專利名稱：壓電振子和壓電振子的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及壓電振子和壓電振子的制造方法，涉及價(jià)格便宜且設(shè)備特性的偏差較小的壓電振子的技術(shù)。
背景技術(shù)：
SMD (表面安裝)構(gòu)造的壓電振子例如石英振子(以下稱為“SMD型石英振子”)由于小型化且重量輕，因而內(nèi)置于例如以便攜式電話為代表的便攜型電子設(shè)備中，作為頻率或者時(shí)間的基準(zhǔn)源。關(guān)于該SMD型石英振子的1個(gè)例子，使用圖9進(jìn)行說明，圖中11是上表面開口的由陶瓷構(gòu)成的基體，12是金屬制的蓋體，這些基體11和蓋體12例如通過由熔接材料構(gòu)成的密封部件13密封熔接，其內(nèi)部成為真空狀態(tài)。圖中10是石英振動(dòng)片，作為該石英振動(dòng)片10，能夠使用音叉型石英振動(dòng)片或矩形形狀的石英振動(dòng)片等。關(guān)于音叉型石英振動(dòng)片10，使用圖10進(jìn)行說明，在基部2設(shè)置一對(duì)振動(dòng)臂部(腕部)21a和21b，在各振動(dòng)臂部21a、21b的兩個(gè)主面分別設(shè)置有槽部23、24。在這些槽部23J4和各振動(dòng)臂部21a、21b，形成有用于激勵(lì)基于彎曲振動(dòng)的音叉振動(dòng)的未圖示的激勵(lì)電極。另外，在石英振動(dòng)片10的基體11 一側(cè)，與上述激勵(lì)電極分別電連接的第一和第二電極端子(未圖示)，從激勵(lì)電極被引出到基體11 一側(cè)，左右分開設(shè)置。該石英振動(dòng)片10在由基體11和蓋體12形成的內(nèi)部空間中，以振動(dòng)臂部21a、21b 伸出的橫向的姿勢(shì)，將基部2的電極端子通過導(dǎo)電性粘接劑15固定到基體11的臺(tái)座部14， 這樣，將石英振動(dòng)片10大致水平地安裝在基體11。另一方面，在臺(tái)座部14中的安裝石英振動(dòng)片10的一端側(cè)的區(qū)域形成有導(dǎo)電路徑16、17(17是紙面里側(cè)的導(dǎo)電路徑)。這樣構(gòu)成的石英振動(dòng)片10的振動(dòng)動(dòng)作是通過如下方式產(chǎn)生的，即，經(jīng)由在基體11的外部底面的長度方向上以相對(duì)的方式設(shè)置的電極18、19、導(dǎo)電路徑16、17和導(dǎo)電性粘接劑15，對(duì)石英振動(dòng)片 10施加電壓。然而，在這樣的SMD型石英振子中，臺(tái)座部14中的安裝石英振動(dòng)片10的一端側(cè)的區(qū)域與其他區(qū)域的高度大致相同。因此，導(dǎo)電性粘接劑15易于向外方流動(dòng)，導(dǎo)電性粘接劑擴(kuò)展到超出必要的面積。由此，導(dǎo)電性粘接劑15所擴(kuò)展的區(qū)域在每個(gè)元件均發(fā)生變化，存在易于產(chǎn)生設(shè)備特性上的偏離的課題。為了解決該課題，對(duì)使基體11中的安裝石英振動(dòng)片10的電極端子的區(qū)域的高度比其他區(qū)域高，由此使導(dǎo)電性粘接劑難以擴(kuò)展的情況進(jìn)行了研究?？紤]例如在基體11 一側(cè)設(shè)置由導(dǎo)電性材料構(gòu)成的突起狀電極，用導(dǎo)電性粘接劑將該突起狀電極與石英振子10的電極端子電連接的結(jié)構(gòu)。這樣的突起電極一般通過如下方式形成，S卩，例如在基體11以ΙΟμπι 15μπι左右的膜厚形成由鎢(W)等構(gòu)成的基底金屬以后，在其上通過進(jìn)行鍍鎳(Ni)/金(Au)而形成。這里，基底金屬的厚度是ΙΟμπι 15μπι左右，因此為了確保突起狀電極的高度，必須使Au的厚度為10 μ m 30 μ m左右，由于Au的價(jià)格很高，因此在成本上存在問題。這時(shí)，還考慮使用比Au便宜的金屬，確保突起狀電極的高度，接著，對(duì)其表面進(jìn)行鍍Ni/Au。但是在該方法中，必須進(jìn)行用于使突起狀電極變高的金屬的成膜和Au的成膜，由于工序數(shù)目增加，因此結(jié)果導(dǎo)致成本上升。而在專利文獻(xiàn)1中記載了在絕緣性基體的上表面的電極形成位置設(shè)置獨(dú)立的凸部的結(jié)構(gòu)。該例子雖然減少用于形成絕緣性基體的材料，謀求成本下降，但是實(shí)際上并沒有記載用什么方法作成突部，根據(jù)該文獻(xiàn)1，也不能解決本發(fā)明的課題?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1 日本特開2000-164747號(hào)公報(bào)(段落0017，圖5)

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的課題本發(fā)明是鑒于上述情況而完成的，其目的在于提供能夠抑制導(dǎo)電性粘接劑的擴(kuò)展并且價(jià)格便宜的壓電振子和壓電振子的制造方法。用于解決課題的方法因此，本發(fā)明的特征在于，包括由玻璃或石英構(gòu)成的基體；蓋體，其由與上述基體相同的材料構(gòu)成，將基體的一面?zhèn)让芊?，形成氣密的空間；在上述氣密的空間中被載置在基體上的壓電振動(dòng)片，該壓電振動(dòng)片在表面形成有激勵(lì)電極，并且與上述激勵(lì)電極電連接的第一和第二電極端子設(shè)置在基體一側(cè)；第一和第二突起部，其上表面平坦，通過在分別與上述壓電振動(dòng)片的第一和第二電極端子相對(duì)應(yīng)的位置對(duì)基體進(jìn)行蝕刻而形成；形成在這些突起部的表面的、并且與外部端子電連接的金屬膜；和用于將上述金屬膜與上述壓電振動(dòng)片的電極端子分別電連接的導(dǎo)電性粘接劑。上述突起部優(yōu)選為隨著從上表面向下方而擴(kuò)展的形狀。另外，上述突起部的上表面與底部的距離為10 μ m以上50 μ m以下。進(jìn)而，上述金屬膜的厚度為0. 2 μ m以上0. 5 μ m 以下。本發(fā)明的壓電振子的制造方法的特征在于，包括通過使用掩模對(duì)玻璃基板或石英基板的表面進(jìn)行蝕刻，形成包括收納壓電振動(dòng)片的凹部和上述突起部的基體的工序；在該基體的表面使金屬膜成膜的工序；和通過對(duì)上述金屬膜進(jìn)行蝕刻，在上述突起部的表面形成金屬膜的工序。發(fā)明效果在本發(fā)明中，通過在基體中的與壓電振動(dòng)片的電極端子相對(duì)應(yīng)的位置對(duì)基體進(jìn)行蝕刻來設(shè)置突起部，在該突起部的表面使金屬膜成膜，通過導(dǎo)電性粘接劑將該金屬膜與上述壓電振動(dòng)片的電極端子電連接。從而，在突起部的側(cè)面，導(dǎo)電性粘接劑因表面張力而隆起，成為難以向外側(cè)流出的狀態(tài)，因此能夠抑制導(dǎo)電性粘接劑的擴(kuò)展。另外，由于能夠使在突起部的表面成膜的金屬膜的膜厚較薄，因此壓電振子的價(jià)格便宜。


圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的石英振子的概略縱截面圖和平面圖。
圖2是本發(fā)明的實(shí)施方式的石英振子一部分的概略截面圖。圖3是本發(fā)明的實(shí)施方式的石英振子的表面?zhèn)群捅趁鎮(zhèn)鹊钠矫鎴D。圖4是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的石英振子的制造方法的概略截面圖。圖5是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的石英振子的制造方法的概略截面圖。圖6是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的石英振子的制造方法的概略截面圖。圖7是表示在石英晶片的表面搭載有多個(gè)石英振動(dòng)片的狀況和在石英晶片的表面形成有多個(gè)蓋體的狀況的平面圖。圖8是表示石英晶片與石英振動(dòng)片的粘接部的截面圖。圖9是表示石英振子的1個(gè)例子的概略縱截面圖和背面圖。圖10是表示音叉型石英振動(dòng)片的1個(gè)例子的概略截面圖。附圖標(biāo)記說明3 基體31 枕部32 突部33:凹部41、42:突起部43 上表面44 底部46 側(cè)面47 電極膜48:導(dǎo)電路徑5 蓋體51 凹部53,54 外部端子6、7 玻璃基板
具體實(shí)施例方式參照?qǐng)D1，說明本發(fā)明的實(shí)施方式的壓電振子即石英振子的結(jié)構(gòu)。在圖1中，3是由玻璃構(gòu)成的矩形形狀的基體，在該基體3的表面形成有第一和第二突起部41、42、枕部31、 與后述的外部端子連接用的突部32和周緣部30，并且這些突起部41、42、枕部31、突起32、 周緣部30以外的區(qū)域構(gòu)成為凹部33。圖1 (a)是上述石英振子的A-A截面圖，圖1 (b)是從表面?zhèn)?一面?zhèn)?觀看上述基體3時(shí)的平面圖，圖1 (c)是上述石英振子的B-B截面圖。圖中，10是現(xiàn)有技術(shù)一項(xiàng)中使用圖10說明的石英振動(dòng)片，上述突起部41、42配置在與該石英振動(dòng)片10的基部2的第一和第二電極端子(未圖示)相對(duì)應(yīng)的位置。這些突起部41、42如在圖2中以突起部41為例所示的那樣，其上表面43構(gòu)成為水平面，從上表面 43向突起部41、42的底部44擴(kuò)展。這些突起部41、42通過對(duì)基體3進(jìn)行蝕刻而形成。另外，在這些突起部41、42的表面覆蓋有金屬膜47，由此構(gòu)成凸點(diǎn)電極(bump electrode)。在本例中，在突起部41形成有通孔(電極貫通孔)41a,在其內(nèi)部熔融有例如由 AuSi, AuSn, AuGe等構(gòu)成的Au共晶金屬45。另外，上述突起部41、42中的上述上表面43、側(cè)面46和突起部41的通孔41a的內(nèi)表面由金屬膜47覆蓋。作為該金屬膜47，使用將例如由鉻(Cr)構(gòu)成的下層膜、由NiW(鎳鎢)構(gòu)成的中層膜和由金(Au)構(gòu)成的上層膜疊層而成的材料。這樣以Cr為基底金屬進(jìn)行成膜是為了提高Au膜的密合性(粘合性)。另外，在圖 1(b)中，為方便圖示，省略了金屬膜47。在本例中，如圖1(c)所示，突起部42中沒有形成通孔。另外，在上述基體3的表面?zhèn)?，如圖3 (a)所示，形成有與突起部42的金屬膜47連接的規(guī)定形狀的電極圖案48，這些電極圖案48和金屬膜47實(shí)際上形成為一體。上述突起部41、42的上表面43的高度例如與基體3的周緣部30的高度一致，突起部41、42的高度Ll (上表面43與底部44之間的距離)優(yōu)選是IOym 50 ym左右。這是因?yàn)?，如果高度Ll過高，則或者石英振動(dòng)片10與蓋體5的間隔減小，振動(dòng)特性惡化，或者不能與封裝(package)的高度降低相對(duì)應(yīng)，如果高度Ll過低，則如后述那樣，導(dǎo)電性粘接劑的擴(kuò)展(蔓延)增大。另外，在上述金屬膜47中，Cr的厚度例如是0.05μπι 0. 15μπι，更優(yōu)選是0. 08 μ m 0. 15 μ m左右，NiW的厚度優(yōu)選是0. 05 μ m 0. 1 μ m左右，Au的厚度優(yōu)選是例如0. 2 μ m 0. 5 μ m左右。這是因?yàn)?，如果Au的厚度例如小于0. 2 μ m，則存在不能獲得導(dǎo)電性的可能，如果Au的厚度大于0. 5 μ m，則制造成本升高。另外，上述上表面43的形狀在本例中是橢圓形，其長度(圖1(b)中X方向的長度)L2例如優(yōu)選是150 μ m 300 μ m左右，其面積優(yōu)選是0. Olmm2 0. 2mm2左右。這是因?yàn)?，如果上述長度L2(面積)過小，則石英振動(dòng)片10不能充分地固定在基體3，存在動(dòng)作變得不穩(wěn)定的可能，另外，如果上述長度L2 (面積)過大，則其結(jié)果如后述那樣，導(dǎo)電性粘接劑的擴(kuò)展增大。另外，上表面43的形狀不一定限于橢圓形，也可以是圓形，還可以是多邊形。在這些突起部41、42的上表面43，通過導(dǎo)電性粘接劑34連接有對(duì)應(yīng)的石英振動(dòng)片 10的電極端子，由此，石英振動(dòng)片10以水平的狀態(tài)，被固定到突起部41、42的上表面43。上述枕部31也由與基體3相同的材質(zhì)構(gòu)成，當(dāng)在突起部41、42安裝有石英振動(dòng)片 10時(shí)，設(shè)置在石英振動(dòng)片10的長度方向(圖1(b)中的X方向)的比中央更靠近前端(頂端)側(cè)的位置。該枕部31的上表面構(gòu)成為水平面，其高度例如與基體3的周緣部30的高度一致。由于石英振動(dòng)片10被固定在突起部41、42時(shí)的石英振動(dòng)片10的背面從突起部41、 42的上表面稍稍上浮，因此也從該枕部31的上表面稍稍上浮。在本例中，枕部31的上表面構(gòu)成為在石英振動(dòng)片10的寬度方向上(圖1(b)中
的Y方向)延伸的四邊形，其面積優(yōu)選是0.025mm2 0.05mm2左右。這樣設(shè)置枕部31的理
由在于，使得當(dāng)在上下方向上對(duì)石英振子施加有力時(shí)，石英振動(dòng)片10不會(huì)破裂。通過設(shè)置
該枕部31，石英振動(dòng)片10的振動(dòng)變小，因此即使石英振子沖突也能夠防止石英振動(dòng)片的破 裂。上述連接用突部32是為了將石英振動(dòng)片10的電極端子與后述的外部端子電連接而設(shè)置的。在其內(nèi)部形成有通孔32a，突部32的表面和通孔32a的內(nèi)表面被金屬膜35覆蓋，并且在通孔32a內(nèi)，熔融有例如由AuSi、AuSn, AuGe等構(gòu)成的Au共晶金屬35a。另外， 上述金屬膜35如圖3(a)所示，通過電極圖案48與突起部42的金屬膜47電連接，這些金屬膜35、47、電極圖案48形成為一體。另外，在基體3的上方一側(cè)，在石英振動(dòng)片10的上方一側(cè)形成有凹部51的矩形形狀的蓋體5，在收納有石英振動(dòng)片10的狀態(tài)下，與基體3氣密地連接。該蓋體5由與基體3相同的材質(zhì)構(gòu)成。這樣，如果用相同的材質(zhì)構(gòu)成基體3和蓋體5，則由于熱膨脹系數(shù)相同，因此抑制熱處理時(shí)的變形，能夠抑制對(duì)器件特性的惡劣影響。該蓋體5在基體3的上表面，以使蓋體5的周緣部52與基體3的周緣部30相對(duì)應(yīng)的方式，通過AuSi、AuSn、AuGe等共晶金屬進(jìn)行接合。另外，基體3與蓋體5也可以通過低熔點(diǎn)玻璃接合進(jìn)行接合。進(jìn)而，在基體3的背面，以與通孔41a的共晶金屬45連接的方式設(shè)置有外部端子 53，并且以與通孔32a的共晶金屬3 連接的方式設(shè)置有外部端子M。這樣構(gòu)成的石英振子1的振動(dòng)動(dòng)作是通過如下方式而產(chǎn)生的，即，經(jīng)由外部端子53、突起部41的共晶金屬45、 突起部41的金屬膜47和導(dǎo)電性粘接劑34，對(duì)石英振動(dòng)片10的基部2的一個(gè)電極端子施加電壓，經(jīng)由外部端子M、突部32的共晶金屬35a、電極圖案48、突起部42的金屬膜47和導(dǎo)電性粘接劑34，對(duì)石英振動(dòng)片10的基部2的另一個(gè)電極端子施加電壓。其次，參照?qǐng)D4 圖6，說明圖1所示的石英振子的制造方法。另外，圖4 圖6對(duì)在一片玻璃基板的某一部分作成的1個(gè)石英振子進(jìn)行說明。首先，對(duì)切割出的一片玻璃基板6進(jìn)行研磨加工并清洗之后(圖4(a))，如圖4(b)所示，在玻璃基板6通過濕蝕刻形成通孔41a (32a)。具體地講，在兩個(gè)面形成在Cr之上疊層有Au而成的金屬膜，進(jìn)而在該金屬膜之上形成與通孔41a(32a)的位置和形狀相對(duì)應(yīng)的抗蝕劑圖案。接著，將玻璃基板6浸漬在KI (碘化鉀)溶液中，蝕刻金屬膜露出的部分，得到金屬膜圖案。然后，將玻璃基板6浸漬在氟酸溶液中，通過以金屬膜圖案作為掩模進(jìn)行蝕刻，形成通孔41a(32a)。在該圖的例子中，在玻璃基板6的背面?zhèn)?另一面?zhèn)?形成金屬膜圖案，從該背面?zhèn)冗M(jìn)行蝕刻。另外，通孔41a(32a)的形成也可以通過噴沙(sandblast)加工來進(jìn)行。接著，在去除了上述金屬圖案以后，對(duì)玻璃基板6進(jìn)行濕蝕刻，形成已述的記載在圖1中的突起部41、42、枕部31、突部32。另外，在該蝕刻中，在后面的工序中，當(dāng)將玻璃基板6分割(分?jǐn)?為單片時(shí)，在與劃線(scribe line)相對(duì)應(yīng)的位置預(yù)先形成有槽部61，以使得順暢地進(jìn)行該分割作業(yè)。在該蝕刻工序中，也如上述那樣，通過抗蝕劑圖案，形成金屬膜的圖案，使用氟酸溶液進(jìn)行蝕刻。然后，去除金屬膜圖案(圖4(c))。然后，在玻璃基板6的整個(gè)面，形成從下面起依次疊層了 Cr、Niff, Au而成的金屬膜。這里，Cr膜或Au膜的成膜通過濺射法或真空蒸鍍法進(jìn)行，例如，Cr膜以0.05μπι 0. Iym的厚度成膜，NiW以0.05 μπι 0. Iym的厚度成膜，Au膜以0.2 μπι的厚度成膜。由此，在玻璃基板6的表面?zhèn)群屯?1a(32a)的內(nèi)表面形成金屬膜。接著，在該金屬膜之上形成了抗蝕劑圖案以后，浸漬在KI溶液中，形成如圖3(a)、(b)所示的與金屬膜47、35、電極圖案48相對(duì)應(yīng)的金屬膜圖案(圖4(d))。接著，如圖5 (e)、(f)所示，在突起部41、42的上表面涂敷導(dǎo)電性粘接劑34例如藤倉化成制商品名“XA-5463”。然后，從其上面起，將上述石英振動(dòng)片10的基部2的電極端子搭載到對(duì)應(yīng)的突起部41、42之上，通過進(jìn)行加熱，使上述導(dǎo)電性粘接劑34硬化(固化)。 這時(shí)的硬化條件是加熱溫度例如為280度，加熱時(shí)間例如為90分鐘。這樣，通過導(dǎo)電性粘接劑34將石英振動(dòng)片10的電極端子與突起部41、42的上表面43電接合。通過該工序，如圖7(a)所示，石英振動(dòng)片10分別搭載于在一片玻璃基板6的表面形成的多個(gè)凹部33內(nèi)。另一方面，對(duì)于蓋體5，也如圖7(b)所示，在對(duì)一片玻璃基板7進(jìn)行研磨加工并清洗之后，利用與基體3同樣的方法進(jìn)行蝕刻，由此在玻璃基板7的表面形成凹部51、分割線 (dicing line)用槽部71，在與蓋體5的周緣部52相當(dāng)?shù)膮^(qū)域中形成金屬膜。該金屬膜例如由Cr、NiW和Au的疊層膜構(gòu)成。另外，在與基體3的周緣部30相當(dāng)?shù)膮^(qū)域中也通過上述工序形成金屬膜。這樣，在與基體3的周緣部30相當(dāng)?shù)膮^(qū)域和與蓋體5的周緣部52相當(dāng)?shù)膮^(qū)域中形成金屬膜是為了使后述的共晶金屬球72的密合性提高。而且，如圖5(f)所示，在玻璃基板6的槽部61部分，設(shè)置AuSn共晶金屬球72。然后，在真空氣氛中，將蓋體5 —側(cè)的玻璃基板7粘貼在基體3 —側(cè)的玻璃基板6的表面，使得石英振動(dòng)片10水平地收納在基體3 —側(cè)的凹部33與蓋體5 —側(cè)的凹部51之間。接著， 通過將共晶金屬球72部分在真空中進(jìn)行加熱熔融，在基體3 —側(cè)的玻璃基板6的表面將蓋體5 —側(cè)的玻璃基板7固著(圖5 (g))。另外，作為共晶金屬球72的材料也能夠使用AuSi、 AuGe等。另外，也可以通過低熔點(diǎn)玻璃進(jìn)行基體3 —側(cè)的玻璃基板6與蓋體5 —側(cè)的玻璃基板7的接合，這種情況下，無需在接合面形成金屬膜。接著，如圖6(h)所示，在通孔41a(32a)部分，設(shè)置AuSn共晶金屬球73，通過將該共晶金屬球73部分在真空中加熱使其熔融，將通孔41a(32a)部分由共晶金屬45和3 充填，進(jìn)行真空密閉密封(圖6⑴)。另外，作為共晶金屬球73的材料，也能夠使用AuSi,AuGe寸。然后，如圖6(j)所示，將外部端子53、54以規(guī)定的圖案形成。外部端子53、討例如疊層作為下層膜的Cr、作為中層膜的NiW和作為上層膜的Au構(gòu)成，例如，Cr的膜厚是 0. 05 μ m 0. 1 μ m左右，Niff的膜厚是0. 05 μ m 0. 1 μ m左右，Au的膜厚是0. 4 μ m左右。 然后，通過使用切割機(jī)(dicing saw)沿著分割線(切割線)切割，將石英振子從玻璃基板 6、7逐個(gè)分割，完成圖1所示的石英振子。依據(jù)上述的實(shí)施方式，在與基體3中的石英振動(dòng)片10的電極端子相對(duì)應(yīng)的位置， 通過對(duì)基體3進(jìn)行蝕刻，設(shè)置突起部41、42，在該突起部41、42的表面形成金屬膜47，用導(dǎo)電性粘接劑；34將該金屬膜47與上述石英振動(dòng)片10的電極端子電連接。從而，如圖8(a)所示，導(dǎo)電性粘接劑34在突起部41、42的側(cè)面46的傾斜部分因表面張力而隆起，抑制其流向外側(cè)。結(jié)果，石英振動(dòng)片10的電極端子和基體3 —側(cè)，能夠以依賴于突起部41、42的上表面43的形狀進(jìn)行粘接。由此，通過預(yù)先使突起部41、42的上表面的形狀與電極端子一致， 能夠抑制導(dǎo)電性粘接劑34超出必要地?cái)U(kuò)展。這樣，由于導(dǎo)電性粘接劑34的擴(kuò)展區(qū)域在每個(gè)石英振子為一致，因此能夠抑制設(shè)備特性上的偏差。另一方面，如圖8(b)所示，基體3中的通過導(dǎo)電性粘接劑34與石英振動(dòng)片10的電極端子連接的區(qū)域的高度與其他區(qū)域相同的情況下，導(dǎo)電性粘接劑34在基體3的表面流向外方。由此，在石英振動(dòng)片10中，在電極端子一側(cè)或?qū)щ娐窂?7、48—側(cè)，粘接劑超出必要地?cái)U(kuò)展，由于該導(dǎo)電性粘接劑34的擴(kuò)展在每個(gè)石英振子中不同，因此在設(shè)備特性上產(chǎn)生偏差。另外，突起部41、42通過對(duì)玻璃基板6進(jìn)行蝕刻而形成，在其上使Au膜成膜，因此能夠減薄Au膜的膜厚，能夠低價(jià)格地制造。這時(shí)，由于使用玻璃基板6，因此能夠通過濺射或真空蒸鍍，以更薄的厚度使作為基底膜的Cr膜或Au膜成膜，制造變得容易。進(jìn)而，由于對(duì)石英晶片進(jìn)行濕蝕刻而形成有突起部41、42，因此通過選擇蝕刻條件，能夠利用晶體的結(jié)晶面方位，形成從上表面43直到底部44向下側(cè)擴(kuò)展的具有傾斜的形狀的突起部41、42。通過在該突起部41、42的側(cè)面46的傾斜，能夠如已述那樣防止導(dǎo)電性粘接劑；34向外側(cè)的流動(dòng)，因此對(duì)玻璃基板6進(jìn)行蝕刻來形成突起部41、42方面是有效的。另外，通過用玻璃基板6和7分別僅制作基體3和蓋體5，石英振子10使用低價(jià)格的現(xiàn)有產(chǎn)品，能夠制作更低價(jià)格的設(shè)備。在本發(fā)明中，基體3和蓋體5只要是相同的材質(zhì)即可，除了玻璃基板以外，也可以用石英基板制作。另外，在本發(fā)明中，在突起部41、42的表面形成的金屬膜，只要至少在與突起部41、42中的與導(dǎo)電性粘接劑34接觸的區(qū)域形成即可。進(jìn)而，在本發(fā)明中，不僅是使用通孔進(jìn)行電力供給的類型的石英振子，也能夠在具有如圖9所示的電力供給結(jié)構(gòu)的石英振子中使用。進(jìn)而，本發(fā)明中也能夠應(yīng)用石英振動(dòng)片10的一個(gè)電極端子設(shè)置在基體一側(cè)，并且另一個(gè)電極端子設(shè)置在蓋體一側(cè)的結(jié)構(gòu)，而將石英振子10的兩個(gè)電極端子設(shè)置在基體一側(cè)的結(jié)構(gòu)，在抑制導(dǎo)電性粘接劑向外方擴(kuò)展的方面效果更大，優(yōu)點(diǎn)更突出。
權(quán)利要求
1.一種壓電振子，其特征在于，包括 由玻璃或石英構(gòu)成的基體；蓋體，其由與所述基體相同的材料構(gòu)成，將基體的一面?zhèn)让芊?，形成氣密的空間； 在所述氣密的空間中被載置在基體上的壓電振動(dòng)片，該壓電振動(dòng)片在表面形成有激勵(lì)電極，并且與所述激勵(lì)電極電連接的第一和第二電極端子設(shè)置在基體一側(cè)；第一和第二突起部，其上表面平坦，通過在分別與所述壓電振動(dòng)片的第一和第二電極端子相對(duì)應(yīng)的位置對(duì)基體進(jìn)行蝕刻而形成；形成在這些突起部的表面的、并且與外部端子電連接的金屬膜；和用于將所述金屬膜與所述壓電振動(dòng)片的電極端子分別電連接的導(dǎo)電性粘接劑。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓電振子，其特征在于 所述突起部為隨著從上表面向下方而擴(kuò)展的形狀。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓電振子，其特征在于所述突起部的上表面與底部的距離為10 μ m以上50 μ m以下。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓電振子，其特征在于 所述金屬膜的厚度為0. 2 μ m以上0. 5 μ m以下。
5.一種壓電振子的制造方法，其用于制造權(quán)利要求1所述的壓電振子，該壓電振子的制造方法的特征在于，包括通過使用掩模對(duì)玻璃基板或石英基板的表面進(jìn)行蝕刻，形成包括收納壓電振動(dòng)片的凹部和所述突起部的基體的工序；在該基體的表面使金屬膜成膜的工序；和通過對(duì)所述金屬膜進(jìn)行蝕刻，在所述突起部的表面形成金屬膜的工序。
全文摘要
本發(fā)明提供能夠抑制導(dǎo)電性粘接劑的擴(kuò)展并且價(jià)格便宜的壓電振子和壓電振子的制造方法。通過在基體(3)中的與石英振動(dòng)片(10)的電極端子相對(duì)應(yīng)的位置對(duì)基體(3)進(jìn)行蝕刻來形成突起部(41)、(42)，在該突起部(41)、(42)的表面使金屬膜成膜，通過導(dǎo)電性粘接劑(34)將該金屬膜與上述石英振動(dòng)片(10)的電極端子電連接，由于在上述突起部(41)、(42)的側(cè)面中，導(dǎo)電性粘接劑(34)因表面張力而隆起，成為難以向外側(cè)流出的狀態(tài)，因此能夠抑制導(dǎo)電性粘接劑(34)的擴(kuò)展。另外，由于能夠使在突起部(41)、(42)的表面成膜的金屬膜的膜厚變薄，因此石英振動(dòng)片(10)的價(jià)格變得便宜。
文檔編號(hào)H03H9/02GK102195598SQ20111005889
公開日2011年9月21日 申請(qǐng)日期2011年3月9日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月9日
發(fā)明者梅木三十四 申請(qǐng)人:日本電波工業(yè)株式會(huì)社