均衡器的制造方法
【專(zhuān)利摘要】一種均衡器,包括一多層電路板以及設(shè)置于電路板上的均衡模塊,該均衡模塊包括兩接入端、第一及第二貫孔、第一及第二電阻、兩輸出端以及一對(duì)微帶線,第一及第二貫孔均貫穿多層電路板設(shè)置,且第一及第二貫孔均與頂層、中間層以及底層分別通過(guò)焊盤(pán)電性連接,兩接入端連接至第一及第二貫孔與頂層電連接處的焊盤(pán),兩輸出端連接至第一及第二貫孔與第三層電連接處的焊盤(pán),兩根微帶線分別連接至第一及第二貫孔與底層電連接處的焊盤(pán),兩微帶線的一端通過(guò)第一電阻互相連接,另一端通過(guò)第二電阻互相連接。上述均衡器補(bǔ)償效果較佳。
【專(zhuān)利說(shuō)明】均衡器
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種均衡器,尤其涉及一種階梯式均衡器。
【背景技術(shù)】
[0002]高頻信號(hào)如數(shù)字信號(hào)在傳輸過(guò)程中容易發(fā)生高頻衰減,導(dǎo)致數(shù)字信號(hào)傳輸錯(cuò)誤率上升,故,在傳輸數(shù)字信號(hào)前常需通過(guò)均衡器對(duì)數(shù)字信號(hào)進(jìn)行高頻補(bǔ)償,但現(xiàn)在的均衡器通常僅能對(duì)數(shù)字信號(hào)進(jìn)行一級(jí)高頻補(bǔ)償,并不能根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行多級(jí)高頻補(bǔ)償,對(duì)于數(shù)字信號(hào)的高頻補(bǔ)償效果較為有限。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0003]鑒于上述狀況,有必要提供一種補(bǔ)償效果較佳的均衡器。
[0004]一種均衡器,用于補(bǔ)償信號(hào)在傳輸信道中損耗的高頻分量,該均衡器包括一電路板以及設(shè)置于該電路板上的均衡模塊,該電路板為一多層板,該均衡模塊包括兩個(gè)接入端、第一及第二貫孔、第一及第二電阻、兩個(gè)輸出端以及一第一對(duì)微帶線,該第一及第二貫孔均貫穿該多層電路板,且該第一及第二貫孔均與頂層、中間層以及底層分別通過(guò)焊盤(pán)電性連接,該兩接入端分別連接至第一貫孔與頂層電連接處的焊盤(pán)及第二貫孔與頂層電連接處的焊盤(pán),該兩輸出端分別連接至第一貫孔與中間層電連接處的焊盤(pán)及第二貫孔與中間層電連接處的焊盤(pán),該第一對(duì)微帶線中的兩根微帶線分別連接至第一貫孔與底層電連接處的焊盤(pán)及第二貫孔與底層電連接處的焊盤(pán),該兩微帶線的一端通過(guò)第一電阻相互連接,該兩微帶線的另一端通過(guò)第二電阻相互連接,該第一及第二電阻均設(shè)置于電路板的底層上。
[0005]該均衡器可對(duì)高頻信號(hào)進(jìn)行多級(jí)補(bǔ)償,補(bǔ)償效果較佳,可以有效地降低傳輸信號(hào)的錯(cuò)誤率。
【專(zhuān)利附圖】
【附圖說(shuō)明】
[0006]圖1是本發(fā)明均衡器的較佳實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)圖。
[0007]圖2是圖1所示均衡器中的均衡模塊的較佳實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)圖。
[0008]圖3是信號(hào)未經(jīng)過(guò)本發(fā)明較佳實(shí)施方式的均衡器時(shí)的時(shí)域波形與經(jīng)過(guò)圖1所示的均衡器后的時(shí)域波形的對(duì)比圖。
[0009]圖4是信號(hào)未經(jīng)過(guò)本發(fā)明較佳實(shí)施方式的均衡器時(shí)的仿真眼圖。
[0010]圖5是信號(hào)經(jīng)過(guò)圖1所示的均衡器后的仿真眼圖。
[0011]圖6是本發(fā)明均衡模塊的另一較佳實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)圖。
[0012]主要元件符號(hào)說(shuō)明
【權(quán)利要求】
1.一種均衡器,包括一電路板以及設(shè)置于該電路板上的均衡模塊,該電路板為一多層板,該均衡模塊包括兩個(gè)接入端、第一及第二貫孔、第一及第二電阻、兩個(gè)輸出端以及一第一對(duì)微帶線,該第一及第二貫孔均貫穿該多層電路板,且該第一及第二貫孔均與頂層、中間層以及底層分別通過(guò)焊盤(pán)電性連接,該兩接入端分別連接至第一貫孔與頂層電連接處的焊盤(pán)及第二貫孔與頂層電連接處的焊盤(pán),該兩輸出端分別連接至第一貫孔與中間層電連接處的焊盤(pán)及第二貫孔與中間層電連接處的焊盤(pán),該第一對(duì)微帶線中的兩根微帶線分別連接至第一貫孔與底層電連接處的焊盤(pán)及第二貫孔與底層電連接處的焊盤(pán),該兩微帶線的一端通過(guò)第一電阻相互連接,該兩微帶線的另一端通過(guò)第二電阻相互連接,該第一及第二電阻均設(shè)置于電路板的底層上。
2.如權(quán)利要求1所述的均衡器,其特征在于:該均衡模塊還包括一第三電阻及一第二對(duì)微帶線,該第二對(duì)微帶線連接于第二電阻與第三電阻之間,該第三電阻設(shè)置于電路板的底層上。
3.如權(quán)利要求1或2所述的均衡器,其特征在于:該兩接入端均為矩形導(dǎo)電片。
4.如權(quán)利要求3所述的均衡器,其特征在于:該兩接入端設(shè)置于頂層的表面上。
5.如權(quán)利要求1或2所述的均衡器,其特征在于:該兩輸出端均為矩形導(dǎo)電片。
6.如權(quán)利要求5所述的均衡器,其特征在于:該兩輸出端設(shè)置于中間層的表面上。
【文檔編號(hào)】H03D7/14GK103516311SQ201210209969
【公開(kāi)日】2014年1月15日 申請(qǐng)日期:2012年6月25日 優(yōu)先權(quán)日:2012年6月25日
【發(fā)明者】陳建勛, 謝博全 申請(qǐng)人:鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司, 鴻海精密工業(yè)股份有限公司