專利名稱：一種準(zhǔn)smd晶振的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種晶體元件的制備方法，特別是一種ー種準(zhǔn)SMD晶振的制備方法。
背景技術(shù)：
石英晶體元器件在電子整機(jī)中的應(yīng)用非常廣泛，從普通的兒童玩具、電子鐘表到彩電、音響、VCD、微處理機(jī)、無線通訊、電視信號(hào)轉(zhuǎn)播等都離不開它。隨著電子信息產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展，尤其是數(shù)字化電路的廣泛應(yīng)用，石英晶體元器件的市場(chǎng)需求量快速增長。對(duì)晶體元器件的片式化、小型化、高頻率穩(wěn)定度以及ー些特殊要求也越來越高。近幾年，國內(nèi)外石英晶體元器件生產(chǎn)、エ藝以及產(chǎn)品質(zhì)量的技術(shù)水平都有了跨越式的發(fā)展。近幾年我國石英晶體產(chǎn)業(yè)進(jìn)入了一個(gè)新的發(fā)展時(shí)期，國家已將新型元器件作為發(fā)展的重點(diǎn)，其中頻率元器件占有重要位置，隨著網(wǎng)絡(luò)技術(shù)和信息技術(shù)的高速發(fā)展，一方面促進(jìn)了我國石英晶體行業(yè)產(chǎn)量的增長，另一方面對(duì)產(chǎn)品檔次和技術(shù)水平提出了更高的要求， 迫使我國石英晶體行業(yè)技術(shù)向小型化、片式化方向發(fā)展。國內(nèi)目前石英晶體元器件的生產(chǎn)廠家達(dá)到600余家，但大部分生產(chǎn)毛片和加工低檔產(chǎn)品，目前主要品種是49U和UM系列，49S和SMD系列屬高檔產(chǎn)品，只有為數(shù)不多的廠家研究開發(fā)，而且在產(chǎn)品的精度和穩(wěn)定性等方面不能達(dá)到產(chǎn)品的需要。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供ー種方法更為合理、成本低、可操作性強(qiáng)并能有效提高產(chǎn)品質(zhì)量的準(zhǔn)SMD晶振的制備方法。本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是通過以下的技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的。本發(fā)明是ー種準(zhǔn) SMD晶振的制備方法，其特點(diǎn)是，其步驟如下
(1)用磨床對(duì)壓電晶體進(jìn)行粗磨，磨成平行度不大于1.5絲，角度不大于5'的晶體棒
材；
(2)用多刀機(jī)按COS35°14' 士1'將晶體棒材切割成長方晶體片；
(3)用研磨機(jī)對(duì)長方晶體片進(jìn)行四次細(xì)磨；在研磨過程，采用碳化硅、碳化硼或白剛玉作超細(xì)研磨料；研磨后進(jìn)行倒邊處理，使其厚度小于8絲，然后按設(shè)計(jì)要求切成小條頻率片，再用氟化氫銨溶液進(jìn)行細(xì)拋光處理以減小電阻，最后使用分頻機(jī)進(jìn)行分頻即得晶體頻 Φη ；
(4)將晶體頻率片用清洗劑和離子水進(jìn)行清洗，然后用甩干機(jī)脫水；使用氮?dú)庀浯娣牛?br> (5)用分子泵真空鍍膜機(jī)將晶體頻率片噴上銀層，用自動(dòng)點(diǎn)膠機(jī)把帶銀層的晶體頻率片點(diǎn)上導(dǎo)電膠固定在基座上，用微調(diào)機(jī)對(duì)頻率補(bǔ)償添補(bǔ)銀層，而后對(duì)基座上的晶體頻率片用外殼進(jìn)行封焊，并且在封焊的瞬間進(jìn)行充氮，試漏合格后即得成品。本發(fā)明是提供的準(zhǔn)SMD晶振的生產(chǎn)方法，可以解決生產(chǎn)49U、49S、49UM等系列晶振體積大、精度難以滿足要求的矛盾，以及SMD成本高，原材料受制與日本等不利因素。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下特點(diǎn)1、本發(fā)明生產(chǎn)的準(zhǔn)SMD晶振的外型尺寸達(dá)到10.5X4X2.3mm，頻差控制在士 1.5PPM 以內(nèi)，靜電容CL:彡3PF，具有尺寸小、穩(wěn)定性強(qiáng)、成本低的優(yōu)勢(shì)，適應(yīng)溫差范圍為-46°C 88 0C ；
2、鍍膜機(jī)選用離子泵使晶片上的銀層強(qiáng)度加大，減慢頻率變化量，使原先年老化率士5PPM降到現(xiàn)在年老化率為士 1. 5PPM，使產(chǎn)品使用壽命延長3倍以上，并且穩(wěn)定性大大得到了加強(qiáng)；
3、利用碳化硅、碳化硼、白剛玉等特殊材料解決頻率片破壞層不徹底的問題，提高表層精度使諧振電阻控制在10Ω以內(nèi)，DLD2 く 9Ω，減小了晶振工作損耗，且提高了工作穩(wěn)定度；
4、自動(dòng)點(diǎn)膠機(jī)點(diǎn)膠，由一面點(diǎn)膠兩個(gè)改進(jìn)為兩面點(diǎn)膠四個(gè)點(diǎn)，使產(chǎn)品的牢固度增強(qiáng)了一倍，防震系數(shù)達(dá)到99. 99% ；
5、使用甩干機(jī)脫水既解決了晶片脫水不均因素，又降低了生產(chǎn)成本，并且也減少了對(duì)環(huán)境的影響，減小了年老化率；
6、使用氮?dú)庀涓稍锞?，既保證了晶體干燥度和純度，防止晶片氧化，又提高了晶振的電性能因素，同時(shí)減小了年老化率；
7、提高了產(chǎn)品的精度和避免漏氣，進(jìn)而減小了年老化率。
具體實(shí)施例方式以下進(jìn)ー步描述本發(fā)明的具體技術(shù)方案，以便于本領(lǐng)域的技術(shù)人員進(jìn)ー步地理解本發(fā)明，而不構(gòu)成對(duì)其權(quán)利的限制。實(shí)施例1。ー種準(zhǔn)SMD晶振的制備方法，其步驟如下
(1)用磨床對(duì)壓電晶體進(jìn)行粗磨，磨成平行度不大于1.5絲，角度不大于5'的晶體棒
材；
(2)用多刀機(jī)按COS35°14' 士1'將晶體棒材切割成長方晶體片；
(3)用研磨機(jī)對(duì)長方晶體片進(jìn)行四次細(xì)磨；在研磨過程，采用碳化硅、碳化硼或白剛玉作超細(xì)研磨料；研磨后進(jìn)行倒邊處理，使其厚度小于8絲，然后按設(shè)計(jì)要求切成小條頻率片，再用氟化氫銨溶液進(jìn)行細(xì)拋光處理以減小電阻，最后使用分頻機(jī)進(jìn)行分頻即得晶體頻 Φη ；
(4)將晶體頻率片用清洗劑和離子水進(jìn)行清洗，然后用甩干機(jī)脫水；使用氮?dú)庀浯娣牛?br> (5)用分子泵真空鍍膜機(jī)將晶體頻率片噴上銀層，用自動(dòng)點(diǎn)膠機(jī)把帶銀層的晶體頻率片點(diǎn)上導(dǎo)電膠固定在基座上，用微調(diào)機(jī)對(duì)頻率補(bǔ)償添補(bǔ)銀層，而后對(duì)基座上的晶體頻率片用外殼進(jìn)行封焊，并且在封焊的瞬間進(jìn)行充氮，試漏合格后即得成品。
權(quán)利要求
1. ー種準(zhǔn)SMD晶振的制備方法，其特征在干，其步驟如下(1)用磨床對(duì)壓電晶體進(jìn)行粗磨，磨成平行度不大于1.5絲，角度不大于5'的晶體棒材；(2)用多刀機(jī)按COS35°14' 士1'將晶體棒材切割成長方晶體片；(3)用研磨機(jī)對(duì)長方晶體片進(jìn)行四次細(xì)磨；在研磨過程，采用碳化硅、碳化硼或白剛玉作超細(xì)研磨料；研磨后進(jìn)行倒邊處理，使其厚度小于8絲，然后按設(shè)計(jì)要求切成小條頻率片，再用氟化氫銨溶液進(jìn)行細(xì)拋光處理以減小電阻，最后使用分頻機(jī)進(jìn)行分頻即得晶體頻 Φη ；(4)將晶體頻率片用清洗劑和離子水進(jìn)行清洗，然后用甩干機(jī)脫水；使用氮?dú)庀浯娣牛?5)用分子泵真空鍍膜機(jī)將晶體頻率片噴上銀層，用自動(dòng)點(diǎn)膠機(jī)把帶銀層的晶體頻率片點(diǎn)上導(dǎo)電膠固定在基座上，用微調(diào)機(jī)對(duì)頻率補(bǔ)償添補(bǔ)銀層，而后對(duì)基座上的晶體頻率片用外殼進(jìn)行封焊，并且在封焊的瞬間進(jìn)行充氮，試漏合格后即得成品。
全文摘要
本發(fā)明是一種準(zhǔn)SMD晶振的制備方法，其特征在于，其步驟如下用磨床對(duì)壓電晶體進(jìn)行粗磨，提晶體棒材；用多刀機(jī)將晶體棒材切割成長方晶體片；用研磨機(jī)對(duì)長方晶體片進(jìn)行四次細(xì)磨，使用分頻機(jī)進(jìn)行分頻即得晶體頻率片；將晶體頻率片用清洗劑和離子水進(jìn)行清洗，然后用甩干機(jī)脫水；使用氮?dú)庀浯娣?；用分子泵真空鍍膜機(jī)將晶體頻率片噴上銀層，用自動(dòng)點(diǎn)膠機(jī)把帶銀層的晶體頻率片點(diǎn)上導(dǎo)電膠固定在基座上，用微調(diào)機(jī)對(duì)頻率補(bǔ)償添補(bǔ)銀層，而后對(duì)基座上的晶體頻率片用外殼進(jìn)行封焊，并且在封焊的瞬間進(jìn)行充氮，試漏合格后即得成品。本發(fā)明方法更為合理、成本低、可操作性強(qiáng)并能有效提高產(chǎn)品質(zhì)量，其生產(chǎn)的產(chǎn)品質(zhì)量具有尺寸小、穩(wěn)定性強(qiáng)。
文檔編號(hào)H03H3/02GK102594279SQ201110003160
公開日2012年7月18日 申請(qǐng)日期2011年1月10日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月10日
發(fā)明者朱愛發(fā), 楊剛 申請(qǐng)人:朱愛發(fā)