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一種可調(diào)節(jié)的方波信號發(fā)生電路以及應(yīng)用其的開關(guān)型調(diào)節(jié)器的制作方法

文檔序號:7522059閱讀:273來源:國知局
專利名稱:一種可調(diào)節(jié)的方波信號發(fā)生電路以及應(yīng)用其的開關(guān)型調(diào)節(jié)器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及電子技術(shù)領(lǐng)域,更具體的說,涉及一種可調(diào)節(jié)的方波信號發(fā)生電路。
背景技術(shù)
可調(diào)節(jié)的方波信號發(fā)生電路是電力電子技術(shù)中的一種常用電路,其根據(jù)接收到的控制信號來改變輸出方波的寬度,并對后續(xù)電路產(chǎn)生控制或調(diào)節(jié)等作用。其中最典型的代表為PWM控制電路,其多用于對功率控制與變換的電路中,以其控制簡單,靈活和動態(tài)響應(yīng)好等優(yōu)點而成為電力電子技術(shù)最廣泛應(yīng)用的控制方式。目前可調(diào)節(jié)的方波信號發(fā)生電路的實現(xiàn)方法主要有數(shù)字控制和模擬電路兩種,其中數(shù)字控制如軟件控制或利用專用集成芯片等,成本較高,計算復雜;而采用傳統(tǒng)模擬電路,其原理圖如圖1所示,其利用一比較器CMP將接收的控制電壓V。tel_in與一鋸齒波發(fā)生電路輸出的鋸齒波信號做比較,其比較器的輸出作為方波信號。其輸出的方波的寬度隨著控制電壓V。tel_in&數(shù)值變化而變化,并成一定的線性關(guān)系。同時由于需要鋸齒波發(fā)生電路和比較器,元器件較多,結(jié)構(gòu)變得復雜,電路所需功率較大,相應(yīng)的實現(xiàn)成本也提高了。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此,本發(fā)明的目的在于提供一種可調(diào)節(jié)的方波信號發(fā)生電路,其根據(jù)接收到的一固定方波信號和一變化的控制信號,改變其輸出的方波信號的信號沿的延遲時間以調(diào)節(jié)其寬度,其中所述變化的控制信號的大小與輸出的方波信號的寬度成一定的非線性關(guān)系。一種可調(diào)節(jié)的方波信號發(fā)生電路,用以根據(jù)接收到的一固定方波信號和一變化的控制信號,來產(chǎn)生一可調(diào)節(jié)的方波信號,包括第一反相器和寬度調(diào)節(jié)電路,其中,所述第一反相器的第一輸入端用以接收所述固定方波信號,并在輸出端輸出所述可調(diào)節(jié)的方波信號;所述寬度調(diào)節(jié)電路與所述第一反相器相連接,用以接收所述變化的控制信號,以調(diào)節(jié)所述可調(diào)節(jié)的方波信號的寬度。優(yōu)選的,所述寬度調(diào)節(jié)電路連接至所述第一反相器的第二端,用以對所述可調(diào)節(jié)的方波信號的上升沿時間進行調(diào)節(jié)。優(yōu)選的,所述寬度調(diào)節(jié)電路連接至所述第一反相器的第三端,用以對所述可調(diào)節(jié)的方波信號的下降沿時間進行調(diào)節(jié)。進一步的,所述方波信號發(fā)生電路進一步包括第二反相器,所述第二反相器的第一輸入端與所述第一反相器的輸出端相連接,用以對所述第一反相器輸出的可調(diào)節(jié)的方波信號進行調(diào)整。進一步的,所述方波信號發(fā)生電路進一步包括第三反相器,所述第三反相器的第一輸入端接收所述固定的方波信號,用以獲得與所述固定的方波信號互補的第二方波信號,其輸出端連接至所述第一反相器的輸入端。
進一步的,所述方波信號發(fā)生電路進一步包括與所述第一反相器的輸出端依次串聯(lián)連接的第四反相器和第五反相器,用以對產(chǎn)生可調(diào)節(jié)的方波信號進行調(diào)整。進一步的, 所述寬度調(diào)節(jié)電路包括一可控電流源,其接收所述變化的控制信號,并據(jù)以產(chǎn)生一變化的電流信號。進一步的,所述寬度調(diào)節(jié)電路包括一充放電電路,其接收所述變化的電流信號,以進行充電或者放電操作。進一步的,所述充放電電路包括一電容,其第一端連接至所述第一反相器的輸出端,第二端連接至地。優(yōu)選的,所述可控電流源連接至所述第一反相器的第二端和一輸入電壓源之間, 用以控制流過所述第一反相器的電流,所述第一反相器的第二端接收一輸入電壓源;所述充放電電路與所述第一反相器的輸出端連接;當所述固定方波信號由有效狀態(tài)轉(zhuǎn)為無效狀態(tài)時,利用接收到的所述變化的電流進行充電;所述變化的電流控制所述充放電電路的充電時間來控制所述可調(diào)節(jié)的方波信號的上升沿時間,從而實現(xiàn)了對可調(diào)節(jié)的方波信號的寬度的調(diào)節(jié);并且保證所述可調(diào)節(jié)的方波信號的下降沿與所述固定方波信號的上升沿保持一致。優(yōu)選的,所述變化的控制信號為一電壓控制信號,所述可控電流源包括第一 MOSFET晶體管,其控制端接收所述電壓控制信號,其第一功率端連接至所述輸入電壓源,第二功率端連接至所述第一反相器的第二端。優(yōu)選的,所述變化的控制信號為一電流控制信號,所述可控電流源包括第二 MOSFET晶體管和第三MOSFET晶體管組成的電流鏡電路,所述第二 MOSFET晶體管和第三 MOSFET晶體管的控制端相連接,第二功率端相連接并連接至所述第一反相器的第二端;所述第一 MOSFET晶體管的控制端與其第一功率端連接,并接收所述變化的控制信號;所述第二 MOSFET晶體管的第一功率端連接至所述輸入電壓源。進一步的,所述寬度調(diào)節(jié)電路包括一限流電路,所述限流電路連接至所述可控電流源和所述輸入入電壓源之間,用以限制所述可控電流源的最大電流。優(yōu)選的,所述可控電流源與所述第一反相器的第三端連接,用以控制流過所述第一反相器的電流,所述第一反相器的第三端連接至地;所述充放電電路與所述第一反相器的輸出端連接;當所述固定方波信號為無效狀態(tài)時,所述充放電電路進行充電;當所述固定方波信號由無效狀態(tài)轉(zhuǎn)為有效狀態(tài)時,所述充放電電路根據(jù)所述變化的電流進行放電;所述變化的電流控制所述充放電電路的放電時間來控制所述可調(diào)節(jié)的方波信號的下降沿時間,從而實現(xiàn)了對可調(diào)節(jié)的方波信號的寬度的調(diào)節(jié);并且保證所述可調(diào)節(jié)的方波信號的上升沿與所述固定方波信號的下降沿保持一致。優(yōu)選的,所述變化的控制信號為一電壓控制信號,所述可控電流源包括第一 MOSFET晶體管,其控制端接收所述電壓控制信號,其第一功率端連接至所述第一反相器的第三端,第二功率端連接至地。優(yōu)選的,所述變化的控制信號為一電流控制信號,所述可控電流源包括由第二 MOSFET晶體管和第三MOSFET晶體管組成的電流鏡電路,所述第二 MOSFET晶體管和第三 MOSFET晶體管的控制端相連接,第二功率端相連接并連接至地;所述第一 MOSFET晶體管的控制端與其第一功率 端連接,并接收所述變化的控制信號;所述第二 MOSFET晶體管的第一功率端連接至所述第一反相器的第三端。進一步的,所述寬度調(diào)節(jié)電路包括一限流電路,所述限流電路連接至所述可控電流源和地之間,用以限制所述可控電流源的最大電流。優(yōu)選的,所述第一反相器包括依次串聯(lián)連接在一輸入電壓源和地之間的第一 P型晶體管和第一 N型晶體管,所述第一 P型晶體管和第一 N型晶體管的控制端相互連接,以接收所述固定方波信號,以在所述第一 P型晶體管和第一 N型晶體管串聯(lián)的公共連接點輸出所述可調(diào)節(jié)的方波信號。一種開關(guān)型調(diào)節(jié)器,包括,功率級電路,反饋電路,PWM控制電路、邏輯和驅(qū)動電路, 其中,所述開關(guān)型調(diào)節(jié)器的時鐘信號作為所述固定方波信號;所述反饋電路產(chǎn)生的誤差信號作為所述變化的控制信號;所述PWM控制電路根據(jù)所述時鐘信號和所述誤差信號,產(chǎn)生相應(yīng)的可調(diào)節(jié)的方波信號,以作為所述開關(guān)型調(diào)節(jié)器的PWM控制信號,其包括依據(jù)本發(fā)明的任一合適的可調(diào)節(jié)的方波信號發(fā)生電路,所述邏輯和驅(qū)動電路接收所述PWM控制信號,以控制所述功率級電路中的開關(guān)管的開關(guān)動作,以在所述功率級電路的輸出端產(chǎn)生一需要的電信號。優(yōu)選的,所述誤差信號根據(jù)所述開關(guān)型調(diào)節(jié)器的輸出電壓和一基準電壓獲得,以作為所述PWM控制電路的變化的控制信號。優(yōu)選的,所述誤差信號根據(jù)所述開關(guān)型調(diào)節(jié)器的輸出電流和一基準電流獲得,以作為所述PWM控制電路的變化的控制信號。優(yōu)選的,所述功率級電路為降壓型、升壓型、升降壓型或者隔離式拓撲結(jié)構(gòu)。優(yōu)選的,所述充電電路為所述邏輯與驅(qū)動電路的等效電容。可見,采用本發(fā)明的可調(diào)節(jié)的方波信號發(fā)生電路,不需要額外的鋸齒波信號發(fā)生電路,也不需要比較器,其實現(xiàn)更加容易,而且降低了生產(chǎn)成本,電路的功耗也隨之降低。采用本發(fā)明的開關(guān)型調(diào)節(jié)器,其中所應(yīng)用的可調(diào)節(jié)的方波信號發(fā)生電路所接收的固定方波信號可由內(nèi)部電路中的時鐘信號實現(xiàn),使得電路結(jié)構(gòu)更加簡單。


圖1所示為傳統(tǒng)的方波信號發(fā)生電路的原理圖;圖2A所示為依據(jù)本發(fā)明的方波信號發(fā)生電路的第一實施例的原理圖;圖2B所示為圖2A所示的方波信號發(fā)生電路的工作波形圖;圖2C所示為圖2A所示的方波信號發(fā)生電路中電壓控制信號與可調(diào)節(jié)的方波信號的脈寬之間的關(guān)系曲線;圖3A所示為依據(jù)本發(fā)明的方波信號發(fā)生電路的第二實施例的原理圖;圖3B所示為圖3A所示的方波信號發(fā)生電路的工作波形圖;圖3C所示為圖3A所示的方波信號發(fā)生電路中電壓控制信號與可調(diào)節(jié)的方波信號的脈寬之間的關(guān)系曲線;圖4A所示為依據(jù)本發(fā)明的方波信號發(fā)生電路的第三實施例的原理圖4B所示為圖4A所示的依據(jù)本發(fā)明的方波信號發(fā)生電路的工作波形圖;圖5A所示為依據(jù)本發(fā)明的方波信號發(fā)生電路的第四實施例的原理圖;圖5B所示為圖5A所示的方波信號 發(fā)生電路中電流控制信號可調(diào)節(jié)的方波信號的脈寬之間的關(guān)系曲線;圖6所示為依據(jù)本發(fā)明一實施例的開關(guān)型調(diào)節(jié)器的原理框圖。
具體實施例方式以下結(jié)合附圖對本發(fā)明的幾個優(yōu)選實施例進行詳細描述,但本發(fā)明并不僅僅限于這些實施例。本發(fā)明涵蓋任何在本發(fā)明的精髓和范圍上做的替代、修改、等效方法以及方案。為了使公眾對本發(fā)明有徹底的了解,在以下本發(fā)明優(yōu)選實施例中詳細說明了具體的細節(jié),而對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說沒有這些細節(jié)的描述也可以完全理解本發(fā)明。參考圖2A,為依據(jù)本發(fā)明的方波信號發(fā)生電路的第一實施例的原理圖,其接收一固定方波信號IN和一變化的電壓控制信號V。tel,并包括一第一反相器和一寬度調(diào)節(jié)電路, 其中第一反相器201,包括依次串聯(lián)在一輸入電壓源Vdd和地之間的第一 P型晶體管 202和第一 N型晶體管203,所述第一 P型晶體管202和第一 N型晶體管203的柵極相互連接,以接收所述固定方波信號IN,并在第一 P型晶體管202的漏極和第一 N型晶體管203的漏極的公共連接點輸出所述可調(diào)節(jié)的方波信號OUT。所述寬度調(diào)節(jié)電路進一步包括一可控電流源和一充放電電路。其中所述可控電流源包括第一 MOSFET晶體管,所述第一 MOSFET晶體管由N型晶體管204實現(xiàn),其柵極接收所述電壓控制信號Vrtri,其漏極與所述第一 N型晶體管203的源極相連接,其源極接地;所述充放電電路包括電容205,其一端連接至所述第一反相器201的輸出端,另一端接地。以下結(jié)合圖2B所示的圖2A所示的方波信號發(fā)生電路的工作波形圖,并以高電平有效為例來詳細說明其工作過程。其中所述電壓控制信號V。tel在上限基準電壓Vh與下限基準電壓\之間變化。在、時刻所述固定方波信號IN由高電平變?yōu)榈碗娖?,由于所述第一反相?01的反相作用,所述可調(diào)節(jié)的方波信號OUT同時由低電平變?yōu)楦唠娖剑㈤_始向所述電容205充 H1^ ο在t2時刻,所述固定方波信號IN由低電平變?yōu)楦唠娖剑捎谒龅谝环聪嗥?01 的反相作用,所述可調(diào)節(jié)的方波信號OUT開始由高電平向低電平過渡,所述電容205開始放電。由于此時所述電壓控制信號V。tel接近于上限電壓VH,因此流過所述N型晶體管204的電流I很大,所述電容205快速放電,所述可調(diào)節(jié)的方波信號OUT由高電平快速變?yōu)榈碗娖剑湎陆笛氐难舆t時間接近為零。而在t3時刻,由于此時所述電壓控制信號Vrtri接近于下限電壓\,因此流過所述 N型晶體管204的電流I很小,導致所述電容205的放電時間延長,最終導致所述可調(diào)節(jié)的方波信號OUT的變?yōu)榈碗娖降臅r刻由t4時刻延遲至t5時刻,相應(yīng)地其脈沖寬度變寬。同樣的原理,在t6時刻,由于此時所述電壓控制信號Vrtri較之t3時刻較大,其流過所述N型晶體管204的電流I有所增大,其下降沿的延遲時間相應(yīng)變小??梢姡攬D2A所示的依據(jù)本發(fā)明的方波信號發(fā)生器中所述電壓控制信號Vetel變小時,其流過所述N型晶體管204的電流I的電流隨之變小,所述電容205的放電速度變慢, 導致所述可調(diào)節(jié)的方波信號OUT的下降沿延遲時間變長,使得其脈寬變寬,反之亦然,以此實現(xiàn)控制信號對方波信號的寬度調(diào)節(jié)。圖2A所示的實施例中,流過所述N型晶體管204的電流I與所述可調(diào)節(jié)的方波信號OUT的下降沿延遲時間Δ t之間滿足如下關(guān)系式
權(quán)利要求
1.一種可調(diào)節(jié)的方波信號發(fā)生電路,用以根據(jù)接收到的一固定方波信號和一變化的控制信號,來產(chǎn)生一可調(diào)節(jié)的方波信號,其特征在于,包括第一反相器和寬度調(diào)節(jié)電路,其中,所述第一反相器的第一輸入端用以接收所述固定方波信號,并在輸出端輸出所述可調(diào)節(jié)的方波信號;所述寬度調(diào)節(jié)電路與所述第一反相器相連接,用以接收所述變化的控制信號,以調(diào)節(jié)所述可調(diào)節(jié)的方波信號的寬度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方波信號發(fā)生電路,其特征在于,所述寬度調(diào)節(jié)電路連接至所述第一反相器的第二端,用以對所述可調(diào)節(jié)的方波信號的上升沿時間進行調(diào)節(jié)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方波信號發(fā)生電路,其特征在于,所述寬度調(diào)節(jié)電路連接至所述第一反相器的第三端,用以對所述可調(diào)節(jié)的方波信號的下降沿時間進行調(diào)節(jié)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方波信號發(fā)生電路,其特征在于,所述方波信號發(fā)生電路進一步包括第二反相器,所述第二反相器的第一輸入端與所述第一反相器的輸出端相連接, 用以對所述第一反相器輸出的可調(diào)節(jié)的方波信號進行調(diào)整。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方波信號發(fā)生電路,其特征在于,所述方波信號發(fā)生電路進一步包括第三反相器,所述第三反相器的第一輸入端接收所述固定的方波信號,用以獲得與所述固定的方波信號互補的第二方波信號,其輸出端連接至所述第一反相器的輸入端。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方波信號發(fā)生電路,其特征在于,所述方波信號發(fā)生電路進一步包括與所述第一反相器的輸出端依次串聯(lián)連接的第四反相器和第五反相器,用以對產(chǎn)生的可調(diào)節(jié)的方波信號進行調(diào)整。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方波信號發(fā)生電路,其特征在于,所述寬度調(diào)節(jié)電路進一步包括一可控電流源,其接收所述變化的控制信號,并據(jù)以產(chǎn)生一變化的電流信號。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方波信號發(fā)生電路,其特征在于,所述寬度調(diào)節(jié)電路進一步包括一充放電電路,其接收所述變化的電流信號,以進行充電或者放電操作。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方波信號發(fā)生電路,其特征在于,所述充放電電路包括一電容,其第一端連接至所述第一反相器的輸出端,第二端連接至地。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方波信號發(fā)生電路,其特征在于,所述可控電流源連接至所述第一反相器的第二端和一輸入電壓源之間,用以控制流過所述第一反相器的電流,所述第一反相器的第二端接收一輸入電壓源;所述充放電電路與所述第一反相器的輸出端連接;當所述固定方波信號由有效狀態(tài)轉(zhuǎn)為無效狀態(tài)時,利用接收到的所述變化的電流進行充電;所述變化的電流控制所述充放電電路的充電時間來控制所述可調(diào)節(jié)的方波信號的上升沿時間,從而實現(xiàn)了對可調(diào)節(jié)的方波信號的寬度的調(diào)節(jié);并且保證所述可調(diào)節(jié)的方波信號的下降沿與所述固定方波信號的上升沿保持一致。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方波信號發(fā)生電路,其特征在于,所述變化的控制信號為一電壓控制信號,所述可控電流源包括第一 MOSFET晶體管,其控制端接收所述電壓控制信號,其第一功率端連接至所述輸入電壓源,第二功率端連接至所述第一反相器的第二端。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方波信號發(fā)生電路,其特征在于,所述變化的控制信號為一電流控制信號,所述可控電流源包括第二 MOSFET晶體管和第三MOSFET晶體管組成的電流鏡電路,所述第二MOSFET晶體管和第三MOSFET晶體管的控制端相連接,第二功率端相連接并連接至所述第一反相器的第二端;所述第一 MOSFET晶體管的控制端與其第一功率端連接,并接收所述變化的控制信號;所述第二 MOSFET晶體管的第一功率端連接至所述輸入電壓源。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方波信號發(fā)生電路,其特征在于,所述寬度調(diào)節(jié)電路進一步包括一限流電路,所述限流電路連接至所述可控電流源和所述輸入入電壓源之間,用以限制所述可控電流源的最大電流。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方波信號發(fā)生電路,其特征在于,所述可控電流源與所述第一反相器的第三端連接,用以控制流過所述第一反相器的電流,所述第一反相器的第三端連接至地;所述充放電電路與所述第一反相器的輸出端連接;當所述固定方波信號為無效狀態(tài)時,所述充放電電路進行充電;當所述固定方波信號由無效狀態(tài)轉(zhuǎn)為有效狀態(tài)時,所述充放電電路根據(jù)所述變化的電流進行放電;所述變化的電流控制所述充放電電路的放電時間來控制所述可調(diào)節(jié)的方波信號的下降沿時間,從而實現(xiàn)了對可調(diào)節(jié)的方波信號的寬度的調(diào)節(jié);并且保證所述可調(diào)節(jié)的方波信號的上升沿與所述固定方波信號的下降沿保持一致。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方波信號發(fā)生電路,其特征在于,所述變化的控制信號為一電壓控制信號,所述可控電流源包括第一 MOSFET晶體管,其控制端接收所述電壓控制信號,其第一功率端連接至所述第一反相器的第三端,第二功率端連接至地。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方波信號發(fā)生電路,其特征在于,所述變化的控制信號為一電流控制信號,所述可控電流源包括由第二 MOSFET晶體管和第三MOSFET晶體管組成的電流鏡電路,所述第二MOSFET晶體管和第三MOSFET晶體管的控制端相連接,第二功率端相連接并連接至地;所述第一 MOSFET晶體管的控制端與其第一功率端連接,并接收所述變化的控制信號;所述第二 MOSFET晶體管的第一功率端連接至所述第一反相器的第三端。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方波信號發(fā)生電路,其特征在于,所述寬度調(diào)節(jié)電路進一步包括一限流電路,所述限流電路連接至所述可控電流源和地之間,用以限制所述可控電流源的最大電流。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方波信號發(fā)生電路,其特征在于,所述第一反相器包括依次串聯(lián)連接在一輸入電壓源和地之間的第一 P型晶體管和第一 N型晶體管,所述第一 P型晶體管和第一 N型晶體管的控制端相互連接,以接收所述固定方波信號,以在所述第一 P型晶體管和第一 N型晶體管串聯(lián)的公共連接點輸出所述可調(diào)節(jié)的方波信號。
19.一種開關(guān)型調(diào)節(jié)器,包括,功率級電路,反饋電路,PWM控制電路、邏輯和驅(qū)動電路, 其特征在于,所述PWM控制電路包括權(quán)利要求1-13所述的任一可調(diào)節(jié)的方波信號發(fā)生電路,其中,所述開關(guān)型調(diào)節(jié)器的時鐘信號作為所述固定方波信號;所述反饋電路產(chǎn)生的誤差信號作為所述變化的控制信號;所述PWM控制電路根據(jù)所述時鐘信號和所述誤差信號,產(chǎn)生相應(yīng)的可調(diào)節(jié)的方波信號,以作為所述開關(guān)型調(diào)節(jié)器的PWM控制信號;所述邏輯和驅(qū)動電路接收所述PWM控制信號,以控制所述功率級電路中的開關(guān)管的開關(guān)動作,以在所述功率級電路的輸出端產(chǎn)生一需要的電信號。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的開關(guān)型調(diào)節(jié)器,其特征在于,所述誤差信號根據(jù)所述開關(guān)型調(diào)節(jié)器的輸出電壓和一基準電壓獲得,以作為所述PWM控制電路的變化的控制信號。
21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的開關(guān)型調(diào)節(jié)器,其特征在于,所述誤差信號根據(jù)所述開關(guān)型調(diào)節(jié)器的輸出電流和一基準電流獲得,以作為所述PWM控制電路的變化的控制信號。
22.根據(jù)權(quán)利要求19所述的開關(guān)型調(diào)節(jié)器,其特征在于,所述功率級電路為降壓型、升壓型、升降壓型或者隔離式拓撲結(jié)構(gòu)。
23.根據(jù)權(quán)利要求19所述的開關(guān)型調(diào)節(jié)器,其特征在于,所述充電電路為所述邏輯與驅(qū)動電路的等效電容。
全文摘要
依據(jù)本發(fā)明的一種可調(diào)節(jié)的方波信號發(fā)生電路以及應(yīng)用其的開關(guān)型調(diào)節(jié)器,其根據(jù)接收到的一固定方波信號和一變化的控制信號,改變其輸出的方波信號的信號沿的延遲時間以調(diào)節(jié)其寬度,其中所述變化的控制信號的大小與輸出的方波信號的寬度成一定的非線性關(guān)系。依據(jù)本發(fā)明的可調(diào)節(jié)的方波信號發(fā)生電路不需要額外的鋸齒波信號發(fā)生電路,也不需要比較器,其實現(xiàn)更加容易,而且降低了生產(chǎn)成本,電路的功耗也隨之降低。而在本發(fā)明的具體應(yīng)用中,可調(diào)節(jié)的方波信號發(fā)生電路所接收的固定方波信號可由內(nèi)部電路中的時鐘信號實現(xiàn),使得電路結(jié)構(gòu)更加簡單。
文檔編號H03K4/02GK102386893SQ20111022117
公開日2012年3月21日 申請日期2011年8月2日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月2日
發(fā)明者沈旭真 申請人:杭州矽力杰半導體技術(shù)有限公司
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