化描述的。此類功能性是被實現(xiàn)為硬件還是軟件取決于具體應用和施加于整體系統(tǒng)的設(shè)計約束。技術(shù)人員對于每種特定應用可用不同的方式來實現(xiàn)所描述的功能性,但這樣的實現(xiàn)決策不應被解讀成導致脫離了本發(fā)明的范圍。
[0052]結(jié)合本文中公開的實施例描述的方法、序列和/或算法可直接在硬件中、在由處理器執(zhí)行的軟件模塊中、或在這兩者的組合中實施。軟件模塊可駐留在RAM存儲器、閃存、ROM存儲器、EPROM存儲器、EEPROM存儲器、寄存器、硬盤、可移動盤、CD-ROM、或本領(lǐng)域中所知的任何其他形式的存儲介質(zhì)中。示例性存儲介質(zhì)耦合到處理器以使得該處理器能從該存儲介質(zhì)讀信息并向其寫信息。替換地,存儲介質(zhì)可以被整合到處理器。
[0053]相應地,本發(fā)明的一實施例可包括實施用于形成諧振器的方法的計算機可讀介質(zhì)。因此,本發(fā)明并不限于所解說的示例且任何用于執(zhí)行本文中所描述的功能性的手段均被包括在本發(fā)明的實施例中。
[0054]圖9解說了其中可有利地采用本公開的實施例的示例性無線通信系統(tǒng)900。出于解說目的,圖9示出了三個遠程單元920、930和950以及兩個基站940。在圖9中,遠程單元920被示為移動電話,遠程單元930被示為便攜式計算機,而遠程單元950被示為無線本地環(huán)路系統(tǒng)中的位置固定的遠程單元。例如,這些遠程單元可以是移動電話、手持式個人通信系統(tǒng)(PCS)單元、便攜式數(shù)據(jù)單元(諸如個人數(shù)據(jù)助理)、啟用GPS的設(shè)備、導航設(shè)備、機頂盒、音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、位置固定的數(shù)據(jù)單元(諸如儀表讀數(shù)裝備)、或者存儲或檢索數(shù)據(jù)或計算機指令的任何其他設(shè)備,或者其任何組合。盡管圖9解說根據(jù)本公開的教義的遠程單元,但本公開并不限于這些所解說的示例性單元。本公開的各實施例可適于用在包括有源集成電路系統(tǒng)(包括存儲器和用于測試和表征的片上電路系統(tǒng))的任何設(shè)備中。
[0055]上述公開的設(shè)備和方法通常能被設(shè)計并被配置在⑶SII和GERBER計算機文件中、存儲在計算機可讀介質(zhì)上。這些文件進而被提供給制造處理者,制造處理者基于這些文件來制造器件。結(jié)果產(chǎn)生的產(chǎn)品是半導體晶片,其隨后被切割為半導體管芯并被封裝成半導體芯片。這些芯片隨后用在上文描述的設(shè)備中。
[0056]盡管上述公開示出了本發(fā)明的解說性實施例,但是應當注意到,在其中可作出各種更換和改動而不會脫離如所附權(quán)利要求定義的本發(fā)明的范圍。根據(jù)本文中所描述的本發(fā)明實施例的方法權(quán)利要求的功能、步驟和/或動作不必按任何特定次序來執(zhí)行。此外,盡管本發(fā)明的要素可能是以單數(shù)來描述或主張權(quán)利的,但是復數(shù)也是已料想了的,除非顯式地聲明了限定于單數(shù)。
【權(quán)利要求】
1.一種諧振電路,包括: 以第一配置形成的第一壓電諧振器;以及 以第二配置形成的第二壓電諧振器,以使得所述第二壓電諧振器耦合到所述第一壓電諧振器,并且所述第一壓電諧振器和第二壓電諧振器的輸出對于同一輸入具有180度的相位差。
2.如權(quán)利要求1所述的諧振電路,其特征在于,所述第一配置包括耦合到地的第一底部以及耦合到交替的輸入和輸出端口的第一頂部;以及 所述第二配置包括耦合到交替的輸入端口和地的第二頂部以及耦合到交替的輸出端口和地的第二底部。
3.如權(quán)利要求1所述的諧振電路,其特征在于,所述耦合包括將所述第一壓電諧振器和所述第二壓電諧振器并聯(lián)電耦合。
4.如權(quán)利要求1所述的諧振電路,其特征在于,所述第一壓電諧振器和所述第二壓電諧振器的諧振頻率由其各自的橫向尺寸控制。
5.如權(quán)利要求1所述的諧振電路,其特征在于,還包括與所述第一壓電諧振器和所述第二壓電諧振器并聯(lián)耦合的、以所述第一配置和所述第二配置交替布置的、所述第一配置的一個或多個壓電諧振器和所述第二配置的一個或多個壓電諧振器。
6.如權(quán)利要求1所述的諧振電路,其特征在于,其與一個或多個分開的諧振電路級聯(lián)。
7.如權(quán)利要求1所述的諧振電路,其特征在于,還包括電感器和/或電容器。
8.如權(quán)利要求1所述的諧振電路,其特征在于,所述第一壓電諧振器和所述第二壓電諧振器是由AIN、ZnO、鈮酸鋰(LiNbO3)和PZT之一形成的。
9.如權(quán)利要求1所述的諧振電路,其特征在于,其集成在寬帶濾波器中。
10.如權(quán)利要求1所述的諧振電路,其特征在于,其集成在至少一個半導體管芯中。
11.如權(quán)利要求1所述的諧振電路,其特征在于,其集成到從包括以下各項的組中選擇的設(shè)備中:機頂盒、音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導航設(shè)備、通信設(shè)備、個人數(shù)字助理(PDA)、位置固定的數(shù)據(jù)單元、以及計算機。
12.—種形成諧振電路的方法,包括: 形成第一配置的第一壓電諧振器;以及 形成第二配置的第二壓電諧振器,其中所述第一壓電諧振器和所述第二壓電諧振器的輸出對于同一輸入具有180度的相位差;以及 將所述第一壓電諧振器耦合到所述第二壓電諧振器。
13.如權(quán)利要求12所述的方法,其特征在于,所述第一配置包括耦合到地的第一底部以及耦合到交替的輸入和輸出端口的第一頂部;以及 所述第二配置包括耦合到交替的輸入端口和地的第二頂部以及耦合到交替的輸出端口和地的第二底部。
14.如權(quán)利要求12所述的方法,其特征在于,耦合所述第一壓電諧振器和所述第二壓電諧振器包括將所述第一壓電諧振器和所述第二壓電諧振器并聯(lián)電耦合。
15.如權(quán)利要求12所述的方法,其特征在于,包括通過所述第一壓電諧振器的第一橫向尺寸控制所述第一壓電諧振器的諧振頻率,以及通過所述第二壓電諧振器的第二橫向尺寸控制所述第二壓電諧振器的諧振頻率。
16.如權(quán)利要求12所述的方法,其特征在于,還包括與所述第一壓電諧振器和所述第二壓電諧振器并聯(lián)地、以所述第一配置和所述第二配置交替布置地、耦合所述第一配置的一個或多個壓電諧振器和所述第二配置的一個或多個壓電諧振器。
17.如權(quán)利要求12所述的方法,其特征在于,還包括將所述諧振電路與一個或多個分開的諧振電路級聯(lián)。
18.如權(quán)利要求12所述的方法,其特征在于,還包括將電感器和/或電容器電耦合到所述諧振電路。
19.如權(quán)利要求12所述的方法,其特征在于,包括由AIN、ZnO、鈮酸鋰(LiNbO3)和PZT之一形成所述壓電諧振器。
20.如權(quán)利要求12所述的方法,其特征在于,還包括將所述諧振電路集成在寬帶濾波器中。
21.—種系統(tǒng),包括: 以第一配置形成的第一諧振裝置;以及 以第二配置形成的第二諧振裝置,以使得所述第二諧振裝置耦合至所述第一諧振裝置,并且所述第一諧振裝置和所述第二諧振裝置的輸出對于同一輸入具有180度的相位差。
22.如權(quán)利要求21所述的系統(tǒng),其特征在于,所述第一配置包括耦合到地的第一底部以及耦合到交替的輸入和輸出端口的第一頂部;以及 所述第二配置包括耦合到交替的輸入端口和地的第二頂部以及耦合到交替的輸出端口和地的第二底部。
23.如權(quán)利要求21所述的系統(tǒng),其特征在于,所述第一和第二諧振裝置的諧振頻率由所述第一和第二諧振裝置各自的橫向尺寸控制。
24.如權(quán)利要求21所述的系統(tǒng),其特征在于,還包括以所述第一配置和所述第二配置的交替布置的、并聯(lián)耦合的一個或多個第一諧振裝置以及一個或多個第二諧振裝置。
25.如權(quán)利要求21所述的系統(tǒng),其特征在于,其與一個或多個諧振電路級聯(lián)。
26.如權(quán)利要求21所述的系統(tǒng),其特征在于,其集成在寬帶濾波器中。
27.如權(quán)利要求21所述的系統(tǒng),其特征在于,其集成在至少一個半導體管芯中。
28.如權(quán)利要求21所述的系統(tǒng),其特征在于,其集成到從包括以下各項的組中選擇的設(shè)備中:機頂盒、音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導航設(shè)備、通信設(shè)備、個人數(shù)字助理(PDA)、位置固定的數(shù)據(jù)單元、以及計算機。
29.一種形成諧振電路的方法,包括: 用于形成第一配置的第一壓電諧振器的步驟;以及 用于形成第二配置的第二壓電諧振器的步驟,其中所述第一壓電諧振器和所述第二壓電諧振器的輸出對于同一輸入具有180度的相位差;以及 用于將所述第一壓電諧振器耦合到所述第二壓電諧振器的步驟。
30.如權(quán)利要求29 所述的方法,其特征在于,所述第一配置包括耦合到地的第一底部以及耦合到交替的輸入和輸出端口的第一頂部;以及 所述第二配置包括耦合到交替的輸入端口和地的第二頂部以及耦合到交替的輸出端口和地的第二底部。
31.如權(quán)利要求29所述的方法,其特征在于,用于耦合所述第一壓電諧振器和所述第二壓電諧振器的步驟包括用于將所述第一壓電諧振器和所述第二壓電諧振器并聯(lián)電耦合的步驟。
32.如權(quán)利要求29所述的方法,其特征在于,包括用于通過所述第一壓電諧振器的第一橫向尺寸控制所述第一壓電諧振器的諧振頻率,以及通過所述第二壓電諧振器的第二橫向尺寸控制所述第二壓電諧振器的諧振頻率的步驟。
33.如權(quán)利要求29所述的方法,其特征在于,還包括用于與所述第一壓電諧振器和所述第二壓電諧振器并聯(lián)地、以所述第一配置和所述第二配置交替布置地、耦合所述第一配置的一個或多個壓電諧振器和所述第二配置的一個或多個壓電諧振器的步驟。
34.如權(quán)利要求29所述的方法,其特征在于,還包括用于將所述諧振電路與一個或多個分開的諧振電路級聯(lián)的步驟。
35.如權(quán)利要求29所述的方法,其特征在于,還包括用于將所述諧振電路集成在寬帶濾波器中的步驟。
【文檔編號】H03H9/56GK103975526SQ201280055450
【公開日】2014年8月6日 申請日期:2012年11月12日 優(yōu)先權(quán)日:2011年11月10日
【發(fā)明者】C·左, C·尹, C·S·羅, S·朱, J·金 申請人:高通股份有限公司
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