專利名稱：可切換輸入對(duì)操作放大器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明大體來(lái)說(shuō)涉及電子設(shè)備，且更具體來(lái)說(shuō)涉及可切換輸入對(duì)操作放大器。
背景技術(shù)：
在經(jīng)設(shè)計(jì)以在不同模式中操作的通信裝置(例如，有多頻帶能力的蜂窩式裝置) 中，通常對(duì)應(yīng)于每一操作模式而使用多個(gè)放大器。舉例來(lái)說(shuō)，每一放大器可放大對(duì)應(yīng)于一相關(guān)聯(lián)蜂窩式技術(shù)(例如，全球移動(dòng)通信系統(tǒng)(GSM)、碼分多址(CDMA)、長(zhǎng)期演進(jìn)(LTE)、微波接入全球互通(WiMax)、無(wú)線局域網(wǎng)絡(luò)(WLAN)及藍(lán)牙或其它個(gè)人區(qū)域網(wǎng)絡(luò)(PAN))的接收信號(hào)。這是因?yàn)槊恳环糯笃鞅仨毥?jīng)設(shè)計(jì)以最大化對(duì)應(yīng)蜂窩式技術(shù)的相關(guān)聯(lián)性能特性，例如，極低的Ι/f噪聲、增加的帶寬或在較高頻率下操作的能力。圖1為具有多個(gè)放大器104及105的常規(guī)裝置100的高級(jí)框圖，每一放大器用于在當(dāng)在多模式中操作時(shí)放大所要的傳入信號(hào)。在特定實(shí)例中，裝置100能夠處理GSM與LTE 蜂窩式技術(shù)兩者的接收信號(hào)。含有所接收信號(hào)的電磁波由天線101吸收，且由接收器邏輯 106通過(guò)適當(dāng)?shù)貑⒂眉巴Ｓ每刂崎_關(guān)102及103而可選擇地路由到放大器104 (與GSM操作模式相關(guān)聯(lián))或放大器105(與LTE操作模式相關(guān)聯(lián))。當(dāng)在GSM模式中操作時(shí)，開關(guān)102 閉合且開關(guān)103斷開，因而允許所接收信號(hào)流動(dòng)到GSM放大器104并防止所接收信號(hào)流動(dòng)到LTE放大器105。放大器104經(jīng)配置以提供低噪聲性能以滿足GSM蜂窩式技術(shù)的低噪聲需求。放大器104可通過(guò)利用大輸入晶體管對(duì)而實(shí)現(xiàn)此低噪聲性能。較大晶體管展現(xiàn)較小 Ι/f噪聲，因?yàn)檩^大晶體管具有較大柵極電容，其平滑化通道電荷的波動(dòng)。因而，晶體管越大，所得Ι/f噪聲越低。均方Ι/f漏極噪聲電流可表示如下？=(K/y)(gm2/WLC。x2)xBW等式⑴其中，W為柵極寬度，L為柵極長(zhǎng)度，Cox為晶體管柵極電容，gm為晶體管跨導(dǎo)，f為操作頻率，K為經(jīng)驗(yàn)常數(shù)且BW為晶體管的噪聲帶寬。因而，晶體管柵極面積的增加使得晶體管Ι/f噪聲減少。當(dāng)在LTE模式中操作時(shí)，開關(guān)103閉合且開關(guān)102斷開，因而允許所接收信號(hào)流動(dòng)到放大器105并防止所接收信號(hào)流動(dòng)到GSM放大器104。LTE放大器105經(jīng)配置以提供高頻性能以滿足LTE蜂窩式技術(shù)的頻率需求。LTE放大器105可通過(guò)利用小輸入晶體管對(duì)而實(shí)現(xiàn)此高頻性能。較小晶體管展現(xiàn)較高操作頻率，因?yàn)檩^小晶體管具有較小柵極電容，其減少對(duì)晶體管充電及放電所必需的時(shí)間。晶體管單位增益頻率可表示如下Wt = gm/(Cgs+Cgd)等式 O)其中，gm為晶體管的跨導(dǎo)，Cgs為柵極-源極電容且Cgd為柵極-漏極電容。圖2為圖1中所示的裝置的低級(jí)電路圖。放大器104包含以共源極配置耦合到電流源205的大晶體管203及204。大晶體管203的漏極耦合到電阻器206 (我們或許應(yīng)更一般地將其稱為負(fù)載；例如，可使用有效負(fù)載)的第一端子。大晶體管204的漏極耦合到電阻器207的第一晶體管。電阻器206及電阻器207的第二端子耦合到電源VDD。LTE放大器105包含以共源極配置耦合到電流源210的小晶體管208及209。小晶體管208的漏極耦合到電阻器211的第一端子。小晶體管209的漏極耦合到電阻器212 的第一端子。電阻器211及212的第二端子耦合到電源VDD。根據(jù)上文所描述的所需性能特性，裝置100能夠通過(guò)啟用及停用開關(guān)213至220 中的選定開關(guān)而選擇所要放大器。舉例來(lái)說(shuō)，當(dāng)在GSM模式中操作時(shí)，開關(guān)214、216、219及 220閉合且開關(guān)213、215、216及218斷開。此切換配置將放大器105的晶體管208及208 的柵極端子接地且將輸入信號(hào)Vin+及Vin-轉(zhuǎn)向到放大器104的晶體管203及204的柵極端子；因而啟用GSM操作模式并防止放大器105變?yōu)椴僮?。?duì)比來(lái)說(shuō)，當(dāng)在LTE模式中操作時(shí)，開關(guān)214、216、219及220斷開且開關(guān)213、215、 216及218閉合。此切換配置將放大器104的晶體管203及204的柵極端子接地且將輸入信號(hào)Vin+及Vin-轉(zhuǎn)向到放大器105的晶體管208及209的柵極端子；因而啟用LTE操作模式并防止放大器104變?yōu)椴僮?。因而，常?guī)裝置使用多個(gè)放大器以通過(guò)利用針對(duì)每一操作模式的單獨(dú)放大器電路而實(shí)現(xiàn)每一操作模式的所要性能特性。

發(fā)明內(nèi)容


圖1為具有多個(gè)放大器104及105的常規(guī)裝置100的高級(jí)框圖，每一放大器用于在于多模式中操作時(shí)放大所要傳入信號(hào)。圖2為圖1中所示的裝置的低級(jí)電路圖。圖3展示根據(jù)示范性實(shí)施例的利用針對(duì)每一操作模式的單一可切換放大器的多模式裝置的高級(jí)框圖。圖4為根據(jù)第一示范性實(shí)施例的具有第一切換配置的圖3中所示的可切換放大器的低級(jí)電路圖。圖5為根據(jù)第一示范性實(shí)施例的在第二切換配置中的圖3中所示的可切換放大器的低級(jí)電路圖。圖6為根據(jù)第二示范性實(shí)施例的具有第三切換配置的圖3中所示的可切換放大器的低級(jí)電路圖。圖7為根據(jù)第二示范性實(shí)施例的在第四切換配置中的圖3中所示的可切換放大器的低級(jí)電路圖。圖8為展示用以在圖4中所示的第一切換配置與圖5中所示的第二切換配置之間切換的接收器邏輯電路的操作流程的流程圖。圖9為展示用以在圖6中所示的第三切換配置與圖7中所示的第四切換配置之間切換的接收器邏輯電路的操作流程的流程圖。
具體實(shí)施例方式詞“示范性”在本文中用以意謂“充當(dāng)實(shí)例、例子或說(shuō)明”。本文中描述為“示范性” 的任何實(shí)施例未必解釋為相對(duì)于其它實(shí)施例來(lái)說(shuō)是優(yōu)選或有利的。下文結(jié)合附圖陳述的詳細(xì)描述意在作為本發(fā)明的示范性實(shí)施例的描述且不意在表示可實(shí)踐本發(fā)明的僅有實(shí)施例。貫穿此描述所使用的術(shù)語(yǔ)“示范性”意謂“充當(dāng)實(shí)例、例子或說(shuō)明”，且未必應(yīng)解釋為相對(duì)于其它示范性實(shí)施例來(lái)說(shuō)是優(yōu)選或有利的。詳細(xì)描述包括特定細(xì)節(jié)以用于提供對(duì)本發(fā)明的示范性實(shí)施例的透徹了解的目的。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將顯而易見，可在無(wú)這些特定細(xì)節(jié)的情況下實(shí)踐本發(fā)明的示范性實(shí)施例。在一些例子中，以框圖形式來(lái)展示眾所周知的結(jié)構(gòu)及裝置，以便避免使本文中呈現(xiàn)的示范性實(shí)施例的新穎性模糊。圖3展示根據(jù)示范性實(shí)施例的利用針對(duì)每一操作模式的單一可切換放大器302的多模式裝置300的高級(jí)框圖。多模式裝置300包括天線301，其接收發(fā)射的信號(hào)，所述發(fā)射的信號(hào)被耦合到可切換放大器302的輸入端子?？汕袚Q放大器302的輸出耦合到接收器邏輯電路303。圖4為根據(jù)第一示范性實(shí)施例的具有第一切換配置的圖3中所示的可切換放大器 302的低級(jí)電路圖。圖5為根據(jù)第一示范性實(shí)施例的在第二切換配置中的圖3中所示的可切換放大器 302的低級(jí)電路圖。參看圖4，可切換放大器302經(jīng)展示為包含核心放大器電路400、第二對(duì)輸入晶體管403及404，以及以第一切換配置布置的控制開關(guān)408至411。核心放大器電路400包含以共源極配置耦合到電流源405的小晶體管401及402。小晶體管401的漏極耦合到電阻器406的第一端子。小晶體管402的漏極耦合到電阻器407的第一晶體管。電阻器406及電阻器407的第二端子耦合到電源VDD。小晶體管401及402在圖4中所示的電路配置中總是被啟用。然而，開關(guān)408至 411控制是否啟用大晶體管403及404。如果需要小輸入晶體管對(duì)性能，則開關(guān)408及410 斷開同時(shí)開關(guān)409及411閉合，如圖4中所示及在圖8中所示的流程圖中所描述。在此第一切換配置中，大晶體管403及404的柵極分別與輸入信號(hào)Vin+及Vin-隔離，且耦合到接地；因而停用核心放大器電路400中的大輸入對(duì)晶體管403及404。大輸入對(duì)晶體管403 及404的停用使核心放大器電路400的帶寬最大化，因?yàn)橛行л斎刖w管對(duì)電容保持等于小輸入對(duì)晶體管401及402的最小電容值。此小輸入晶體管對(duì)性能配置可能是需要高放大器帶寬的蜂窩式技術(shù)(例如，LTE 蜂窩式技術(shù))所要的。雖然圖4中描繪的示范性實(shí)施例僅展示一個(gè)可切換并聯(lián)輸入晶體管對(duì)，但是所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將易于了解并理解，可利用多個(gè)可切換并聯(lián)輸入晶體管對(duì)來(lái)進(jìn)一步增強(qiáng)或?qū)崿F(xiàn)可切換放大器302的甚至更佳的性能特性。圖5展示在第二切換配置中的可切換放大器302。此處，控制開關(guān)408至411經(jīng)配置以啟用大輸入晶體管對(duì)403、404。小晶體管401及402在圖5中所示的電路配置中總是被啟用(S卩，被永久地啟用)。 然而，開關(guān)408至411控制是否啟用大晶體管403及404。如果需要大輸入晶體管對(duì)性能， 則開關(guān)408及410閉合且開關(guān)409及411斷開，如圖5中所示及在圖8中所示的流程圖中所描述。在此第二切換配置中，晶體管403及404的柵極分別耦合到輸入信號(hào)Vin+及Vin-， 且與接地隔離；因而啟用大輸入對(duì)晶體管403及404。當(dāng)大晶體管403及404被啟用時(shí)，結(jié)果為晶體管401與403的并聯(lián)組合，以及晶體管402與403的并聯(lián)組合。也就是說(shuō)，晶體管401及403的柵極、漏極及源極耦合在一起。同樣，晶體管402及404的柵極、漏極及源極耦合在一起。此產(chǎn)生有效輸入晶體管對(duì)，其中每一輸入晶體管具有一等于并聯(lián)耦合的每一晶體管的通道面積的總和的有效通道面積。所得有效輸入晶體管的有效通道面積可表示如下Aeffective = A40I+A403 = Α4ο2+Α4Ο4(3)其中，A4tll為晶體管401的通道面積，A403為晶體管403的通道面積，A402為晶體管 402的通道面積且A4tl4為晶體管404的通道面積。以此方式，柵極-源極電容以及柵極-漏極電容也加在一起以產(chǎn)生等于每一并聯(lián)晶體管中的電容的總和的有效電容。有效柵極-源極電容可表示如下Cgs_effective 一 Cgs_40i+Cgs_403 一 Cgs_402+Cgs_404(4)其中，Cgs 4(11為晶體管401的柵極-源極電容，Cgs 4(13為晶體管403的柵極-源極電容，Cgs_402為晶體管403的柵極-源極電容且Cgs 4tl4為晶體管404的柵極-源極電容。有效柵極-漏極電容可表示如下Cgd_effective 一 Cgd_40i+Cgd_403 一 Cgd_402+Cgd_404(5)其中，Cgd 4(11為晶體管401的柵極-漏極電容，Cgd 4(13為晶體管403的柵極-漏極電容，Cgd_402為晶體管403的柵極-漏極電容且Cgd 4tl4為晶體管404的柵極-漏極電容。因而，此大輸入晶體管對(duì)配置產(chǎn)生具有較大通道面積及增加的晶體管電容的有效晶體管對(duì)。此使得Ι/f噪聲減少，因?yàn)棣?f噪聲隨晶體管通道面積增加而減少，如上文在等式1中所表示。然而，此也使得晶體管帶寬減少，因?yàn)榫w管帶寬隨晶體管電容增加而減少，如上文在等式2中所表示。因此，此大輸入晶體管對(duì)配置可能是需要低Ι/f噪聲及減少的放大器帶寬的蜂窩式技術(shù)(例如，GSM蜂窩式技術(shù))所要的。圖6為根據(jù)第二示范性實(shí)施例的具有第三切換配置的圖3中所示的可切換放大器 302的低級(jí)電路圖。圖7為根據(jù)第二示范性實(shí)施例的在第四切換配置中的圖3中所示的可切換放大器 302的低級(jí)電路圖?，F(xiàn)在參看圖6及圖7的第二實(shí)施例，可切換放大器302經(jīng)展示為具有兩個(gè)可切換并聯(lián)輸入晶體管對(duì)。第一輸入晶體管對(duì)包含小晶體管401及402。第二輸入晶體管對(duì)包含大晶體管403及404，除切換配置不同且包含控制開關(guān)608至615外，其它與圖4及圖5中一樣。在圖6中所示的第三切換配置中，控制開關(guān)608至615經(jīng)配置以停用大輸入晶體管 403及404且啟用小輸入晶體管401及402。核心放大器電路400與圖4及圖5中相同且包括以共源極配置耦合到電流源405的小晶體管401及402。具體來(lái)說(shuō)，小晶體管401的漏極耦合到電阻器406的第一端子且小晶體管402的漏極耦合到電阻器407的第一晶體管。 電阻器406及電阻器407的第二端子耦合到電源VDD。在此第三切換配置中，小輸入晶體管對(duì)401及402并非總是被啟用。實(shí)情為，開關(guān) 608至615控制是啟用大晶體管403及404還是小晶體管401及402。當(dāng)需要小輸入晶體管對(duì)性能時(shí)，開關(guān)609、611、613及615斷開且開關(guān)608、610、612及614閉合，如圖6中所示及圖9中所示的流程圖中所描述。在此第三切換配置中，大晶體管對(duì)403及404的柵極分別與輸入信號(hào)Vin+及Vin-隔離，且耦合到接地，因而停用可切換放大器400中的大輸入對(duì)晶體管403及404。同時(shí)，小晶體管401及402分別耦合到輸入信號(hào)Vin+及Vin-，因而啟用小輸入晶體管對(duì)401及402。大輸入晶體管對(duì)403及404的停用及小輸入晶體管對(duì)401 及402的啟用使可切換放大器400的帶寬最大化，因?yàn)樾≥斎雽?duì)晶體管401及402具有比大輸入對(duì)晶體管403及404小的柵極-漏極電容與柵極-源極電容。上文在等式2中描述晶體管電容與晶體管帶寬之間的相反關(guān)系。此小輸入晶體管對(duì)性能配置可能是需要高放大器帶寬的蜂窩式技術(shù)(例如，LTE 蜂窩式技術(shù))所要的。在結(jié)合所示第二實(shí)施例于圖7中所示的第四切換配置中，控制開關(guān)608至615經(jīng)配置以啟用大輸入晶體管對(duì)403及404且停用小輸入晶體管對(duì)401及402。此處同樣，核心放大器電路400與圖4、圖5及圖6中相同且包括以共源極配置耦合到電流源405的小晶體管401及402。具體來(lái)說(shuō)，小晶體管401的漏極耦合到電阻器406的第一端子且小晶體管 402的漏極耦合到電阻器407的第一晶體管。電阻器406及電阻器407的第二端子耦合到電源VDD。在此第四切換配置中，小輸入晶體管對(duì)401及402并非總是被啟用。實(shí)情為，開關(guān) 608至615控制是啟用大晶體管403及404還是小晶體管401及402。當(dāng)需要大輸入晶體管對(duì)性能時(shí)，開關(guān)609、611、613及615閉合且開關(guān)608、610、612及614斷開，如圖7中所示及圖9中所示的流程圖中所描述。在此第四切換配置中，小晶體管對(duì)401及402的柵極分別與輸入信號(hào)Vin+及Vin-隔離，且耦合到接地，因而停用可切換放大器400內(nèi)的小輸入對(duì)晶體管401及402。同時(shí)，大晶體管403及404分別耦合到輸入信號(hào)Vin+及Vin-，因而啟用大輸入晶體管對(duì)403及404。小輸入對(duì)晶體管401及402的停用及大輸入晶體管對(duì)403 及404的啟用使Ι/f噪聲最小化，同時(shí)犧牲晶體管帶寬。Ι/f噪聲減少，因?yàn)榇筝斎雽?duì)晶體管403及404具有較大通道面積，其與Ι/f噪聲成反比，如上文在等式1中描述。晶體管帶寬減少，因?yàn)榇筝斎雽?duì)晶體管403及404具有較大的柵極-源極電容與柵極-漏極電容，其與晶體管帶寬成相反關(guān)系，如上文在等式2中描述。此大輸入晶體管對(duì)性能配置可能是需要減少的Ι/f噪聲及減少的放大器帶寬的蜂窩式技術(shù)(例如，GSM蜂窩式技術(shù))所要的。圖8為展示用以在圖4中所示的第一切換配置與圖5中所示的第二切換配置之間切換的接收器邏輯電路的操作流程的流程圖。當(dāng)裝置被開啟時(shí)操作流程在步驟800處開始。在步驟801中，接收器邏輯檢查裝置當(dāng)前處于何種操作模式。一旦已確定裝置的操作模式，接收器邏輯便選擇將針對(duì)所確定的操作模式執(zhí)行的開關(guān)配置。在圖4及圖5中所示的示范性實(shí)施例中，接收器邏輯能夠在 GSM及LTE操作模式中操作。如果裝置在LTE模式中操作，則步驟801的“LTE”輸出隨后進(jìn)行至步驟803。在步驟803中，開關(guān)409及411閉合。在步驟804中，開關(guān)408及410斷開。一旦開關(guān)經(jīng)適當(dāng)?shù)嘏渲靡杂糜贚TE模式操作，裝置便在步驟807中監(jiān)視操作模式的變化。此LTE開關(guān)配置停用大晶體管403及404，從而使得僅輸入晶體管對(duì)401及402被啟用。如上文所描述，小輸入晶體管對(duì)401及402可提供改善的性能，例如因晶體管電容減少而增加了帶寬。如果檢測(cè)到操作模式變化，則裝置在步驟801中檢查哪種操作模式。一旦已確定
9裝置的操作模式，接收器邏輯便在步驟802中選擇將針對(duì)所確定操作模式執(zhí)行的開關(guān)配置。如果裝置在GSM模式中操作，則步驟801的“GSM”輸出隨后進(jìn)行至步驟805。在步驟 805中，開關(guān)408及410閉合。在步驟806中，開關(guān)409及411斷開。一旦開關(guān)被適當(dāng)?shù)嘏渲糜糜贕SM模式操作，裝置便在步驟807中監(jiān)視操作模式的變化。GSM開關(guān)配置啟用大晶體管403及404。因此，使得大輸入晶體管403及404以及小輸入晶體管401及402被啟用。 如上文所描述，與小輸入晶體管401及402并行而啟用的大輸入晶體管對(duì)403及404可提供改善的性能，例如因晶體管組合的有效通道面積增加而減少了 Ι/f噪聲。圖9為展示用以在圖6中所示的第三切換配置與圖7中所示的第四切換配置之間切換的接收器邏輯電路的操作流程的流程圖。當(dāng)裝置被開啟時(shí)，操作流程在步驟900處開始。在步驟901處，接收器邏輯檢查裝置當(dāng)前處于何種操作模式。一旦已確定裝置的操作模式，接收器邏輯便選擇將針對(duì)所確定的操作模式執(zhí)行的開關(guān)配置。在圖6及圖7中所示的示范性實(shí)施例中，接收器邏輯能夠在 GSM及LTE操作模式中操作。如果裝置在LTE模式中操作，則步驟901的“LTE”輸出隨后進(jìn)行至步驟903。在步驟903中，開關(guān)608、610、612及614閉合。在步驟904中，開關(guān)609、 611、613及615斷開。此LTE開關(guān)配置啟用小晶體管401及402同時(shí)停用大晶體管403及 404。如上文所描述，小輸入晶體管對(duì)401及402可提供改善的性能，例如因晶體管電容減少而增加了帶寬。一旦開關(guān)被適當(dāng)?shù)嘏渲糜糜贚TE模式操作，裝置便在步驟907中監(jiān)視操作模式的變化。如果檢測(cè)到操作模式變化，則裝置在步驟901中檢查哪種操作模式。一旦已確定裝置的操作模式，接收器邏輯便在步驟902中選擇將針對(duì)所確定的操作模式執(zhí)行的開關(guān)配置。 如果裝置在GSM模式中操作，則步驟901的“GSM”輸出隨后進(jìn)行至步驟905。在步驟905 中，開關(guān)609、611、613及615閉合。在步驟906中，開關(guān)608、610、612及614斷開。GSM開關(guān)配置啟用大晶體管403及404同時(shí)停用小晶體管401及402。如上文所描述，大輸入晶體管對(duì)403及404可提供改善的性能，例如因較大晶體管的通道面積增加而減少了 Ι/f噪聲。 一旦開關(guān)被適當(dāng)?shù)嘏渲糜糜贚TE模式操作，裝置便在步驟907中監(jiān)視操作模式的變化。上文描述的單一可切換放大器的示范性實(shí)施例可用以提供蜂窩式技術(shù)所需的各種性能特性而無(wú)需多個(gè)放大器電路。因而，減少裝置面積及成本同時(shí)仍滿足每一蜂窩式技術(shù)的性能需求。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解，可使用多種不同技術(shù)及技藝中的任一者來(lái)表示信息及信號(hào)。舉例來(lái)說(shuō)，可通過(guò)電壓、電流、電磁波、磁場(chǎng)或磁性粒子、光場(chǎng)或光學(xué)粒子或其任何組合來(lái)表示可貫穿以上描述所參考的數(shù)據(jù)、指令、命令、信息、信號(hào)、位、符號(hào)及碼片。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將進(jìn)一步了解，結(jié)合本文中揭示的實(shí)施例所描述的各種說(shuō)明性邏輯塊、模塊、電路及算法步驟可實(shí)施為電子硬件、計(jì)算機(jī)軟件或兩者的組合。為了清楚地說(shuō)明硬件與軟件的此可互換性，各種說(shuō)明性組件、塊、模塊、電路及步驟已在上文中大體在其功能性方面予以描述。此功能性是實(shí)施為硬件還是軟件視特定應(yīng)用及強(qiáng)加于整個(gè)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)約束而定。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員可針對(duì)每一特定應(yīng)用以不同方式來(lái)實(shí)施所描述功能性，但這些實(shí)施決策不應(yīng)被解釋為會(huì)導(dǎo)致脫離本發(fā)明的示范性實(shí)施例的范疇。結(jié)合本文中揭示的實(shí)施例所描述的各種說(shuō)明性邏輯塊、模塊及電路可通過(guò)通用處理器、數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)、專用集成電路(ASIC)、現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列(FPGA)或其它可編程邏輯裝置、離散門或晶體管邏輯、離散硬件組件或其經(jīng)設(shè)計(jì)以執(zhí)行本文中所描述的功能的任何組合而實(shí)施或執(zhí)行。通用處理器可為微處理器，但在替代例中，處理器可為任何常規(guī)處理器、控制器、微控制器或狀態(tài)機(jī)。處理器還可實(shí)施為計(jì)算裝置的組合，例如，DSP與微處理器的組合、多個(gè)微處理器、結(jié)合DSP核心的一個(gè)或一個(gè)以上微處理器，或任何其它此配置。結(jié)合本文中揭示的實(shí)施例所描述的方法或算法的步驟可直接以硬件、以由處理器執(zhí)行的軟件模塊或以兩者的組合體現(xiàn)。軟件模塊可駐存于隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)、快閃存儲(chǔ)器、只讀存儲(chǔ)器(ROM)、電可編程ROM(EPROM)、電可擦除可編程ROM(EEPROM)、寄存器、硬盤、 可裝卸磁盤、CD-ROM或此項(xiàng)技術(shù)中已知的任何其它形式的存儲(chǔ)媒體中。示范性存儲(chǔ)媒體耦合到處理器，使得處理器可從存儲(chǔ)媒體讀取信息及將信息寫入到存儲(chǔ)媒體。在替代例中，存儲(chǔ)媒體可與處理器形成一體。處理器及存儲(chǔ)媒體可駐留于ASIC中。ASIC可駐留于用戶終端中。在替代例中，處理器及存儲(chǔ)媒體可作為離散組件而駐留于用戶終端中。在一個(gè)或一個(gè)以上示范性實(shí)施例中，所描述功能可以硬件、軟件、固件或其任何組合實(shí)施。如果以軟件實(shí)施，則所述功能可作為一個(gè)或一個(gè)以上指令或代碼而存儲(chǔ)于計(jì)算機(jī)可讀媒體上或經(jīng)由計(jì)算機(jī)可讀媒體而傳輸。計(jì)算機(jī)可讀媒體包括計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)媒體及通信媒體兩者，通信媒體包括促進(jìn)將計(jì)算機(jī)程序從一處轉(zhuǎn)移到另一處的任何媒體。存儲(chǔ)媒體可以是可由計(jì)算機(jī)存取的任何可用媒體。舉例來(lái)說(shuō)且非限制，這些計(jì)算機(jī)可讀媒體可包含RAM、 R0M、EEPR0M、CD_R0M或其它光學(xué)存儲(chǔ)設(shè)備、磁性存儲(chǔ)設(shè)備或其它磁性存儲(chǔ)裝置，或可用以載運(yùn)或存儲(chǔ)呈指令或數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)形式的所要程序代碼且可由計(jì)算機(jī)存取的任何其它媒體。又， 將任何連接適當(dāng)?shù)胤Q作計(jì)算機(jī)可讀媒體。舉例來(lái)說(shuō)，如果使用同軸電纜、光纖纜線、雙絞線、 數(shù)字用戶線(DSL)或例如紅外線、無(wú)線電及微波等無(wú)線技術(shù)從網(wǎng)站、服務(wù)器或其它遠(yuǎn)程源傳輸軟件，則同軸電纜、光纖纜線、雙絞線、DSL或例如紅外線、無(wú)線電及微波等無(wú)線技術(shù)均包括于媒體的定義中。如本文中所使用，磁盤及光盤包括壓縮光盤(CD)、激光光盤、光盤、數(shù)字多功能光盤(DVD)、軟性磁盤及藍(lán)光光盤，其中磁盤通常以磁性方式再生數(shù)據(jù)，而光盤使用激光以光學(xué)方式再生數(shù)據(jù)。上述各物的組合也應(yīng)包括于計(jì)算機(jī)可讀媒體的范疇內(nèi)。提供所揭示示范性實(shí)施例的以上描述以使任何所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員均能夠制造或使用本發(fā)明。在不脫離本發(fā)明的精神或范疇的情況下，對(duì)這些示范性實(shí)施例的各種修改對(duì)于所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)將是顯而易見的，且本文中所界定的一般原理可應(yīng)用于其它實(shí)施例。因此，本發(fā)明不意在限于本文中所展示的實(shí)施例，而應(yīng)被賦予與本文中所揭示的原理及新穎特征一致的最廣泛范疇。
權(quán)利要求
1.一種包括可切換放大器的裝置，其包含 并聯(lián)輸入晶體管對(duì)；及用以選擇性地啟用所述并聯(lián)輸入晶體管對(duì)的核心放大器電路。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述核心放大器電路包括輸入晶體管對(duì)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其中所述核心放大器電路中的所述輸入晶體管對(duì)被永久地啟用。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其中并聯(lián)輸入晶體管對(duì)由通道面積大于所述核心放大器電路的所述輸入晶體管對(duì)中的晶體管的通道面積的晶體管組成。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其中所述并聯(lián)輸入晶體管對(duì)由通道面積等于所述核心放大器電路的所述輸入晶體管對(duì)中的晶體管的通道面積的晶體管組成。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其中所述并聯(lián)輸入晶體管對(duì)由通道面積小于所述核心放大器電路的所述輸入晶體管對(duì)中的晶體管的通道面積的晶體管組成。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其中所述可切換放大器進(jìn)一步包含開關(guān)，所述選擇性地啟用涉及基于所要的當(dāng)前操作模式而接通及關(guān)斷所述開關(guān)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述裝置為無(wú)線通信裝置。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述裝置為通過(guò)所述選擇性地啟用所述并聯(lián)輸入晶體管對(duì)而可在第一操作模式與第二操作模式之間操作的多模式無(wú)線通信裝置。
10.一種可在第一操作模式與第二操作模式之間操作的裝置，其包含 可切換放大器；及接收器邏輯電路，其用于選擇性地啟用及停用所述可切換放大器內(nèi)的多個(gè)輸入晶體管對(duì)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的裝置，其中所述多個(gè)輸入晶體管對(duì)大小相等。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的裝置，其中所述多個(gè)輸入晶體管對(duì)大小不相等。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的裝置，其中所述可選擇性地啟用及停用是基于當(dāng)前操作模式。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的裝置，其中所述可切換放大器進(jìn)一步包含開關(guān)，所述選擇性地啟用及停用涉及基于所要的當(dāng)前操作模式而接通及關(guān)斷所述開關(guān)。
15.一種在可在第一操作模式與第二操作模式之間操作的裝置中的方法，所述裝置包含用于可選擇性地啟用及停用可切換放大器內(nèi)的至少一個(gè)并聯(lián)輸入晶體管對(duì)的接收器邏輯電路，所述可切換放大器具有開關(guān)及核心放大器電路，所述核心放大器電路包含與其相關(guān)聯(lián)的輸入晶體管對(duì)，所述方法包含閉合所述開關(guān)以將第一輸入信號(hào)耦合到所述至少一個(gè)并聯(lián)輸入晶體管對(duì)。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中將所述核心放大器電路中的所述輸入晶體管對(duì)永久地啟用。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中所述至少一個(gè)并聯(lián)輸入晶體管對(duì)由通道面積大于所述核心放大器電路的所述輸入晶體管對(duì)中的晶體管的通道面積的晶體管組成。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中所述至少一個(gè)并聯(lián)輸入晶體管對(duì)由通道面積等于所述核心放大器電路的所述輸入晶體管對(duì)中的晶體管的通道面積的晶體管組成。
19.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中所述至少一個(gè)并聯(lián)輸入晶體管對(duì)由通道面積小于所述核心放大器電路的所述輸入晶體管對(duì)中的晶體管的通道面積的晶體管組成。
20.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中所述裝置為無(wú)線通信裝置。
21.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中所述裝置為通過(guò)所述選擇性啟用所述至少一個(gè)并聯(lián)輸入晶體管對(duì)而可在所述第一操作模式與所述第二操作模式之間操作的多模式無(wú)線通f曰裝直ο
22.一種在可在第一操作模式與第二操作模式之間操作的裝置中的方法，所述裝置包含用于選擇性地啟用及停用可切換放大器內(nèi)的至少一個(gè)并聯(lián)輸入晶體管對(duì)及與所述可切換放大器中的核心放大器電路相關(guān)聯(lián)的輸入晶體管對(duì)的接收器邏輯電路，所述方法包含閉合所述可切換放大器中的第一組開關(guān)以將第一輸入信號(hào)耦合到所述至少一個(gè)并聯(lián)輸入晶體管對(duì)；及斷開所述可切換放大器中的第二組開關(guān)以隔離所述核心放大器電路中的所述輸入晶體管對(duì)。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中所述至少一個(gè)并聯(lián)輸入晶體管對(duì)由通道面積大于所述核心放大器電路的所述輸入晶體管對(duì)中的晶體管的通道面積的晶體管組成。
24.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中所述至少一個(gè)并聯(lián)輸入晶體管對(duì)由通道面積等于所述核心放大器電路的所述輸入晶體管對(duì)中的晶體管的通道面積的晶體管組成。
25.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中所述至少一個(gè)并聯(lián)輸入晶體管對(duì)由通道面積小于所述核心放大器電路的所述輸入晶體管對(duì)中的晶體管的通道面積的晶體管組成。
26.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中所述裝置為無(wú)線通信裝置。
27.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中所述裝置為通過(guò)所述選擇性啟用所述至少一個(gè)并聯(lián)輸入晶體管對(duì)而可在所述第一操作模式與所述第二操作模式之間操作的多模式無(wú)線通f曰裝直ο
28.一種裝置，其包含用于放大輸入信號(hào)并具有至少一個(gè)并聯(lián)輸入晶體管對(duì)的裝置；及用于驅(qū)動(dòng)有效負(fù)載的核心放大器電路裝置。
29.—種可在第一操作模式與第二操作模式之間操作的裝置，其包含 可切換放大器內(nèi)的多個(gè)輸入晶體管對(duì)；及用于選擇性地啟用及停用所述多個(gè)輸入晶體管對(duì)的裝置。
30.一種可在第一操作模式與第二操作模式之間操作的裝置，其包含用于選擇性地啟用及停用可切換放大器內(nèi)的至少一個(gè)并聯(lián)輸入晶體管對(duì)的裝置，所述可切換放大器具有開關(guān)及核心放大器電路，所述核心放大器電路包含與其相關(guān)聯(lián)的輸入晶體管對(duì)；及用于閉合所述開關(guān)以將第一輸入信號(hào)耦合到所述至少一個(gè)并聯(lián)輸入晶體管對(duì)的裝置。
31.一種可在第一操作模式與第二操作模式之間操作的裝置，其包含用于選擇性地啟用及停用可切換放大器內(nèi)的至少一個(gè)并聯(lián)輸入晶體管對(duì)及與所述可切換放大器中的核心放大器電路相關(guān)聯(lián)的輸入晶體管對(duì)的裝置；用于閉合所述可切換放大器中的第一組開關(guān)以將第一輸入信號(hào)耦合到所述至少一個(gè)并聯(lián)輸入晶體管對(duì)的裝置；及用于斷開所述可切換放大器中的第二組開關(guān)以隔離所述核心放大器電路中的所述輸入晶體管對(duì)的裝置。
全文摘要
本發(fā)明描述用于設(shè)計(jì)可切換放大器的技術(shù)。在一個(gè)方面中，描述包括經(jīng)配置以選擇性地啟用一個(gè)或一個(gè)以上并聯(lián)輸入晶體管對(duì)的核心放大器電路的可切換放大器。所述核心放大器電路包含永久啟用的輸入晶體管對(duì)。在另一方面中，描述可在第一操作模式與第二操作模式之間操作的裝置，所述裝置包含用于選擇性地啟用及停用可切換放大器內(nèi)的多個(gè)輸入晶體管對(duì)的接收器邏輯電路，其中所述可切換放大器還包括核心放大器電路，所述核心放大器電路耦合到所述用于選擇性地啟用及停用其中的晶體管對(duì)的所述接收器邏輯電路。所描述的可切換放大器產(chǎn)生基于所述裝置的當(dāng)前操作模式而提供不同放大器性能特性的能力。
文檔編號(hào)H03F3/72GK102422529SQ201080020970
公開日2012年4月18日 申請(qǐng)日期2010年5月13日 優(yōu)先權(quán)日2009年5月13日
發(fā)明者亞歷山大·M·塔西奇, 馬爾科·卡西亞 申請(qǐng)人:高通股份有限公司