專(zhuān)利名稱(chēng)：一種高電壓大電流電子開(kāi)關(guān)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電子開(kāi)關(guān)，尤其是涉及一種高電壓大電流電子開(kāi)關(guān)。
背景技術(shù)：
顧名思義，高電壓大電流是電壓比較高、能量比較大的脈沖電流，現(xiàn)在常規(guī)的的開(kāi)關(guān)是電磁繼電器，或者電磁水銀開(kāi)關(guān)接觸器。這些開(kāi)關(guān)的普遍缺點(diǎn)是機(jī)械開(kāi)關(guān)，造成電壓脈沖波形抖動(dòng)，控制時(shí)序精度不高，波形不穩(wěn)，一致性差特別是電壓在低端100V至300V左右時(shí)，波形前沿不光滑，有毛刺，導(dǎo)致電流波的波形不穩(wěn)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的就是為了克服上述現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷而提供一種適用范圍廣、穩(wěn)定性聞的聞電壓大電流電子開(kāi)關(guān)。本發(fā)明的目的可以通過(guò)以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)一種高電壓大電流電子開(kāi)關(guān)，其特征在于，包括高壓處理模塊、晶閘管控制模塊、晶閘管驅(qū)動(dòng)電路，所述的高壓處理模塊與晶閘管控制模塊連接，所述的晶閘管控制模塊與晶閘管驅(qū)動(dòng)電路。所述的高壓處理模塊由至少兩個(gè)IGBT串聯(lián)而成。所述的IGBT為2 100個(gè)。所述的晶閘管控制模塊包括由至少兩個(gè)單向晶閘管串聯(lián)而成，即前一個(gè)單向晶閘管的負(fù)極接在后一個(gè)單向晶閘管的正極，每個(gè)單向晶閘管的門(mén)極都接一個(gè)晶閘管驅(qū)動(dòng)電路。所述的單向晶閘管為2 100個(gè)。所述的晶閘管驅(qū)動(dòng)電路包括依次連接的DC/AC單元、變壓器、整流單元、存能電容和開(kāi)關(guān)，所述的開(kāi)關(guān)與每一個(gè)單向晶閘管的門(mén)極連接。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)I、可以實(shí)現(xiàn)雷擊浪涌發(fā)生器的所有參數(shù)要求；2、更能體現(xiàn)出電壓穩(wěn)定性，波形一致性；3、可以實(shí)現(xiàn)雙向?qū)?，這個(gè)是普通MOS管無(wú)法實(shí)現(xiàn)的功能。


圖I為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)框圖；圖2為本發(fā)明的晶閘管控制模塊電路圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。實(shí)施例
如圖1，一種高電壓大電流電子開(kāi)關(guān)，包括高壓處理模塊I、晶閘管控制模塊2、晶閘管驅(qū)動(dòng)電路3，所述的高壓處理模塊I與晶閘管控制模塊2連接，所述的晶閘管控制模塊2與晶閘管驅(qū)動(dòng)電路3。所述的高壓處理模塊由至少兩個(gè)IGBT串聯(lián)而成。同時(shí)導(dǎo)通時(shí)每個(gè)管子將同時(shí)分壓，這樣可以不至于器件損壞。每個(gè)管子之間的引腳要加粗，以達(dá)到電流的需要，防止發(fā)熱。最后用環(huán)氧樹(shù)脂膠灌封，做到耐高壓。晶閘管驅(qū)動(dòng)是根據(jù)晶閘管的導(dǎo)通特性量身設(shè)計(jì)的。晶閘管的一次導(dǎo)通之后就不會(huì)關(guān)斷，關(guān)斷方法有兩種一是流過(guò)晶閘管的電流關(guān)斷，或者是驅(qū)動(dòng)腳的驅(qū)動(dòng)電壓反向。如圖 2所示，所述的晶閘管控制模塊包括由至少兩個(gè)單向晶閘管串聯(lián)而成，即前一個(gè)單向晶閘管的負(fù)極接在后一個(gè)單向晶閘管的正極，每個(gè)單向晶閘管的門(mén)極G都接一個(gè)晶閘管驅(qū)動(dòng)電路。所述的晶閘管驅(qū)動(dòng)電路包括依次連接的DC/AC單元、變壓器、整流單元、存能電容和開(kāi)關(guān)，所述的開(kāi)關(guān)與每一個(gè)單向晶閘管的門(mén)極連接。
權(quán)利要求
1.一種高電壓大電流電子開(kāi)關(guān)，其特征在于，包括高壓處理模塊、晶閘管控制模塊、晶閘管驅(qū)動(dòng)電路，所述的高壓處理模塊與晶閘管控制模塊連接，所述的晶閘管控制模塊與晶閘管驅(qū)動(dòng)電路。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種高電壓大電流電子開(kāi)關(guān)，其特征在于，所述的高壓處理模塊由至少兩個(gè)IGBT串聯(lián)而成。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種高電壓大電流電子開(kāi)關(guān)，其特征在于，所述的IGBT為2 100個(gè)。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種高電壓大電流電子開(kāi)關(guān)，其特征在于，所述的晶閘管控制模塊包括由至少兩個(gè)單向晶閘管串聯(lián)而成，即前一個(gè)單向晶閘管的負(fù)極接在后一個(gè)單向晶閘管的正極，每個(gè)單向晶閘管的門(mén)極都接一個(gè)晶閘管驅(qū)動(dòng)電路。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種高電壓大電流電子開(kāi)關(guān)，其特征在于，所述的單向晶閘管為2 100個(gè)。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種高電壓大電流電子開(kāi)關(guān)，其特征在于，所述的晶閘管驅(qū)動(dòng)電路包括依次連接的DC/AC單元、變壓器、整流單元、存能電容和開(kāi)關(guān)，所述的開(kāi)關(guān)與每一個(gè)單向晶閘管的門(mén)極連接。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種高電壓大電流電子開(kāi)關(guān)，包括高壓處理模塊、晶閘管控制模塊、晶閘管驅(qū)動(dòng)電路，所述的高壓處理模塊與晶閘管控制模塊連接，所述的晶閘管控制模塊與晶閘管驅(qū)動(dòng)電路。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有適用范圍廣、穩(wěn)定性高等優(yōu)點(diǎn)。
文檔編號(hào)H03K17/567GK102938643SQ20111023357
公開(kāi)日2013年2月20日 申請(qǐng)日期2011年8月15日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月15日
發(fā)明者毛文斌, 顧建軍 申請(qǐng)人:上海普銳馬電子有限公司