一種單片誤差放大器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種單片誤差放大器，該單片誤差放大器包括串聯(lián)的第一級放大電路和第二級放大電路，好包括與第二級放大電路并聯(lián)的補償電路；該第一級放大電路由四個P型MOS管、四個N型MOS管、一個恒流源構(gòu)建；所述第二級放大電路由兩個P型MOS管和兩個N型MOS管構(gòu)建；所述補償電路由一電阻和一電容構(gòu)建。該新型的單片誤差放大器電路結(jié)構(gòu)簡單，適用于集成電路中；該單片誤差放大器采用兩級高增益放大電路和補償電路，在高開環(huán)增益的條件下依然可以保證環(huán)路穩(wěn)定，在頻率的補償上比較方便，穩(wěn)定性好。
【專利說明】—種單片誤差放大器
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種單片誤差放大器，特別是一種采用兩級高增益放大電路和補償電路結(jié)構(gòu)的半導體單片誤差放大器。
【背景技術(shù)】
[0002]單片誤差放大器嘗用在需要精確控制其信號精度的電路或系統(tǒng)中，用于將誤差放大便于對該誤差進行識別和進行頻率補償。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)的單片誤差放大器增益效果不好，特別是用在半導體集成電路中時在高開環(huán)增益的條件下環(huán)路及其不穩(wěn)定，在頻率的補償上也比較麻煩。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的發(fā)明目的在于:針對上述存在的問題，提供一種適用于半導體集成電路的單片誤差放大器。
[0005]本發(fā)明采用的技術(shù)方案是這樣的:一種單片誤差放大器，包括并聯(lián)連接的第二級放大電路和補償電路，還包括與所述第二級放大電路和補償電路的并聯(lián)電路串聯(lián)的第一級放大電路。
[0006]所述第一級放大電路包括:P型的第一 MOS管、第二 MOS管、第五MOS管、第六MOS管，N型的第三MOS管、第四MOS管、第七MOS管、第八MOS管，外接的第一偏執(zhí)基準電壓、第二偏執(zhí)基準電壓，第一輸入端，第二輸入端，恒流源；輸入電壓與第一 MOS管的源極和第五MOS管的源極連接，第一 MOS管的漏極與第二 MOS管的源極連接，第五MOS管的源極與第六MOS管的源極連接，第二 MOS管的漏極與第三MOS管的漏極連接，第三MOS管的源極與第四MOS管的漏極連接，第六MOS管的漏極與第七MOS管的漏極連接，第七MOS管的源極與第八MOS管的漏極連接，第四MOS管的源極和第八MOS管的源極與恒流源的輸出端連接，恒流源的另一端接地，第一偏執(zhí)基準電壓與第三MOS管的柵極和第七MOS管的柵極連接，第二偏執(zhí)基準電壓與第一 MOS管的柵極和第五MOS管的柵極連接，第一輸入端與第四MOS管的柵極連接，第二輸入端與第八MOS管的柵極連接，第二 MOS管的漏極與第一 MOS管的柵極連接。
[0007]所述第二級放大電路包括:P型的第十MOS管、第十一MOS管，N型的第十二MOS管、第十三MOS管，外接的第三偏執(zhí)基準電壓、第四偏執(zhí)基準電壓、第五偏執(zhí)基準電壓，輸出端；輸入電壓與第十MOS管的源極連接,第十MOS管的漏極與第^ MOS管的源極連接,第^MOS管的漏極與第十二 MOS管的漏極和輸出端連接，第十二 MOS管的源極與第十三MOS管的漏極連接，第十三MOS管的源極接地；第十MOS管的柵極與第一放大電路的第六MOS管的漏極和第七MOS管的漏極連接，第十一 MOS管的柵極與第三偏執(zhí)基準電壓連接，第十二 MOS管的柵極與第四偏執(zhí)基準電壓連接，第十三MOS管的柵極與第五偏執(zhí)基準電壓連接。
[0008]所述補償電路包括第一電阻和第一電容；第一電阻的一端與第一級放大電路的第六MOS管的漏極、第七MOS管的漏極以及第二級放大電路的第十MOS管的柵極連接，另一端與第一電容的一端連接，第一電容與第i MOS管的漏極、第十二 MOS管的漏極和輸出端連接。
[0009]綜上所述，由于采用了上述技術(shù)方案，本發(fā)明的有益效果是:該單片誤差放大器采用兩級高增益放大電路和補償電路，在高開環(huán)增益的的條件下依然可以保證環(huán)路穩(wěn)定，在頻率的補償上比較方便，穩(wěn)定性好。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0010]圖1是本發(fā)明單片誤差放大器的電路原理圖。
【具體實施方式】
[0011]下面結(jié)合附圖，對本發(fā)明作詳細的說明。
[0012]為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實施例，對本發(fā)明進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
[0013]如圖1所示，是本發(fā)明一種單片誤差放大器的電路原理圖。一種單片誤差放大器，包括兩級放大電路:第一級放大電路和第二級放大電路，第一級放大電路和第二級放大電路串聯(lián)連接，為了增強該放大器的穩(wěn)定性，在第二級放大電路中并聯(lián)接入一補償電路。即該單片誤差放大器第二級放大電路和補償電路并聯(lián)，第一級放大電路與所述第二級放大電路和補償電路的并聯(lián)電路相串聯(lián)。
[0014]第一級放大電路和第二級放大電路均為高增益的放大電路。
[0015] 其中，所述第一級放大電路包括:P型的第一MOS管Ml、第二MOS管M2、第五MOS管M5、第六MOS管M6，N型的第三MOS管M3、第四MOS管M4、第七MOS管M7、第八MOS管M8，外接的第一偏執(zhí)基準電壓V1、第二偏執(zhí)基準電壓V2，第一輸入端INl，第二輸入端IN2，恒流源Il ;輸入電壓Vdd與第一 MOS管Ml的源極和第五MOS管M5的源極連接，第一 MOS管Ml的漏極與第二 MOS管M2的源極連接，第五MOS管M5的源極與第六MOS管M6的源極連接，第二 MOS管M2的漏極與第三MOS管M3的漏極連接，第三MOS管M3的源極與第四MOS管M4的漏極連接，第六MOS管M6的漏極與第七MOS管M7的漏極連接，第七MOS管M7的源極與第八MOS管M8的漏極連接，第四MOS管M4的源極和第八MOS管M8的源極與恒流源Il的輸出端連接，恒流源Il的另一端接地GND，第一偏執(zhí)基準電壓Vl與第三MOS管M3的柵極和第七MOS管M7的柵極連接，第二偏執(zhí)基準電壓V2與第一 MOS管Ml的柵極和第五MOS管M5的柵極連接，第一輸入端INl與第四MOS管M4的柵極連接，第二輸入端IN2與第八MOS管M8的柵極連接，第二 MOS管M2的漏極與第一 MOS管Ml的柵極連接。
[0016]所述第二級放大電路包括:P型的第十MOS管MlO、第十一MOS管Mll，N型的第十二MOS管M12、第十三MOS管M13，外接的第三偏執(zhí)基準電壓V3、第四偏執(zhí)基準電壓V4、第五偏執(zhí)基準電壓V5，輸出端OUT ;輸入電壓Vdd與第十MOS管MlO的源極連接，第十MOS管MlO的漏極與第十一 MOS管Mll的源極連接，第十一 MOS管Mll的漏極與第十二 MOS管M12的漏極和輸出端OUT連接，第十二 MOS管M12的源極與第十三MOS管M13的漏極連接，第十三MOS管M13的源極接地GND ;第十MOS管MlO的柵極與第一放大電路的第六MOS管M6的漏極和第七MOS管M7的漏極連接，第十一 MOS管Mll的柵極與第三偏執(zhí)基準電壓V3連接，第十二 MOS管M12的柵極與第四偏執(zhí)基準電壓V4連接，第十三MOS管M13的柵極與第五偏執(zhí)基準電壓V5連接。
[0017]所述補償電路包括第一電阻Rl和第一電容Cl ;第一電阻Rl的一端與第一級放大電路的第六MOS管M6的漏極、第七MOS管M7的漏極以及第二級放大電路的第十MOS管MlO的柵極連接，另一端與第一電容Cl的一端連接，第一電容Cl與第十一 MOS管Mll的漏極、第十二 MOS 管M12的漏極和輸出端OUT連接。
[0018]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種單片誤差放大器，包括并聯(lián)連接的第二級放大電路和補償電路，還包括與所述第二級放大電路和補償電路的并聯(lián)電路串聯(lián)的第一級放大電路； 所述第一級放大電路包括:P型的第一MOS管(Ml)、第二MOS管(M2)、第五MOS管(M5)、第六MOS管(M6)，N型的第三MOS管(M3)、第四MOS管(M4)、第七MOS管(M7)、第八MOS管(M8)，外接的第一偏執(zhí)基準電壓(VI)、第二偏執(zhí)基準電壓(V2)，第一輸入端(IN1)，第二輸入端(IN2)，恒流源(11);輸入電壓(Vdd)與第一 MOS管(Ml)的源極和第五MOS管(M5)的源極連接，第一 MOS管(Ml)的漏極與第二 MOS管(M2)的源極連接，第五MOS管(M5)的源極與第六MOS管(M6)的源極連接，第二 MOS管(M2)的漏極與第三MOS管(M3)的漏極連接，第三MOS管(M3)的源極與第四MOS管(M4)的漏極連接，第六MOS管(M6)的漏極與第七MOS管(M7)的漏極連接，第七MOS管(M7)的源極與第八MOS管(M8)的漏極連接，第四MOS管(M4)的源極和第八MOS管(M8)的源極與恒流源(Il)的輸出端連接，恒流源(Il)的另一端接地(GND)，第一偏執(zhí)基準電壓(Vl)與第三MOS管(M3)的柵極和第七MOS管(M7)的柵極連接，第二偏執(zhí)基準電壓(V2)與第一 MOS管(Ml)的柵極和第五MOS管(M5)的柵極連接,第一輸入端(INl)與第四MOS管(M4)的柵極連接，第二輸入端(IN2)與第八MOS管(M8)的柵極連接，第二 MOS管(M2)的漏極與第一 MOS管(Ml)的柵極連接； 所述第二級放大電路包括:P型的第十MOS管(M10)、第十一 MOS管(M11)，N型的第十二 MOS管(M12)、第十三MOS管(M13)，外接的第三偏執(zhí)基準電壓(V3)、第四偏執(zhí)基準電壓(V4)、第五偏執(zhí)基準電壓(V5)，輸出端(OUT);輸入電壓(Vdd)與第十MOS管(MlO)的源極連接，第十MOS管(MlO)的漏極與第十一 MOS管(Mll)的源極連接，第十一 MOS管(Mll)的漏極與第十二 MOS管(M12)的漏極和輸出端(OUT)連接，第十二 MOS管(M12)的源極與第十三MOS管(M13)的漏極連接，第十三MOS管(M13)的源極接地(GND);第十MOS管(MlO)的柵極與第一放大電路的第六MOS管(M6)的漏極和第七MOS管(M7)的漏極連接，第十一 MOS管(Mll)的柵極與第三偏執(zhí)基準電壓(V3)連接，第十二 MOS管(M12)的柵極與第四偏執(zhí)基準電壓(V4)連接，第十三MOS管`(Ml3)的柵極與第五偏執(zhí)基準電壓(V5)連接； 所述補償電路包括第一電阻(Rl)和第一電容(Cl);第一電阻(Rl)的一端與第一級放大電路的第六MOS管(M6)的漏極、第七MOS管(M7)的漏極以及第二級放大電路的第十MOS管(MlO)的柵極連接，另一端與第一電容(Cl)的一端連接，第一電容(Cl)與第—^一MOS管(Mll)的漏極、第十二 MOS管(M12)的漏極和輸出端(OUT)連接。
【文檔編號】H03F3/45GK103684291SQ201210338042
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2012年9月13日 優(yōu)先權(quán)日:2012年9月13日
【發(fā)明者】王紀云, 桑園 申請人:鄭州單點科技軟件有限公司