專利名稱:多輸入差動放大裝置及發(fā)光元件驅(qū)動裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及對多輸入間的差進(jìn)行放大的多輸入差動放大器及使用該多輸入差動放大器的發(fā)光元件驅(qū)動裝置。
背景技術(shù):
通常的差動放大器中,分別對反相輸入端子及非反相輸入端子輸入1個輸入信號。在這樣的通常的差動放大器中,通過控制構(gòu)成該差動放大器的場效應(yīng)晶體管的背柵 (back gate)的電位來消除輸入偏離(offset)的方案是公知的(例如,參照專利文獻(xiàn)1及專利文獻(xiàn)2)。圖6是表示專利文獻(xiàn)1的圖4所示的差動放大器的結(jié)構(gòu)的圖。如圖6所示,在該以往的差動放大器中,檢測偏離量,并對構(gòu)成差動放大器的場效應(yīng)晶體管的背柵的電位進(jìn)行控制,使得消除檢測出的偏離。另一方面,例如,專利文獻(xiàn)3的圖2中,公開了一種選擇電路,作為整體而構(gòu)成在差動放大器中,輸入多個反相輸入電壓信號,并且將該差動放大器的輸出電壓作為非反相輸入電壓信號來輸入。根據(jù)專利文獻(xiàn)3,根據(jù)該結(jié)構(gòu),選擇多個反相輸入電壓信號中的最低的電壓信號并經(jīng)由電壓跟隨器輸出。現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1日本專利第4031447號公報(bào)(特別是圖4)專利文獻(xiàn)2日本特開2004-020867號公報(bào)專利文獻(xiàn)3日本特開2003-332624號公報(bào)(特別是圖2)但是,在差動放大裝置中,存在如下情況,S卩反相輸入信號與非反相輸入信號中的一方為多個,適當(dāng)?shù)貙υ摱鄠€輸入信號進(jìn)行選擇,并希望對該選擇出的信號與反相輸入信號和非反相輸入信號中的另一方之間的差進(jìn)行放大。在這種情況下,需要在不產(chǎn)生偏離電壓的條件下對反相輸入信號和非反相輸入信號進(jìn)行放大。 但是,專利文獻(xiàn)1及專利文獻(xiàn)2所記載的差動放大器為一個輸入的差動放大器,所以無法輸入多個輸入信號來進(jìn)行選擇并放大。此外,專利文獻(xiàn)3所記載的選擇電路只不過對多個反相輸入電壓信號進(jìn)行選擇, 無法對選擇出的信號與從外部輸入的非反相輸入信號之間的差進(jìn)行放大。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是為了解決該課題而提出的,目的在于,提供一種多輸入放大裝置,反相輸入信號與非反相輸入信號中的一方為多個,能夠?qū)υ摱鄠€輸入信號進(jìn)行選擇,并將該選擇出的信號與反相輸入信號和非反相輸入信號中的另一方之間的差進(jìn)行放大。為解決上述課題,本發(fā)明的多輸入差動放大裝置具備差動放大器,具有反相輸入端子和非反相輸入端子;以及輸入部,向上述反相輸入端子及上述非反相輸入端子的一方的輸入端子(以下稱為第一輸入端子),施加與多個該第一輸入端子用的輸入信號(以下稱為第一輸入信號)相應(yīng)的第一輸入電壓,并且,向上述反相輸入端子及上述非反相輸入端子的另一方的輸入端子(以下稱為第二輸入端子),施加與一個該第二輸入端子用的輸入信號(以下稱為第二輸入信號)相應(yīng)的第二輸入電壓,上述輸入部構(gòu)成為校正上述第一輸入電壓與上述第二輸入電壓之間的偏離電壓。上述輸入部具備與多個上述第一輸入信號對應(yīng)的多個輸入電路,各個上述輸入電路包括第一場效應(yīng)晶體管,源極與上述第一輸入端子連接,并且柵極被輸入對應(yīng)的上述第一輸入信號;第二場效應(yīng)晶體管,源極與上述第二輸入端子連接,并且柵極被輸入上述第二輸入信號;以及背柵電位控制電路,構(gòu)成為生成與上述第一場效應(yīng)晶體管的漏極電流相應(yīng)的控制電壓,并將該生成的控制電壓施加到上述第一場效應(yīng)晶體管的背柵及第二場效應(yīng)晶體管的背柵。上述背柵電位控制電路可以構(gòu)成為生成控制電壓,該控制電壓使得若上述第一場效應(yīng)晶體管的漏極電流增加,則上述第一場效應(yīng)晶體管及上述第二場效應(yīng)晶體管的漏極與源極之間的阻抗減少,若上述第一場效應(yīng)晶體管的漏極電流減少,則上述第一場效應(yīng)晶體管及上述第二場效應(yīng)晶體管的漏極與源極之間的阻抗增加。上述第一場效應(yīng)晶體管及上述第二場效應(yīng)晶體管可以是P溝道型場效應(yīng)晶體管。上述第一場效應(yīng)晶體管及上述第二場效應(yīng)晶體管可以是N溝道型場效應(yīng)晶體管。此外,本發(fā)明的發(fā)光元件驅(qū)動裝置具備電源部,向多個發(fā)光元件與對該多個發(fā)光元件提供電流的驅(qū)動器串聯(lián)連接而成的多個電流路徑施加電源電壓;上述多輸入差動放大裝置,施加于上述多個電流路徑的上述驅(qū)動器的電壓被作為多個上述第一輸入信號輸入到上述輸入部,基準(zhǔn)電壓被作為上述第二輸入信號輸入到上述輸入部,并且,從上述差動放大器,將上述基準(zhǔn)電壓與施加于上述多個電流路徑的上述驅(qū)動器的電壓之間的誤差放大輸出;以及控制部,基于上述多輸入差動放大裝置的差動放大器的輸出,對上述電源所施加的電源電壓進(jìn)行反饋控制。發(fā)明效果本發(fā)明如上所述地構(gòu)成具有如下效果反相輸入信號與非反相輸入信號中的一方為多個,能夠?qū)υ摱鄠€輸入信號進(jìn)行選擇,并對該選擇出的信號與反相輸入信號和非反相輸入信號中的另一方之間的差進(jìn)行放大。
圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施方式1的多輸入差動放大器的結(jié)構(gòu)的電路圖。圖2是表示圖1的多輸入差動放大器中的背柵電位控制電路的結(jié)構(gòu)例的電路。圖3是表示本發(fā)明的實(shí)施方式2的多輸入差動放大器的結(jié)構(gòu)的電路圖。圖4是表示圖3的多輸入差動放大器中的背柵電位控制電路的結(jié)構(gòu)例的電路。圖5是表示本發(fā)明的實(shí)施方式3的發(fā)光元件驅(qū)動裝置的結(jié)構(gòu)的電路圖。圖6是表示以往的差動放大器的結(jié)構(gòu)的電路圖。符號說明1差動放大器2輸入部
3 5輸入電路3a,4a,第一場效應(yīng)晶體管3b, 4b, 5b第二場效應(yīng)晶體管3c,4c,5c背柵電位控制電路6第一電流源7第二電流源13 15輸入電路13a,14a,15a第一場效應(yīng)晶體管1北,14b,1 第二場效應(yīng)晶體管13c,14c,15c背柵電位控制電路21,31電流-電壓轉(zhuǎn)換元件22,32電壓-電流轉(zhuǎn)換元件23,33電流-電壓轉(zhuǎn)換元件41電源部42控制部43發(fā)光元件44驅(qū)動器45基準(zhǔn)電壓電源100A, 100B多輸入差動放大器
具體實(shí)施例方式以下,參照
本發(fā)明的實(shí)施方式。另外,在以下所有的圖中,對相同或相應(yīng)的要素賦予相同的參照符號而省略重復(fù)說明。(實(shí)施方式1)圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施方式1的多輸入差動放大器的結(jié)構(gòu)的電路圖。如圖1所示,本實(shí)施方式1的多輸入差動放大器100A具備差動放大器1與輸入部 2。差動放大器1采用公知的結(jié)構(gòu)。這里,“差動放大器”包括具有規(guī)定的放大率的差動放大器、和實(shí)質(zhì)上具有無限大的放大率的運(yùn)算放大器(operational amplifier)這雙方。輸入部2具有如下功能作為本發(fā)明的特征性的功能,即對反相輸入端子及非反相輸入端子中的一方的端子(第一輸入端子)用的多個輸入信號(選擇及放大后輸入到該一方的端子的信號第一輸入信號)之中的1個輸入信號與差動放大器1的反相輸入端子及非反相輸入端子中的另一方的輸入端子(第二輸入端子)用的1個輸入信號(放大后輸入到該另一方的端子的信號第二輸入信號)所成的對進(jìn)行選擇,并將雙方的信號分別輸入到差動放大器1的對應(yīng)的輸入端子。具體而言,向輸入部2輸入作為第一輸入信號的多個(這里例如為3個)反相輸入信號IN-I IN-3。輸入部2具備與該多個反相輸入信號IN-I IN-3對應(yīng)的多個(這里是3個)輸入電路3 5。
各個輸入電路3 5包括作為反相輸入信號的放大元件的第一場效應(yīng)晶體管 3a、4a、fe,作為非反相輸入信號的放大元件的第二場效應(yīng)晶體管!3b、4bjb,以及背柵電位控制電路3c、4c、5c。這里,各個輸入電路3 5的第一場效應(yīng)晶體管31如、如及第二場效應(yīng)晶體管:3b、4bJb 溝道型場效應(yīng)晶體管(例如P溝道型M0SFET)構(gòu)成。另外,優(yōu)選為,第一場效應(yīng)晶體管3a、4a、fe與第二場效應(yīng)晶體管!3b、4bjb由尺寸實(shí)質(zhì)上相同的場效應(yīng)晶體管構(gòu)成。各個輸入電路3 5的第一場效應(yīng)晶體管3a、4a、fe的源極被連接到差動放大器 1的反相輸入端子和第一電流源6。這里,第一電流源6與正電源Vdd連接,提供一定的電流。此外,各個輸入電路3 5的第一場效應(yīng)晶體管3a、4a、fe的漏極,經(jīng)由后述的背柵電位控制電路3c、4c、5c的電流-電壓轉(zhuǎn)換元件21(參照圖幻而與接地端子連接。并且,各個輸入電路3 5的第一場效應(yīng)晶體管3a、4a、fe的柵極被輸入對應(yīng)的反相輸入信號IN-I IN-3。另一方面,各個輸入電路3 5的第二場效應(yīng)晶體管!3b、4bjb的源極被連接到差動放大器1的非反相輸入端子和第二電流源7。這里,第二電流源7與正電源Vdd連接,提供一定的電流。此外,各個輸入電路3 5的第二場效應(yīng)晶體管:3b、4bjb的漏極與接地端子連接(接地)。并且,各個輸入電路3 5的第二場效應(yīng)晶體管:3b、4bjb的柵極被輸入一個非反相輸入信號IN+。各個背柵電位控制電路3c、4c、5c構(gòu)成為,生成與對應(yīng)的輸入電路3、4、5的第一場效應(yīng)晶體管3a、4a、fe的漏極電流相應(yīng)的控制電壓,并且,該生成的控制電壓被施加到對應(yīng)的輸入電路3 5的第一場效應(yīng)晶體管3a、4a、fe的背柵及第二場效應(yīng)晶體管!3b、4bjb 的背柵。具體而言,各個背柵電位控制電路3c、4c、5c構(gòu)成為,生成控制電壓,該控制電壓使得若第一場效應(yīng)晶體管3a、4a、fe的漏極電流增加,則該第一場效應(yīng)晶體管3a、4a、fe& 第二場效應(yīng)晶體管:3b、4bjb的漏極與源極之間的阻抗(實(shí)質(zhì)來講為電阻以下稱為內(nèi)部阻抗)減少,若第一場效應(yīng)晶體管3a、4a、fe的漏極電流減少,則該第一場效應(yīng)晶體管3a、4a、 fe及第二場效應(yīng)晶體管北、4b、恥的內(nèi)部阻抗增加。圖2是表示圖1的多輸入差動放大器中的背柵電位控制電路的結(jié)構(gòu)例的電路。如圖2所示,背柵電位控制電路3c、4c、5c具備與對應(yīng)的輸入電路3、4、5的第一場效應(yīng)晶體管的3a、4a、fe的漏極連接的電流-電壓轉(zhuǎn)換元件21。電流-電壓轉(zhuǎn)換元件21由例如進(jìn)行了二極管連接的N溝道型場效應(yīng)晶體管(例如N溝道型M0SFET)構(gòu)成。電流-電壓轉(zhuǎn)換元件21的漏極與對應(yīng)的輸入電路3、4、5的第一場效應(yīng)晶體管的3a、4a、fe的漏極連接(圖2中以IN表示連接點(diǎn)),電流-電壓轉(zhuǎn)換元件21的源極與接地端子連接。此外,電流-電壓轉(zhuǎn)換元件21的柵極與自身的漏極連接,并且與電壓-電流轉(zhuǎn)換元件22的柵極連接。電壓-電流轉(zhuǎn)換元件22由例如N溝道型場效應(yīng)晶體管(例如N溝道型M0SFET)構(gòu)成。 另外,優(yōu)選為,電流-電壓轉(zhuǎn)換元件21與電壓-電流轉(zhuǎn)換元件22由尺寸實(shí)質(zhì)上相同的場效應(yīng)晶體管構(gòu)成。電壓-電流轉(zhuǎn)換元件22的源極與接地端子連接,電壓-電流轉(zhuǎn)換元件22的漏極經(jīng)由電流-電壓轉(zhuǎn)換元件23而與正電源Vdd連接。電流-電壓轉(zhuǎn)換元件23由例如進(jìn)行了二極管連接的P溝道型場效應(yīng)晶體管(例如P溝道型M0SFET)構(gòu)成。電流-電壓轉(zhuǎn)換元件23的漏極與自身的柵極連接,并且與電壓-電流轉(zhuǎn)換元件22的漏極連接,電流-電壓轉(zhuǎn)換元件23的源極與正電源Vdd連接。并且,電壓-電流轉(zhuǎn)換元件22的漏極與電流-電壓轉(zhuǎn)換元件23的漏極之間的連接點(diǎn)OUT的電壓,被作為控制電壓而施加到對應(yīng)的輸入電路 3 5的第一場效應(yīng)晶體管3a、4a、fe的背柵與第二場效應(yīng)晶體管的!3b、4bjb的背柵(參照圖1)。另外,也可以通過電阻元件來構(gòu)成電流-電壓轉(zhuǎn)換元件23。總結(jié)以上的結(jié)構(gòu),即,在接地端子和與正電源Vdd連接的第一電流源6之間,相互并聯(lián)連接有多個(這里是3個)輸入電路3 5的反相輸入信號放大用的第一場效應(yīng)晶體管3a、4a、fe。并且,第一電流源6與多個第一場效應(yīng)晶體管3a、4a、fe的源極之間的連接點(diǎn)與差動放大器1的反相輸入端子連接。此外,在接地端子和與正電源Vdd連接的第二電流源7之間,相互并聯(lián)地連接有多個輸入電路3 5的非反相輸入信號放大用的第二場效應(yīng)晶體管!3b、4bjb。并且,第二電流源7與多個第二場效應(yīng)晶體管!3b、4bjb的源極之間的連接點(diǎn)與差動放大器1的非反相輸入端子連接。并且,在各個輸入電路3 5中,第一場效應(yīng)晶體管3a、4a、fe的柵極被輸入對應(yīng)的反相輸入信號IN-I IN-3,第二場效應(yīng)晶體管3b、 4b,5b的柵極被輸入一個非反相輸入信號IN+。此外,在各個輸入電路3 5中,一對第一場效應(yīng)晶體管3a、4a、fe及第二場效應(yīng)晶體管!3b、4bjb的各自的背柵,被從對應(yīng)的背柵電位控制電路3c、4c、5c施加與該第一場效應(yīng)晶體管3a、4a、fe的漏極電流相應(yīng)的控制電壓。[動作]接著,說明按如上方式構(gòu)成的多輸入差動放大器的動作。在圖1及圖2中,若輸入多個反相輸入信號IN-I IN-3和1個非反相輸入信號 IN+,則在各個輸入電路3 5中,在第一場效應(yīng)晶體管3a、4a、fe流過與對應(yīng)的反相輸入信號IN-I IN-3相應(yīng)的漏極電流,并且,在第二場效應(yīng)晶體管:3b、4bjb流過與1個非反相輸入信號IN+相應(yīng)的漏極電流。具體而言,在各個輸入電路3 5中,第一場效應(yīng)晶體管3a、 4a,5a的內(nèi)部阻抗成為與對應(yīng)的反相輸入信號IN-I IN-3相應(yīng)的阻抗,并且,第二場效應(yīng)晶體管!3b、4bjb的內(nèi)部阻抗成為與非反相輸入信號IN+相應(yīng)的阻抗。由此,從第一電流源 6提供的一定的電流,被與多個第一場效應(yīng)晶體管3^如、如各自的內(nèi)部阻抗成反比地分流而流向多個第一場效應(yīng)晶體管3a、4a、5a。結(jié)果,向第一場效應(yīng)晶體管3a、4a、fe流過與對應(yīng)的反相輸入信號IN-I IN-3相應(yīng)的漏極電流。在這種情況下,柵極被輸入反相輸入信號 IN-I IN-3之中電壓值最低(小)的反相輸入信號IN-I IN-3的第一場效應(yīng)晶體管3a、 ^、5a的漏極電流為最大。此外,從第二電流源7提供的一定的電流,被與多個第二場效應(yīng)晶體管:3b、4bjb各自的內(nèi)部阻抗成反比地分流并流向多個第二場效應(yīng)晶體管;3b、4bjb。 結(jié)果,在第二場效應(yīng)晶體管:3b、4bjb流過與一個非反相輸入信號IN+相應(yīng)的漏極電流。在這種情況下,各個第二場效應(yīng)晶體管:3b、4bjb的漏極電流的大小實(shí)質(zhì)上相同。由于多個第一場效應(yīng)晶體管3a、4a、fe相互并聯(lián)地連接,因此,第一電流源6與多個第一場效應(yīng)晶體管3a、4a、fe的源極之間的連接點(diǎn)處,對該多個第一場效應(yīng)晶體管3a、 4a,5a共通地生成與第一場效應(yīng)晶體管3a、4a、fe的內(nèi)部阻抗和漏極電流的積相應(yīng)的電壓, 該電壓被施加到差動放大器1的反相輸入端子。由此,反相輸入信號IN-I IN-3通過多個第一場效應(yīng)晶體管3a、4a、fe被選擇并成為一體而施加到差動放大器1的反相輸入端子。此外,由于多個第二場效應(yīng)晶體管!3b、4bjb相互并聯(lián)地連接,因此在第二電流源 7與多個第二場效應(yīng)晶體管!3b、4bjb的源極之間的連接點(diǎn)處,對該多個第二場效應(yīng)晶體管 3b,4b,5b共通地生成與第二場效應(yīng)晶體管!3b、4bjb的內(nèi)部阻抗和漏極電流的積相應(yīng)的電壓(將非反相輸入信號放大后的電壓),該電壓被施加到差動放大器1的非反相輸入端子。由此,一個非反相輸入信號IN+被多個第二場效應(yīng)晶體管:3b、4bjb選擇并成為一體而施加到差動放大器1的非反相輸入端子。另一方面,各個輸入電路3 5的背柵電位控制電路3c、4c、5c中,在電流-電壓轉(zhuǎn)換元件21的兩端,生成與對應(yīng)的第一場效應(yīng)晶體管3a、4a、fe的漏極電流相應(yīng)的電壓,該電壓被施加到電壓-電流轉(zhuǎn)換元件22的柵極。由此,在電壓-電流轉(zhuǎn)換元件22流過與該電壓相應(yīng)的漏極電流,在電流-電壓轉(zhuǎn)換元件23的兩端生成與該漏極電流相應(yīng)的電壓。由此,在電壓-電流轉(zhuǎn)換元件22與電流-電壓轉(zhuǎn)換元件23之間的連接點(diǎn)OUT處生成電壓,該電壓隨著對應(yīng)的第一場效應(yīng)晶體管3a、4a、fe的漏極電流增加而降低。該連接點(diǎn)OUT的電壓作為控制電壓而被施加到對應(yīng)的第一場效應(yīng)晶體管3a、4a、fe的背柵和對應(yīng)的第二場效應(yīng)晶體管北、仙、恥的背柵。這樣,該第一場效應(yīng)晶體管3a、4a、fe&該第二場效應(yīng)晶體管!3b、4bjb的閾值電壓分別提高(第一場效應(yīng)晶體管3a、4a、fe*P溝道型,因此閾值電壓為負(fù)值。閾值電壓的絕對值減少。),各自的內(nèi)部阻抗降低。由此,多個第一場效應(yīng)晶體管3a、4a、fe之中,柵極被輸入具有最低電壓值的反相輸入信號IN-I IN-3的第一場效應(yīng)晶體管3a、4a、fe的漏極電流增加,與該增加量相應(yīng)地,其他第一場效應(yīng)晶體管3a、4a、fe的漏極電流減少。并且,各個第一場效應(yīng)晶體管3a、 4a,5a中的該漏極電流的變化被反饋到對應(yīng)的背柵電位控制電路3c、4c、5c,柵極被輸入具有最低電壓值的反相輸入信號IN-I IN-3的第一場效應(yīng)晶體管3a、4a、fe的閾值電壓進(jìn)一步提高且漏極電流進(jìn)一步增加,其他第一場效應(yīng)晶體管3a、4a、fe的閾值電壓進(jìn)一步降低且漏極電流進(jìn)一步減少。于是,最終,從第一電流源6提供的電流的大部分(優(yōu)選為全部)作為漏極電流而流向柵極被輸入具有最低電壓值的反相輸入信號IN-I IN-3的第一場效應(yīng)晶體管3a、4a、fe。與該狀態(tài)的第一場效應(yīng)晶體管3a、4a、fe的內(nèi)部阻抗和漏極電流的積相應(yīng)的電壓被施加到差動放大器1的反相輸入端子。由此,從多個反相輸入信號IN-I IN-3中,優(yōu)先選擇具有最低電壓值的反相輸入信號IN-I IN-3并施加到差動放大器1的反相輸入端子。另一方面,多個第二場效應(yīng)晶體管!3b、4bjb若各自的內(nèi)部阻抗降低,則他們之中的與柵極被輸入具有最低電壓值的反相輸入信號IN-I IN-3的第一場效應(yīng)晶體管3a、4a、 5a同樣的輸入電路3 5的第二場效應(yīng)晶體管:3b、4bjb的漏極電流增加,與該增加的量相應(yīng)地,其他第二場效應(yīng)晶體管:3b、4bjb的漏極電流減少。于是,最終,從第二電流源7提供的一定電流的大部分(優(yōu)選為全部),作為與柵極被輸入具有最低電壓值的反相輸入信號IN-I IN-3的第一場效應(yīng)晶體管3a、4a、fe同樣的輸入電路3 5的第二場效應(yīng)晶體管;3b、4bjb的漏極電流而流動。與該狀態(tài)的第二場效應(yīng)晶體管:3b、4bjb的內(nèi)部阻抗和漏極電流的積相應(yīng)的電壓被施加到差動放大器1的非反相輸入端子。由此,從多個第二場效應(yīng)晶體管!3b、4bjb之中,選擇與具有最低電壓值的反相輸入信號IN-I IN-3對應(yīng)的輸入電路3 5的第二場效應(yīng)晶體管:3b、4bjb,輸入到該選擇出的第二場效應(yīng)晶體管:3b、4bjb的柵極的非反相信號IN+通過該第二場效應(yīng)晶體管3b、 4b,5b而被選擇并施加到差動放大器1的非反相輸入端子。并且,同樣的輸入電路3 5的第一場效應(yīng)晶體管3a、4a、fe的背柵與第二場效應(yīng)晶體管!3b、4bjb的背柵由于被施加同樣的控制電壓,因此,背柵上被施加控制電壓而閾值發(fā)生變化,由此防止在輸入到差動放大器1的反相輸入端子的電壓和輸入到差動放大器1的非反相輸入端子的電壓之間產(chǎn)生偏離。這里,以上所說明的過渡狀態(tài)瞬時經(jīng)過,因此實(shí)際上表現(xiàn)出最終的狀態(tài)。由此,從差動放大器1,將多個反相輸入信號IN-I IN-3之中具有最低電壓值的反相輸入信號與非反相信號IN+之間的差放大并輸出。如上所述,根據(jù)本實(shí)施方式的多輸入差動放大器,能夠選擇多個反相輸入信號 IN-I IN-3之中的1個輸入信號(電壓值最低的輸入信號)與1個非反相輸入信號IN+ 所成的對,并且將雙方的信號之差放大輸出(實(shí)質(zhì)上同時進(jìn)行輸入信號的選擇和輸入信號之差的放大)。并且,防止在選擇多個反相輸入信號IN-I IN-3之中的1個輸入信號與1 個非反相輸入信號IN+所成的對時產(chǎn)生偏離。(實(shí)施方式2)圖3是表示本發(fā)明的實(shí)施方式2的多輸入差動放大器的結(jié)構(gòu)的電路圖。本實(shí)施方式2的多輸入差動放大器100B與實(shí)施方式1的多輸入差動放大器100A 的不同在于,構(gòu)成為使得選擇多個反相輸入信號IN-I IN-3之中具有最高電壓值(大) 的反相輸入信號IN-I IN-3,其他與實(shí)施方式1的多輸入差動放大器100A相同。在輸入部2中,各個輸入電路13 15包括作為反相輸入信號的選擇元件的第一場效應(yīng)晶體管13a、14a、15a、作為非反相輸入信號的選擇元件的第二場效應(yīng)晶體管13b、 14b、15b、以及背柵電位控制電路13c、14c、15c。這里,各個輸入電路13 15的第一場效應(yīng)晶體管13a、14a、15a及第二場效應(yīng)晶體管13b、14b、15b由N溝道型場效應(yīng)晶體管(例如N 溝道型M0SFET)構(gòu)成。另外,優(yōu)選為,第一場效應(yīng)晶體管13a、14a、lfe與第二場效應(yīng)晶體管 13b、14b、15b由尺寸實(shí)質(zhì)上相同的場效應(yīng)晶體管構(gòu)成。各個輸入電路13 15的第一場效應(yīng)晶體管13a、14a、15a的源極被連接到差動放大器1的反相輸入端子和第一電流源6。這里,第一電流源6與接地端子連接(接地),提供一定的電流。此外,各個輸入電路13 15 的第一場效應(yīng)晶體管13a、14a、15a的漏極經(jīng)由后述的背柵電位控制電路13c、14c、15c的電流-電壓轉(zhuǎn)換元件31 (參照圖4)而與正電源Vdd連接。并且,各個輸入電路13 15的第一場效應(yīng)晶體管13a、14a、15a的柵極被輸入對應(yīng)的反相輸入信號IN-I IN-3。另一方面,各個輸入電路13 15的第二場效應(yīng)晶體管13b、14b、15b的源極被連接到差動放大器1的非反相輸入端子和第二電流源7。這里,第二電流源7與接地端子連接 (接地),提供一定的電流。此外,各個輸入電路13 15的第二場效應(yīng)晶體管13b、14b、15b 的漏極與正電源Vdd連接。并且,各個輸入電路13 15的第二場效應(yīng)晶體管13b、14b、Mb 的柵極被輸入一個非反相輸入信號IN+。各個背柵電位控制電路13c、14c、15c構(gòu)成為生成與對應(yīng)的輸入電路13、14、15的第一場效應(yīng)晶體管的13a、14a、15a的漏極電流相應(yīng)的控制電壓,并且將該生成的控制電壓施加到對應(yīng)的輸入電路13 15的第一場效應(yīng)晶體管13a、14a、15a的背柵及第二場效應(yīng)晶體管13b、14b、15b的背柵。具體而言,各個背柵電位控制電路13c、14c、15c構(gòu)成為生成控制電壓,該控制電壓使得若第一場效應(yīng)晶體管13a、14a、15a的漏極電流增加,則該第一場效應(yīng)晶體管13a、Ha、lfe及第二場效應(yīng)晶體管13b、14b、15b的內(nèi)部阻抗減少,若第一場效應(yīng)晶體管13a、14a、15a的漏極電流減少,則該第一場效應(yīng)晶體管13a、Ha、1 及第二場效應(yīng)晶體管13b、14b、15b的內(nèi)部阻抗增加。圖4是表示圖3的多輸入差動放大器中的背柵電位控制電路的結(jié)構(gòu)例的電路。
如圖4所示,背柵電位控制電路13c、14c、15c具有與對應(yīng)的輸入電路13、14、15的第一場效應(yīng)晶體管的13a、14a、15a的漏極連接的電流-電壓轉(zhuǎn)換元件31。電流-電壓轉(zhuǎn)換元件31由例如進(jìn)行了二極管連接的P溝道型場效應(yīng)晶體管(例如P溝道型M0SFET)構(gòu)成。 電流-電壓轉(zhuǎn)換元件31的漏極被連接到對應(yīng)的輸入電路13、14、15的第一場效應(yīng)晶體管的 13a、14a、15a的漏極(在圖4中以IN表示連接點(diǎn)),電流-電壓轉(zhuǎn)換元件31的源極與正電源Vdd連接。此外,電流-電壓轉(zhuǎn)換元件31的柵極與自身的漏極連接,并且與電壓-電流轉(zhuǎn)換元件32的柵極連接。電壓-電流轉(zhuǎn)換元件32由例如P溝道型場效應(yīng)晶體管(例如P 溝道型M0SFET)構(gòu)成。另外,優(yōu)選為,電流-電壓轉(zhuǎn)換元件31與電壓-電流轉(zhuǎn)換元件32由尺寸實(shí)質(zhì)上相同的場效應(yīng)晶體管構(gòu)成。電壓-電流轉(zhuǎn)換元件32的源極與正電源Vdd連接, 電壓-電流轉(zhuǎn)換元件32的漏極經(jīng)由電流-電壓轉(zhuǎn)換元件33與接地端子連接。電流-電壓轉(zhuǎn)換元件33由例如進(jìn)行了二極管連接的N溝道型場效應(yīng)晶體管(例如N溝道型M0SFET)構(gòu)成。電流-電壓轉(zhuǎn)換元件33的漏極與自身的柵極連接,并且與電壓-電流轉(zhuǎn)換元件32的漏極連接,電流-電壓轉(zhuǎn)換元件33的源極與接地端子連接。并且,電壓-電流轉(zhuǎn)換元件32 的漏極與電流-電壓轉(zhuǎn)換元件33的漏極之間的連接點(diǎn)OUT的電壓,被作為控制電壓而施加到對應(yīng)的輸入電路13 15的第一場效應(yīng)晶體管的13a、14a、15a的背柵和第二場效應(yīng)晶體管的13b、14b、15b的背柵(參照圖3)。另外,電流-電壓轉(zhuǎn)換元件33也可以由電阻元件構(gòu)成??偨Y(jié)以上的結(jié)構(gòu),在正電源Vdd和與接地端子連接的第一電流源6之間,相互并聯(lián)地連接有多個(這里為3個)輸入電路13 15的反相輸入信號放大用的第一場效應(yīng)晶體管13a、14a、15a。并且,第一電流源6與多個第一場效應(yīng)晶體管13a、14a、15a的源極之間的連接點(diǎn)與差動放大器1的反相輸入端子連接。此外,在正電源Vdd和與接地端子連接的第二電流源7之間,并聯(lián)地連接有多個輸入電路13 15的非反相輸入信號放大用的第二場效應(yīng)晶體管13b、14b、15b。并且,第二電流源7與多個第二場效應(yīng)晶體管13b,14b,15b的源極之間的連接點(diǎn)與差動放大器1的非反相輸入端子連接。并且,在各個輸入電路13 15 中,第一場效應(yīng)晶體管13a、14a、15a的柵極被輸入對應(yīng)的反相輸入信號IN-I IN-3,第二場效應(yīng)晶體管13b、14b、Mb的柵極被輸入一個非反相輸入信號IN+。此外,在各個輸入電路 13 15中,在一對第一場效應(yīng)晶體管13a、14a、15a及第二場效應(yīng)晶體管13b、14b、15b的各自的背柵,被從對應(yīng)的背柵電位控制電路13c、14c、15c施加與該第一場效應(yīng)晶體管13a、 14aU5a的漏極電流相應(yīng)的控制電壓。[動作]接著,說明如上構(gòu)成的多輸入差動放大器的動作。在圖3及圖4中,若輸入多個反相輸入信號IN-I IN_3和1個非反相輸入信號 IN+,則各個輸入電路13 15中,在第一場效應(yīng)晶體管13a、Ha、lfe流過與對應(yīng)的反相輸入信號IN-I IN-3相應(yīng)的漏極電流,并且,在第二場效應(yīng)晶體管13b、14b、1 流過與1個非反相輸入信號IN+相應(yīng)的漏極電流。具體而言,在各個輸入電路13 15中,第一場效應(yīng)晶體管13a、14a、15a的內(nèi)部阻抗成為與對應(yīng)的反相輸入信號IN-I IN-3相應(yīng)的阻抗,并且,第二場效應(yīng)晶體管13b、14b、Mb的內(nèi)部阻抗成為與非反相輸入信號IN+相應(yīng)的阻抗。由此,由第一電流源6所提供的一定的電流,被與多個第一場效應(yīng)晶體管13a、14a、15a各自的內(nèi)部阻抗成反比地分流,而流向多個第一場效應(yīng)晶體管13a、14a、15a。結(jié)果,向第一場效應(yīng)晶體管13a、14a、1 流過與對應(yīng)的反相輸入信號IN-I IN-3相應(yīng)的漏極電流。這種情況下,柵極被輸入反相輸入信號IN-I IN-3之中電壓值最高(大)的反相輸入信號IN-I IN-3的第一場效應(yīng)晶體管13b、14b、15b的漏極電流最大。此外,由第二電流源7提供的一定的電流,被與多個第二場效應(yīng)晶體管i:3b、14b、Mb各自的內(nèi)部阻抗成反比地分流而流向多個第二場效應(yīng)晶體管13b、14b、15b。結(jié)果,向第二場效應(yīng)晶體管13b、14b、1 流過與一個非反相輸入信號IN+相應(yīng)的漏極電流。這種情況下,各個第二場效應(yīng)晶體管13b、14b、15b 的漏極電流的大小實(shí)質(zhì)上相同。由于多個第一場效應(yīng)晶體管13a、14a、15a相互并聯(lián)地連接,因此,第一電流源6與多個第一場效應(yīng)晶體管13a,14a, 15a的源極之間的連接點(diǎn)處,對該多個第一場效應(yīng)晶體管 13a、14a、15a共通地生成與第一場效應(yīng)晶體管13a、14a、15a的內(nèi)部阻抗和漏極電流的積相應(yīng)的電壓,該電壓被施加到差動放大器1的反相輸入端子。由此,反相輸入信號IN-I IN-3 通過多個第一場效應(yīng)晶體管13a、14a、1 被選擇并且成為一體而施加到差動放大器1的反相輸入端子。此外,由于多個第二場效應(yīng)晶體管1北、14b、1 相互并聯(lián)地連接,因此,第二電流源7與多個第二場效應(yīng)晶體管13b、14b、15b的源極之間的連接點(diǎn)處,對該多個第二場效應(yīng)晶體管13b、14b、1 共通地生成與第二場效應(yīng)晶體管13b、14b、15b的內(nèi)部阻抗和漏極電流的積相應(yīng)的電壓,該電壓被施加到差動放大器1的非反相輸入端子。由此,一個非反相輸入信號IN+通過多個第二場效應(yīng)晶體管13b,14b,1 被選擇并且成為一體而施加到差動放大器1的非反相輸入端子。另一方面,各個輸入電路13 15的背柵電位控制電路13c、14c、15c中,在電流-電壓轉(zhuǎn)換元件31的兩端生成與對應(yīng)的第一場效應(yīng)晶體管13a、14a、15a的漏極電流相應(yīng)的電壓,該電壓被施加到電壓-電流轉(zhuǎn)換元件32的柵極。由此,向電壓-電流轉(zhuǎn)換元件 32流過與該電壓相應(yīng)的漏極電流,在電流-電壓轉(zhuǎn)換元件33的兩端生成與該漏極電流相應(yīng)的電壓。由此,在電壓-電流轉(zhuǎn)換元件32與電流-電壓轉(zhuǎn)換元件33之間的連接點(diǎn)OUT, 生成隨著對應(yīng)的第一場效應(yīng)晶體管13a、14a、15a的漏極電流增加而增高的電壓。該連接點(diǎn) OUT的電壓作為控制電壓而被施加到對應(yīng)的第一場效應(yīng)晶體管13a、14a、15a的背柵與對應(yīng)的第二場效應(yīng)晶體管13b、14b、15b的背柵。這樣,該第一場效應(yīng)晶體管13a、14a、1 及該第二場效應(yīng)晶體管13b、14b、15b的閾值電壓分別降低,各自的內(nèi)部阻抗減小。由此,多個第一場效應(yīng)晶體管13a、14a、15a之中,柵極被輸入具有最高電壓值的反相輸入信號IN-I IN-3的第一場效應(yīng)晶體管13a、14a、15a的漏極電流增加,與該增加量相應(yīng)地,其他第一場效應(yīng)晶體管13a、14a、15a的漏極電流減少。并且,各個第一場效應(yīng)晶體管13a、14a、15a中的該漏極電流的變化被反饋到對應(yīng)的背柵電位控制電路13c、14c、 15c,柵極被輸入具有最高電壓值的反相輸入信號IN-I IN-3的第一場效應(yīng)晶體管13a、 14aU5a的閾值電壓進(jìn)一步降低而漏極電流進(jìn)一步增加,其他第一場效應(yīng)晶體管13a、14a、 15a的閾值電壓進(jìn)一步提高而漏極電流進(jìn)一步減少。于是,最終,由第一電流源6提供電流的大部分(優(yōu)先為全部),作為漏極電流而流向柵極被輸入具有最高電壓值的反相輸入信號IN-I IN-3的第一場效應(yīng)晶體管13a、14a、15a。與該狀態(tài)的第一場效應(yīng)晶體管13a、 14aU5a的內(nèi)部阻抗和漏極電流的積相應(yīng)的電壓被施加到差動放大器1的反相輸入端子。
由此,從多個反相輸入信號IN-I IN-3中,優(yōu)先選擇具有最高電壓值的反相輸入信號IN-I IN-3來施加到差動放大器1的反相輸入端子。另一方面,多個第二場效應(yīng)晶體管13a、14a、15a若各自的內(nèi)部阻抗減小,則他們之中的與柵極被輸入具有最高電壓值的反相輸入信號IN-I IN-3的第一場效應(yīng)晶體管 13a、14a、15a同樣的輸入電路13 15的第二場效應(yīng)晶體管13b、14b、15b的漏極電流增加, 與該增加量相應(yīng)地,其他第二場效應(yīng)晶體管13b、14b、15b的漏極電流減少。于是,最終,由第二電流源7提供的一定的電流的大部分(優(yōu)先為全部),作為與柵極被輸入具有最高電壓值的反相輸入信號IN-I IN-3的第一場效應(yīng)晶體管13a、14a、15a相同的輸入電路13 15的第二場效應(yīng)晶體管13a、14a、15a的漏極電流而流動。與該狀態(tài)的第二場效應(yīng)晶體管 13b、14b、15b的內(nèi)部阻抗與漏極電流的積相應(yīng)的電壓被施加到差動放大器1的非反相輸入端子。由此,從多個第二場效應(yīng)晶體管13b,14b,15b中,選擇具有最高電壓值的反相輸入信號IN-I IN-3所對應(yīng)的輸入電路13 15的第二場效應(yīng)晶體管13b、14b、15b,輸入到該選擇出的第二場效應(yīng)晶體管13b、14b、1 的柵極的非反相信號IN+通過該第二場效應(yīng)晶體管;3b、4bjb而被選擇并被施加到差動放大器1的非反相輸入端子。并且,由于同樣的輸入電路13 15的第一場效應(yīng)晶體管13a、14a、15a的背柵與第二場效應(yīng)晶體管13b、14b、15b的背柵被施加同樣的控制電壓,因此,背柵上被施加控制電壓而閾值發(fā)生變化,由此防止在輸入到差動放大器1的反相輸入端子的電壓與輸入到差動放大器1的非反相輸入端子的電壓之間產(chǎn)生偏離。這里,以上說明的過渡狀態(tài)瞬時經(jīng)過,因此實(shí)際上表現(xiàn)出最終的狀態(tài)。由此,從差動放大器1,將多個反相輸入信號IN-I IN-3之中具有最高電壓值的反向輸入信號與非反相信號IN+之間的差放大并輸出。如上所述,根據(jù)本實(shí)施方式的多輸入差動放大器,能夠選擇多個反相輸入信號 IN-I IN-3之中的1個輸入信號(電壓值最高的輸入信號)與1個非反相輸入信號IN+ 所成的對,并且將雙方的信號之差放大輸出。并且,防止在選擇多個反相輸入信號IN-I IN-3之中的1個輸入信號與1個非反相輸入信號IN+所成的對時產(chǎn)生偏離。(實(shí)施方式3)本發(fā)明的實(shí)施方式3例示出采用實(shí)施方式1的多輸入差動放大器的發(fā)光元件驅(qū)動裝置以作為多輸入差動放大器的應(yīng)用例。圖5是表示本發(fā)明的實(shí)施方式3的發(fā)光元件驅(qū)動裝置的結(jié)構(gòu)的電路圖。如圖5所示,本實(shí)施方式的發(fā)光元件驅(qū)動裝置具備電源部41、控制部42和實(shí)施方式1的多輸入差動放大器100A。電源部41例如由公知的升壓斬波器(chopper)構(gòu)成,向?qū)⒍鄠€作為發(fā)光元件的 LED (light-emitting diode) 43、和對該多個LED43提供規(guī)定的恒定電流的驅(qū)動器(恒流源)44串聯(lián)連接而成的多個(這里例如為3個)電流路徑施加電源電壓。如圖1及圖5所示,對多輸入差動放大器100A而言,施加于多個電流路徑的驅(qū)動器44的電壓被作為多個反相輸入信號(第一輸入信號)IN-I IN-3輸入到輸入部2,基準(zhǔn)電壓電源45的基準(zhǔn)電壓被作為非反相輸入信號(第二輸入信號)輸入到輸入部2。該基準(zhǔn)電壓被設(shè)定為,構(gòu)成驅(qū)動器44的晶體管能夠在工作區(qū)(active region)進(jìn)行動作的適當(dāng)?shù)碾妷?。并且,從多輸入差動放大?00A的差動放大器1,對該基準(zhǔn)電壓與施加于多個電流路徑的驅(qū)動器44的電壓之中的最低電壓之間的誤差進(jìn)行放大后輸出。該誤差被輸入到控制部42??刂撇?2對從電源部41輸出的電源電壓進(jìn)行反饋控制,使得從多輸入差動放大器100A輸入的誤差減小。由此,控制從電源部41輸出的電源電壓,使得施加于多個電流路徑的驅(qū)動器44的電壓中的最低電壓成為基準(zhǔn)電壓。結(jié)果,構(gòu)成驅(qū)動器44的晶體管總在工作區(qū)中進(jìn)行動作, 向多個電流路徑的多個LED提供規(guī)定的恒定電流。因此,能夠使大量LED穩(wěn)定發(fā)光。(其他實(shí)施方式)實(shí)施方式1及實(shí)施方式2的多輸入差動放大器100A、100B若差動放大器1通過例如具有規(guī)定的放大率的差動放大器構(gòu)成,則能夠作為多輸入誤差放大器使用,若差動放大器1通過例如運(yùn)算放大器構(gòu)成,則能夠作為多輸入比較器使用。另外,上述中,作為低電壓側(cè)的電源而例示出接地端子,但低電壓側(cè)的電源不限于此,只要提供比正電源Vdd低的電壓(電位)即可。此外,上述中,例示出反相輸入信號為多個而非反相輸入信號為1個的情況,但也可以非反相輸入信號為多個而反相輸入信號為1個。這種情況下,例如,在圖1及圖3中, 將多個第一場效應(yīng)晶體管(3a等)的源極與差動放大器1的非反相輸入端子連接,并將多個第二場效應(yīng)晶體管CBb等)的源極與差動放大器1的反相輸入端子連接即可。此外,上述中,多個第一場效應(yīng)晶體管(3a等)及多個第二場效應(yīng)晶體管CBb等) 分別并聯(lián)地與恒定電流源6、7連接,但也可以代替恒定電流源6、7而采用具有一定的電阻 (阻抗)的電阻元件等電路元件。根據(jù)上述說明,本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠得知本發(fā)明的多種改良及其他實(shí)施方式。因此,上述說明應(yīng)被認(rèn)為是例示,其目的在于向本領(lǐng)域技術(shù)人員啟示用于執(zhí)行本發(fā)明的最佳方案。在不脫離本發(fā)明主旨的范圍內(nèi),能夠?qū)ζ渚唧w結(jié)構(gòu)及/或功能進(jìn)行實(shí)質(zhì)上的變更。工業(yè)利用性本發(fā)明的多輸入差動放大器作為在反相輸入信號與非反相輸入信號中的一方為多個的情況下對該多個輸入信號適當(dāng)選擇并將該選擇出的信號和反相輸入信號與非反相輸入信號中的另一方之間的差進(jìn)行放大的差動放大器等是有用的。此外,本發(fā)明的發(fā)光元件驅(qū)動裝置作為能夠使大量發(fā)光元件穩(wěn)定發(fā)光的發(fā)光元件驅(qū)動裝置等是有用的。
權(quán)利要求
1.一種多輸入差動放大裝置,具備差動放大器,具有反相輸入端子和非反相輸入端子;以及輸入部,向上述反相輸入端子及上述非反相輸入端子中的一方的輸入端子即第一輸入端子,施加與多個該第一輸入端子用的輸入信號即第一輸入信號相應(yīng)的第一輸入電壓,并且,向上述反相輸入端子及上述非反相輸入端子中的另一方的輸入端子即第二輸入端子, 施加與一個該第二輸入端子用的輸入信號即第二輸入信號相應(yīng)的第二輸入電壓;上述輸入部構(gòu)成為校正上述第一輸入電壓與上述第二輸入電壓之間的偏離電壓。
2.如權(quán)利要求1記載的多輸入差動放大裝置,上述輸入部具備與多個上述第一輸入信號對應(yīng)的多個輸入電路;各個上述輸入電路包括第一場效應(yīng)晶體管,源極與上述第一輸入端子連接,并且柵極被輸入對應(yīng)的上述第一輸入信號;第二場效應(yīng)晶體管,源極與上述第二輸入端子連接,并且柵極被輸入上述第二輸入信號;以及背柵電位控制電路,構(gòu)成為生成與上述第一場效應(yīng)晶體管的漏極電流相應(yīng)的控制電壓,并且將該生成的控制電壓施加到上述第一場效應(yīng)晶體管的背柵及第二場效應(yīng)晶體管的背柵。
3.如權(quán)利要求2記載的多輸入差動放大裝置,上述第一場效應(yīng)晶體管及上述第二場效應(yīng)晶體管為P溝道型場效應(yīng)晶體管。
4.如權(quán)利要求2記載的多輸入差動放大裝置,上述第一場效應(yīng)晶體管及上述第二場效應(yīng)晶體管為N溝道型場效應(yīng)晶體管。
5.如權(quán)利要求2記載的多輸入差動放大裝置,上述背柵電位控制電路構(gòu)成為生成以下控制電壓,該控制電壓使得若上述第一場效應(yīng)晶體管的漏極電流增加,則上述第一場效應(yīng)晶體管及上述第二場效應(yīng)晶體管的漏極與源極之間的阻抗減少,若上述第一場效應(yīng)晶體管的漏極電流減少,則上述第一場效應(yīng)晶體管及上述第二場效應(yīng)晶體管的漏極與源極之間的阻抗增加。
6.如權(quán)利要求5記載的多輸入差動放大裝置,上述第一場效應(yīng)晶體管及上述第二場效應(yīng)晶體管為P溝道型場效應(yīng)晶體管。
7.權(quán)利要求5記載的多輸入差動放大裝置,上述第一場效應(yīng)晶體管及上述第二場效應(yīng)晶體管為N溝道型場效應(yīng)晶體管。
8.一種發(fā)光元件驅(qū)動裝置,具備電源部,向多個電流路徑施加電源電壓,該多個電流路徑通過多個發(fā)光元件與對該多個發(fā)光元件提供電流的驅(qū)動器串聯(lián)連接而成;權(quán)利要求1 7中任一項(xiàng)記載的多輸入差動放大裝置,施加于上述多個電流路徑的上述驅(qū)動器的電壓作為多個上述第一輸入信號而輸入到上述輸入部,基準(zhǔn)電壓作為上述第二輸入信號而輸入到上述輸入部,并且,從上述差動放大器,將上述基準(zhǔn)電壓與施加于上述多個電流路徑的上述驅(qū)動器的電壓之間的誤差放大并輸出;以及控制部,基于上述多輸入差動放大裝置的差動放大器的輸出,對上述電源部所施加的電源電壓進(jìn)行反饋控制。
全文摘要
提供多輸入差動放大裝置及發(fā)光元件驅(qū)動裝置,反相輸入信號與非反相輸入信號中的一方為多個,能夠?qū)υ摱鄠€輸入信號進(jìn)行選擇并將該選擇出的信號與反相輸入信號和非反相輸入信號中的另一方之間的差進(jìn)行放大。具有差動放大器,具有反相輸入端子與非反相輸入端子;以及輸入部,向反相輸入端子及非反相輸入端子的一方的輸入端子(第一輸入端子)施加與多個該第一輸入端子用的輸入信號(第一輸入信號)相應(yīng)的第一輸入電壓,并且向反相輸入端子及非反相輸入端子的另一方的輸入端子(第二輸入端子)施加與一個該第二輸入端子用的輸入信號(第二輸入信號)相應(yīng)的第二輸入電壓,輸入部構(gòu)成為,能夠校正第一輸入電壓與第二輸入電壓之間的偏離電壓。
文檔編號H03F3/45GK102299691SQ20111014287
公開日2011年12月28日 申請日期2011年5月30日 優(yōu)先權(quán)日2010年5月31日
發(fā)明者山本泰永, 木村一人 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社