專利名稱：一種用于電機(jī)軟起動器的可控硅觸發(fā)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及可控硅觸發(fā)技術(shù)，具體涉及一種用于電機(jī)軟起動器的可控硅觸發(fā) 裝置。
(二)
背景技術(shù)：
采用可控硅觸發(fā)技術(shù)來實(shí)現(xiàn)電機(jī)軟起動的裝置在低壓領(lǐng)域中早有應(yīng)用，但因現(xiàn)今 市場上應(yīng)用的可控硅觸發(fā)裝置技術(shù)并不完善，觸發(fā)一致性不好，并且很難實(shí)現(xiàn)高低壓 之間的電氣隔離，所以很難將其應(yīng)用在高壓領(lǐng)域。
(三) 發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的在于提供一種能夠接收控制單元發(fā)出的光纖觸發(fā)信號，驅(qū)動可 控硅導(dǎo)通，同時能夠?qū)崟r監(jiān)測可控硅的溫度，并具有過壓強(qiáng)觸發(fā)功能的用于電機(jī)軟起 動器的可控硅觸發(fā)裝置。
本實(shí)用新型的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的它包括觸發(fā)脈沖輸出單元、過壓強(qiáng)觸發(fā)單元和 觸發(fā)光纖信號輸入單元，觸發(fā)光纖信號輸入單元分別連接外接控制單元和觸發(fā)脈沖輸 出單元，并將接收到來自外接控制單元的觸發(fā)信號用于驅(qū)動觸發(fā)脈沖輸出單元發(fā)出觸 發(fā)脈沖，觸發(fā)脈沖輸出單元和過壓強(qiáng)觸發(fā)單元連接可控硅，驅(qū)動可控硅導(dǎo)通。
本實(shí)用新型還有這樣一些技術(shù)特征
1、 所述的觸發(fā)光纖信號輸入單元包括光纖接收器RX1、驅(qū)動芯片U3和MOS管 Q3，光纖接收器RX1接收外接控制單元發(fā)出的觸發(fā)信號，將其發(fā)送給驅(qū)動芯片U3， 驅(qū)動芯片U3驅(qū)動MOS管Q3， MOS管Q3發(fā)出觸發(fā)脈沖給驅(qū)動觸發(fā)脈沖輸出單元；
2、 所述的過壓強(qiáng)觸發(fā)單元包括器件J6、比較器U2和三極管Q4，連接件J6連接 可控硅上的分壓電阻，當(dāng)可控硅兩端的電壓超過額定范圍時連接件J6點(diǎn)的電壓將升 高，當(dāng)超過比較器U2的反向輸入端時比較器會發(fā)出高電平來驅(qū)動三極管Q4;
3、 所述的驅(qū)動芯片U3與MOS管Q3之間連接有二極管D13和二極管D9， 二極 管D13、 D9將觸發(fā)脈沖固定在+20V;
4、 所述的MOS管Q3連接發(fā)光二極管D2。
本實(shí)用新型是一種用于電機(jī)軟起動器的可控硅觸發(fā)裝置。此裝置采用光纖隔離技 術(shù)，能夠接收控制單元發(fā)出的光纖觸發(fā)信號，驅(qū)動可控硅導(dǎo)通，同時能夠?qū)崟r監(jiān)測可 控硅的溫度，并具有過壓強(qiáng)觸發(fā)的功能，當(dāng)可控硅的溫度升高時，安裝在散熱片上的
熱敏電阻的阻值也會升高，觸發(fā)板檢測到阻值變化后將通過光纖發(fā)送器發(fā)出故障信號，傳輸給控制單元。當(dāng)可控硅陰極和陽極兩端的電壓高于額定電壓時將有可能損壞可控 硅。本實(shí)用新型觸發(fā)板具有過壓強(qiáng)觸發(fā)功能，它通過分壓電阻連接在可控硅的兩端， 當(dāng)電壓升高時會檢測到電壓變化，從而發(fā)出過壓強(qiáng)觸發(fā)脈沖來強(qiáng)迫可控硅導(dǎo)通來保護(hù) 可控硅。本實(shí)用新型觸發(fā)板的電源設(shè)計(jì)采用高低位同時取能的方式，當(dāng)觸發(fā)板沒有接 高壓時采用低位取能，通過外加的大電流導(dǎo)線穿過觸發(fā)板自身的電流霍爾傳感器來取 得能量，并通過整流濾波和穩(wěn)壓來取得+20V的電源。當(dāng)觸發(fā)板接高壓時會通過外加的 阻容吸收回路以及低位取能的方式同時供電。這樣做的好處是，在高壓軟起動器沒有 接高壓時可以進(jìn)行低壓測試，接高壓時高、低位取能的方式大大增強(qiáng)了觸發(fā)能量，使 可控硅的觸發(fā)更可靠。同時觸發(fā)板還具有自身過壓保護(hù)功能，當(dāng)供電電壓超出+20V時 會通過光纖發(fā)送器發(fā)出故障信號傳送給控制單元。
本實(shí)用新型解決了可控硅觸發(fā)技術(shù)在電機(jī)軟起動應(yīng)用領(lǐng)域的難題，具有隔離效果 好，保護(hù)性能高，運(yùn)行安全可靠等特點(diǎn)。
(四)
' 圖1為本實(shí)用新型電機(jī)軟起動器觸發(fā)板觸發(fā)原理圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對本實(shí)用新型作進(jìn)一步的說明
本實(shí)施例包括觸發(fā)脈沖輸出單元、過壓強(qiáng)觸發(fā)單元和觸發(fā)光纖信號輸入單元，觸 發(fā)光纖信號輸入單元分別連接外接控制單元和觸發(fā)脈沖輸出單元，并將接收到來自外 接控制單元的觸發(fā)信號用于驅(qū)動觸發(fā)脈沖輸出單元發(fā)出觸發(fā)脈沖，，觸發(fā)脈沖輸出單元 和過壓強(qiáng)觸發(fā)單元連接可控硅，驅(qū)動可控硅導(dǎo)通。觸發(fā)光纖信號輸入單元包括光纖接 收器RX1、驅(qū)動芯片U3和MOS管Q3，光纖接收器RX1接收外接控制單元發(fā)出的觸 發(fā)信號，將其發(fā)送給驅(qū)動芯片U3，驅(qū)動芯片U3驅(qū)動MOS管Q3， MOS管Q3發(fā)出觸 發(fā)脈沖給驅(qū)動觸發(fā)脈沖輸出單元；過壓強(qiáng)觸發(fā)單元包括連接件J6、比較器U2和三極 管Q4，連接件J6連接可控硅上的分壓電阻，當(dāng)可控硅兩端的電壓超過額定范圍時J6 點(diǎn)的電壓將升高，當(dāng)超過比較器U2的反向輸入端時比較器會發(fā)出高電平來驅(qū)動三極 管Q4;驅(qū)動芯片U3與MOS管Q3之間連接有二極管D13和二極管D9， 二極管D13、 D9將觸發(fā)脈沖固定在+20V; MOS管Q3連接發(fā)光二極管D2。
結(jié)合圖l，光纖接收器RX1接收到來自控制單元發(fā)出的觸發(fā)信號，將其發(fā)送給驅(qū) 動芯片U3，驅(qū)動芯片U3驅(qū)動MOS管Q3， MOS管Q3最終發(fā)出觸發(fā)脈沖。其中二極 管D13、 D9能夠?qū)⒂|發(fā)脈沖固定在+20V以內(nèi)，D2為發(fā)光二極管，當(dāng)觸發(fā)時會發(fā)光顯 示。圖中連接件J6連接可控硅上的分壓電阻，當(dāng)可控硅兩端的電壓超過額定范圍吋連接件J6點(diǎn)的電壓將升高，當(dāng)超過比較器U2的反向輸入端時比較器會發(fā)出高電平來驅(qū) 動三極管Q4，從而驅(qū)動整個觸發(fā)電路發(fā)出觸發(fā)信號來導(dǎo)通可控硅，起到保護(hù)的作用。 在電機(jī)軟起動器上電后，軟起動觸發(fā)板上的所有光纖接收器處于待命狀態(tài)。當(dāng)軟 起動器開始工作后，控制器會根據(jù)三相相位發(fā)出觸發(fā)信號，此時高壓軟起動的所有觸 發(fā)板的光纖接收器接收到觸發(fā)信號，發(fā)出觸發(fā)脈沖，導(dǎo)通可控硅。
權(quán)利要求1、一種用于電機(jī)軟起動器的可控硅觸發(fā)裝置，其特征在于它包括觸發(fā)脈沖輸出單元、過壓強(qiáng)觸發(fā)單元和觸發(fā)光纖信號輸入單元，觸發(fā)光纖信號輸入單元分別連接外接控制單元和觸發(fā)脈沖輸出單元，并將接收到來自外接控制單元的觸發(fā)信號用于驅(qū)動觸發(fā)脈沖輸出單元發(fā)出觸發(fā)脈沖，觸發(fā)脈沖輸出單元和過壓強(qiáng)觸發(fā)單元連接可控硅，驅(qū)動可控硅導(dǎo)通。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于電機(jī)軟起動器的可控硅觸發(fā)裝置，其特征在于所 述的觸發(fā)光纖信號輸入單元包括光纖接收器(RX1)、驅(qū)動芯片(U3)和MOS管(Q3)，光 纖接收器(RX1)接收外接控制單元發(fā)出的觸發(fā)信號，將其發(fā)送給驅(qū)動芯片(U3)，驅(qū)動芯 片(U3)驅(qū)動MOS管(Q3)， MOS管(Q3)發(fā)出觸發(fā)脈沖給驅(qū)動觸發(fā)脈沖輸出單元。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種用于電機(jī)軟起動器的可控硅觸發(fā)裝置，其特征在于所 述的過壓強(qiáng)觸發(fā)單元包括器件(J6)、比較器(U2)和三極管(Q4)，連接件(J6)連接可控硅 上的分壓電阻，當(dāng)可控硅兩端的電壓超過額定范圍時連接件(J6)點(diǎn)的電壓將升高，當(dāng) 超過比較器(U2)的反向輸入端時比較器會發(fā)出高電平來驅(qū)動三極管(Q4)。
4、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種用于電機(jī)軟起動器的可控硅觸發(fā)裝置，其特征在于所 述的驅(qū)動芯片(U3)與MOS管(Q3)之間連接有二極管(D13、 D9)， 二極管(D13、 D9)將 觸發(fā)脈沖固定在+20V。
5、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種用于電機(jī)軟起動器的可控硅觸發(fā)裝置，其特征在于所 述的MOS管(Q3)連接發(fā)光二極管(D2)。
專利摘要本實(shí)用新型提供了一種用于電機(jī)軟起動器的可控硅觸發(fā)裝置。它包括觸發(fā)脈沖輸出單元、過壓強(qiáng)觸發(fā)單元和觸發(fā)光纖信號輸入單元，觸發(fā)光纖信號輸入單元分別連接外接控制單元和觸發(fā)脈沖輸出單元，并將接收到來自外接控制單元的觸發(fā)信號用于驅(qū)動觸發(fā)脈沖輸出單元發(fā)出觸發(fā)脈沖，觸發(fā)脈沖輸出單元和過壓強(qiáng)觸發(fā)單元連接可控硅，驅(qū)動可控硅導(dǎo)通。本實(shí)用新型能夠接收控制單元發(fā)出的光纖觸發(fā)信號，驅(qū)動可控硅導(dǎo)通，同時能夠?qū)崟r監(jiān)測可控硅的溫度，并具有過壓強(qiáng)觸發(fā)功能等功能，具有隔離效果好，保護(hù)性能高，運(yùn)行安全可靠等特點(diǎn)。
文檔編號H03K17/72GK201349190SQ200820211639
公開日2009年11月18日 申請日期2008年12月10日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月10日
發(fā)明者丁兆國, 何曉平, 冷嚴(yán)冬, 劉志強(qiáng), 周維來, 張德海, 超 李 申請人:哈爾濱九洲電氣股份有限公司